JP2011205630A5 - 半導体装置、表示モジュール及び電子機器 - Google Patents

Claims (5)

1. シフトレジスタを有し、
   前記シフトレジスタは、第１乃至第７のトランジスタを有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
   前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
   前記第７のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのＷ（Ｗはチャネル幅）／Ｌ（Ｌはチャネル長）は、前記第４のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１のトランジスタのＷ／Ｌは、前記第４のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第３のトランジスタのゲートは、入力端子と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、出力端子と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載された半導体装置と、
   ＦＰＣと、を有する表示モジュール。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載された半導体装置、又は請求項４に記載された表示モジュールと、
   筐体、操作キー、スピーカー、アンテナ、又は外部接続端子と、を有する電子機器。