KR20130073669A

KR20130073669A - 전원 스위칭 구동 장치, 이를 갖는 역률 보정 장치 및 전원 공급 장치

Info

Publication number: KR20130073669A
Application number: KR1020110141634A
Authority: KR
Inventors: 김명수; 조군식; 이재형; 이광묵
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2011-12-23
Filing date: 2011-12-23
Publication date: 2013-07-03
Also published as: US20130163289A1

Abstract

본 발명은 2개의 NMOS 트랜지스터를 캐스코드 형태로 연결하여 전원 스위칭을 제어함으로써 회로 면적이 저감되고 구동 속도가 빠른 전원 스위칭 구동 장치, 이를 갖는 역률 보정 장치 및 전원 공급 장치에 관한 것으로, 본 발명은 외부로부터의 제어 신호에 따라 스위칭 신호를 제공하는 제1 구동부; 사전에 설정된 동작 전원을 공급하는 동작 전원단과 접지 사이에 캐스코드 연결된 제1 NMOS FET 및 제2 NMOS FET를 구비하여, 상기 스위칭 신호에 따라 상보적으로 스위칭하여 전원 스위칭을 제어하는 스위칭 제어 신호를 제공하는 제2 구동부; 상기 제2 구동부의 구동에 필요한 전류를 공급하는 전류 공급부; 및 상기 제2 구동부의 구동에 필요한 전압을 유지하는 전압 유지부를 포함하는 전원 스위칭 구동 장치 이를 갖는 역률 보정 장치 및 전원 공급 장치를 제공한다.

Description

전원 스위칭 구동 장치, 이를 갖는 역률 보정 장치 및 전원 공급 장치{DRIVING APPARATUS FOR POWER SWITCHING AND POWER FACTOR CORRECTION APPARATUS HAVING THEEOF AND POWER SUPPLY HAVING THEREOF}

본 발명은 회로 면적이 저감되고 구동 속도가 빠른 전원 스위칭 구동 장치, 이를 갖는 역률 보정 장치 및 전원 공급 장치에 관한 것이다.

일반적으로, 사용자의 다양한 요구를 충족시키기 위한 전자 장치들은 전원 장치가 외부 또는 내부에 채용된다.

한편, 에너지를 효율적으로 사용하고자 하는 사용자의 요구는 이러한 전자 장치에도 해당된다. 특히, 미국, 유럽 등에 수출하는 전자 장치들은 각국에서 규정한 효율 특성을 만족하여야 한다.

이에 따라, 전자 장치에 전력을 공급하는 전원 장치의 구조도 스위칭 모드 파워 서플라이(switching mode power supply) 회로를 채용한다. 이러한 스위칭 모드 파워 서플라이 회로의 전원 스위치를 온 오프 시키기 위해서는 전원 스위칭 구동 장치가 필요하다.

대용량의 전원을 스위칭하기 위해서는 전원 스위치의 구동 용량 또한 커지게 되고, 이를 위해 전원 스위칭 구동 장치도 마찬가지로 다룰 수 있는 전류 용량이 커지게 되므로, 전원 스위칭 구동 장치의 회로 면적이 커지게 되는 문제점이 있다.

즉, 전원 스위칭 구동 장치는 전원 스위칭을 제어하기 위해 PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터를 캐스코드 형태로 연결하여 사용하는데, 트랜지스터의 게이트 캐패시터는 매우 크기 때문에 빠른 동작을 위해선 많은 전류를 드레인하여야 하고 이에 따라, 회로 면적이 커지는 문제점이 있다.

본 발명의 과제는 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명은 2개의 NMOS 트랜지스터를 캐스코드 형태로 연결하여 전원 스위칭을 제어함으로써 회로 면적이 저감되고 구동 속도가 빠른 전원 스위칭 구동 장치, 이를 갖는 역률 보정 장치 및 전원 공급 장치를 제공한다.

상술한 본 발명의 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 하나의 기술적인 측면은 외부로부터의 제어 신호에 따라 스위칭 신호를 제공하는 제1 구동부;

사전에 설정된 동작 전원을 공급하는 동작 전원단과 접지 사이에 캐스코드 연결된 제1 NMOS FET 및 제2 NMOS FET를 구비하여, 상기 스위칭 신호에 따라 상보적으로 스위칭하여 전원 스위칭을 제어하는 스위칭 제어 신호를 제공하는 제2 구동부;

상기 제2 구동부의 구동에 필요한 전류를 공급하는 전류 공급부; 및

상기 제2 구동부의 구동에 필요한 전압을 유지하는 전압 유지부

를 포함하는 전원 스위칭 구동 장치를 제공할 수 있다.

