JP4083493B2 - 表示装置及び当該表示装置を具備する電子機器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、インバータ、バッファ、レベルシフタ、およびそれらを用いてなる半導体装置に関する。なお本明細書中、表示装置とは、画素に液晶素子を用いてなる液晶表示装置および、エレクトロルミネッセンス(EL)素子を始めとした発光素子を用いてなる発光装置を含むものとする。半導体装置とは、表示装置に配置された画素に映像信号を入力し、映像の表示を行うための処理を行う回路を指し、シフトレジスタ、インバータ、バッファ、レベルシフタ等を始めとするパルス出力回路や、アンプ等を始めとする増幅回路を含むものとする。
【0002】
【従来の技術】
近年、ガラス基板等の絶縁体上に半導体薄膜を形成して作製される表示装置、特に薄膜トランジスタ(以下、TFTと表記)を用いた、LCD(液晶ディスプレイ)を始めとするアクティブマトリクス型表示装置は、多くの製品に利用され、普及している。TFTを使用したアクティブマトリクス型表示装置は、マトリクス状に配置された数十万から数百万の画素を有し、各画素に配置されたTFTによって各画素の電荷を制御することによって映像の表示を行っている。
【0003】
さらに最近の技術として、画素を構成する画素TFTの他に、画素部の周辺領域にTFTを用いて駆動回路を基板上に同時形成するポリシリコンTFTに関する技術が発展してきており、装置の小型化、低消費電力化に大いに貢献し、それに伴って、近年その応用分野の拡大が著しいモバイル情報端末の表示部等に、表示装置は不可欠なデバイスとなってきている。
【0004】
一般的に、半導体装置を構成する回路としては、Nチャネル型TFTとPチャネル型TFTを組み合わせたCMOS回路が使用されている。このCMOS回路の一例として、図11にCMOSインバータを挙げる。Pチャネル型TFT1101と、Nチャネル型TFT1102とを組み合わせた形であり、入力信号に対し、その極性を反転した出力信号が得られる(図11(B))。
【0005】
今、図11(C)に示すように、CMOSインバータの後段に、ある負荷(Load)が付いている状態がある。このとき、CMOSインバータを構成するTFTのサイズに対して過大な負荷が付いている場合、入力(In)からあるパルスが入力されて出力されるパルス、すなわち図11(C)において、インバータ(Inv1)の出力(Out i)は、図11(E)に示すように、入力信号の波形と比較して、パルスの立ち上がり、立ち下がりともに、大きく鈍る場合がある。これは、負荷を駆動するのに十分な電荷を供給する能力を、CMOSインバータ自身が有していないためである。
【0006】
通常、半導体装置は、低消費電力が重要視されることが多く、論理回路は比較的サイズの小さいTFTを用いて構成される。一方、表示領域は大型化が進み、さらに画素数も増加しているため、画素による負荷は大きなものとなっている。前述のように、駆動能力の小さいインバータの後段に大きな負荷が付いた場合、パルスが正常に出力されなくなる。
【0007】
そこで通常は、駆動回路部と画素部との間に、バッファを設ける。代表的には、図11(D)に示すように、複数段のインバータを直列に配置し、徐々にサイズの大きいインバータを駆動することによって、最終的な負荷を無理なく駆動できるようにしている。このようにすると、バッファ最終段(Inv4)出力(Out ii)の波形は、図11(C)のような構成と比較しても、大きく鈍ることなく、正常なパルスとして出力し、後段の負荷を駆動することが出来る。
【0008】
ところで、表示装置は、近年様々な電子機器の表示部に採用され、その利用分野は拡大の一途を辿っている。最近では比較的安価な電子機器にも積極的に採用されているため、さらなるコストダウンが望まれる。
【0009】
表示装置は、成膜→フォトマスクによる露光→エッチングという工程を繰り返すことによって、多層構造を成すため、その工程は大変に複雑であることが製造コストの上昇を招いている。さらに、前述のように基板上に駆動回路および画素部を一体形成する場合、一部の不具合が製品全体の不具合となる点においても、歩留まりに大きく影響している。
【0010】
コストダウンの方法の1つとしては、工程を可能な限り削減し、簡単かつ短期間で作製できるものとすることが挙げられる。そこで、駆動回路の構成をCMOS構成ではなく、Nチャネル型TFTもしくはPチャネル型TFTのいずれか単一極性のTFTを用いてなる構成とし、表示装置を作製する。これによって、半導体層に導電型を付与する不純物添加の工程を、単純には1/2とすることが出来、さらにフォトマスクの枚数を減らすことも出来るため、コスト面でのメリットを考えると大変に有効である。
【0011】
ここで、従来知られている単一極性型の回路について説明する。
【0012】
図12(A)は、インバータをNチャネル型TFT2個によって構成した例である。TFT1201および1202のゲート電極に信号が入力される2入力型であり、一方の入力信号の反転信号が他方の入力となる。
【0013】
ここで、図12(A)に示したインバータの動作について簡単に説明する。なお、本明細書においては、回路の構成や動作を説明する際に、TFTの3電極の名称を「ゲート電極、入力端、出力端」と、「ゲート電極、ソース領域、ドレイン領域」とを使い分けている。これは、TFTの動作を説明する際に、ゲート・ソース間電圧を考える場合が多いが、TFTのソース領域とドレイン領域とは、TFTの構造上、明確に区別することが難しいため、名称を統一することで逆に混同を生じる恐れがあるためである。信号の入出力を説明する際には、入力端、出力端と呼び、TFTの電極の電位の関係について説明する際は、入力端と出力端のうちいずれか一方をソース領域、他方をドレイン領域と呼ぶこととする。
【0014】
まず、図12(A)の2入力型インバータの動作について説明する。第1の入力(In)にHレベルが入力され、第2の入力(Inb)にLレベルが入力されると、TFT1201がOFFし、TFT1202がONする。従って出力(Out)にはLレベルが現れ、その電位はVSSとなる。一方、第1の入力(In)にLレベルが入力され、第2の入力(Inb)にHレベルが入力されると、TFT1201がONし、TFT1202がOFFする。従って出力(Out)にはHレベルが現れ、VDD側に引き上げられる。
【0015】
このとき、出力(Out)がHレベルとなるときの電位について考える。
【0016】
図12(A)において、TFT1201のゲート電極にHレベルが入力されているとき、TFT1202のゲート電極にはLレベルが入力される。よって、TFT1201がONし、TFT1202はOFFする。よって、出力(Out)の電位は上昇を始めるが、出力(Out)の電位が(VDD−VthN)となったところで、TFT1201のゲート・ソース間電圧はしきい値VthNに等しくなる。つまりこの瞬間、TFT1201がOFFするため、これ以上出力(Out)の電位が上昇することが出来ない。
【0017】
図12(A)に示したインバータを直列に複数段接続した回路を、それぞれ図12(B)に示す。このような回路においては、ある段の出力がそのまま次段の入力となる。先程のように、出力端子にHレベルが現れるとき、1段目の出力(Out i)、次段の出力(Out ii)は、入力信号に対してVthNだけ振幅が減衰した波形となって現れる。3段目の出力(Out iii)は、1段目出力よりもさらにVthNだけ振幅が減衰する(図12(C))。同様にして、段を重ねるごとにしきい値分の振幅減衰が生ずるため、波形は急激に振幅が縮小し、満足な回路として機能することが出来ない。
【0018】
このように、単一極性のTFTを用いて回路を構成する際の問題を解決するにあたり、ブートストラップ法が知られている。この方法を用いて動作する基本的な回路を図13(A)に示す。
【0019】
図13(A)は、特許第3092506号に開示されている、3つのNチャネル型TFT1301〜1303および容量手段1304によって構成されたインバータである。TFT1303のゲート電極にある信号が入力され、TFT1301の入力端に、その反転信号が入力される。
【0020】
動作について説明する。ここで、入力信号の振幅はVDD−VSS間であるとする。図13(A)と共に、図13(B)も参照する。図13(B)は、入力信号(In)、TFT1302のゲート電極の電位(Vf)、および出力信号(Out)を示したものである。
【0021】
入力(In)にHレベルの信号が入力され、反転入力(Inb)にLレベルの信号が入力されると、TFT1301はゲート電極の電位がVDDであり、ON状態にあるので、TFT1302のゲート電極の電位はLレベルとなってOFFする。一方、TFT1303のゲート電極にはHレベルが入力されてONし、出力(Out)にはLレベルが現れる。
【0022】
入力(In)にLレベルの信号が入力され、反転入力(Inb)にHレベルの信号が入力されると、TFT1301はゲート電極の電位がVDDであり、ON状態にあるので、TFT1302のゲート電極の電位はHレベルとなる。ただし、TFT1301のゲート電極の電位がVDDであるため、TFT1301の出力端の電位、すなわちTFT1302のゲート電極の電位が(VDD−VthN)となったところでTFT1301はOFF状態となる。従ってこの瞬間、TFT1302のゲート電極は浮遊状態となる。一方、TFT1303はOFFする。
【0023】
このとき、TFT1302のゲート・ソース間電圧は、そのしきい値電圧を上回っているのでONし、TFT1302の出力端の電位がVDD側に引き上げられる。ただし、この時点ではTFT1302のゲート電極の電位は(VDD−VthN)であるから、TFT1302の出力端の電位は(VDD−2VthN)までしか上昇し得ない。
【0024】
しかし、TFT1302の出力端とゲート電極間には容量1304が設けてあり、TFT1302のゲート電極は浮遊状態となっているので、TFT1302の出力端の電位が上昇するのに伴い、容量結合によってTFT1302のゲート電極の電位が、図13(B)の(ii)に示すΔVfだけ上昇する。そしてその電位が(VDD+VthN)を上回ることによって、TFT1302の出力端の電位はVDDに等しくなる。なお、図13(B)の(iii)に1350で示す点線は、図12(A)(B)に示したインバータを用いた場合の出力例である。
【0025】
以上の手順で、図13(A)に示したインバータは、TFTのしきい値による振幅減衰を受けることなく、反転信号を出力する。このように、2ノード間の容量結合を利用して、浮遊状態となったノードの電位を操作する方法をブートストラップ法という。
【0026】
