JP2016219845A5 - - Google Patents

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  1. 奇数段の第1の回路と、
    偶数段の第2の回路と、を有し、
    前記第1の回路は、第1乃至第3のトランジスタを有し、
    前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第1の配線と電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
    前記第3のトランジスタのゲートは、第2の配線と電気的に接続され、
    前記第2の回路は、第4乃至第6のトランジスタを有し、
    前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第3の配線と電気的に接続され、
    前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
    前記第4のトランジスタのゲートは、前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第5のトランジスタのゲートは、前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
    前記第6のトランジスタのゲートは、第4の配線と電気的に接続され、
    前記第1の配線には、第1のクロック信号が入力され、
    前記第2の配線には、第2のクロック信号が入力され、
    前記第3の配線には、第3のクロック信号が入力され、
    前記第4の配線には、第4のクロック信号が入力されることを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項1において、
    奇数段の第3の回路を有し、
    前記第3の回路は、第7乃至第9のトランジスタを有し、
    前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1の配線と電気的に接続され、
    前記第8のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第9のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第8のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第9のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
    前記第7のトランジスタのゲートは、前記第8のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第8のトランジスタのゲートは、前記第8のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
    前記第9のトランジスタのゲートは、前記第2の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項1又は請求項2において、
    偶数段の第4の回路を有し、
    前記第4の回路は、第10乃至第12のトランジスタを有し、
    前記第10のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
    前記第11のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第12のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第11のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第12のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
    前記第10のトランジスタのゲートは、前記第11のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第11のトランジスタのゲートは、前記第11のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
    前記第12のトランジスタのゲートは、前記第4の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102577885B1 (ko) 2009-10-16 2023-09-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011070929A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US8854220B1 (en) * 2010-08-30 2014-10-07 Exelis, Inc. Indicating desiccant in night vision goggles
US9466618B2 (en) 2011-05-13 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including two thin film transistors and method of manufacturing the same
KR102017084B1 (ko) * 2011-05-13 2019-09-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US8902205B2 (en) * 2011-06-01 2014-12-02 Pixtronix, Inc. Latching circuits for MEMS display devices
US9030837B2 (en) * 2011-06-10 2015-05-12 Scott Moncrieff Injection molded control panel with in-molded decorated plastic film that includes an internal connector
CN102402936B (zh) * 2011-11-23 2014-06-25 北京大学深圳研究生院 栅极驱动电路单元、栅极驱动电路和显示装置
CN102654970B (zh) * 2012-05-09 2014-12-31 天马微电子股份有限公司 一种光栅驱动电路及3d显示器
US9742378B2 (en) 2012-06-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit and semiconductor device
CN103578433B (zh) * 2012-07-24 2015-10-07 北京京东方光电科技有限公司 一种栅极驱动电路、方法及液晶显示器
US20150262703A1 (en) * 2012-10-05 2015-09-17 Sharp Kabushiki Kaisha Shift register, display device provided therewith, and shift-register driving method
US20150279480A1 (en) * 2012-10-05 2015-10-01 Sharp Kabushiki Kaisha Shift register, display device provided therewith, and shift-register driving method
WO2014054518A1 (ja) * 2012-10-05 2014-04-10 シャープ株式会社 シフトレジスタ
CN103258500B (zh) * 2013-04-24 2015-02-04 合肥京东方光电科技有限公司 一种移位寄存单元及显示装置
JP6475424B2 (ja) 2013-06-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN105340021B (zh) 2013-06-28 2019-09-27 夏普株式会社 单位移位寄存器电路、移位寄存器电路、单位移位寄存器电路的控制方法和显示装置
TWI770954B (zh) 2014-02-21 2022-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
US10199006B2 (en) 2014-04-24 2019-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
US10276119B2 (en) * 2014-07-04 2019-04-30 Sharp Kabushiki Kaisha Shift register and display device provided therewith
JP6521794B2 (ja) 2014-09-03 2019-05-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
US9626895B2 (en) * 2015-08-25 2017-04-18 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Gate driving circuit
WO2017163948A1 (ja) * 2016-03-25 2017-09-28 日立オートモティブシステムズ株式会社 車載処理装置及び車載システム
JP6784148B2 (ja) 2016-11-10 2020-11-11 三菱電機株式会社 半導体装置、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法
CN106652906B (zh) * 2017-01-05 2019-02-05 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板、驱动方法及显示装置
CN106950775A (zh) * 2017-05-16 2017-07-14 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板和显示装置
CN108062938B (zh) * 2018-01-05 2020-06-19 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置
KR102606487B1 (ko) * 2018-02-01 2023-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
CN109410881B (zh) * 2018-12-20 2020-06-02 深圳市华星光电技术有限公司 信号传输系统及信号传输方法
JP7107878B2 (ja) * 2019-03-25 2022-07-27 ヤンマーパワーテクノロジー株式会社 作業車両用の目標経路生成システム
CN110060641A (zh) * 2019-04-23 2019-07-26 深圳市华星光电技术有限公司 显示装置系统电路及显示装置
KR20210059834A (ko) * 2019-11-15 2021-05-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111833803A (zh) * 2020-06-24 2020-10-27 杭州视芯科技有限公司 Led显示系统及其控制方法