본 발명의 하나의 기술적인 측면에 따르면, 상기 제1 구동부는 상기 제어 신호에 따라 스위칭하는 스위칭 소자를 포함할 수 있다.

본 발명의 하나의 기술적인 측면에 따르면, 상기 제2 N MOS FET는 상기 스위칭 N MOS FET의 스위칭 온 및 오프에 따라 스위칭 온 및 오프하고,

상기 제1 N MOS FET는 상기 제2 N MOS FET와 상보적으로 스위칭 온 및 오프하여 상기 스위칭 제어 신호를 제공할 수 있다.

본 발명의 하나의 기술적인 측면에 따르면, 상기 전류 공급부는

사전에 설정된 전류를 공급하는 전류원;

상기 동작 전원단과 상기 전류원 사이에 캐스코드 연결된 제1 및 제2 P MOS FET와, 상기 제1 및 제2 P MOS FET와 병렬 연결되고 상기 동작 전원단과 제2 N MOS FET 사이에 캐스코드 연결된 제3 및 제4 P MOS FET를 구비하여 상기 전류원으로부터의 전류를 상기 제2 N MOS FET에 미러링하는 전류 미러링부

를 포함할 수 있다.

본 발명의 하나의 기술적인 측면에 따르면, 상기 전압 유지부는 상기 제2 N MOS FET의 게이트와 접지 사이에 연결된 적어도 하나의 제너 다이오드를 포함할 수 있다.

본 발명의 하나의 기술적인 측면에 따르면, 상기 스위칭 소자는 스위칭 N MOS FET일 수 있다.

상술한 본 발명의 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 다른 하나의 기술적인 측면은 스위칭 제어 신호에 따라 정류된 전원을 스위칭하여 역률을 보정하는 역률 보정부; 및

외부로부터의 제어 신호에 따라 스위칭 신호를 제공하는 제1 구동부와, 사전에 설정된 동작 전원을 공급하는 동작 전원단과 접지 사이에 캐스코드 연결되어 상기 스위칭 신호에 따라 상보적으로 스위칭하여 상기 스위칭 제어 신호를 제공하는 제1 NMOS FET 및 제2 NMOS FET를 구비하는 제2 구동부를 갖는 전원 스위칭 구동 장치

를 포함하는 역률 보정 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 하나의 기술적인 측면에 따르면, 상기 전원 스위칭 구동 장치는

를 더 포함할 수 있다.

상술한 본 발명의 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 또 다른 하나의 기술적인 측면은 스위칭 제어 신호에 따라 입력 전원을 스위칭하여 사전에 설정된 구동 전원을 출력하는 전원 변환부; 및

를 포함하는 전원 공급 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 하나의 기술적인 측면에 따르면, 정류된 전원을 스위칭하여 역률 보정한 후 상기 전원 변환부에 제공하는 역률 보정부를 더 포함할 수 있다.

본 발명에 따르면, 2개의 NMOS 트랜지스터를 캐스코드 형태로 연결하여 전원 스위칭을 제어함으로써 회로 면적이 저감되고 구동 속도가 빠른 효과가 있다.

도 1은 본 발명의 전원 스위칭 구동 장치의 개략적인 블럭도.
도 2는 본 발명의 전원 스위칭 구동 장치의 보다 상세한 회로도.
도 3은 본 발명의 전원 스위칭 구동 장치를 채용한 역률 보정 장치의 개략적인 회로도.
도 4는 본 발명의 전원 스위칭 구동 장치를 채용한 전원 공급 장치의 개략적인 회로도.
도 5는 본 발명의 전원 스위칭 구동 장치의 제어 신호 및 스위칭 제어 신호의 시뮬레이션 파형 그래프.
도 6은 본 발명의 전원 스위칭 구동 장치의 동작 전원(VDD) 전압 변화에 의한 스위칭 제어 신호의 시뮬레이션 파형 그래프.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.

다만, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다라고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.

또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 또는 유사한 부호를 사용한다.

덧붙여, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 '연결'되어 있다고 할 때는 이는 '직접적으로 연결'되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 '간접적으로 연결'되어 있는 경우도 포함한다.

또한, 어떤 구성요소를 포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하도록 한다.

도 1은 본 발명의 전원 스위칭 구동 장치의 개략적인 블럭도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 전원 스위칭 구동 장치(100)는 제1 구동부(110), 제2 구동부(120), 전류 공급부(130) 및 전압 유지부(140)를 포함할 수 있다.

