JP2011091376A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2011091376A5
JP2011091376A5 JP2010207551A JP2010207551A JP2011091376A5 JP 2011091376 A5 JP2011091376 A5 JP 2011091376A5 JP 2010207551 A JP2010207551 A JP 2010207551A JP 2010207551 A JP2010207551 A JP 2010207551A JP 2011091376 A5 JP2011091376 A5 JP 2011091376A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
transistor
display device
electrically connected
function
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010207551A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011091376A (ja
JP5593179B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2010207551A priority Critical patent/JP5593179B2/ja
Priority claimed from JP2010207551A external-priority patent/JP5593179B2/ja
Publication of JP2011091376A publication Critical patent/JP2011091376A/ja
Publication of JP2011091376A5 publication Critical patent/JP2011091376A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5593179B2 publication Critical patent/JP5593179B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (4)

  1. 駆動回路と、画素と、第1のトランジスタと、第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、を有する表示装置であって、
    前記駆動回路は、前記第1の配線を介して前記画素に画像データを供給することができる機能を有し、
    前記第2の配線は、第1の電位を供給することができる機能を有し、
    前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第1の配線と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタのゲートは、前記第3の配線と電気的に接続され、
    前記前記第3の配線は、前記第1のトランジスタのオンまたはオフを制御する信号を供給することができる機能を有し、
    前記第1のトランジスタは、チャネル形成領域を含む酸化物半導体層を有し、
    前記第1のトランジスタは、デプレッション型であることを特徴とする表示装置。
  2. 駆動回路と、画素と、第1のトランジスタと、第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、を有する表示装置であって、
    前記駆動回路は、第2のトランジスタを有し、
    前記駆動回路は、前記第1の配線を介して前記画素に画像データを供給することができる機能を有し、
    前記第2の配線は、第1の電位を供給することができる機能を有し、
    前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第1の配線と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタのゲートは、前記第3の配線と電気的に接続され、
    前記前記第3の配線は、前記第1のトランジスタのオンまたはオフを制御する信号を供給することができる機能を有し、
    前記第1のトランジスタは、チャネル形成領域を含む第1の酸化物半導体層を有し、
    前記第2のトランジスタは、チャネル形成領域を含む第2の酸化物半導体層を有し、
    前記第1のトランジスタは、デプレッション型であることを特徴とする表示装置。
  3. 請求項2において、
    前記第1の酸化物半導体層の膜厚は、前記第2の酸化物半導体層の膜厚よりも大きいことを特徴とする表示装置。
  4. 請求項2または請求項3において、
    前記第1のトランジスタのチャネル幅は、前記第2のトランジスタのチャネル幅よりも大きいことを特徴とする表示装置。
JP2010207551A 2009-09-24 2010-09-16 表示装置 Active JP5593179B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010207551A JP5593179B2 (ja) 2009-09-24 2010-09-16 表示装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009218931 2009-09-24
JP2009218931 2009-09-24
JP2010207551A JP5593179B2 (ja) 2009-09-24 2010-09-16 表示装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014157320A Division JP5820029B2 (ja) 2009-09-24 2014-08-01 表示装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011091376A JP2011091376A (ja) 2011-05-06
JP2011091376A5 true JP2011091376A5 (ja) 2013-09-12
JP5593179B2 JP5593179B2 (ja) 2014-09-17

Family

ID=43756232

Family Applications (11)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010207551A Active JP5593179B2 (ja) 2009-09-24 2010-09-16 表示装置
JP2014157320A Active JP5820029B2 (ja) 2009-09-24 2014-08-01 表示装置
JP2015195742A Active JP6053890B2 (ja) 2009-09-24 2015-10-01 表示装置
JP2016231551A Active JP6262317B2 (ja) 2009-09-24 2016-11-29 表示装置
JP2017238383A Active JP6586449B2 (ja) 2009-09-24 2017-12-13 表示装置
JP2019116150A Active JP6804592B2 (ja) 2009-09-24 2019-06-24 表示装置
JP2020200100A Active JP6968969B2 (ja) 2009-09-24 2020-12-02 表示装置
JP2021175750A Active JP7132414B2 (ja) 2009-09-24 2021-10-27 表示装置
JP2022133882A Active JP7292482B2 (ja) 2009-09-24 2022-08-25 表示装置
JP2023092987A Pending JP2023130341A (ja) 2009-09-24 2023-06-06 表示装置
JP2024108097A Pending JP2024133084A (ja) 2009-09-24 2024-07-04 表示装置