【発明が解決しようとする課題】
ブートストラップ法を用いたインバータにおいて、後段に大きい負荷が付いた場合には、負荷の充電に時間を取られるため、立ち上がり時間が大きくなる。容量1304を大きくすることで、ブートストラップの効果を上げることは可能であるが、逆に大きすぎる場合には、入力に対する出力の電位上昇の遅延が大きくなるため、限度がある。
【0027】
出力の後段に付く負荷がさらに大きい場合、入力信号の振幅が小さい(Hレベルが低い)場合、TFTのしきい値が大きい場合、あるいはブートストラップ動作の際、浮遊状態となるTFTのゲート電極における寄生容量が大きい場合などには、立ち上がり時間が大きくなったり、ブートストラップが十分に機能せず、出力信号の振幅が正常に取れなくなったりする(具体的にはHレベルが十分に持ち上がらなくなる)場合がある。
【0028】
本発明は前述のような場合において、立ち上がり時間を小さく抑え、または出力信号の振幅を正常に出来るような構成であり、さらに負荷の駆動能力が高い回路を提供することを目的としてなされたものである。
【0029】
【課題を解決するための手段】
図1(A)に示すように、図13(A)の構成に、TFTを2つ追加した構成とする。図13(A)におけるTFT1302、1303は、ブートストラップ動作および後段の負荷を充放電する役目を有しているが、図1(A)に示す構成では、TFT102、103はブートストラップ動作のみに寄与するTFTであり、負荷の充放電を行うTFTとして、TFT105、106が設けられる。このような構成とすることで、ある程度後段に付く負荷が大きい場合にも、機能を損なわず良好な動作が得られる。
【0030】
ここで、図1(A)において、浮遊状態となっているときのTFT102のゲート電極の電位をV1とし、そのときのTFT102の出力電極の電位をV2とする。TFT102のゲート電極には、容量104および、寄生容量その他からなる容量が存在するとし、それらをそれぞれC1、C0とする。
【0031】
今、V2がV2(0)からV2(1)まで変動するとする(ただし、V2(0)<V2(1))。この変動値をΔV2とすると、C1による容量結合によって、V1の電位もV1(0)からV1(1)まで変動する(ただし、V1(0)<V1(1))。この変動値をΔV1とすると、これらの関係は以下の式で示される。
【0032】
ΔV1=ΔV2[C1/(C0+C1)] ・・・(式1)
【0033】
ΔV1を大きくする、すなわち浮遊状態となっているTFT102のゲート電極の電位の変動量を大きくするには、
(1)[C1/(C0+C1)]の値を大きくする
(2) ΔV2を大きくする
の2つが考えられる。前者の場合、寄生容量C0に対し、TFT102のゲート電極と出力電極間の結合容量C1を十分に大きくすることによってなる。後者の場合、ΔV2=[V2(1)−V2(0)]であるから、V2(0)を低くするか、V2(1)を高くする方法が考えられる。V2(1)は、この構成ではVDD以上の上昇は困難であるので、V2(0)を低くする方法を採ることとする。
【0034】
V2(0)を低くすることによって、TFT102のゲート・ソース間電圧を大きくすることが出来、より多くのドレイン電流を流すことが出来る。このことにより、立ち上がり時間の短縮が期待出来る。
【0035】
このような手段を実現するため、図1(B)に示すように、TFT152のゲート電極と出力端との間に設けられた容量手段154に加え、TFT153のゲート電極と出力端との間にも容量手段155を設ける。
【0036】
このような構成とすることで、負荷の駆動能力が高く出来るため、バッファ等の段数を少なくすることが出来、回路の占有面積縮小につながる。
【0037】
よって、駆動回路および画素部を単一極性のTFTを用いて構成出来るため、表示装置の作製工程における、半導体層へ不純物元素を添加する工程の一部を省略することが出来る。
【0038】
以下に本発明の構成について記載する。
【0039】
本発明の半導体装置は、
入力端が第1の電源と電気的に接続された第1および第2のトランジスタと、
入力端が第2の電源と電気的に接続された第3および第4のトランジスタと、
出力端が前記第1および第2のトランジスタのゲート電極と電気的に接続された第5のトランジスタと、前記第5のトランジスタの出力端と前記第1のトランジスタの出力端との間に電気的に接続された容量手段とを有する電圧補償回路と、
前記第2および第4のトランジスタのゲート電極に第1の信号を入力する第1の信号入力部と、
前記第5のトランジスタの入力端に第2の信号を入力する第2の信号入力部と、
信号出力部とを有し、
前記第1乃至第5のトランジスタはいずれも同一導電型であり、
前記第1のトランジスタの出力端と、前記第3のトランジスタの出力端とは電 気的に接続され、
前記第2のトランジスタの出力端と、前記第4のトランジスタの出力端と、前記信号出力部とは電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲート電極は、前記第1の電源もしくは、第3の電源と電気的に接続され、
前記電圧補償回路は、前記信号出力部より出力される信号の振幅減衰を補償することを特徴とする。
【0040】
本発明の半導体装置は、
入力端が第1の電源と電気的に接続された第1および第2のトランジスタと、
入力端が第2の電源と電気的に接続された第3および第4のトランジスタと、
出力端が前記第1および第2のトランジスタのゲート電極と電気的に接続された第5のトランジスタと、前記第1のトランジスタのゲート電極と前記第1のトランジスタの出力端との間に電気的に接続された第1の容量手段と、前記第3および第4のトランジスタのゲート電極と、前記第3のトランジスタの出力端との間に電気的に接続された第2の容量手段とを有する電圧補償回路と、
前記第2および第4のトランジスタのゲート電極に第1の信号を入力する第1の信号入力部と、
前記第5のトランジスタの入力端に第2の信号を入力する第2の信号入力部と、
信号出力部とを有し、
前記第1乃至第5のトランジスタはいずれも同一導電型であり、
前記第1のトランジスタの出力端と、前記第3のトランジスタの出力端とは電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの出力端と、前記第4のトランジスタの出力端と、前記信号出力部とは電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲート電極は、前記第1の電源もしくは、第3の電源と電気的に接続され、
前記電圧補償回路は、前記信号出力部より出力される信号の振幅減衰を補償す ることを特徴とする。
【0041】
本発明の半導体装置は、
前記容量手段は、活性層材料、ゲート電極を構成する材料、あるいは配線材料のうちいずれか2材料と、前記2材料間の絶縁層とを用いてなることを特徴とする。
【0042】
本発明の半導体装置は、
前記第1あるいは第2の容量手段は、活性層材料、ゲート電極を構成する材料、あるいは配線材料のうちいずれか2材料と、前記2材料間の絶縁層とを用いてなることを特徴とする。
【0043】
本発明の半導体装置は、
前記導電型がNチャネル型であるとき、第2の電源電位<第1の電源電位であり、
前記導電型がPチャネル型であるとき、第2の電源電位>第1の電源電位であることを特徴とする。
【0044】
本発明の半導体装置は、
前記導電型がNチャネル型であるとき、第2の電源電位<第3の電源電位<第1の電源電位であり、
前記導電型がPチャネル型であるとき、第2の電源電位>第3の電源電位>第1の電源電位であることを特徴とする。
【0045】
本発明の半導体装置は、
入力端が第1の電源と電気的に接続された第1および第2のトランジスタと、
入力端が第2の電源と電気的に接続された第3および第4のトランジスタと、
入力端が第1の電源と電気的に接続され、出力端が前記第1および第2のトランジスタのゲート電極と電気的に接続された第5のトランジスタと、入力端が第2の電源と電気的に接続され、出力端が前記第1および第2のトランジスタのゲート電極と電気的に接続された第6のトランジスタと、前記第1のトランジスタのゲート電極と前記第1のトランジスタの出力端との間に電気的に接続された容量手段とを有する電圧補償回路と、
前記第2、第4および第6のトランジスタのゲート電極に第1の信号を入力する第1の信号入力部と、
前記第5のトランジスタのゲート電極に第2の信号を入力する第2の信号入力部と、
信号出力部とを有し、
前記第1乃至第6のトランジスタはいずれも同一導電型であり、
前記第1のトランジスタの出力端と、前記第3のトランジスタの出力端とは電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの出力端と、前記第4のトランジスタの出力端とは電気的に接続され、
前記電圧補償回路は、前記信号出力部より出力される信号の振幅減衰を補償することを特徴とする。
【0046】
本発明の半導体装置は、
入力端が第1の電源と電気的に接続された第1および第2のトランジスタと、
入力端が第2の電源と電気的に接続された第3および第4のトランジスタと、
入力端が第1の電源と電気的に接続され、出力端が前記第1および第2のトランジスタのゲート電極と電気的に接続された第5のトランジスタと、入力端が第2の電源と電気的に接続され、出力端が前記第1および第2のトランジスタのゲート電極と電気的に接続された第6のトランジスタと、前記第1のトランジスタのゲート電極と前記第1のトランジスタの出力端との間に電気的に接続された第1の容量手段と、前記第3のトランジスタのゲート電極と前記第3のトランジスタの出力端との間に電気的に接続された第2の容量手段とを有する電圧補償回路と、
前記第2、第4および第6のトランジスタのゲート電極に第1の信号を入力す る第1の信号入力部と、
前記第5のトランジスタのゲート電極に第2の信号を入力する第2の信号入力部と、
信号出力部とを有し、
前記第1乃至第6のトランジスタはいずれも同一導電型であり、
前記第1のトランジスタの出力端と、前記第3のトランジスタの出力端とは電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの出力端と、前記第4のトランジスタの出力端とは電気的に接続され、
前記電圧補償回路は、前記信号出力部より出力される信号の振幅減衰を補償することを特徴とする。
【0047】
本発明の半導体装置は、
前記容量手段は、活性層材料、ゲート電極を構成する材料、あるいは配線材料のうちいずれか2材料と、前記2材料間の絶縁層とを用いてなることを特徴とする。
【0048】
本発明の半導体装置は、
前記第1あるいは第2の容量手段は、活性層材料、ゲート電極を構成する材料、あるいは配線材料のうちいずれか2材料と、前記2材料間の絶縁層とを用いてなることを特徴とする。
