JP2003208111A - 有機ｅｌ表示装置と液晶表示装置及び表示装置用半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マトリクス型表示装置の消費電力を削減す
る。 【解決手段】 走査線や信号線等の電極線と電源線他の
配線との交差部において何れかの配線を分断して形成す
ると共に、ゲート絶縁層または層間絶縁層と他の種類の
絶縁層とを介して分断された配線を接続する接続線を形
成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は画像表示機能を有す
る表示装置、とりわけアクティブ型の液晶表示装置ある
いは有機ＥＬ表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の微細加工技術、液晶材料技術およ
び高密度実装技術等の進歩により、5〜50ｃｍ対角の液
晶パネルでテレビジョン画像や各種の画像表示機器が商
用ベースで大量に提供されている。また、液晶パネルを
構成する２枚のガラス基板の一方にＲＧＢの着色層を形
成しておくことによりカラー表示も容易に実現してい
る。特にスイッチング素子を絵素毎に内蔵させた、いわ
ゆるアクティブ型の液晶パネルではクロストークも少な
くかつ高速応答で高いコントラスト比を有する画像が保
証されている。

【０００３】これらの液晶画像表示装置（液晶パネル）
は走査線としては200〜1200本、信号線としては200〜16
00本程度のマトリクス編成が一般的であるが、最近は表
示容量の増大に対応すべく大画面化と高精細化とが同時
に進行している。

【０００４】図１０は液晶パネルへの実装状態を示し、
液晶パネル１を構成する一方の透明性絶縁基板、例えば
ガラス基板２上に形成された走査線の端子電極６群に駆
動信号を供給する半導体集積回路チップ３を導電性の接
着剤を用いて接続するＣＯＧ（Chip−On−Glass）方式
や、例えばポリイミド系樹脂薄膜をベースとし、金また
は半田メッキされた銅箔の端子（図示せず）を有するＴ
ＣＰフィルム４を信号線の端子電極５群に導電性媒体を
含む適当な接着剤で圧接して固定するＴＣＰ（Tape−Ca
rrier−Package）方式などの実装手段によって電気信号
が画像表示部に供給される。ここでは便宜上二つの実装
方式を同時に図示しているが実際には何れかの方式が適
宜選択される。

【０００５】７、８は液晶パネル１のほぼ中央部に位置
する画像表示部と信号線および走査線の端子電極５，６
との間を接続する配線路で、必ずしも端子電極群５，６
と同一の導電材で構成される必要はない。９は全ての液
晶セルに共通する透明導電性の対向電極を対向面上に有
するもう１枚の透明性絶縁基板である対向ガラス基板ま
たはカラーフィルタである。

【０００６】図１１はスイッチング素子として絶縁ゲー
ト型トランジスタ１０を絵素毎に配置したアクティブ型
液晶パネルの等価回路図を示し、１１（図１０では８）
は走査線、１２（図１０では７）は信号線、１３は液晶
セルであって、液晶セル１３は電気的には容量素子とし
て扱われる。実線で描かれた素子類は液晶パネルを構成
する一方のガラス基板２上に形成され、点線で描かれた
全ての液晶セル１３に共通な対向電極１４はもう一方の
ガラス基板９上に形成されている。絶縁ゲート型トラン
ジスタ１０のOFF抵抗あるいは液晶セル１３の抵抗が低
い場合や表示画像の階調性を重視する場合には、負荷と
しての液晶セル１３の時定数を大きくするための補助の
蓄積容量１５を液晶セル１３に並列に加える等の回路的
工夫が加味される。なお１６は蓄積容量１５の共通母線
（蓄積容量線）である。

【０００７】図１２は液晶パネルの画像表示部の要部断
面図を示し、液晶パネル１を構成する２枚のガラス基板
２，９は樹脂性のファイバやビーズ等のスペーサ材（図
示せず）によって数μｍ程度の所定の距離を隔てて形成
され、その間隙（ギャップ）はガラス基板９の周縁部に
おいて有機性樹脂よりなるシール材と封口材（何れも図
示せず）とで封止された閉空間になっており、この閉空
間に液晶１７が充填されている。