제1 구동부(110)는 외부로부터의 제어 신호(Data)에 따라 스위칭 신호를 제공할 수 있고, 제2 구동부(120)는 사전에 설정된 동작 전원(VDD)을 제공하는 동작 전원단과 접지 사이에 캐스코드 연결된 2개의 N MOS FET(MN1,MN2)를 포함하고, 제1 구동부(110)로부터의 스위칭 신호에 따라 스위칭하여 전원 스위칭을 제어하는 스위칭 제어 신호를 제공할 수 있다.

전류 공급부(130)는 제2 구동부(120)의 스위칭 제어 신호 제공에 필요한 전류를 공급하고, 전압 유지부(140)는 제2 구동부(120)의 제2 N MOS FET(MN2)의 게이트에 필요한 전압 레벨을 유지할 수 있다.

도 2는 본 발명의 전원 스위칭 구동 장치의 보다 상세한 회로도이다.

도 1과 함께 도 2를 참조하면, 본 발명의 전원 스위칭 구동 장치(100)의 제1 구동부(110)은 적어도 하나의 스위칭 N MOS FET(S)를 포함할 수 있다.

스위칭 N MOS FET(S)의 게이트로는 외부로부터의 제어신호(Data)가 입력되고 드레인은 제2 구동부(120)의 제2 N MOS FET(MN2)의 게이트에 연결될 수 있으며, 소스는 접지에 연결될 수 있다.

제2 구동부(120)의 제1 및 제2 N MOS FET(MN1, MN2)는 상기 동작 전원단과 접지 사이에 캐스코드 연결될 수 있으며, 보다 상세하게는 제1 N MOS FET(MN1)의 게이트는 스위칭 N MOS FET(S)의 게이트와 같이 외부로부터의 제어신호(Data)가 입력되고, 소스는 접지에 연결될 수 있으며, 드레인은 제2 N MOS FET(MN2)의 소스에 연결될 수 있다.

제2 N MOS FET(MN2)의 게이트는 스위칭 N MOS FET(S)의 드레인 및 전류 공급부(130)에 연결될 수 있고, 드레인은 상기 동작 전원단에 연결될 수 있다.

상술한 전기적 연결에 따라 제어 신호(DATA)가 하이 레벨 신호이면 스위칭 N MOS FET(S)와 제1 N MOS FET(MN1)이 스위칭 온 하고, 제2 N MOS FET(MN2)는 스위칭 오프하여 스위칭 소자에 인가되는 전원은 접지로 바이패스된다. 따라서, 스위칭 소자에 전달되는 스위칭 제어 신호는 로우 레벨 신호가 되어 스위칭 소자는 스위칭 오프될 수 있다.

제어 신호(DATA)가 로우 레벨 신호이면 스위칭 N MOS FET(S)와 제1 N MOS FET(MN1)이 스위칭 오프하고, 제2 N MOS FET(MN2)는 스위칭 온하여 스위칭 소자에 인가되는 사전에 설정된 레벨의 전원이 인가될 수 있다. 따라서, 스위칭 소자에 전달되는 스위칭 제어 신호는 하이 레벨 신호가 되어 스위칭 소자는 스위칭 온될 수 있다. 이를 위해, 전압 유지부(140)는 제2 N MOS FET(MN2)에 인가되는 전압 레벨을 유지할 수 있다.

전압 유지부(140)는 적어도 하나의 제너 다이오드를 포함할 수 있고, 유지하고자 하는 전압 레벨에 따라 복수의 제너 다이오드(D1~DN)를 포함할 수도 있다. 전압 유지부(140)는 제2 N MOS FET(MN2)의 게이트에 인가되는 전압을 유지하여 제2 N MOS FET(MN2)가 스위칭 온 동작을 수행할 수 있다. 즉, 제2 N MOS FET(MN2)의 게이트-소스간 전압은 일정하게 유지되어 드레인 전류의 변화는 감소할 수 있다. 스위칭 소자에 인가되는 스위칭 제어 신호가 하이 레벨일때 전원 전압에 상관없이 전압 레벨이 일정하게 유지되어 스위칭 소자의 드레인 전류 또한 일정하게 유지될 수 있다. 더하여, 동일한 드레인 전류에 대하여 N MOS FET은 P MOS FET에 비해 회로 면적을 저감할 수 있다. 전압 유지부(140)의 전압을 유지하기 위해 전류 공급부(130)가 채용된다.

