JP2015215937A5 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2015215937A5
JP2015215937A5 JP2015086590A JP2015086590A JP2015215937A5 JP 2015215937 A5 JP2015215937 A5 JP 2015215937A5 JP 2015086590 A JP2015086590 A JP 2015086590A JP 2015086590 A JP2015086590 A JP 2015086590A JP 2015215937 A5 JP2015215937 A5 JP 2015215937A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
electrically connected
drain
source
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2015086590A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015215937A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2015086590A priority Critical patent/JP2015215937A/ja
Priority claimed from JP2015086590A external-priority patent/JP2015215937A/ja
Publication of JP2015215937A publication Critical patent/JP2015215937A/ja
Publication of JP2015215937A5 publication Critical patent/JP2015215937A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Claims (8)

  1. 第１乃至第５のトランジスタと、第１乃至第３のゲート線と、第１乃至第３の配線と、を有し、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のゲート線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのゲートは、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのゲートは、前記第３の配線と電気的に接続される半導体装置。
  2. 第１乃至第５のトランジスタと、第１乃至第３のゲート線と、第１乃至第３の配線と、を有し、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１のクロック信号が入力される前記第１の配線と電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のゲート線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのゲートは、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのゲートは、第２のクロック信号が入力される前記第３の配線と電気的に接続される半導体装置。
  3. 第１乃至第５のトランジスタと、第１乃至第３のゲート線と、第１乃至第３の配線と、を有し、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のゲート線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのゲートは、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのゲートは、前記第３の配線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのＷ（Ｗはチャネル幅）／Ｌ（Ｌはチャネル長）は、前記第４のトランジスタのＷ／Ｌの０．８倍以上、１．２倍以下である半導体装置。
  4. 第１乃至第５のトランジスタと、第１乃至第３のゲート線と、第１乃至第３の配線と、を有し、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１のクロック信号が入力される前記第１の配線と電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のゲート線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのゲートは、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのゲートは、第２のクロック信号が入力される前記第３の配線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのＷ（Ｗはチャネル幅）／Ｌ（Ｌはチャネル長）は、前記第４のトランジスタのＷ／Ｌの０．８倍以上、１．２倍以下である半導体装置。
  5. 第１乃至第１０のトランジスタと、第１乃至第４のゲート線と、第１乃至第５の配線と、を有し、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のゲート線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのゲートは、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのゲートは、前記第３の配線と電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４の配線と電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのゲートは、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のゲート線と電気的に接続され、
    前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第９のトランジスタのゲートは、前記第４のゲート線と電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのゲートは、前記第５の配線と電気的に接続される半導体装置。
  6. 第１乃至第１０のトランジスタと、第１乃至第４のゲート線と、第１乃至第５の配線と、を有し、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１のクロック信号が入力される前記第１の配線と電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のゲート線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのゲートは、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのゲートは、第２のクロック信号が入力される前記第３の配線と電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３のクロック信号が入力される前記第４の配線と電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのゲートは、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のゲート線と電気的に接続され、
    前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第９のトランジスタのゲートは、前記第４のゲート線と電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのゲートは、第４のクロック信号が入力される前記第５の配線と電気的に接続される半導体装置。
  7. 第１乃至第１０のトランジスタと、第１乃至第４のゲート線と、第１乃至第５の配線と、を有し、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のゲート線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのゲートは、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのゲートは、前記第３の配線と電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４の配線と電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのゲートは、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のゲート線と電気的に接続され、
    前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第９のトランジスタのゲートは、前記第４のゲート線と電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのゲートは、前記第５の配線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのＷ（Ｗはチャネル幅）／Ｌ（Ｌはチャネル長）は、前記第４のトランジスタのＷ／Ｌの０．８倍以上、１．２倍以下であり、
    前記第８のトランジスタのＷ／Ｌは、前記第９のトランジスタのＷ／Ｌの０．８倍以上、１．２倍以下である半導体装置。
  8. 第１乃至第１０のトランジスタと、第１乃至第４のゲート線と、第１乃至第５の配線と、を有し、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１のクロック信号が入力される前記第１の配線と電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のゲート線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのゲートは、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのゲートは、第２のクロック信号が入力される前記第３の配線と電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３のクロック信号が入力される前記第４の配線と電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のゲート線と電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのゲートは、前記第２のゲート線と電気的に接続され、
    前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のゲート線と電気的に接続され、
    前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第９のトランジスタのゲートは、前記第４のゲート線と電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのゲートは、第４のクロック信号が入力される前記第５の配線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのＷ（Ｗはチャネル幅）／Ｌ（Ｌはチャネル長）は、前記第４のトランジスタのＷ／Ｌの０．８倍以上、１．２倍以下であり、
    前記第８のトランジスタのＷ／Ｌは、前記第９のトランジスタのＷ／Ｌの０．８倍以上、１．２倍以下である半導体装置。
JP2015086590A 2014-04-24 2015-04-21 半導体装置、表示モジュール及び電子機器 Withdrawn JP2015215937A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015086590A JP2015215937A (ja) 2014-04-24 2015-04-21 半導体装置、表示モジュール及び電子機器