【０００８】カラー表示を実現する場合には、ガラス基
板９の閉空間側に着色層１８と称する染料または顔料の
いずれか一方もしくは両方を含む厚さ１〜２μｍ程度の
有機薄膜が被着されて色表示機能が与えられるので、そ
の場合にはガラス基板９は別名カラーフィルタ（Color
Filter 略語はＣＦ）と呼称される。そして液晶材料
１７の性質によってはガラス基板９の上面またはガラス
基板２の下面の何れかもしくは両面上に偏光板１９が貼
付され、液晶パネル１は電気光学素子として機能する。
現在、市販されている大部分の液晶パネルでは液晶材料
にＴＮ（ツイスト・ネマチック）系の物を用いており、
偏光板１９は通常２枚必要である。図示はしないが透過
型液晶パネルでは光源として裏面光源が配置され、下方
より白色光が照射される。

【０００９】液晶１７に接して２枚のガラス基板２，９
上に形成された例えば厚さ0.1μm程度のポリイミド系樹
脂薄膜２０は液晶分子を決められた方向に配向させるた
めの配向膜である。２１は絶縁ゲート型トランジスタ１
０のドレインと透明導電性の絵素電極２２とを接続する
ドレイン電極（配線）であり、信号線（ソース線）１２
と同時に形成されることが多い。信号線１２とドレイン
電極２１との間に位置するのは半導体層２３であり詳細
は後述する。カラーフィルタ９上で隣り合った着色層１
８の境界に形成された厚さ0.1μm程度のＣｒ薄膜層２４
は半導体層２３と走査線１１及び信号線１２に外部光が
入射するのを防止するための光遮蔽で、いわゆるブラッ
クマトリクス（Ｂlack Ｍatrix 略語はＢＭ）として
定着化した技術である。

【００１０】ここでスイッチング素子として絶縁ゲート
型トランジスタの構造と製造方法に関して説明する。絶
縁ゲート型トランジスタには２種類のものが現在多用さ
れており、そのうちの一つを従来例（エッチ・ストップ
型と呼称される）として紹介する。図１３は従来の液晶
パネルを構成するアクティブ基板（画像表示装置用半導
体装置）の単位絵素の平面図であり、同図のＡ−Ａ’線
上の断面図を図１４に示し、その製造工程を以下に簡単
に説明する。なお、走査線１１に形成された突起部５０
と絵素電極２２とがゲート絶縁層を介して重なっている
領域５１（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を形成して
いるが、ここではその詳細な説明は省略する。

【００１１】先ず、図１４（ａ）に示したように耐熱性
と耐薬品性と透明性が高い絶縁性基板として厚さ0.5〜
1.1mm程度のガラス基板２、例えばコーニング社製の商
品名１７３７の一主面上にＳＰＴ（スパッタ）等の真空
製膜装置を用いて膜厚0.1〜0.3μm程度の第１の金属層
として例えばＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等あるいはそれらの合金
やシリサイドを被着して微細加工技術により走査線も兼
ねるゲート電極１１を選択的に形成する。走査線の材質
は耐熱性と耐薬品性と耐弗酸性と導電性とを総合的に勘
案して選択すると良い。

【００１２】液晶パネルの大画面化に対応して走査線の
抵抗値を下げるためには走査線の材料としてＡＬ（アル
ミニウム）を用いるのが合理的であるが、ＡＬは単体で
は耐熱性が低いので上記した耐熱金属であるＣｒ，Ｔ
ａ，Ｍｏまたはそれらのシリサイドと積層化したり、あ
るいはＡＬの表面に陽極酸化で酸化層（ＡＬ2Ｏ3）を付
加することも現在では一般的な技術である。すなわち、
走査線１１は１層以上の金属層で構成される。