전류 공급부(130)는 전류원(I)과 캐스코드 연결된 제1 및 제4 P MOS FET로 이루어진 전류 미러부를 포함할 수 있다.

전류원(I)는 사전에 설정된 레벨의 전류를 공급할 수 있고, 상기 전류 미러부는 전류원(I)으로부터의 전류를 미러링하여 제2 N MOS FET(MN2)의 게이트에 전달할 수 있다.

이를 위해, 상기 전류 미러부의 상기 동작 전원단과 전류원(I) 사이에 제1 및 제2 P MOS FET(M1,M2)는 캐스코드 연결되고, 상기 동작 전원단과 전압 유지부(140)의 사이에 제3 및 제4 P MOS FET(M3,M4)는 캐스코드 연결될 수 있다. 전류 미러링을 위해 캐스코드 연결된 제1 및 제2 P MOS FET(M1,M2)와 제3 및 제4 P MOS FET(M3,M4)는 병렬 연결될 수 있고, 제1 P MOS FET(M1)의 게이트와 제3 P MOS FET(M3)의 게이트 끼리 연결되고, 제2 P MOS FET(M2)의 게이트와 제4 P MOS FET(M4)의 게이트 끼리 연결될 수 있으며, 제1 P MOS FET(M1)의 게이트와 드레인은 서로 연결되고, 제2 P MOS FET(M2)의 게이트와 드레인은 서로 연결될 수 있다.

전류원(I)의 전류 공급에 의해 전압 유지부(140)의 제너 다이오드는 제너 전압이 생성될 수 있다. 즉, 제너 다이오드는 역방향 전류가 존재하지 않으면 '0' 전압을 유지하다 일전 전류 이상의 전류가 흐르게 되면 전압이 상승하여 제너 전압을 발생시키게 된다. 따라서, 스위칭 제어 신호의 라이징 시간은 제너 전압의 라이징 시간에 비례하게 되며, 상기 전류 미러부의 캐스코드 연결에 의해 전류원(I)의 내부 저항이 향상되어 제너 전압의 라이징 시간을 제어할 수 있다.

도 3은 본 발명의 전원 스위칭 구동 장치를 채용한 역률 보정 장치의 개략적인 회로도이다.

도 3을 참조하면, 본 발명의 전원 스위칭 구동 장치(100)는 역률 보정 장치에 채용될 수 있다.

즉, 상기 역률 보정 장치는 전원 스위칭 구동 장치(100)와 역률 보정부(200)를 포함할 수 있으며, 역률 보정부(200)는 교류 전원을 정류하는 브리지 다이오드로부터의 정류된 전원을 스위칭하여 전압과 전류간의 위상차를 조정하여 역률을 보정할 수 있으며, 이를 위해, 인덕터(L), 스위칭 소자(S1), 다이오드(D) 및 캐패시터(C1)를 포함할 수 있다.

전원 스위칭 구동 장치(100)는 스위칭 소자(S1)의 스위칭 온 및 오프를 제어하는 스위칭 제어 신호를 제공할 수 있다.

전원 스위칭 구동 장치(100)의 세부 구성 및 동작은 상술한 도 1 및 도 2의 설명과 동일하므로 생략하도록 한다.

도 4는 본 발명의 전원 스위칭 구동 장치를 채용한 전원 공급 장치의 개략적인 회로도이다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 전원 스위칭 구동 장치(100)는 전원 공급 장치에 채용될 수 있다.

즉, 상기 전원 공급 장치는 전원 스위칭 구동 장치(100)와 전원 변환부(300)를 포함할 수 있으며, 더하여 역률 보정부(200)를 포함할 수 있다.

전원 변환부(300)은 입력된 전원을 스위칭하고 트랜스포머의 권선비에 따라 전압 레벨을 변환하여 사전에 설정된 직류 전원을 공급할 수 있다. 이를 위해, 전원 변환부(300)는 스위칭 소자(S2), 트랜스포머(T), 다이오드(D) 및 캐패시터(C)를 포함할 수 있다.

전원 스위칭 구동 장치(100)의 세부 구성 및 동작은 상술한 도 1 및 도 2의 설명과 동일하므로 생략하도록 한다. 더하여, 역률 보정부(200)는 도 3에 도시된 설명과 동일 또는 유사할 수 있으므로 생략하도록 한다.

도 5는 본 발명의 전원 스위칭 구동 장치의 제어 신호 및 스위칭 제어 신호의 시뮬레이션 파형 그래프이다.

