JP2013148910A5 - 半導体装置、表示装置及び電子機器 - Google Patents

Claims (6)

1. シフトレジスタ回路を有し、
   前記シフトレジスタ回路は、第１乃至第３のトランジスタを有し、
   前記第１乃至第３のトランジスタのそれぞれは、酸化物半導体を有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのゲートには、第１の信号が入力され、
   前記第１の信号の振幅電圧は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方との電位差よりも大きい値を有することを特徴とする半導体装置。
2. シフトレジスタ回路を有し、
   前記シフトレジスタ回路は、第１乃至第４のトランジスタを有し、
   前記第１乃至第４のトランジスタのそれぞれは、酸化物半導体を有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのゲートには、第１の信号が入力され、
   前記第４のトランジスタのゲートには、第２の信号が入力され、
   前記第１の信号の振幅電圧は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方との電位差よりも大きい値を有し、
   前記第２の信号の振幅電圧は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方との電位差よりも大きい値を有することを特徴とする半導体装置。
3. シフトレジスタ回路を有し、
   前記シフトレジスタ回路は、第１乃至第５のトランジスタを有し、
   前記第１乃至第５のトランジスタのそれぞれは、酸化物半導体を有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのゲートには、第１の信号が入力され、
   前記第４のトランジスタのゲートには、第２の信号が入力され、
   前記第５のトランジスタのゲートには、前記第２の信号が入力され、
   前記第１の信号の振幅電圧は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方との電位差よりも大きい値を有し、
   前記第２の信号の振幅電圧は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方との電位差よりも大きい値を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体は、結晶を有することを特徴とする半導体装置。
5. 駆動回路と、
   画素と、を有し、
   前記駆動回路は、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置を有することを特徴とする表示装置。
6. 表示部と、
   操作キー、受像部、筐体又はキーボードと、を有し、
   前記表示部は、請求項５に記載の表示装置を有することを特徴とする電子機器。