【００１３】次に、図１４（ｂ）に示したようにガラス
基板２の全面にＰＣＶＤ（プラズマ・シーブイディ）装
置を用いてゲート絶縁層となる第１のSiNx（シリコン窒
化）層、絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第
１の半導体層として不純物をほとんど含まない非晶質シ
リコン（a−Si）層、及びチャネルを保護する絶縁層と
なる第２のSiNx層と３種類の薄膜層を、例えば0.3−0.0
5−0.1μm程度の膜厚で順次被着して３０，３１，３２
とする。

【００１４】続いて微細加工技術によりゲート１１上の
第２のSiNx層をゲート１１よりも幅細く選択的に残して
３２’として第１の非晶質シリコン層３１を露出し、同
じくＰＣＶＤ装置を用いて絶縁ゲート型トランジスタの
ソース・ドレインとなる第２の半導体層として不純物に
例えば燐を含む非晶質シリコン層３３を例えば0.05μm
程度の膜厚で被着した後、図１４（ｃ）に示したように
ゲート１１の近傍上にのみ第１の非晶質シリコン層３１
と第２の非晶質シリコン層３３とを島状３１’，３３’
に残してゲート絶縁層３０を露出する。

【００１５】引き続き、図１４（ｄ）に示したようにＳ
ＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚0.1〜0.2μm程度の
透明導電層として例えばＩＴＯ（Indium−Tin−Oxide）
を被着し、微細加工技術により絵素電極２２をゲート絶
縁層３０上に選択的に形成する。

【００１６】さらに図１４（ｅ）に示したように走査線
１１への電気的接続に必要な画像表示部の周辺部での走
査線１１上のゲート絶縁層３０への選択的開口部６３形
成を行った後、図１４（ｆ）に示したようにＳＰＴ等の
真空製膜装置を用いて膜厚0.1μm程度の耐熱金属層とし
て例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の耐熱金属薄膜層３４を、
低抵抗配線層として膜厚0.3μm程度のＡＬ薄膜層３５を
順次被着し、微細加工技術により耐熱金属層３４’と低
抵抗配線層３５’との積層よりなり絵素電極２２を含ん
で絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１と信号
線も兼ねるソース電極１２とを選択的に形成する。この
選択的パターン形成に用いられる感光性樹脂パターンを
マスクとしてソース・ドレイン電極間の第２の非晶質シ
リコン層３３’を除去して第２のSiNx層３２’を露出す
るとともに、その他の領域では第1の非晶質シリコン層
３1’をも除去してゲート絶縁層３０を露出する。この
工程はチャネルの保護層である第２のSiNx層３２’が存
在して第２の非晶質シリコン層３３’の食刻が自動的に
終了することからエッチ・ストップと呼称される所以で
ある。

【００１７】絶縁ゲート型トランジスタがオフセット構
造とならぬようソース・ドレイン電極１２，２１はゲー
ト１１と一部平面的に重なって（数μｍ）形成される。
この重なりは寄生容量として電気的に作用するので小さ
いほど良いが、露光機の合わせ精度とフォトマスクの精
度とガラス基板の膨張係数及び露光時のガラス基板温度
で決定され、実用的な数値は精々２μｍ程度である。な
お、画像表示部の周辺部で走査線１１上の開口部６３を
含んで信号線１２と同時に走査線側の端子電極６、また
は走査線１１と走査線側の端子電極６とを接続する配線
路８を形成することも一般的なパターン設計である。

【００１８】最後に、ガラス基板２の全面に透明性の絶
縁層として、ゲート絶縁層３０と同様にＰＣＶＤ装置を
用いて0.3〜0.7μm程度の膜厚のSiNx層を被着してパシ
ベーション絶縁層３７とし、図１４（ｇ）に示したよう
に絵素電極２２上に開口部３８を形成して絵素電極２２
の大部分を露出してアクティブ基板の製造工程が終了す
る。この時、走査線の端子電極６上と信号線の端子電極
５上にも開口部を形成して大部分の端子電極も露出す
る。