CN111768713B (zh) * 2020-07-31 2022-01-14 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板以及显示装置

Family Cites Families (174)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
US5434899A (en) 1994-08-12 1995-07-18 Thomson Consumer Electronics, S.A. Phase clocked shift register with cross connecting between stages
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
US6489833B1 (en) 1995-03-29 2002-12-03 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device
WO1997006554A2 (en) 1995-08-03 1997-02-20 Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with transparent switching element
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
US5859630A (en) 1996-12-09 1999-01-12 Thomson Multimedia S.A. Bi-directional shift register
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Hoya株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP3809750B2 (ja) 1999-12-02 2006-08-16 カシオ計算機株式会社 シフトレジスタ及び電子装置
JP3535067B2 (ja) 2000-03-16 2004-06-07 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP4501048B2 (ja) 2000-12-28 2010-07-14 カシオ計算機株式会社 シフトレジスタ回路及びその駆動制御方法並びに表示駆動装置、読取駆動装置
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4310939B2 (ja) 2001-06-29 2009-08-12 カシオ計算機株式会社 シフトレジスタ及び電子装置
KR100803163B1 (ko) * 2001-09-03 2008-02-14 삼성전자주식회사 액정표시장치
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
US7061014B2 (en) 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
JP4397555B2 (ja) 2001-11-30 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子機器
KR100830524B1 (ko) 2001-12-29 2008-05-21 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 빛샘 방지 구조
EP2348502B1 (en) * 2002-01-24 2013-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device and method of driving the semiconductor device
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
US7049190B2 (en) 2002-03-15 2006-05-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device
JP4593071B2 (ja) 2002-03-26 2010-12-08 シャープ株式会社 シフトレジスタおよびそれを備えた表示装置
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP4473492B2 (ja) 2002-05-28 2010-06-02 東芝モバイルディスプレイ株式会社 シフトレジスタ
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4984369B2 (ja) * 2002-12-10 2012-07-25 株式会社ジャパンディスプレイイースト 画像表示装置及びその製造方法
JP4425547B2 (ja) 2003-01-17 2010-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 パルス出力回路、シフトレジスタ、および電子機器
KR100918180B1 (ko) 2003-03-04 2009-09-22 삼성전자주식회사 쉬프트 레지스터
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
US7319452B2 (en) * 2003-03-25 2008-01-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Shift register and display device having the same
KR100913303B1 (ko) 2003-05-06 2009-08-26 삼성전자주식회사 액정표시장치
US20070151144A1 (en) 2003-05-06 2007-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Detergent comprising the reaction product an amino alcohol, a high molecular weight hydroxy aromatic compound, and an aldehydye
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7486269B2 (en) 2003-07-09 2009-02-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Shift register, scan driving circuit and display apparatus having the same
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
JP2005181975A (ja) * 2003-11-20 2005-07-07 Seiko Epson Corp 画素回路、電気光学装置および電子機器
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
EP2246894B2 (en) 2004-03-12 2018-10-10 Japan Science and Technology Agency Method for fabricating a thin film transistor having an amorphous oxide as a channel layer
JP4628004B2 (ja) * 2004-03-26 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
US7639226B2 (en) 2004-05-31 2009-12-29 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display panel with built-in driving circuit
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
KR101019416B1 (ko) * 2004-06-29 2011-03-07 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트레지스터 및 이를 포함하는 평판표시장치
JP4895538B2 (ja) 2004-06-30 2012-03-14 三星電子株式会社 シフトレジスタ、それを有する表示装置、及び、そのシフトレジスタの駆動方法
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
RU2369940C2 (ru) 2004-11-10 2009-10-10 Кэнон Кабусики Кайся Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7868326B2 (en) 2004-11-10 2011-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor
WO2006051994A2 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
JP2006164477A (ja) 2004-12-10 2006-06-22 Casio Comput Co Ltd シフトレジスタ、該シフトレジスタの駆動制御方法及び該シフトレジスタを備えた表示駆動装置
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI481024B (zh) 2005-01-28 2015-04-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
TWI412138B (zh) 2005-01-28 2013-10-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
KR101157240B1 (ko) * 2005-04-11 2012-06-15 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터의 구동방법, 게이트 드라이버 및 이를구비한 표시장치
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP5190722B2 (ja) 2005-05-20 2013-04-24 Nltテクノロジー株式会社 ブートストラップ回路並びにこれを用いたシフトレジスタ、走査回路及び表示装置
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
KR101143004B1 (ko) * 2005-06-13 2012-05-11 삼성전자주식회사 시프트 레지스터 및 이를 포함하는 표시 장치
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
US7203264B2 (en) * 2005-06-28 2007-04-10 Wintek Corporation High-stability shift circuit using amorphous silicon thin film transistors
KR101166819B1 (ko) 2005-06-30 2012-07-19 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR20070017600A (ko) 2005-08-08 2007-02-13 삼성전자주식회사 쉬프트 레지스터 및 이를 갖는 표시장치
