JP2014241407A5 - - Google Patents

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Claims (4)

  1. 第1乃至第3のトランジスタと1つの半導体層と前記半導体層と重な第1乃至第3の配線と、を有し、
    前記第1乃至第3の配線のそれぞれは、前記半導体層重なる部分において、前記半導体層の導電性を変化させる機能を有し
    前記半導体層は、前記第1乃至第3のトランジスタのそれぞれのゲート電気的接続され、前記それぞれのゲートを浮遊状態する機能を有し
    記第1乃至第3のトランジスタのそれぞれは、前記浮遊状態の際に、ゲートの電位に応じて、ソースとドレインの間の導電性を制御する機能を有することを特徴とするプログラマブルな信号処理装置。
  2. 第1乃至第3のトランジスタと、1つの半導体層と、前記半導体層と重なる第1乃至第3の配線と、を有し、
    前記第1乃至第3の配線のそれぞれは、前記半導体層と重なる部分において、前記半導体層の導電性を変化させる機能を有し、
    前記半導体層は、前記第1乃至第3のトランジスタのそれぞれのゲートと電気的に接続され、前記それぞれのゲートを浮遊状態にする機能を有し、
    前記第1乃至第3のトランジスタのそれぞれは、前記浮遊状態の際に、ゲートの電位に応じて、ソースとドレインの間の導電性を制御する機能を有し、
    前記半導体層は、酸化物を有することを特徴とするプログラマブルな信号処理装置。
  3. 請求項1又は請求項2において、
    第1乃至第3の入力端子を有するマルチプレクサを有し、
    前記第1乃至第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、それぞれ対応する前記第1乃至第3の入力端子と、直接あるいは間接に接続され、
    前記第1乃至第3のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、互い同じ電位であることを特徴とするプログラマブルな信号処理装置。
  4. 請求項3において、
    前記半導体層、前記第1乃至のトランジスタのソースまたはドレインの他方と、同じ電位である部分を有することを特徴とするプログラマブルな信号処理装置。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9853053B2 (en) 2012-09-10 2017-12-26 3B Technologies, Inc. Three dimension integrated circuits employing thin film transistors
WO2016099580A2 (en) 2014-12-23 2016-06-23 Lupino James John Three dimensional integrated circuits employing thin film transistors
JP6489216B2 (ja) * 2015-01-21 2019-03-27 日本電気株式会社 再構成可能回路およびその利用方法
JP6857447B2 (ja) 2015-01-26 2021-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016154225A (ja) 2015-02-12 2016-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
TWI718125B (zh) 2015-03-03 2021-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6705663B2 (ja) 2015-03-06 2020-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9882061B2 (en) 2015-03-17 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI777164B (zh) 2015-03-30 2022-09-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US10460984B2 (en) 2015-04-15 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating electrode and semiconductor device
US10192995B2 (en) 2015-04-28 2019-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10164120B2 (en) 2015-05-28 2018-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR102548001B1 (ko) 2015-07-08 2023-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US11189736B2 (en) 2015-07-24 2021-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9825177B2 (en) 2015-07-30 2017-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask
US9773919B2 (en) 2015-08-26 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW202236685A (zh) 2015-10-30 2022-09-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 電容器、半導體裝置、模組以及電子裝置的製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7064973B2 (en) 2004-02-03 2006-06-20 Klp International, Ltd. Combination field programmable gate array allowing dynamic reprogrammability
KR101745749B1 (ko) 2010-01-20 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011114905A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2011125432A1 (en) 2010-04-07 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2012014786A1 (en) 2010-07-30 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semicondcutor device and manufacturing method thereof
KR101899880B1 (ko) 2011-02-17 2018-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 lsi
JP2012204896A (ja) 2011-03-24 2012-10-22 Toshiba Corp 不揮発プログラマブルロジックスイッチ
US8476927B2 (en) * 2011-04-29 2013-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
KR101946360B1 (ko) 2011-05-16 2019-02-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 로직 디바이스
US9673823B2 (en) 2011-05-18 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US8581625B2 (en) 2011-05-19 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US8779799B2 (en) 2011-05-19 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit
JP5892852B2 (ja) * 2011-05-20 2016-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US9106223B2 (en) * 2013-05-20 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device

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