【００１９】信号線１２の配線抵抗が問題とならない場
合にはＡＬよりなる低抵抗配線層３５は必ずしも必要で
はなく、その場合にはＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等の耐熱金属材
料を選択すればソース・ドレイン配線１２，２１を単層
化することが可能である。なお、絶縁ゲート型トランジ
スタの耐熱性については先行例である特開平7−74368号
公報に詳細が記載されている。

【００２０】絵素電極２２上のパシベーション絶縁層３
７を除去する理由は、一つには液晶セルに印可される実
効電圧の低下を防止するためと、もう一つはパシベーシ
ョン絶縁層３７の膜質が一般的に劣悪で、パシベーショ
ン絶縁層３７内に電荷が蓄積されて表示画像の焼き付け
を生じることを回避するためである。これは絶縁ゲート
型トランジスタの耐熱性が余り高くないため、パシベー
ション絶縁層３７の製膜温度がゲート絶縁層３０と比較
して数１０℃以上低く２５０℃以下の低温製膜にならざ
るを得ないからである。

【００２１】以上述べたアクティブ基板の製造工程は写
真食刻工程が７回必要で、７枚マスク工程と称されるほ
ぼ標準的な製造方法である。液晶パネルの低価格化を実
現し、さらなる需要の増大に対応していくためにも製造
工程数の削減は液晶パネルメーカにとっては重要な命題
で、合理化された通称５枚マスク工程が最近は定着して
きた。

【００２２】図１５は５枚マスクに対応したアクティブ
基板の単位絵素の平面図で、同図のＡ−Ａ’線上の断面
図を図１６に示し、その製造工程を、絶縁ゲート型トラ
ンジスタに従来のうちのもう一つ（チャネル・エッチ型
と呼称される）を採用した場合について以下に簡単に説
明する。なお、蓄積容量線１６とドレイン電極２１とが
ゲート絶縁層３０を介して重なっている領域５２（右下
がり斜線部）が蓄積容量１５を形成しているが、ここで
はその詳細な説明は省略する。

【００２３】先ず、従来例と同様に図１６（ａ）に示し
たようにガラス基板２の一主面上に、ＳＰＴ等の真空製
膜装置を用いて膜厚0.1〜0.3μm程度の第１の金属層を
被着し、微細加工技術により走査線も兼ねるゲート電極
１１と蓄積容量線１６とを選択的に形成する。

【００２４】次に、図１６（ｂ）に示したようにガラス
基板２の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層とな
るSiNx層、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トラン
ジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン層、及び
不純物を含み絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレ
インとなる第２の非晶質シリコン層と３種類の薄膜層
を、例えば0.3−0.2−0.05μm程度の膜厚で順次被着し
て３０，３１，３３とする。

【００２５】そして、図１６（ｃ）に示したようにゲー
ト１１上に第１と第２の非晶質シリコン層よりなる半導
体層を島状３１’，３３’に残してゲート絶縁層３０を
露出する。

【００２６】引き続き、図１６（ｄ）に示したようにＳ
ＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚0.1μm程度の耐熱金
属層として例えばＴｉ薄膜層３４を、低抵抗配線層とし
て膜厚0.3μm程度のＡＬ薄膜層３５を、膜厚0.1μm程度
の中間導電層として例えばＴｉ薄膜層３６を順次被着
し、微細加工技術により絶縁ゲート型トランジスタのド
レイン電極２１と信号線も兼ねるソース電極１２とを選
択的に形成する。この選択的パターン形成は、ソース・
ドレイン配線の形成に用いられる感光性樹脂パターンを
マスクとしてＴｉ薄膜層３６、ＡＬ薄膜層３５、Ｔｉ薄
膜層３４、第２の非晶質シリコン層３３’及び第１の非
晶質シリコン層３１’を順次食刻し、第１の非晶質シリ
コン層３１’は0.05〜0.1μm程度残して食刻することに
よりなされるので、チャネル・エッチと呼称される。