【0049】
本発明の半導体装置は、
前記導電型がNチャネル型であるとき、第2の電源電位<第1の電源電位であり、
前記導電型がPチャネル型であるとき、第2の電源電位>第1の電源電位であることを特徴とする。
【0050】
【発明の実施の形態】
図1(A)(B)に示した回路の動作について説明する。基本的な回路の動作は、図13を用いて説明した通りであり、第1の信号入力部(In)にHレベルが入力され、第2の信号入力部(Inb)にLレベルが入力されたとき、信号出力部(Out)よりLレベルが現れ、第1の信号入力部(In)にLレベルが入力され、第2の信号入力部(Inb)にHレベルが入力されたとき、信号出力部(Out)よりHレベルが現れる。このとき、ブートストラップ法によって、TFTのしきい値に起因する電圧振幅の減衰を補償し、正常な振幅の出力を得ることが出来るものである。さらに、ブートストラップ動作と、負荷の充放電動作とを、それぞれ独立したTFTによって行うため、高速動作が可能であり、かつ十分な負荷の駆動能力が実現される。
【0051】
さらに図1(B)の構成は、第1の信号入力部(In)に入力される信号がHレベルからLレベルに変化する瞬間の動作に特徴がある。以下に説明する。
【0052】
図1(C)は、本発明を適用したインバータの動作に関する、各部の信号波形を示したものである。図1(B)(C)を用いて動作について説明する。なお、入力信号の振幅はVDD−VSS間とする。
【0053】
第1の信号入力部(In)にHレベルが入力され、TFT153、157がONする。一方、TFT151はゲート電極に常にVDDが入力されており、第2の信号入力部(Inb)にLレベルが入力されると、TFT151を通過してTFT152、156のゲート電極がLレベルとなり、OFFする。よって、信号出力部(Out)にはLレベルが現れる。
【0054】
続いて、第1の信号入力部(In)に入力されている信号がHレベルからLレベルになリ始める。その電位がTFT153のしきい値を下回ると、TFT153がOFFする。よってTFT153の出力端が一瞬浮遊状態となる。さらに第1の信号入力部(In)に入力されている信号の電位が低下、すなわちTFT153のゲート電極の電位が低下する。それに伴って、容量155によるTFT153のゲート電極と出力端との間の容量結合により、浮遊状態となっているTFT153の出力端の電位が、図1(C)に示すように、ΔVf'で示すだけ低下する。
【0055】
同時に、第2の信号入力部(Inb)に入力されている信号は、LレベルからHレベルとなる。よってTFT152、156のゲート電極の電位が上昇し、その電位が(VDD−VthN)となったところで浮遊状態となる。
【0056】
ここで、TFT152の出力端の電位は、(VSS−ΔVf)であり、TFT152のゲート・ソース間電圧は、図13(A)に示した回路におけるTFT1302のゲート・ソース間電圧よりも大きくなっている。すなわち、TFT152は、TFT1302よりも多くの電流が流れることになる。
【0057】
従って、TFT152の出力端の電位の上昇は、TFT1302の出力端の電位の上昇よりも早くなる。よってブートストラップによって持ち上げられるTFT152、156のゲート電極の電位が持ち上がる早さも、TFT1302のゲート電極の電位が持ち上がる早さよりも速くなる。
【0058】
よって、信号出力部(Out)にHレベルが現れ、その立ち上がり時間は図13(A)に示した回路よりも短くなる。さらに、TFT152、156を流れる電流が大きくなることから、出力後段に付く負荷が大きい場合にも、TFT152のゲート電極の電位は正常なブートストラップ動作によって(VDD+VthN)よりも高い値まで上昇することが出来る。これが図13(A)に示した従来のブートストラップ法による回路の場合、浮遊状態となっているTFT1302のゲート電極の電位は、図1(C)に点線で波形を示すように、(VDD+VthN)より高い電位まで持ち上がることが出来ない場合があり、従って出力信号の振幅も減衰することになる。
【0059】
図2を用いて、第1の信号入力部(In)に入力されている信号がHレベルからLレベルに変わる瞬間の遷移的な動作について詳細に説明する。
【0060】
図2(A)は、図1(B)に示した回路と同様である。ここで、容量154、155およびその両端のノードにおける電位の変化にのみ着目して説明する。
【0061】
図2(B)は、容量154、155のみを抜き出して示したものであり、TFT152のゲート電極に該当するノードをV152G、TFT152の出力端に該当するノードをV152S、TFT153のゲート電極に該当するノードをV153Gとして示す。
【0062】
図2(C)は、第1の信号入力部(In)にHレベルが入力され、第2の信号入力部(Inb)にLレベルが入力されている様子を示している。このとき、ノードV152Gの電位はVSS、ノードV152Sの電位はVSS、ノードV153Gの電位はVDDである。
【0063】
続いて、図2(D)に示すように、第1の信号入力部(In)に入力されている信号がHレベルからLレベルとなる。よって、TFT153のゲート電極の電位が降下し、しきい値を下回ったとき、TFT153がOFFする。よってノードV152Sは浮遊状態となる。さらにノードV153Gの電位は、TFT153のしきい値を下回った後も降下し、その電位がVSSとなる。ノードV152Sの電位は、容量155による、ノードV153Gとの容量結合によって、ΔVf'だけ降下する。従ってノードV153Gの電位は、図2(D)に示すように(VSS−ΔVf')となる。
【0064】
同時に、第2の信号入力部(Inb)に入力されている信号はLレベルからHレベルとなる。よってTFT152がONし、ノードV152Gの電位が(VDD−VthN)となったところで、ノードV152Gは浮遊状態となる。その後、ブートストラップによってさらにΔVfだけ上昇し、ノードV152Gの電位は(VDD−VthN+ΔVf)となる。従ってノードV152Sの電位はVDDまで上昇する。同時に、TFT156のゲート電極の電位もまた、ノードV152Gの電位に等しいので、信号出力部(Out)には、正常にVDDまで上昇したHレベルが現れる。
【0065】
本発明は、以上に示した動作によって、後段に大きな負荷を有する場合にも十分な駆動能力を得るものである。なお、本実施形態においては、TFTの極性はNチャネル型である場合を例として説明したが、勿論、Pチャネル型TFTを用いて構成しても良い。
【0066】
【実施例】
以下に、本発明の実施例について記載する。
【0067】
[実施例1]
実施形態において説明した、図1に示した回路は、TFT102のゲート電極を浮遊状態にする役割は、TFT101のみによってなされている。このとき、TFT102のゲート電極の電位が(VDD−VthN)となったところで浮遊状態となることは前述の通りである。つまり、仮に入力信号のHレベルが(VDD−VthN)に満たない場合、TFT101がOFFしないため、TFT102のゲート電極は浮遊状態となることはなく、従ってブートストラップが働かない。
【0068】
このような場合、図9(A)に示す回路を用いる。図1に示した回路との相違は、TFT903のゲート電極を浮遊状態とするために、TFT901、902の2個のTFTを用いている点である。この回路を用いて、前述の条件について考える。ここで、入力信号の電圧振幅を、VDD0(Hi)−VSS(Lo)とし、各電位の大小関係を、
VSS<VthN<VDD0<(VDD−VthN) ・・・(式2)
とする。
【0069】
第1の信号入力部(In)にHレベルが入力され、第2の信号入力部Inb)にLレベルが入力されると、TFT902、TFT904、TFT908がONする。さらに、TFT901がOFFするので、TFT903、907のゲート電極にはLレベルが入力されてOFFする。よって信号出力部(Out)にはLレベルが現れる。
【0070】
一方、第1の信号入力部(In)にLレベルが入力され、第2の信号入力部(Inb)にHレベルが入力されると、TFT902、TFT904、TFT908がOFFする。また、TFT901がONして、TFT903、907のゲート電極の電位が上昇する。このとき、TFT901のゲート電極の電位は、VDD0であるから、TFT903、907のゲート電極の電位は、(VDD0−VthN)となったところで確実に浮遊状態となる。以後は実施形態に示したように、ブートストラップによって信号出力部(Out)には、Hレベルが正常に現れる。
【0071】
よって、図9(A)に示した回路を用いると、(VDD0−VSS)の振幅を有する信号の入力に対し、(VDD−VSS)の振幅を有する出力を得ることが出来る。つまり、レベルシフタとして機能させることが出来る。
【0072】
図9(B)もまた同様の回路である。TFT911のゲート電極は、電源VDDに接続され、信号入力はTFT912のゲート電極のみであり、1入力型で同様の動作を得ることが可能である。
【0073】
[実施例2]
本実施例においては、同一基板上に、画素部および、画素部周辺に設ける駆動回路のTFTを同時に作製する方法について説明する。なお、例として液晶表示装置の作製工程を挙げるが、本発明は前述のとおり、液晶表示装置に限定されない。
【0074】
まず、図7(A)に示すように、コーニング社の#7059ガラスや#1737ガラス等に代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラス等からなる基盤5001上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、または酸化窒化シリコン膜等の絶縁膜からなる下地膜5002を形成する。特に図示していないが、下地膜5002の形成については、例えば、プラズマCVD法でSiH4、NH3、N2Oから作製される酸化窒化シリコン膜を10〜200nm(好ましくは50〜100nm)の厚さに形成し、同様にSiH4、N2Oから作製される酸化窒化水素化シリコン膜を50〜200nm(好ましくは100〜150nm)の厚さに積層形成する。
【0075】
続いて、島状の半導体層5003〜5005は、非晶質構造を有する半導体膜を。レーザー結晶化法や公知の熱結晶化法を用いて作製した結晶質半導体膜で形成する。この島状の半導体層5003〜5005の厚さは25〜80nm(好ましくは30〜60nm)として形成する。結晶質半導体層の材料には特に限定は無いが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム(SiGe)合金等で形成すると良い。
【0076】
レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製するには、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやYAGレーザー、YVO4レーザーを用いる。これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状に集光して半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宜選択するものであるが、エキシマレーザーを用いる場合にはパルス発振周波数を30Hzとし、レーザーエネルギー密度を100〜400mJ/cm2(代表的には200〜300mJ/cm2)とする。また、YAGレーザーを用いる場合にはその第2高調波を用い、パルス発振周波数1〜10kHzとし、レーザーエネルギー密度を300〜600mJ/cm2(代表的には350〜500mJ/cm2)とすると良い。そして幅100〜1000μm、例えば400μmで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射し、このときの線状レーザーの重ねあわせ率(オーバーラップ率)を80〜98%として行う。
【0077】
続いて、島状の半導体層5003〜5005を覆うゲート絶縁膜5006を形成する。ゲート絶縁膜5006は、プラズマCVD法またはスパッタ法を用い、厚さを40〜150nmとしてシリコンを含む絶縁膜で形成する。本実施例では、120nmの厚さで酸化窒化シリコン膜で形成する。勿論、ゲート絶縁膜はこのような酸化窒化シリコン膜に限定されるものではなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。例えば、酸化シリコンを用いる場合には、プラズマCVD法でTEOS(Tetraethyl Orthosilicate)とO2とを混合し、反応圧力40Pa、基板温度300〜400℃とし、高周波(13.56MHz)電力密度0.5〜0.8W/cm2で放電させて形成することが出来る。このようにして作製される酸化シリコン膜は、その後400〜500℃の熱アニールにより、ゲート絶縁膜として良好な特性を得ることが出来る。
【0078】
そして、ゲート絶縁膜5006上にゲート電極を形成するための第1の導電膜5007と第2の導電膜5008とを積層形成する。本実施例では、第1の導電層5007をタンタル(Ta)で50〜100nmの厚さに形成し、第2の導電層5009をタングステン(W)で100〜300nmの厚さに形成する(図7(A))。
【0079】
Ta膜はスパッタ法で、TaのターゲットをArでスパッタすることにより形成する。この場合、Arに適量のXeやKrを加えると、Ta膜の内部応力を緩和して膜の剥離を防止することが出来る。また、α相のTa膜の抵抗率は20μΩcm程度でありゲート電極として使用することが出来るが、β相のTa膜の抵抗率は180μΩcm程度でありゲート電極には不向きである。α相のTa膜を形成するために、Taのα相に近い結晶構造を有する窒化タンタル(TaN)を10〜50nm程度の厚さでTaの下地に形成しておくとα相のTa膜を容易に得ることが出来る。
【0080】
W膜を形成する場合には、Wをターゲットとしたスパッタ法で形成する。その他にも6フッ化タングステン(WF6)を用いる熱CVD法で形成することも出来る。いずれにしてもゲート電極として使用するためには低抵抗化を図る必要があり、W膜の抵抗率は20μΩcm以下にすることが望ましい。W膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化を図ることが出来るが、W中に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害されて高抵抗化する。このことより、スパッタ法による場合、純度99.9999%のWターゲットを用い、さらに製膜時に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮してW膜を形成することにより、抵抗率9〜20μΩcmを実現することが出来る。
【0081】
なお、本実施例においては、第1の導電膜5007をTa、第2の導電膜5008をWとしたが、特に限定されず、いずれもTa、W、Mo、Al、Cuから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成しても良い。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いても良い。本実施例以外の他の組み合わせの一例としては、第1の導電膜をTaN、第2の導電膜をWとする組み合わせ、第1の導電膜をTaN、第2の導電膜をAlとする組み合わせ、第1の導電膜をTaN、第2の導電膜をCuとする組み合わせ等が望ましい。
【0082】
次に、レジストによるマスク5009を形成し、電極および配線を形成するための第1のエッチング処理を行う。本実施例ではICP(Inductively coupled plasma:誘導結合型プラズマ)エッチング法を用い、エッチング用ガスにCF4とCl2とを混合し、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成して行う。基板側(試料ステージ)にも100WのRF電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。CF4とCl2とを混合した場合にはW膜およびTa膜とも同程度にエッチングされる。
【0083】
上記エッチング条件では、レジストによるマスクの形状を適したものとすることと、基板側に印加するバイアス電圧の効果とにより第1の導電膜および第2の導電膜の端部がテーパー形状となる。テーパー部の角度は15〜45°となる。ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングを行うためには、10〜20%の割合でエッチング時間を増加させると良い。W膜に対する酸化窒化シリコン膜の選択比は2〜4(代表的には3)であるので、オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露出した面は20〜50nm程度エッチングされることになる。こうして、第1のエッチング処理により第1の導電層5010a〜5013aと第2の導電層5010b〜5013bからなる第1の形状の導電層5010〜5013を形成する。このとき、ゲート絶縁膜5006においては、第1の形状の導電層5010〜5013で覆われない領域は20〜50nm程度エッチングされて薄くなった領域が形成される(図7(B))。
【0084】
そして、第1のドーピング処理を行い、N型を付与する不純物元素を添加する(図7(B))。ドーピング処理は、イオンドーピング法もしくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法にあたっての条件は、ドーズ量を1×1013〜5×1014atoms/cm2とし、加速電圧を60〜100keVとする。N型を付与する不純物元素としては、15族に属する元素、典型的にはリン(P)または砒素(As)を用いるが、ここではPを用いる。この場合、導電層5010〜5013がN型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第1の不純物領域5014〜5016が形成される。この第1の不純物領域5014〜5016には、1×1020〜1×1021atoms/cm3の濃度範囲でN型を付与する不純物元素を添加する。
【0085】
次に、第2のエッチング処理を行う(図7(C))。同様にICPエッチング法を用い、エッチング用ガスにCF4とCl2とO2とを混合して、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF電力を供給し、プラズマを生成して行う。基板側(試料ステージ)にも50WのRF電力を投入し、第1のエッチング処理に比べ低い自己バイアス電圧を印加する。このような条件により第2の導電層であるWを異方性エッチングし、かつ、それより遅いエッチング速度で第1の導電層であるTaを異方性エッチングして第2の形状の導電層5017〜5020(第1の導電層5017a〜5020aおよび第2の導電層5017b〜5020b)を形成する。このとき、ゲート絶縁膜5006においては、第2の形状の導電層5017〜5020で覆われない領域はさらに20〜50nm程度エッチングされて薄くなった領域が形成される。
【0086】
W膜やTa膜のCF4とCl2の混合ガスによるエッチング反応は、生成されるラジカルまたはイオン種と反応生成物の蒸気圧から推測することが出来る。WとTaのフッ化物と塩化物の蒸気圧を比較すると、Wのフッ化物であるWF6の蒸気圧が極端に高く、その他のWCl5、TaF5、TaCl5については同程度である。従って、CF4とCl2の混合ガスでは、W膜およびTa膜共にエッチングされる。しかし、この混合ガスに適量のO2を添加するとCF4とO2が反応してCOとFになり、FラジカルまたはFイオンが多量に発生する。その結果、フッ化物の蒸気圧が高いW膜のエッチング速度が増大する。一方、TaはFが増大しても、相対的にエッチング速度の増加は少ない。また、TaはWに比較して酸化されやすいので、O2を添加することでTaの表面が酸化される。Taの酸化物はフッ素や塩素と反応しないため、さらにTa膜のエッチング速度は低下することとなる。従って、W膜とTa膜とのエッチング速度に差を作ることが可能となる。
【0087】
そして、第2のドーピング処理を行う(図7(C))。この場合、第1のドーピング処理よりもドーズ量を下げて高い加速電圧の条件としてN型を付与する不純物元素ドーピングする。例えば、加速電圧を70〜120keVとし、1×1013atoms/cm2のドーズ量で行い、図7(B)で島状の半導体層に形成された第1の不純物領域の内側に新たな不純物領域を形成する。ドーピングは、第2の導電層5017b〜5020bを不純物元素に対するマスクとして用い、第1の導電層5017a〜5020aの下側の領域にも不純物元素が添加されるようにしてドーピングする。
こうして、第1の導電層と重なる第2の不純物領域5021〜5023が形成される。
【0088】
