JP2011141543A5 - 表示装置、表示モジュール及び電子機器 - Google Patents

Claims (7)

1. 基板上の画素部と、前記基板上のゲートドライバ回路と、を有し、
   前記ゲートドライバ回路は、第１乃至第４のトランジスタを有し、
   前記第１乃至第４のトランジスタの少なくとも一は、酸化物半導体を有し、
   前記酸化物半導体は、結晶を有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのゲートは、第３の配線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのゲートは、第４の配線と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第５の配線と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５の配線と電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第３の配線には、少なくとも第１の信号が入力され、
   前記第２の配線からは、少なくとも第２の信号が出力され、
   前記第１のトランジスタのチャネル幅は、前記第２のトランジスタのチャネル幅よりも大きく、
   前記第１のトランジスタのチャネル幅は、前記第３のトランジスタのチャネル幅よりも大きく、
   前記第３のトランジスタのチャネル幅は、前記第４のトランジスタのチャネル幅よりも大きいことを特徴とする表示装置。
2. 請求項１において、
   前記結晶は、前記酸化物半導体の表面に対し略垂直な方向に沿うようなｃ軸を有することを特徴とする表示装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第３のトランジスタのチャネル幅は、前記第４のトランジスタのチャネル幅の１．５倍以上、７倍以下であることを特徴とする表示装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記第１のトランジスタのチャネル幅は、前記第２のトランジスタのチャネル幅の２倍以上、１００倍以下であることを特徴とする表示装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記第１のトランジスタのゲートとして機能する領域を有する第１の導電層は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方として機能する領域を有する第２の導電層と重なる第１の領域と、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方として機能する領域を有する第３の導電層と重なる第２の領域と、を有し、
   前記第２の領域の面積は、前記第１の領域の面積よりも大きいことを特徴とする表示装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の表示装置と、
   ＦＰＣと、
   を有する表示モジュール。
7. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の表示装置、又は請求項６に記載の表示モジュールと、
   センサ、操作キー、スピーカ、又はアンテナと、
   を有することを特徴とする電子機器。