Family Applications After (10)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014157320A Active JP5820029B2 (ja) 2009-09-24 2014-08-01 表示装置
JP2015195742A Active JP6053890B2 (ja) 2009-09-24 2015-10-01 表示装置
JP2016231551A Active JP6262317B2 (ja) 2009-09-24 2016-11-29 表示装置
JP2017238383A Active JP6586449B2 (ja) 2009-09-24 2017-12-13 表示装置
JP2019116150A Active JP6804592B2 (ja) 2009-09-24 2019-06-24 表示装置
JP2020200100A Active JP6968969B2 (ja) 2009-09-24 2020-12-02 表示装置
JP2021175750A Active JP7132414B2 (ja) 2009-09-24 2021-10-27 表示装置
JP2022133882A Active JP7292482B2 (ja) 2009-09-24 2022-08-25 表示装置
JP2023092987A Pending JP2023130341A (ja) 2009-09-24 2023-06-06 表示装置
JP2024108097A Pending JP2024133084A (ja) 2009-09-24 2024-07-04 表示装置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9305481B2 (ja)
JP (11) JP5593179B2 (ja)
KR (2) KR101740943B1 (ja)
TW (2) TWI579627B (ja)
WO (1) WO2011036987A1 (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8284142B2 (en) 2008-09-30 2012-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI421827B (zh) * 2010-03-19 2014-01-01 Au Optronics Corp 移位暫存器
US8779478B2 (en) 2010-06-01 2014-07-15 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor
WO2012153697A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
TWI568181B (zh) 2011-05-06 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 邏輯電路及半導體裝置
TWI536502B (zh) 2011-05-13 2016-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路及電子裝置
US8508256B2 (en) 2011-05-20 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
JP5951351B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 加算器及び全加算器
US9135182B2 (en) 2012-06-01 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central processing unit and driving method thereof
US20150277168A1 (en) * 2012-11-21 2015-10-01 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
JP6274968B2 (ja) 2014-05-16 2018-02-07 ローム株式会社 半導体装置
JP6615490B2 (ja) * 2014-05-29 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
US10158027B2 (en) 2014-06-03 2018-12-18 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method for manufacturing same
KR102157689B1 (ko) * 2014-06-27 2020-09-21 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판
TWI841974B (zh) 2014-11-21 2024-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
CN104882108B (zh) * 2015-06-08 2017-03-29 深圳市华星光电技术有限公司 基于氧化物半导体薄膜晶体管的goa电路
CN109075209B (zh) 2016-05-20 2022-05-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置或包括该半导体装置的显示装置
KR102676858B1 (ko) * 2016-12-16 2024-06-19 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
CN106897692B (zh) * 2017-02-23 2020-03-03 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别组件和显示装置
TWI826140B (zh) * 2022-11-23 2023-12-11 友達光電股份有限公司 顯示面板