続いて、第3のエッチング処理を行う(図8(A))。ここでは、エッチング用ガスにCl2を用い、ICPエッチング装置を用いて行う。本実施例では、Cl2のガス流量比を60sccmとし、1 Paの圧力でコイル型の電極に350WのRF電力を投入してプラズマを生成してエッチングを70秒行った。基板側(試料ステージ)にもRF電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。第3のエッチングにより、第1の導電層が後退して第3の形状の導電層5024〜5027(第1の導電層5024a〜5027aおよび第2の導電層5024b〜5027b)が形成され、第2の不純物領域5021〜5023の一部は、第1の導電層と重ならない第3の不純物領域5028〜5030となる。
【0089】
以上までの工程でそれぞれの島状の半導体層に不純物領域が形成される。島状の半導体層と重なる第3の形状の導電層5024〜5027が、TFTのゲート電極として機能する。
【0090】
続いて、導電型の制御を目的として、それぞれの島状の半導体層に添加された不純物元素を活性化する工程を行う。この工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。その他に、レーザーアニール法、ラピッドサーマルアニール法(RTA法)を適用することが出来る。熱アニール法では酸素濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下の窒素雰囲気中で400〜700℃、代表的には500〜600℃で行うものであり、本実施例では500℃で4時間の熱処理を行う。ただし、5024〜5027に用いた配線材料が熱に弱い場合には、配線等を保護するため層間絶縁膜(シリコンを主成分とする)を形成した後で熱活性化を行うことが望ましい。
【0091】
さらに、3〜100%の水素を含む雰囲気中で、300〜450℃で1〜12時間の熱処理を行い、島状の半導体層を水素化する工程を行う。この工程は熱的に励起された水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。水素化するための、熱水素化の他の方法として、プラズマ水素化(プラズマにより励起された水素を用いる)によって行っても良い。
【0092】
次いで、図8(B)に示すように、第1の層間絶縁膜5031を、酸化窒化シリコン膜で100〜200nmの厚さで形成する。その上に有機絶縁物材料からなる第2の層間絶縁膜5032を形成した後、第1の層間絶縁膜5031、第2の層間絶縁膜5032、およびゲート絶縁膜5006に対してコンタクトホールを開口し、配線材料による膜を形成して各配線5033〜5036、および画素電極5037をパターニング形成する。
【0093】
第2の層間絶縁膜5032としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、BCB(ベンゾシクロブテン)等の有機樹脂を材料とする膜を用いる。特に、第2の層間絶縁膜5032は平坦化の意味合いが強いので、平坦性に優れたアクリルが望ましい。本実施例ではTFTによって形成される段差を十分に平坦化しうる膜厚でアクリル膜を形成する。好ましくは1〜5μm(さらに好ましくは2〜4μm)とすれば良い。
【0094】
コンタクトホールの形成は、ドライエッチングまたはウェットエッチング法を用い、N型の不純物領域5014〜5016、およびソース信号線(図示せず)、ゲート信号線(図示せず)、電流供給線(図示せず)およびゲート電極5024〜5026に達する(図示せず)コンタクトホールをそれぞれ形成する。
【0095】
また、配線5033〜5036として、Ti膜を100nm、Tiを含むAl膜を300nm、Ti膜を150nm、スパッタ法で連続形成した3層積層の膜を所望の形状にパターニングして形成する。勿論、他の導電性材料を用いても良い。画素電極5037については、表示装置を反射型とする場合には、反射性の高い材料にて形成する。この場合、配線と同時に形成しても良い。一方、透過型である場合には、酸化インジウム錫(Indium Tin Oxide:ITO)等の透明導電性材料を用いて形成する。図8(B)の状態まで完了したものを、本明細書ではアクティブマトリクス基板と呼ぶ。
【0096】
続いて、対向基板5038を用意する。対向基板5038には、遮光膜5039が形成される。この遮光膜は、クロム(Cr)等を用いて、100nm〜200nmの厚さで形成する。
【0097】
一方、画素部においては対向電極5040が形成される。対向電極は、ITO等の透明導電性材料を用いて形成する。また、可視光の透過率を高く保つために、対向電極の膜厚は100nm〜120nmで形成することが望ましい。
【0098】
アクティブマトリクス基板と対向基板とに、配向膜5041、5042を形成する。配向膜5041、5042の膜厚は、30nm〜80nmが望ましい。また、配向膜としては、例えば日産化学社製SE7792等を用いることが出来る。プレチルト角の高い配向膜を用いると、アクティブマトリクス方式により駆動される液晶表示装置の駆動時に、ディスクリネーションの発生を抑制することが出来る。
【0099】
続いて、配向膜5041、5042をラビングする。ラビング方向は、液晶表示装置が完成したときに、左巻きのTN(Twisted Nematic)配向となるようにするのが望ましい。
【0100】
本実施例においては特に図示していないが、スペーサを画素内に散布もしくはパターニングにより形成して、セルギャップの均一性を向上させることも可能である。本実施例においては、感光性樹脂膜を製膜、パターニングして、4.0μmの高さのスペーサを形成した。
【0101】
続いて、シール剤5043により、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせる。シール剤としては、熱硬化型のシール剤である三井化学社製XN−21Sを用いた。シール剤中にはフィラーを混入する。なお、フィラーの高さは4.0μmとする。その後、シール剤が硬化した後に、アクティブマトリクス基板と対向基板とを、所望のサイズに同時に分断する。
【0102】
続いて、液晶5044を注入する。液晶材料としては、高速応答性等を考慮すると、低粘度のものが望ましい。本実施例においては、配向制御の容易なネマチック液晶を用いる。勿論、高速応答が可能な強誘電性液晶、反強誘電性液晶を用いても良い。
【0103】
液晶の注入が終了したのち、注入口をUV硬化型樹脂等を用いて封止する。その後、公知の方法により偏光板を貼り付ける。最後に、基板上に形成された素子又は回路から引き回された端子と外部信号端子とを接続するためのコネクタ(フレキシブルプリントサーキット:FPC)を取り付けて製品として完成する(図8(C))。このような出荷出来る状態にまでした状態を本明細書中では液晶表示装置と呼ぶ。
【0104】
また、本実施例で示す工程に従えば、アクティブマトリクス基板の作製に必要なフォトマスクの数を4枚(島状半導体層パターン、第1配線パターン(ゲート配線、島状のソース配線、容量配線)、コンタクトホールパターン、第2配線パターン(画素電極、接続電極含む))とすることができる。その結果、工程を短縮し、製造コストの低減及び歩留まりの向上に寄与することができる。
【0105】
[実施例3]
本実施例においては、実施形態および実施例1に示した回路を用いて、実際に表示装置を作製した例について述べる。
【0106】
図10(A)に、表示装置の概略図を示す。基板1000の中央部に、画素部1001が配置されている。画素部1001の周辺には、ソース信号線を制御するための、ソース信号線駆動回路1002および、ゲート信号線を制御するための、ゲート信号線駆動回路1007が配置されている。ゲート信号線駆動回路1007は、図10(A)では画素部1001の両側に対称配置されているが、画素部1001の片側のみに配置しても良い。
【0107】
ソース信号線駆動回路1002、ゲート信号線駆動回路1007を駆動するために外部より入力される信号は、FPC1010を介して入力される。本実施例においては、FPC1010より入力される信号は、その電圧振幅が小さいため、レベルシフタ1006によって電圧振幅の変換を受けた上で、ソース信号線駆動回路1002、およびゲート信号線駆動回路1007へと入力される。
【0108】
図10(A)において、破線A−A'の断面図を図10(B)に示す。基板1000上には、画素部1001、ソース信号線駆動回路1002、ゲート信号線駆動回路(図示せず)が形成されている。基板1000と、対向基板1011とは、シール剤1012を用いて貼り合わされ,基板間のギャップには液晶が注入される。液晶の注入後は、図10(A)に示すように、封止剤1013によって、注入口を密閉する。
【0109】
引き回し配線1021は、異方導電性フィルム1023を介して、FPC1010が有するFPC側配線1022と電気的に接続される。異方導電性フィルム1023には、図10(C)に示すように導電性のフィラー1024が含まれており、基板1000とFPC1010とを熱圧着することで、基板1000上の引き回し配線1021と、FPC1010上のFPC側配線1022とが、導電性フィラー1024によって電気的に接続される。
【0110】
図3は、ソース信号線駆動回路の構成を示したものである。レベルシフタ301、302、シフトレジスタ303、バッファ304、サンプリング回路305を有する。
【0111】
ソース信号線駆動回路には、ソース側クロック信号(S−CK)、ソース側クロック反転信号(S−CKb)、ソース側スタートパルス(S−SP)、アナログ映像信号(Video1〜8)が入力される。このうち、クロック信号、スタートパルスは、レベルシフタ301、302によって振幅変換を受けた後に入力される。また、アナログ映像信号は、本実施例では8分割入力であるが、実際に表示装置を作製する際にはこの限りではない。
【0112】
図4に、シフトレジスタの構成を示す。図4(A)に示したブロック図において、400で示したブロックが1段分のサンプリングパルスを出力するパルス出力回路であり、図4(A)のシフトレジスタは、n段(nは自然数、1<n)のパルス出力回路によって構成されている。
【0113】
図4(B)は、パルス出力回路の構成を詳細に示したものである。パルス出力回路本体は、TFT401〜406および、容量407からなる。あるk段目(kは自然数、1<k<n)のパルス出力回路において、TFT401、404のゲート電極にはk−1段目のパルス出力回路からの出力パルスが入力され、TFT402、403のゲート電極には、k+1段目のパルス出力回路からの出力パルスが入力される。なお、k=1、すなわち初段のパルス出力回路におけるTFT401、404のゲート電極および、k=n、すなわち最終段のパルス出力回路におけるTFT402、403のゲート電極には、スタートパルス(SP)が入力される。
【0114】