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014090314 2014-04-24
JP2014090314 2014-04-24
JP2015086590A JP2015215937A (ja) 2014-04-24 2015-04-21 半導体装置、表示モジュール及び電子機器

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019095224A Division JP6775634B2 (ja) 2014-04-24 2019-05-21 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015215937A JP2015215937A (ja) 2015-12-03
JP2015215937A5 true JP2015215937A5 (ja) 2018-09-06

Family

ID=54335388

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015086590A Withdrawn JP2015215937A (ja) 2014-04-24 2015-04-21 半導体装置、表示モジュール及び電子機器
JP2019095224A Active JP6775634B2 (ja) 2014-04-24 2019-05-21 半導体装置
JP2020168990A Withdrawn JP2021044047A (ja) 2014-04-24 2020-10-06 半導体装置
JP2022098989A Active JP7411728B2 (ja) 2014-04-24 2022-06-20 半導体装置
JP2023218230A Pending JP2024041792A (ja) 2014-04-24 2023-12-25 半導体装置及び表示装置

Family Applications After (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019095224A Active JP6775634B2 (ja) 2014-04-24 2019-05-21 半導体装置
JP2020168990A Withdrawn JP2021044047A (ja) 2014-04-24 2020-10-06 半導体装置
JP2022098989A Active JP7411728B2 (ja) 2014-04-24 2022-06-20 半導体装置
JP2023218230A Pending JP2024041792A (ja) 2014-04-24 2023-12-25 半導体装置及び表示装置

Country Status (3)

Country Link
US (4) US10199006B2 (ja)
JP (5) JP2015215937A (ja)
KR (7) KR102291676B1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10199006B2 (en) * 2014-04-24 2019-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
JP6521794B2 (ja) 2014-09-03 2019-05-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
JP6425508B2 (ja) * 2014-11-25 2018-11-21 株式会社ジャパンディスプレイ 薄膜トランジスタ
JP6830765B2 (ja) 2015-06-08 2021-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6561381B2 (ja) * 2015-08-25 2019-08-21 株式会社Ｊｏｌｅｄ レジスタ回路、駆動回路および表示装置
CN106997755B (zh) * 2017-05-10 2019-06-04 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置
CN107123405A (zh) * 2017-06-01 2017-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 双向移位寄存器单元、双向移位寄存器及显示面板
JP6878228B2 (ja) * 2017-09-20 2021-05-26 株式会社東芝 半導体装置
TWI688930B (zh) * 2019-02-11 2020-03-21 友達光電股份有限公司 電子裝置與驅動方法
JPWO2021005450A1 (ja) 2019-07-11 2021-01-14