【００２７】さらに上記感光性樹脂パターンを除去した
後、図１６（ｅ）に示したようにガラス基板２の全面に
透明性の絶縁層として、ゲート絶縁層と同様にＰＣＶＤ
装置を用いて0.3μm程度の膜厚のＳｉＮx層を被着して
パシベーション絶縁層３７とし、ドレイン電極２１上に
開口部６２と走査線１１の端子電極６が形成される位置
上に開口部６３を形成してドレイン電極２１と走査線１
１の一部分を露出する。図示はしないが信号線の端子電
極５が形成される位置上にも開口部６４を形成して信号
線１２の一部分を露出する。

【００２８】最後に図１６（ｆ）に示したようにＳＰＴ
等の真空製膜装置を用いて膜厚0.1〜0.2μm程度の透明
導電層として例えばＩＴＯ（Indium−Tin−Oxide）を被
着し、微細加工技術により開口部６２を含んでパシベー
ション絶縁層３７上に絵素電極２２を選択的に形成して
アクティブ基板２として完成する。開口部６３内の露出
している走査線１１の一部を端子電極６としても良く、
図示したように開口部６３を含んでパシベーション絶縁
層３７上にＩＴＯよりなる端子電極６’を選択的に形成
しても良い。

【００２９】このように５枚マスク工程は７枚マスク工
程と比較すると、半導体層の島化工程の合理化で１回、
また走査線への開口部（コンタクト）形成工程と絵素電
極への開口部形成工程と２回必要であったコンタクト形
成工程が１回合理化されることで合計２回の写真食刻工
程を削減することができている。また、絵素電極２２が
アクティブ基板２の最上層に位置するため、パシベーシ
ョン絶縁層３７を透明性の樹脂薄膜を用いて例えば1.5
μm以上に厚く形成しておけば、絵素電極２２が走査線
１１や信号線１２と重なり合っても静電容量による干渉
が小さく、画質の劣化が避けられるので絵素電極２２を
大きく形成できて開口率が向上する等の利点も多い。

【００３０】

【発明が解決しようとする課題】上記した透過型の液晶
パネルの消費電力は、走査線側と信号線側の駆動用半導
体集積回路の消費電力と、裏面光源の消費電力と、走査
線側と信号線側の駆動用半導体集積回路に制御信号を送
る制御用半導体集積回路（一般的にはコントローラと呼
称される）の消費電力との総和である。

【００３１】走査線側と信号線側の駆動用半導体集積回
路の消費電力は夫々負荷である走査線と信号線の容量と
駆動電圧、すなわち容量の充放電に伴う電力で決まり、
それは液晶パネルの画面サイズと精細度によって大きく
左右されるが、一般的に言って走査線と信号線の容量成
分が小さいほど少なくなる。

【００３２】既に述べたように絶縁ゲート型トランジス
タがオフセット構造とならぬようソース・ドレイン電極
１２，２１はゲート１１と一部平面的に重なって形成さ
れる。この重なりは寄生容量として電気的に作用するの
で小さいほど良いが、露光機の合わせ精度とフォトマス
クの精度とガラス基板の膨張係数及び露光時のガラス基
板温度で決定され、実用的な数値は精々２μｍ程度であ
る。むしろ量産時の製造裕度という観点からは３μｍ程
度の方が好ましいが、単結晶シリコンデバイスのように
自己整合型の絶縁ゲート型トランジスタは様々な理由に
よって実現あるいは定着していないのが現状である。ま
た、走査線と信号線とが平面的に交差することによって
生ずる寄生容量を減少させるための取組も特に注目され
てはいない。

【００３３】本発明はかかる現状に鑑みなされたもの
で、走査線や信号線と交差する電源線他の配線との間で
形成される寄生容量、さらには走査線と信号線とが交差
することによって生じる寄生容量を低減することで表示
装置の消費電力を低減することを目的とする。