ここで、詳細な回路動作について説明する。図14に示すタイミングチャートを参照する。あるk段目のパルス出力回路において、TFT401、404のゲート電極にk−1段目のパルス出力回路からの出力パルスが入力されて(k=1、すなわち初段の場合はスタートパルスが入力される)Hレベルとなり、TFT401、404がONする(図14 1401参照)。これにより、TFT405のゲート電極の電位はVDD側に引き上げられ(図14 1402参照)、その電位が(VDD−VthN)となったところでTFT401がOFFし、浮遊状態となる。この時点で、TFT405のゲート・ソース間電圧は、そのしきい値を上回っており、TFT405がONする。一方、TFT402、403のゲート電極には、まだパルス入力はなく、Lレベルのままであるので、OFFしている。よってTFT406のゲート電極の電位はLレベルであり、OFFしているので、出力端子(SR Out)は、TFT405の入力電極に入力されるクロック信号(S−CK、S−CKbのいずれか一方)がHレベルになるのに伴い、パルス出力回路の出力端子(SR Out)の電位がVDD側に引き上げられる(図14 1403参照)。ただし、ここまでの状態では、パルス出力回路の出力端子(SROut)の電位は、TFT405のゲート電極の電位(VDD−VthN)に対し、さらにしきい値分だけ降下した、[VDD−2(VthN)]までしか上昇し得ない。
【0115】
ここで、TFT405のゲート電極と出力電極との間には、容量407が設けられており、さらに今、TFT405のゲート電極は浮遊状態にあるため、パルス出力回路の出力端子(SR Out)の電位が上昇、すなわちTFT405の出力電極の電位が上昇するのに伴い、TFT405のゲート電極の電位は、容量407の働きによって、(VDD−VthN)からさらに引き上げられる。この動作によって、TFT405のゲート電極の電位は、最終的には(VDD+VthN)よりも高い電位となる(図14 1402参照)。パルス出力回路の出力端子(SR Out)の電位は、TFT405のしきい値に影響されることなく、VDDまで正常に上昇する(図14 1403参照)。
【0116】
同様にして、k+1段目のパルス出力回路より、パルスが出力される(図141404参照)。k+1段目の出力パルスは、k段目に帰還してTFT402、403のゲート電極に入力される。TFT402、403のゲート電極の電位がHiとなってONし、TFT405のゲート電極の電位はVSS側に引き下げられてTFT405がOFFする。同時にTFT406のゲート電極の電位がHレベルとなってONし、k段目のパルス出力回路の出力端子(SR Out)の電位はLレベルとなる。
【0117】
以後、最終段まで同様の動作により、順次VDD−VSS間の振幅を有するパルスが出力される。逆方向走査においても、回路の動作は同様である。
【0118】
最終段においては、次段より帰還入力されるパルスがないため、クロック信号がそのままTFT405を通過して出力され続ける(図14 1407参照)。よって、最終段のパルス出力回路の出力パルスは、サンプリングパルスとして用いることが出来ない。同様に、逆方向走査の場合、初段の出力パルスがすなわち最終出力となるため、同様にサンプリングパルスとして用いることが出来ない。よって本実施例にて示した回路においては、必要な段数+2段のパルス出力回路を用いてシフトレジスタを構成し、両端をダミー段として扱っている。それでも、最終出力は、次の水平期間が開始される前に何らかの方法で停止させる必要があるため、スタートパルスを初段の入力および最終段の期間入力として用い、次の水平期間でスタートパルスが入力された時点で最終段の出力が停止するようにしている。
【0119】
図5は、バッファ304の構成例を示している。図5(A)に示すように、4段構成となっており、初段のみ1入力1出力型(Buf Unit1)501、2段目以降は2入力1出力型(Buf Unit2)502としている。
【0120】
初段のユニット(Buf Unit1)501の回路構成を図5(B)示す。信号は、TFT552、554、556のゲート電極に入力される。TFT551のゲート電極は、入力電極と接続されている。TFT552、554、556のゲート電極にHレベルが入力されてONすると、TFT553、555のゲート電極の電位はLレベルとなり、その結果、出力端子(Out)はLレベルとなる。TFT552、554、556のゲート電極にLレベルが入力されてOFFしているとき、TFT551はゲート電極と入力電極が接続されて常にONしているので、TFT553、555のゲート電極の電位が上昇し、前述のシフトレジスタの場合と同様、容量557による結合によって、出力はHレベルとなる。また、入力端(In)より入力される信号がHレベルからLレベルに変わるとき、容量558を用いてTFT553の出力電極の電位を一度低くする動作については、実施形態で説明した通りである。
【0121】
なお、TFT551、552の関係として、TFT551は、ゲート電極と入力電極とが接続されているため、TFT552がONしたとき、TFT551、552がともにONしていることになる。この状態でTFT553、555のゲート電極の電位がLレベルとなる必要があるため、TFT551のチャネル幅を、TFT552に対して小さく設計する必要がある。TFT553、555のゲート電極を充電できるだけの能力があれば十分なので、TFT551のチャネル幅は最小限で良い。また、TFT551を小さくすることで、TFT552がONしている期間の電源VDD−TFT551−TFT552−電源VSS間の貫通パスによる消費電流の増加を最小限とすることが出来る。
【0122】
図5(C)は、2段目以降に用いているユニット(Buf Unit2)502の回路構成を示している。TFT562のゲート電極への入力は初段のものと同様であり、加えてTFT561のゲート電極に、前段の入力を反転入力として用いている。このようにすることで、TFT561、562は排他的にON、OFFし、図5(B)の構成における、電源VDD−TFT561−TFT562−電源VSS間の貫通パスをなくすことが出来る。
【0123】
図6は、本実施例の表示装置に用いているクロック信号用レベルシフタ(CKLS)、スタートパルス用レベルシフタ(SPLS)の構成を示している。基本構成は、初段をレベルシフタ、2段目以降をバッファとした4段構成としており、前述のバッファ回路と同様である。VDDLO−VSS間の振幅を有する信号を入力し、VDD−VSS間の振幅を有する出力信号を得る(ここで、VSS<VDDLO<VDD)。
【0124】
クロック信号用レベルシフタの場合、初段は1入力1出力型であり、2段目以降は2入力1出力型としている。それぞれの入力に対し、互いの入力を反転入力として用いている。
【0125】
スタートパルス用レベルシフタの場合は、前述のバッファと同様の構成である。
【0126】
レベルシフタの初段に用いているユニットの回路構成を図6(C)に、2段目以降に用いているユニットの回路構成を図6(D)に示す。
それぞれの回路構成および動作は、図5(B)(C)に示したものと同様であり、初段に入力される信号の振幅がVDDLO−VSS間である点のみが異なる。
【0127】
入力端(In)より、Hレベルの信号が入力されるとき、TFT652、654、656がONし(ただし、入力信号の振幅の絶対値|VDDLO−VSS|が、TFT652、654、656のしきい値の絶対値|VthN|よりも確実に大きい場合)、TFT653、655のゲート電極の電位はVSS側に引き下げられる。よって出力端子(Out)にはLレベルが現れる。一方、TFT652のゲート電極に入力される信号がLレベルのととき、TFT652、654、656がOFFし、TFT651を通じて、TFT653、655のゲート電極の電位はVDD側に引き上げられる。以後の動作は前述のバッファと同様である。
【0128】
この構成のレベルシフタの特徴として、高電位側(VDD側)に接続されたTFT651の制御に、入力信号を直接用いない点がある。故に、入力信号の振幅が小さい場合においても、TFT651のしきい値に関係なく、TFT653、655のゲート電極の電位を引き上げることが出来るため、高い振幅変換利得を得られる。
【0129】
図15は、ゲート信号線駆動回路の回路構成を示したものである。スタートパルス用レベルシフタ1501、クロック信号用レベルシフタ1502、シフトレジスタ1503、バッファ1504を有する。
【0130】
ゲート信号線駆動回路には、ゲート側クロック信号(G−CK)、ゲート側クロック反転信号(G−CKb)、ゲート側スタートパルス(G−SP)が入力される。これらの入力信号は、レベルシフタ1501、1502によって振幅変換を受けた後に入力される。
【0131】
なお、シフトレジスタ1503、バッファ1504、スタートパルス用レベルシフタ1501、クロック信号用レベルシフタ1502の構成および動作に関しては、ソース信号線駆動回路に用いたものと同様であるので、ここでは説明を省略する。
【0132】
ここで紹介した駆動回路と、発明の実施形態にて示した画素とを用いて作製された表示装置は、単一極性のTFTのみを用いて構成することで工程中のドーピング工程の一部を削減し、さらにフォトマスクの枚数を減らすことが可能となった。さらに、前述の課題の項で述べた、信号振幅を広げることによる消費電流の増加といった課題も、ブートストラップ法を応用した回路を用いることによって解決することが可能となった。
【0133】
[実施例4]
実施例2に示した工程は、画素および周辺の駆動回路をNチャネル型TFTを用いて構成する場合の例として説明したが、本発明はPチャネル型TFTを用いての実施も可能である、
【0134】
Nチャネル型TFTの場合、ホットキャリア劣化等の抑制のため、ゲート電極と重なる領域に、オーバーラップ領域と呼ばれる不純物領域を設けている。これに対してPチャネル型TFTの場合は、ホットキャリア劣化による影響が小さいので、特にオーバーラップ領域等を設ける必要はなく、この場合、より簡単な工程で作製することが可能である。
【0135】
図16(A)に示すように、実施例2に従って、ガラス等の絶縁基板6001上に下地膜6002を形成し、次いで島状の半導体層6003〜6005、ゲート絶縁膜6006、導電層6007、6008を形成する。ここで、導電層6007、6008は、ここでは積層構造としているが、特に単層であっても構わない。
【0136】
次いで、図16(B)に示すように、レジストによるマスク6009を形成し、第1のエッチング処理を行う。実施例2においては、積層構造とした導電層の材質による選択比を利用して、異方性エッチングを行ったが、ここでは特にオーバーラップ領域となる領域を設ける必要はないので、通常エッチングにて行えば良い。このとき、ゲート絶縁膜6006においては、エッチングによって20nm〜50nm程度薄くなった領域が形成される。