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW582005B (en) 2001-05-29 2004-04-01 Semiconductor Energy Lab Pulse output circuit, shift register, and display device
KR100797522B1 (ko) 2002-09-05 2008-01-24 삼성전자주식회사 쉬프트 레지스터와 이를 구비하는 액정 표시 장치
US7486269B2 (en) 2003-07-09 2009-02-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Shift register, scan driving circuit and display apparatus having the same
KR100583318B1 (ko) * 2003-12-17 2006-05-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 게이트 구동장치 및 방법
KR101437086B1 (ko) * 2006-01-07 2014-09-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치와, 이 반도체장치를 구비한 표시장치 및 전자기기
JP4912121B2 (ja) 2006-02-23 2012-04-11 三菱電機株式会社 シフトレジスタ回路
US8330492B2 (en) * 2006-06-02 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
EP1895545B1 (en) * 2006-08-31 2014-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5116277B2 (ja) * 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
TWI360094B (en) * 2007-04-25 2012-03-11 Wintek Corp Shift register and liquid crystal display
JP2008287753A (ja) 2007-05-15 2008-11-27 Mitsubishi Electric Corp シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置
US20110001752A1 (en) * 2008-03-19 2011-01-06 Yuuki Ohta Display panel drive circuit, liquid crystal display device, and method for driving display panel
US8314765B2 (en) * 2008-06-17 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device, and electronic device
KR102099548B1 (ko) 2008-11-28 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치
JP2010192019A (ja) 2009-02-17 2010-09-02 Sharp Corp シフトレジスタならびにそれを備えた走査信号線駆動回路および表示装置
EP2234100B1 (en) * 2009-03-26 2016-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
TWI511288B (zh) * 2009-03-27 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
KR101752640B1 (ko) 2009-03-27 2017-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
TWI783356B (zh) * 2009-09-10 2022-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和顯示裝置
WO2011055570A1 (ja) * 2009-11-04 2011-05-12 シャープ株式会社 シフトレジスタならびにそれを備えた走査信号線駆動回路および表示装置
KR101344674B1 (ko) * 2009-11-04 2013-12-23 샤프 가부시키가이샤 시프트 레지스터 및 그것을 포함한 주사 신호선 구동 회로, 및 표시 장치
WO2011070901A1 (en) * 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102376342B1 (ko) 2010-02-18 2022-03-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
US8565369B2 (en) * 2010-03-15 2013-10-22 Sharp Kabushiki Kaisha Scanning signal line drive circuit and display device having the same
WO2011129126A1 (ja) * 2010-04-12 2011-10-20 シャープ株式会社 走査信号線駆動回路およびそれを備えた表示装置
KR101710661B1 (ko) * 2010-04-29 2017-02-28 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동회로 및 이를 갖는 표시장치
TWI433459B (zh) 2010-07-08 2014-04-01 Au Optronics Corp 雙向移位暫存器
JP5631145B2 (ja) 2010-10-08 2014-11-26 株式会社ジャパンディスプレイ ゲート信号線駆動回路及び表示装置
TWI633556B (zh) 2011-05-13 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR20130055397A (ko) * 2011-11-18 2013-05-28 삼성디스플레이 주식회사 주사 구동 장치, 이를 포함하는 표시 장치 및 주사 구동 장치의 구동 방법
US9036766B2 (en) 2012-02-29 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014054516A1 (ja) 2012-10-05 2014-04-10 シャープ株式会社 シフトレジスタ、それを備える表示装置、およびシフトレジスタの駆動方法
WO2014054517A1 (ja) 2012-10-05 2014-04-10 シャープ株式会社 シフトレジスタ、それを備える表示装置、およびシフトレジスタの駆動方法
US9881688B2 (en) 2012-10-05 2018-01-30 Sharp Kabushiki Kaisha Shift register
JP5459919B2 (ja) 2012-11-06 2014-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器
US10199006B2 (en) * 2014-04-24 2019-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
CN104332181B (zh) * 2014-11-03 2018-11-13 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种移位寄存器及栅极驱动装置
CN106531051B (zh) * 2017-01-03 2019-05-03 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
CN108281124B (zh) * 2018-03-30 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015215937A5 (ja) 半導体装置
JP2018173647A5 (ja) 半導体装置及び電子機器
JP2016219845A5 (ja)
JP2020035510A5 (ja)
JP2017038370A5 (ja)
JP2013041283A5 (ja) 半導体装置
JP2017174492A5 (ja)
JP2015035803A5 (ja)
JP2014030185A5 (ja) 半導体装置
JP2011180587A5 (ja) 半導体装置
JP2017187782A5 (ja)
JP2017004589A5 (ja) 半導体装置
JP2015129903A5 (ja) 半導体装置
JP2012209949A5 (ja) 半導体装置、表示装置及び液晶表示装置
JP2011044701A5 (ja)
JP2014179975A5 (ja) マルチプレクサ及び半導体装置
JP2017107632A5 (ja) 表示装置
JP2014241407A5 (ja)
JP2013066172A5 (ja) 半導体装置及び表示装置
JP2011082967A5 (ja)
JP2011191754A5 (ja) 半導体装置
JP2013085237A5 (ja)
JP2013168210A5 (ja) 半導体装置、表示装置及び電子機器
JP2012257211A5 (ja) 半導体装置及び表示装置
JP2015188201A5 (ja)