Family Cites Families (144)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JP3163637B2 (ja) * 1991-03-19 2001-05-08 株式会社日立製作所 液晶表示装置の駆動方法
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0894999A (ja) 1994-09-22 1996-04-12 Casio Comput Co Ltd アクティブマトリックス液晶表示装置
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
WO1997006554A2 (en) 1995-08-03 1997-02-20 Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with transparent switching element
JPH0950263A (ja) 1995-08-08 1997-02-18 Sony Corp アクティブマトリクス表示装置及びその駆動方法
US5612234A (en) * 1995-10-04 1997-03-18 Lg Electronics Inc. Method for manufacturing a thin film transistor
JP3663261B2 (ja) 1995-10-05 2005-06-22 株式会社東芝 表示装置用アレイ基板及びその製造方法
US5835177A (en) 1995-10-05 1998-11-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Array substrate with bus lines takeout/terminal sections having multiple conductive layers
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP3976821B2 (ja) 1996-09-20 2007-09-19 セイコーエプソン株式会社 液晶パネル用基板の検査方法
US5977569A (en) * 1996-09-24 1999-11-02 Allen-Bradley Company, Llc Bidirectional lateral insulated gate bipolar transistor having increased voltage blocking capability
US5973658A (en) 1996-12-10 1999-10-26 Lg Electronics, Inc. Liquid crystal display panel having a static electricity prevention circuit and a method of operating the same
JP3063670B2 (ja) * 1997-04-25 2000-07-12 日本電気株式会社 マトリクス表示装置
JP4308162B2 (ja) * 1997-05-13 2009-08-05 Okiセミコンダクタ株式会社 液晶表示装置の駆動回路及びその駆動方法
JPH1130975A (ja) 1997-05-13 1999-02-02 Oki Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置の駆動回路及びその駆動方法
US7304632B2 (en) 1997-05-13 2007-12-04 Oki Electric Industry Co., Ltd. Liquid-crystal display driving circuit and method
US6307532B1 (en) * 1997-07-16 2001-10-23 Seiko Epson Corporation Liquid crystal apparatus, driving method thereof, and projection-type display apparatus and electronic equipment using the same
JP3687344B2 (ja) * 1997-07-16 2005-08-24 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及びその駆動方法、並びにそれを用いた投写型表示装置及び電子機器
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Hoya株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP4460660B2 (ja) 1998-11-13 2010-05-12 シャープ株式会社 表示装置
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
FR2787634B1 (fr) * 1998-12-18 2003-09-12 Thomson Csf Procede de realisation de transistors cmos et dispositifs associes
TW527735B (en) * 1999-06-04 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
DE10006286C1 (de) * 2000-02-14 2001-10-18 3M Espe Ag Lichtwellenkonvertervorrichtung und deren Verwendung im Dentalbereich
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4204204B2 (ja) 2001-04-13 2009-01-07 三洋電機株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
US7061014B2 (en) 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4083486B2 (ja) * 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
WO2003107314A2 (en) 2002-06-01 2003-12-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of driving a shift register, a shift register, a liquid crystal display device having the shift register
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
JP2005091646A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板、表示装置および電子機器
TWI402539B (zh) * 2003-12-17 2013-07-21 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置和其製造方法
US7333078B2 (en) * 2003-12-29 2008-02-19 Solomon Systech Limited Driving system and method for electroluminescence displays
JP4203656B2 (ja) 2004-01-16 2009-01-07 カシオ計算機株式会社 表示装置及び表示パネルの駆動方法
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
JP4620046B2 (ja) 2004-03-12 2011-01-26 独立行政法人科学技術振興機構 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP4574261B2 (ja) 2004-07-16 2010-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
AU2005302963B2 (en) 2004-11-10 2009-07-02 Cannon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
WO2006051995A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
CA2708335A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
US7608531B2 (en) 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
TWI562380B (en) 2005-01-28 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
JP2007004733A (ja) * 2005-06-27 2007-01-11 Sato Co Ltd 財布及びバッグ
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機el表示装置およびその製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
KR100646990B1 (ko) 2005-09-12 2006-11-23 엘지전자 주식회사 발광 소자 및 이를 구동하는 방법
EP3614442A3 (en) 2005-09-29 2020-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof
JP5078246B2 (ja) 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
JP5064747B2 (ja) * 2005-09-29 2012-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101117948B1 (ko) 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
JP5089139B2 (ja) 2005-11-15 2012-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ZnO TFT
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5135709B2 (ja) * 2006-04-28 2013-02-06 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP4277874B2 (ja) 2006-05-23 2009-06-10 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置の製造方法
KR101186254B1 (ko) * 2006-05-26 2012-09-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광다이오드 표시장치와 그의 구동방법
KR100801961B1 (ko) * 2006-05-26 2008-02-12 한국전자통신연구원 듀얼 게이트 유기트랜지스터를 이용한 인버터
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
KR20080004000A (ko) * 2006-07-04 2008-01-09 엘지전자 주식회사 발광 소자
JP4321557B2 (ja) 2006-07-06 2009-08-26 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Nec液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
TWI312580B (en) * 2006-09-04 2009-07-21 Taiwan Tft Lcd Associatio A thin film transistor, manufacturing method of a active layer thereof and liquid crystal display
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP4932415B2 (ja) 2006-09-29 2012-05-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
JP5090708B2 (ja) 2006-10-20 2012-12-05 株式会社ジャパンディスプレイイースト 画像表示装置とその製造方法
JP2008124215A (ja) 2006-11-10 2008-05-29 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜半導体装置及びその製造方法
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーelディスプレイおよびその製造方法
JP2008165029A (ja) 2006-12-28 2008-07-17 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
WO2008133345A1 (en) 2007-04-25 2008-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Oxynitride semiconductor
JP5294651B2 (ja) * 2007-05-18 2013-09-18 キヤノン株式会社 インバータの作製方法及びインバータ
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US8446355B2 (en) * 2007-10-15 2013-05-21 Nlt Technologies, Ltd. Display device, terminal device, display panel, and display device driving method
JP5215158B2 (ja) 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011091376A5 (ja)
JP2019135550A5 (ja)
JP2011100117A5 (ja) 液晶表示装置
JP2012009125A5 (ja) 表示装置及び電子機器
JP2012257211A5 (ja) 半導体装置及び表示装置
JP2011118377A5 (ja) 半導体装置
JP2017062509A5 (ja) 液晶表示装置
JP2017021370A5 (ja)
JP2010109357A5 (ja)
JP2011123986A5 (ja) 半導体装置
JP2013093565A5 (ja) 半導体装置、表示装置、半導体装置の作製方法、及び表示装置の作製方法
JP2010123938A5 (ja) 半導体装置
JP2010170108A5 (ja) 半導体装置
JP2010109359A5 (ja)
JP2012079293A5 (ja)
JP2011141543A5 (ja) 表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2012252329A5 (ja) 表示装置
JP2011029579A5 (ja) 表示装置
JP2010251732A5 (ja) トランジスタ及び表示装置
JP2011119718A5 (ja) 半導体装置
JP2011170331A5 (ja) 表示装置
JP2010123939A5 (ja)
JP2014098901A5 (ja) 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2010252318A5 (ja) 液晶表示装置
JP2010250303A5 (ja)