【0137】
続いて、島状の半導体層にP型を付与する不純物元素を添加するための第1のドーピング処理を行う。導電層6010〜6013を不純物元素に対するマスクとして用い、自己整合的に不純物領域6014〜6016を形成する。P型を付与する不純物元素としては、ボロン(B)等が代表的である。ここでは、ジボラン(B2H6)を用いたイオンドープ法で形成し、半導体層中の不純物濃度が2×1020〜2×1021atoms/cm3となるようにする。
【0138】
レジストによるマスクを除去して、図16(C)の状態を得る。以後、実施例2における図8(B)以降の工程に従って作製する。
【0139】
[実施例5]
図18(A)に示す回路は、図1に示したインバータ回路と同様の構成を有する回路であるが、TFT1801のゲート電極に印加されている電位は、VDDLO(<VDD)であり、入力信号の振幅もVDDLO−VSS間である。このような構成とすると、レベルシフタとして用いることも出来る。
【0140】
動作について説明する。第1の信号入力部(In)にHレベルが入力されると、TFT1803、1807のゲート電極の電位がHレベルとなってONする。同時に、第2の信号入力部(Inb)にLレベルが入力される。TFT1801は、ゲート電極にVDDLOが入力されてONしているので、TFT1802、1806のゲート電極の電位がLレベルとなってOFFする。よって信号出力部(Out)にはLレベルが現れる。
【0141】
一方、第1の信号入力部(In)にLレベルが入力されると、TFT1803、1807のゲート電極の電位がLレベルとなってOFFする。
【0142】
ここで、第1の信号入力部(In)に入力されている信号がHレベルからLレベルに切り替わる瞬間の動作について説明する。第1の信号入力部(In)に入力されている信号の電位がHレベルから降下を始め、やがてTFT1803、1807のゲート・ソース間電圧は、そのしきい値を下回り、OFFする。このとき、TFT1803およびTFT1807の出力端が浮遊状態となる。さらに、TFT1803、1807のゲート電極の電位は降下を続けるが、容量1805によるTFT1803のゲート電極と出力端との間の容量結合により、TFT1803の出力端の電位も、図18(B)(ii)にて、ΔVf'で示すように降下する。
【0143】
一方、第2の信号入力部(Inb)に入力されている信号はLレベルからHレベルに切り替わる。よって、TFT1802、1806のゲート電極の電位は上昇し、その電位が(VDDLO−VthN)となったところで浮遊状態となる。
【0144】
この時点で、TFT1802、1806のゲート・ソース間電圧はVthNよりも大きくなっているため、ONする。よってTFT1802、1806の出力端の電位が上昇する。
【0145】
ここで、容量1804によるTFT1802のゲート電極と出力端との間の容量結合により、TFT1802の出力端の電位上昇に伴い、浮遊状態となっているTFT1802のゲート電極の電位は再び上昇し、その電位は(VDDLO−VthN+ΔVf)まで上昇する。
【0146】
よって、同時にTFT1806のゲート電極の電位も(VDDLO−VthN+ΔVf)まで上昇し、信号出力部(Out)に現れるHレベルは、正常にVDDまで上昇する。
【0147】
以上の動作によって、図18(A)に示した回路は、VDDLO−VSS間の振幅を有する信号の入力に対し、VDD−VSS間の振幅を有する出力を得る、レベルシフタとして用いることが出来る。
【0148】
[実施例6]
本実施例においては、画素部にEL素子を始めとした発光素子を用いる発光装置の作製工程について説明する。
【0149】
実施例2に示した作製工程に従い、図8(A)〜図8(B)に示すように、第1および第2の層間絶縁膜までを形成する。
【0150】
続いて、図19(A)に示すように、コンタクトホールを開口する。コンタクトホールの形状は、ドライエッチングまたはウェットエッチング法を用い、N型の不純物領域、ソース信号線、ゲート信号線、電流供給線、およびゲート電極に達するようにそれぞれ形成する。
【0151】
次に、EL素子の陽極7001として、ITO等を代表とする透明導電膜を成膜し、所望の形状にパターニングする。Ti、Tiを含むAlおよびTiでなる積層膜を成膜し、所望の形状にパターニングして、配線電極7002〜7005および画素電極7006を形成する。各層の膜厚は、実施例2と同様で良い。画素電極7006は、先に形成した陽極7001と重なるように形成してコンタクトを取っている。
【0152】
続いて、珪素を含む絶縁膜(代表的には酸化珪素膜)を形成し、EL素子の陽極7001に対応する位置に開口部を形成して第3の層間絶縁膜7007を形成する。ここで、開口部を形成する際、ウェットエッチング法を用いることで容易にテーパー形状の側壁とすることが出来る。開口部の側壁が十分になだらかなテーパー形状となっていない場合、段差に起因するEL層の劣化、段切れ等が顕著な問題となるため、注意が必要である。
【0153】
次に、EL層7008を形成した後、EL素子の陰極7009を、セシウム(Cs)を2nm以下の厚さで、および銀(Ag)を10nm以下の厚さで形成する。EL素子の陰極7009の膜厚を極めて薄くすることにより、EL層で発生した光は陰極7009を透過して出射される。
【0154】
次いで、EL素子の保護を目的として、保護膜7010を成膜する。その後、FPCの貼付等の作業を行った後、発光装置が完成する。
【0155】
本実施例において、図19(A)に示した発光装置におけるEL素子の構成の詳細を図19(B)に示す。EL素子の陽極7101は、ITOを代表とする透明導電膜でなる。7102は発光層を含むEL層である。EL素子の陰極は、いずれも極めて薄く形成されたCs膜7103およびAg膜7104でなる。7105が保護膜である。
【0156】
EL素子の陰極側を、極めて薄い膜厚で形成することにより、EL層7102で発生した光は、陰極7103、7104を透過して上方に出射される。つまり、TFTが形成されている領域が、発光面の面積を圧迫することがないため、開口率をほぼ100%とすることが出来る。
【0157】
[実施例7]
本実施例においては、実施例6とは異なる方法によって発光装置を作製する工程について説明する。
【0158】
実施例2に示した作製工程に従い、図8(A)〜図8(B)に示すように、第1および第2の層間絶縁膜までを形成する。
【0159】
続いて、図20(A)に示すように、コンタクトホールを開口する。コンタクトホールの形状は、ドライエッチングまたはウェットエッチング法を用い、N型の不純物領域、ソース信号線、ゲート信号線、電流供給線、およびゲート電極に達するようにそれぞれ形成する。
【0160】
次に、配線7201〜7204、およびEL素子の陽極となる画素電極7205を、Ti膜、Tiを含むAl膜、Ti膜、および透明導電膜の積層膜として形成する。
【0161】
続いて、珪素を含む絶縁膜(代表的には酸化珪素膜)を形成し、EL素子の陽極7205に対応する位置に開口部を形成して第3の層間絶縁膜7206を形成する。ここで、開口部を形成する際、ウェットエッチング法を用いることで容易にテーパー形状の側壁とすることが出来る。開口部の側壁が十分になだらかなテーパー形状となっていない場合、段差に起因するEL層の劣化、段切れ等が顕著な問題となるため、注意が必要である。
【0162】
次に、EL層7207を形成した後、EL素子の陰極7208を、セシウム(Cs)を2nm以下の厚さで、および銀(Ag)を10nm以下の厚さで形成する。EL素子の陰極7208の膜厚を極めて薄くすることにより、EL層で発生した光は陰極7208を透過して出射される。
【0163】
次いで、EL素子の保護を目的として、保護膜7209を成膜する。その後、FPCの貼付等の作業を行った後、発光装置が完成する。
【0164】
本実施例において、図20(A)に示した発光装置におけるEL素子の構成の詳細を図20(B)に示す。EL素子の陽極は、Ti、Tiを含むAl、Tiの積層膜でなる金属膜7301および、ITOを代表とする透明導電膜7302でなる。7303は発光層を含むEL層である。EL素子の陰極は、いずれも極めて薄く形成されたCs膜7304およびAg膜7305でなる。7306が保護膜である。
【0165】
本実施例で作製した発光装置は、実施例6に示した発光装置と同様、開口率をほぼ100%と出来る利点を有する。さらに、配線電極および画素電極の形成において、Ti、Tiを含むAl、Tiの積層でなる金属膜と、透明導電膜とを共通のフォトマスクを用いてパターニングを行うことが可能であり、フォトマスクの削減、および工程の簡略化が可能となる。
【0166】
[実施例8]
本発明において、ブートストラップ動作を行うために設けた容量手段は、TFTのゲート・ソース間容量を利用しても良いし、配線、ゲート電極、活性層等から選ばれた2材料でなる電極対と、前記電極対とに挟まれた絶縁層とによって形成されても良い。
【0167】
図21は、容量手段2154、2155はTFTと同様の構成によって形成されている。TFTのソース領域とドレイン領域とは互いに接続され、実質的に、ゲート電極と、その下のチャネル領域とを電極対とし、ゲート絶縁膜を絶縁層とした容量手段として機能する。さらに、前記ゲート電極と、ソース領域とドレイン領域とを接続する配線材料とを電極対とし、ゲート材料と配線材料との間の層間膜を絶縁層とした容量手段としても機能する。
【0168】
図22(A)に、図21に示した構成で実際に回路を作製した場合のマスクレイアウト例を示す。電源、各入力端、出力端より入力あるいは出力される信号、TFTの番号等は、全て図21に示した回路図に対応するものである。
【0169】
図22(B)は、図22(A)において、X−X'線での断面図を示したものである。TFT2154、2155の上に形成された配線材料によって、それぞれのTFTにおいてソース・ドレイン間が接続されている。
【0170】
図22(C)に、図22(A)に示したマスクレイアウトを実際に用いて回路を作製した写真を示す。写真中に付された番号等は、図21、図22(A)に付されたものに対応する。
【0171】
[実施例9]
本発明は、様々な電子機器に用いられている表示装置の作製に適用が可能である。このような電子機器には、携帯情報端末(電子手帳、モバイルコンピュータ、携帯電話等)、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビ、携帯電話等が挙げられる。それらの一例を図17に示す。
【0172】
図17(A)は液晶ディスプレイもしくはOLEDディスプレイであり、筐体3001、支持台3002、表示部3003等により構成されている。本発明は、表示部3003を有する半導体装置に適用が可能である。
