JP2017021370A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 画素部と、駆動回路と、を有し、
   前記画素部は、トランジスタと、表示素子と、を有し、
   前記トランジスタは、ゲート電極層と、前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、を有し、
   前記酸化物半導体層上には、第１の酸化珪素膜が位置し、
   前記第１の酸化珪素膜上には、第１の窒化珪素膜が位置し、
   前記ゲート絶縁層は、第２の窒化珪素膜と、前記第２の窒化珪素膜上の第２の酸化珪素膜と、を有し、
   前記第１の酸化珪素膜は、前記酸化物半導体層に接する領域を有し、
   前記第２の酸化珪素膜は、前記酸化物半導体層に接する領域を有し、
   前記駆動回路は、前記画素部に信号を書き込む機能を有し、
   前記画素部に静止画を表示させる際に前記駆動回路から前記トランジスタを介して前記表示素子に前記信号を書き込む頻度は、前記画素部に動画を表示させる際に前記駆動回路から前記トランジスタを介して前記表示素子に前記信号を書き込む頻度よりも低いことを特徴とする表示装置。
2. 画素部と、駆動回路と、を有し、
   前記画素部は、トランジスタと、表示素子と、を有し、
   前記トランジスタは、ゲート電極層と、前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、を有し、
   前記酸化物半導体層上には、第１の酸化珪素膜が位置し、
   前記第１の酸化珪素膜上には、第１の窒化珪素膜が位置し、
   前記ゲート絶縁層は、第２の窒化珪素膜と、前記第２の窒化珪素膜上の第２の酸化珪素膜と、を有し、
   前記第１の酸化珪素膜は、前記酸化物半導体層に接する領域を有し、
   前記第２の酸化珪素膜は、前記酸化物半導体層に接する領域を有し、
   前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含み、
   前記駆動回路は、前記画素部に信号を書き込む機能を有し、
   前記画素部に静止画を表示させる際に前記駆動回路から前記トランジスタを介して前記表示素子に前記信号を書き込む頻度は、前記画素部に動画を表示させる際に前記駆動回路から前記トランジスタを介して前記表示素子に前記信号を書き込む頻度よりも低いことを特徴とする表示装置。
3. 画素部と、駆動回路と、を有し、
   前記画素部は、トランジスタと、表示素子と、を有し、
   前記トランジスタは、ゲート電極層と、前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、を有し、
   前記酸化物半導体層上には、第１の酸化珪素膜が位置し、
   前記第１の酸化珪素膜上には、第１の窒化珪素膜が位置し、
   前記ゲート絶縁層は、第２の窒化珪素膜と、前記第２の窒化珪素膜上の第２の酸化珪素膜と、を有し、
   前記第１の酸化珪素膜は、前記酸化物半導体層に接する領域を有し、
   前記第２の酸化珪素膜は、前記酸化物半導体層に接する領域を有し、
   前記酸化物半導体層は、結晶部を有し、
   前記駆動回路は、前記画素部に信号を書き込む機能を有し、
   前記画素部に静止画を表示させる際に前記駆動回路から前記トランジスタを介して前記表示素子に前記信号を書き込む頻度は、前記画素部に動画を表示させる際に前記駆動回路から前記トランジスタを介して前記表示素子に前記信号を書き込む頻度よりも低いことを特徴とする表示装置。
4. 画素部と、駆動回路と、を有し、
   前記画素部は、トランジスタと、表示素子と、を有し、
   前記トランジスタは、ゲート電極層と、前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、を有し、
   前記酸化物半導体層上には、第１の酸化珪素膜が位置し、
   前記第１の酸化珪素膜上には、第１の窒化珪素膜が位置し、
   前記ゲート絶縁層は、第２の窒化珪素膜と、前記第２の窒化珪素膜上の第２の酸化珪素膜と、を有し、
   前記第１の酸化珪素膜は、前記酸化物半導体層に接する領域を有し、
   前記第２の酸化珪素膜は、前記酸化物半導体層に接する領域を有し、
   前記トランジスタのオフ電流は、１×１０ ^−１３ Ａ以下であり、
   前記駆動回路は、前記画素部に信号を書き込む機能を有し、
   前記画素部に静止画を表示させる際に前記駆動回路から前記トランジスタを介して前記表示素子に前記信号を書き込む頻度は、前記画素部に動画を表示させる際に前記駆動回路から前記トランジスタを介して前記表示素子に前記信号を書き込む頻度よりも低いことを特徴とする表示装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第１の酸化珪素膜は、前記酸化物半導体層に酸素を供給する機能を有することを特徴とする表示装置。