JP2013211089A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (3)

1. 第１乃至第５のトランジスタを有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の配線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第５の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第４及び第５のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１において、
   前記第４及び第５のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有し、
   前記酸化物半導体層は、ｃ軸が被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃っている結晶部を有することを特徴とする半導体装置。