JP2014179975A5 - マルチプレクサ及び半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. 第１乃至第４のトランジスタを有し、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線に電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線に電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線に電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線に電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、
   前記第３のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、
   前記第１の配線に入力される第１の信号と、前記第２の配線に入力される第２の信号とは、互いに論理レベルが異なるマルチプレクサ。
2. 第１乃至第４のトランジスタを有し、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線に電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線に電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線に電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線に電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、
   前記第３のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、
   前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域にシリコンを含み、
   前記第４のトランジスタは、チャネル形成領域にシリコンを含み、
   前記第１の配線に入力される第１の信号と、前記第２の配線に入力される第２の信号とは、互いに論理レベルが異なるマルチプレクサ。
3. 第１乃至第６のトランジスタを有し、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線に電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線に電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線に電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線に電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第５の配線に電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、
   前記第３のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、
   前記第５のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、
   前記第１の配線に入力される第１の信号と、前記第２の配線に入力される第２の信号とは、互いに論理レベルが異なるマルチプレクサ。
4. 第１乃至第６のトランジスタを有し、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線に電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線に電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線に電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線に電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第５の配線に電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、
   前記第３のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、
   前記第５のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、
   前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域にシリコンを含み、
   前記第４のトランジスタは、チャネル形成領域にシリコンを含み、
   前記第６のトランジスタは、チャネル形成領域にシリコンを含み、
   前記第１の配線に入力される第１の信号と、前記第２の配線に入力される第２の信号とは、互いに論理レベルが異なるマルチプレクサ。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の前記マルチプレクサを用いた半導体装置。