도 5를 참조하면, 입력된 제어 신호(DATA)의 하이 레벨 및 로우 레벨에 상보적으로 스위칭 제어 신호의 하이 레벨 및 로우 레벨이 형성되는 것을 볼 수 있으며, 제너 다이오드의 라이징 시간에 의해 라이징 및 폴링 시간이 각각 50ns 및 35ns인 것을 볼 수 있다.

도 6은 본 발명의 전원 스위칭 구동 장치의 동작 전원(VDD) 전압 변화에 의한 스위칭 제어 신호의 시뮬레이션 파형 그래프이다.

도 6을 참조하면, 본 발명의 전원 스위칭 구동 장치의 동작 전원(VDD)의 전압 레벨을 15V에서 25V로 변동하여도 스위칭 제어 신호의 전압 레벨은 일정한 것으로 볼 수 있다. 이에 따라, 스위칭 소자의 게이트-소스간 전압이 일정하게 되어 일정한 드레인 전류를 생성하게 되고, 역류 보정 장치 또는 전원 공급 장치에 채용된 인덕터에 흐르는 전류를 안정적으로 유지시킬 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 2개의 NMOS 트랜지스터를 캐스코드 형태로 연결하여 전원 스위칭을 제어함으로써 회로 면적이 저감되고 구동 속도가 빠르며, 동작 전원(VDD)의 전압 레벨이 변동하여도 안정적인 스위칭 제어 신호를 제공할 수 있다.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고 후술하는 특허청구범위에 의해 한정되며, 본 발명의 구성은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 그 구성을 다양하게 변경 및 개조할 수 있다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 쉽게 알 수 있다.

100...전원 스위칭 구동 장치
110...제1 구동부
120...제2 구동부
130...전류 공급부
140...전압 유지부
200...역률 보정부
300...전원 변환부