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機el表示装置およびその製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
EP1995787A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof
JP2007108453A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置
US7310402B2 (en) * 2005-10-18 2007-12-18 Au Optronics Corporation Gate line drivers for active matrix displays
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
CN101577231B (zh) 2005-11-15 2013-01-02 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
JP5132884B2 (ja) 2005-12-28 2013-01-30 三菱電機株式会社 シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置
EP1804229B1 (en) 2005-12-28 2016-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for inspecting the same
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
JP2007207411A (ja) * 2006-01-05 2007-08-16 Mitsubishi Electric Corp シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置
TW200735027A (en) 2006-01-05 2007-09-16 Mitsubishi Electric Corp Shift register and image display apparatus containing the same
KR101437086B1 (ko) * 2006-01-07 2014-09-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치와, 이 반도체장치를 구비한 표시장치 및 전자기기
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
JP4912000B2 (ja) 2006-03-15 2012-04-04 三菱電機株式会社 シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置
EP1843194A1 (en) * 2006-04-06 2007-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ZnO TFT
JP5079350B2 (ja) 2006-04-25 2012-11-21 三菱電機株式会社 シフトレジスタ回路
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
TWI764143B (zh) * 2006-05-16 2022-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP4277874B2 (ja) * 2006-05-23 2009-06-10 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置の製造方法
US8330492B2 (en) 2006-06-02 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
JP5386069B2 (ja) * 2006-06-02 2014-01-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
US7936332B2 (en) 2006-06-21 2011-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Gate driving circuit having reduced ripple effect and display apparatus having the same
KR101512338B1 (ko) 2007-05-29 2015-04-15 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동회로 및 이를 갖는 표시 장치
TWI342544B (en) 2006-06-30 2011-05-21 Wintek Corp Shift register
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Nec液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
KR101272337B1 (ko) 2006-09-01 2013-06-07 삼성디스플레이 주식회사 부분 화면 표시가 가능한 표시장치 및 그 구동방법
CN101427296B (zh) 2006-09-05 2011-05-18 佳能株式会社 有机发光显示设备
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP5116277B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
KR101240655B1 (ko) 2006-09-29 2013-03-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 구동 장치
JP5468196B2 (ja) 2006-09-29 2014-04-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置及び液晶表示装置
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
TWI427602B (zh) 2006-10-17 2014-02-21 Semiconductor Energy Lab 脈衝輸出電路、移位暫存器及顯示裝置
JP5525685B2 (ja) * 2006-10-17 2014-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
TWI442368B (zh) 2006-10-26 2014-06-21 Semiconductor Energy Lab 電子裝置,顯示裝置,和半導體裝置,以及其驅動方法
JP2008134625A (ja) * 2006-10-26 2008-06-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、表示装置及び電子機器
KR101384283B1 (ko) 2006-11-20 2014-04-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーelディスプレイおよびその製造方法
JP2008140490A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Seiko Epson Corp シフトレジスタ、走査線駆動回路、電気光学装置及び電子機器
JP2008140522A (ja) * 2006-12-05 2008-06-19 Mitsubishi Electric Corp シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置、並びに電圧信号生成回路
US20080211760A1 (en) 2006-12-11 2008-09-04 Seung-Soo Baek Liquid Crystal Display and Gate Driving Circuit Thereof
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
JP2008205767A (ja) 2007-02-20 2008-09-04 Seiko Epson Corp レベルシフト回路および電気光学装置
JP4912186B2 (ja) 2007-03-05 2012-04-11 三菱電機株式会社 シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
JP2008251094A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Mitsubishi Electric Corp シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置
JP2008251084A (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Sanyo Electric Co Ltd 対物レンズ支持装置
JP5042077B2 (ja) 2007-04-06 2012-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
TWI385624B (zh) 2007-04-11 2013-02-11 Wintek Corp 移位暫存器及其位準控制器
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
US8274078B2 (en) 2007-04-25 2012-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Metal oxynitride semiconductor containing zinc
US8803781B2 (en) * 2007-05-18 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP2008297753A (ja) 2007-05-30 2008-12-11 Takizawa Corporation Kk 軸可動型蝶番およびこの蝶番を用いた両面表示装置
KR101329791B1 (ko) 2007-07-16 2013-11-15 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP5215158B2 (ja) 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
TWI792068B (zh) * 2009-01-16 2023-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置及其電子裝置
JP2010192019A (ja) 2009-02-17 2010-09-02 Sharp Corp シフトレジスタならびにそれを備えた走査信号線駆動回路および表示装置
JP7021913B2 (ja) * 2017-11-16 2022-02-17 株式会社ディスコ 液体供給ユニット

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