【0173】
図17(B)はビデオカメラであり、本体3011、表示部3012、音声入力部3013、操作スイッチ3014、バッテリー3015、受像部3016等により構成されている。本発明は、表示部3012を有する半導体装置に適用が可能である。
【0174】
図17(C)はノート型のパーソナルコンピュータであり、本体3021、筐体3022、表示部3023、キーボード3024等により構成されている。本発明は、表示部3023を有する半導体装置に適用が可能である。
【0175】
図17(D)は携帯情報端末であり、本体3031、スタイラス3032、表示部3033、操作ボタン3034、外部インターフェイス3035等により構成されている。本発明は、表示部3033を有する半導体装置に適用が可能である。
【0176】
図17(E)は音響再生装置、具体的には車載用のオーディオ装置であり、本体3041、表示部3042、操作スイッチ3043、3044等により構成されている。本発明は表示部3042を有する半導体装置に適用が可能である。また、本実施例では車載用オーディオ装置を例に挙げたが、携帯型もしくは家庭用のオーディオ装置に用いても良い。
【0177】
図17(F)はデジタルカメラであり、本体3051、表示部(A)3052、接眼部3053、操作スイッチ3054、表示部(B)3055、バッテリー3056等により構成されている。本発明は、表示部(A)3052および表示部(B)3055を有する半導体装置に適用が可能である。
【0178】
図17(G)は携帯電話であり、本体3061、音声出力部3062、音声入力部3063、表示部3064、操作スイッチ3065、アンテナ3066等により構成されている。本発明は、表示部3064を有する半導体装置に適用が可能である。
【0179】
なお、本実施例に示した例はごく一例であり、これらの用途に限定するものではないことを付記する。
【発明の効果】
本発明によって、単極性のTFTによって半導体装置および画素部を構成することが出来る。
【0180】
また、駆動回路に用いるバッファ回路として、負荷の駆動能力をより高くすることにより、動作の信頼性を高め、もしくは回路の占有面積を縮小することが出来る。
【0181】
さらに、単極性のTFTによって表示装置を作製することで、不純物添加の工程の一部を省略することが可能となり、表示装置作製のコスト低下に寄与することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の一形態を示す図。
【図2】 図1に示した回路における、ブートストラップ動作時の各ノードの電位を示す図。
【図3】 実施例にて作製した表示装置に用いたソース信号線駆動回路の構成を示す図。
【図4】 実施例にて作製した表示装置に用いたシフトレジスタの構成を示す図。
【図5】 実施例にて作製した表示装置に用いたバッファの構成を示す図。
【図6】 実施例にて作製した表示装置に用いたレベルシフタの構成を示す図。
【図7】 表示装置の作製工程例を示す図。
【図8】 表示装置の作製工程例を示す図。
【図9】 本発明の一実施例を示す図。
【図10】 表示装置の概略および断面図。
【図11】 CMOSインバータの動作および負荷の関係を示す図。
【図12】 単極性のTFTによるインバータの動作について示す図。
【図13】 ブートストラップ法による回路動作について示す図。
【図14】 シフトレジスタの動作タイミングを説明する図。
【図15】 実施例にて作製した表示装置に用いたゲート信号線駆動回路の構成を示す図。
【図16】 表示装置の作製工程例を示す図。
【図17】 本発明の適用が可能な電子機器の例を示す図。
【図18】 本発明をレベルシフタに用いた実施例を示す図。
【図19】 発光装置の作製工程例を示す図。
【図20】 発光装置の作製工程例を示す図。
【図21】 本発明の一実施例を示す図。
【図22】 図21に示した構成のマスクレイアウト図および作製した回路の写真を示す図。
Claims (12)
- 画素部と、ゲート信号線駆動回路と、ソース信号線駆動回路とを含み、
前記ゲート信号線駆動回路、及び前記ソース信号線駆動回路は、
入力端が第1の配線に電気的に接続された第1および第2のトランジスタと、
入力端が第2の配線に電気的に接続された第3および第4のトランジスタと、
出力端が前記第1および第2のトランジスタのゲートと電気的に接続された第5のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのゲートと前記第1のトランジスタの出力端との間に設けられた第1の容量手段と、
前記第3のトランジスタのゲートと前記第3のトランジスタの出力端との間に設けられた第2の容量手段と、
前記第3および第4のトランジスタのゲートに第1の信号を入力する第1の信号入力部と、
前記第5のトランジスタの入力端に第2の信号を入力する第2の信号入力部と、
信号出力部と、をそれぞれ有し、
前記第1乃至第5のトランジスタはいずれも同一導電型であり、
前記第1のトランジスタの出力端と、前記第3のトランジスタの出力端とは電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの出力端と、前記第4のトランジスタの出力端と、前記信号出力部とは電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、前記第1の配線もしくは、前記第3の配線と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
前記第1の容量手段は、活性層材料、ゲートを構成する材料、あるいは配線材料のうちいずれか2材料と、前記2材料間の絶縁層とを用いてなることを特徴とする表示装置。 - 請求項1または2において、
前記第2の容量手段は、活性層材料、ゲートを構成する材料、あるいは配線材料のうちいずれか2材料と、前記2材料間の絶縁層とを用いてなることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記第1乃至第5のトランジスタの導電型がNチャネル型であるとき、第2の配線の電位<第3の配線の電位<第1の配線の電位であり、
当該導電型がPチャネル型であるとき、第2の配線の電位>第3の配線の電位>第1の配線の電位であることを特徴とする表示装置。 - 画素部と、ゲート信号線駆動回路と、ソース信号線駆動回路とを含み、
前記ゲート信号線駆動回路、及び前記ソース信号線駆動回路は、
入力端が第1の配線に電気的に接続された第1および第2のトランジスタと、
入力端が第2の配線に電気的に接続された第3および第4のトランジスタと、
入力端が第1の配線に電気的に接続され、出力端が前記第1および第2のトランジスタのゲートと電気的に接続された第5のトランジスタと、
入力端が第2の配線に電気的に接続され、出力端が前記第1および第2のトランジスタのゲートと電気的に接続された第6のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのゲートと前記第1のトランジスタの出力端との間に設けられた第1の容量手段と、
前記第3のトランジスタのゲートと前記第3のトランジスタの出力端との間に設けられた第2の容量手段と、
前記第3、第4および第6のトランジスタのゲートに第1の信号を入力する第1の信号入力部と、
前記第5のトランジスタのゲートに第2の信号を入力する第2の信号入力部と、
信号出力部と、をそれぞれ有し、
前記第1乃至第6のトランジスタはいずれも同一導電型であり、
前記第1のトランジスタの出力端と、前記第3のトランジスタの出力端とは電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの出力端と、前記第4のトランジスタの出力端とは電気的に接続されることを特徴とする表示装置。 - 画素部と、ゲート信号線駆動回路と、ソース信号線駆動回路とを含み、
前記ゲート信号線駆動回路、及び前記ソース信号線駆動回路は、
入力端が第1の配線に電気的に接続された第1および第2のトランジスタと、
入力端が第2の配線に電気的に接続された第3および第4のトランジスタと、
入力端が第1の配線、及びゲートに電気的に接続され、出力端が前記第1および第2のトランジスタのゲートと電気的に接続された第5のトランジスタと、
入力端が第2の配線に電気的に接続され、出力端が前記第1および第2のトランジスタのゲートと電気的に接続された第6のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのゲートと前記第1のトランジスタの出力端との間に電気的に接続された第1の容量手段と、
前記第3のトランジスタのゲートと前記第3のトランジスタの出力端との間に電気的に接続された第2の容量手段と、
前記第3、第4および第6のトランジスタのゲートに第1の信号を入力する信号入力部と、
信号出力部と、をそれぞれ有し、
前記第1乃至第6のトランジスタはいずれも同一導電型であり、
前記第1のトランジスタの出力端と、前記第3のトランジスタの出力端とは電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの出力端と、前記第4のトランジスタの出力端とは電気的に接続されることを特徴とする表示装置。 - 請求項5または6において、
前記第1の容量手段は、活性層材料、ゲートを構成する材料、あるいは配線材料のうちいずれか2材料と、前記2材料間の絶縁層とを用いてなることを特徴とする表示装置。 - 請求項5または7において、
前記第2の容量手段は、活性層材料、ゲートを構成する材料、あるいは配線材料のうちいずれか2材料と、前記2材料間の絶縁層とを用いてなることを特徴とする表示装置。 - 請求項5乃至8のいずれか一において、
前記第1乃至第6の導電型がNチャネル型であるとき、第2の配線の電位<第1の配線の電位であり、
当該導電型がPチャネル型であるとき、第2の配線の電位>第1の配線の電位であることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項9に記載の表示装置において、前記画素部は、液晶を有することを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至請求項9に記載の表示装置において、前記画素部は、EL素子を有することを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至11のいずれか一に記載の表示装置を具備することを特徴とする電子機器。
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