Claims

외부로부터의 제어 신호에 따라 스위칭 신호를 제공하는 제1 구동부;
사전에 설정된 동작 전원을 공급하는 동작 전원단과 접지 사이에 캐스코드 연결된 제1 NMOS FET 및 제2 NMOS FET를 구비하여, 상기 스위칭 신호에 따라 상보적으로 스위칭하여 전원 스위칭을 제어하는 스위칭 제어 신호를 제공하는 제2 구동부;
상기 제2 구동부의 구동에 필요한 전류를 공급하는 전류 공급부; 및
상기 제2 구동부의 구동에 필요한 전압을 유지하는 전압 유지부
를 포함하는 전원 스위칭 구동 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 구동부는 상기 제어 신호에 따라 스위칭하는 스위칭 소자를 포함하는 전원 스위칭 구동 장치.
제2항에 있어서,
상기 제2 N MOS FET는 상기 스위칭 소자의 스위칭 온 및 오프에 따라 스위칭 온 및 오프하고,
상기 제1 N MOS FET는 상기 제2 N MOS FET와 상보적으로 스위칭 온 및 오프하여 상기 스위칭 제어 신호를 제공하는 전원 스위칭 구동 장치.
제3항에 있어서, 상기 전류 공급부는
사전에 설정된 전류를 공급하는 전류원;
상기 동작 전원단과 상기 전류원 사이에 캐스코드 연결된 제1 및 제2 P MOS FET와, 상기 제1 및 제2 P MOS FET와 병렬 연결되고 상기 동작 전원단과 제2 N MOS FET 사이에 캐스코드 연결된 제3 및 제4 P MOS FET를 구비하여 상기 전류원으로부터의 전류를 상기 제2 N MOS FET에 미러링하는 전류 미러링부
를 포함하는 전원 스위칭 구동 장치.
제4항에 있어서,
상기 전압 유지부는 상기 제2 N MOS FET의 게이트와 접지 사이에 연결된 적어도 하나의 제너 다이오드를 포함하는 전원 스위칭 구동 장치.
제2항에 있어서,
상기 스위칭 소자는 스위칭 N MOS FET인 전원 스위칭 구동 장치.
스위칭 제어 신호에 따라 정류된 전원을 스위칭하여 역률을 보정하는 역률 보정부; 및
외부로부터의 제어 신호에 따라 스위칭 신호를 제공하는 제1 구동부와, 사전에 설정된 동작 전원을 공급하는 동작 전원단과 접지 사이에 캐스코드 연결되어 상기 스위칭 신호에 따라 상보적으로 스위칭하여 상기 스위칭 제어 신호를 제공하는 제1 NMOS FET 및 제2 NMOS FET를 구비하는 제2 구동부를 갖는 전원 스위칭 구동 장치
를 포함하는 역률 보정 장치.
제7항에 있어서, 상기 전원 스위칭 구동 장치는
상기 제2 구동부의 구동에 필요한 전류를 공급하는 전류 공급부; 및
상기 제2 구동부의 구동에 필요한 전압을 유지하는 전압 유지부
를 더 포함하는 역률 보정 장치.
제8항에 있어서,
상기 제1 구동부는 상기 제어 신호에 따라 스위칭하는 스위칭 소자를 포함하는 역률 보정 장치.
제9항에 있어서,
상기 제2 N MOS FET는 상기 스위칭 소자의 스위칭 온 및 오프에 따라 스위칭 온 및 오프하고,
상기 제1 N MOS FET는 상기 제2 N MOS FET와 상보적으로 스위칭 온 및 오프하여 상기 스위칭 제어 신호를 제공하는 역률 보정 장치.
제10항에 있어서, 상기 전류 공급부는
사전에 설정된 전류를 공급하는 전류원;
상기 동작 전원단과 상기 전류원 사이에 캐스코드 연결된 제1 및 제2 P MOS FET와, 상기 제1 및 제2 P MOS FET와 병렬 연결되고 상기 동작 전원단과 제2 N MOS FET 사이에 캐스코드 연결된 제3 및 제4 P MOS FET를 구비하여 상기 전류원으로부터의 전류를 상기 제2 N MOS FET에 미러링하는 전류 미러링부
를 포함하는 역률 보정 장치.
제11항에 있어서,
상기 전압 유지부는 상기 제2 N MOS FET의 게이트와 접지 사이에 연결된 적어도 하나의 제너 다이오드를 포함하는 역률 보정 장치.
제9항에 있어서,
상기 스위칭 소자는 스위칭 N MOS FET인 역률 보정 장치.
스위칭 제어 신호에 따라 입력 전원을 스위칭하여 사전에 설정된 구동 전원을 출력하는 전원 변환부; 및
외부로부터의 제어 신호에 따라 스위칭 신호를 제공하는 제1 구동부와, 사전에 설정된 동작 전원을 공급하는 동작 전원단과 접지 사이에 캐스코드 연결되어 상기 스위칭 신호에 따라 상보적으로 스위칭하여 상기 스위칭 제어 신호를 제공하는 제1 NMOS FET 및 제2 NMOS FET를 구비하는 제2 구동부를 갖는 전원 스위칭 구동 장치
를 포함하는 전원 공급 장치.
제14항에 있어서, 상기 전원 스위칭 구동 장치는
상기 제2 구동부의 구동에 필요한 전류를 공급하는 전류 공급부; 및
상기 제2 구동부의 구동에 필요한 전압을 유지하는 전압 유지부
를 더 포함하는 전원 공급 장치.
제15항에 있어서,
상기 제1 구동부는 상기 제어 신호에 따라 스위칭하는 스위칭 소자를 포함하는 전원 공급 장치.
제16항에 있어서,
상기 제2 N MOS FET는 상기 스위칭 소자의 스위칭 온 및 오프에 따라 스위칭 온 및 오프하고,
상기 제1 N MOS FET는 상기 제2 N MOS FET와 상보적으로 스위칭 온 및 오프하여 상기 스위칭 제어 신호를 제공하는 전원 공급 장치.
제17항에 있어서, 상기 전류 공급부는
사전에 설정된 전류를 공급하는 전류원;
상기 동작 전원단과 상기 전류원 사이에 캐스코드 연결된 제1 및 제2 P MOS FET와, 상기 제1 및 제2 P MOS FET와 병렬 연결되고 상기 동작 전원단과 제2 N MOS FET 사이에 캐스코드 연결된 제3 및 제4 P MOS FET를 구비하여 상기 전류원으로부터의 전류를 상기 제2 N MOS FET에 미러링하는 전류 미러링부
를 포함하는 전원 공급 장치.
제18항에 있어서,
상기 전압 유지부는 상기 제2 N MOS FET의 게이트와 접지 사이에 연결된 적어도 하나의 제너 다이오드를 포함하는 전원 공급 장치.
제14항에 있어서,
정류된 전원을 스위칭하여 역률 보정한 후 상기 전원 변환부에 제공하는 역률 보정부를 더 포함하는 전원 공급 장치.
제16항에 있어서,
상기 스위칭 소자는 스위칭 N MOS FET인 전원 공급 장치.