【００３４】

【課題を解決するための手段】本発明においては、走査
線や信号線と交差する電源線他の配線、あるいは走査線
と信号線のように２種類の配線の交差部において何れか
の配線を分断し、スイッチング素子である絶縁ゲート型
トランジスタを構成するゲート絶縁層あるいは層間絶縁
層に他の絶縁層を付加し、分断された配線を接続する接
続線を前記２種類以上の絶縁層上に形成することで交差
部の絶縁層を厚く形成するものである。

【００３５】請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置は、ス
イッチング用絶縁ゲート型トランジスタと、前記スイッ
チング用絶縁ゲート型トランジスタのゲートを兼ねる走
査線と、前記スイッチング用絶縁ゲート型トランジスタ
のソースを兼ねる信号線と、前記スイッチング用絶縁ゲ
ート型トランジスタのドレインに接続された蓄積容量及
び駆動用絶縁ゲート型トランジスタと、前記駆動用絶縁
ゲート型トランジスタのドレインに接続された表示電極
と、を少なくとも有する単位絵素が二次元のマトリクス
に配列され、かつ、前記駆動用絶縁ゲート型トランジス
タのソースに電源線が接続された絶縁基板と、有機ＥＬ
発光素子と、からなる有機ＥＬ表示素子であって、前記
走査線と信号線との交点で、前記走査線及び信号線のう
ちのいずれか、または、前記電源線と信号線との交点で
前記電源線及び信号線のうちのいずれか、または、前記
電源線と走査線との交点で前記電源線及び走査線のうち
のいずれか、が分断され、かつ、前記スイッチング用絶
縁ゲート型トランジスタの層間絶縁層と前記層間絶縁層
以外の絶縁層とを介して、前記分断された走査線または
信号線または電源線を接続する接続線が形成されている
ことを特徴とする。

【００３６】この構成により、走査線と信号線との交差
部または電源線と信号線もしくは走査線との交差部にお
いて、これらの電極線を絶縁分離している絶縁層の厚み
を増すことができて、走査線と信号線との間で、また
は、電源線と信号線もしくは走査線との間で形成される
寄生容量が減少する。この結果、走査線及び信号線を駆
動する駆動回路のうちの少なくとも何れかの駆動回路の
消費電力が削減される。

【００３７】請求項２に記載の液晶表示装置は、絶縁ゲ
ート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタ
のゲートを兼ねる走査線と、前記絶縁ゲート型トランジ
スタのソースを兼ねる信号線と、前記絶縁ゲート型トラ
ンジスタのドレインに接続された絵素電極と、を少なく
とも有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された
絶縁基板と前記絶縁基板と対向する透明性絶縁基板また
はカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示
装置であって、前記走査線と信号線との交点で前記走査
線及び信号線のうちのいずれかが分断され、かつ、前記
絶縁ゲート型トランジスタのゲート絶縁層と前記ゲート
絶縁層以外の絶縁層とを介して、または、前記絶縁ゲー
ト型トランジスタの層間絶縁層と前記層間絶縁層以外の
絶縁層とを介して、前記分断された走査線及び信号線の
うちのいずれかを接続する接続線が形成されていること
を特徴とする。

【００３８】この構成により、走査線と信号線との交差
部において、これらの電極線を絶縁分離している絶縁層
の厚みを増すことができて走査線と信号線との間で形成
される寄生容量が減少する。この結果、走査線と信号線
を駆動するいずれの駆動回路の消費電力も削減される。

【００３９】請求項３に記載の表示装置は、絶縁ゲート
型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲ
ートを兼ねる走査線と、前記絶縁ゲート型トランジスタ
のソースを兼ねる信号線と、前記絶縁ゲート型トランジ
スタのドレインに接続された絵素電極及び蓄積容量と、
を少なくとも有する単位絵素が二次元のマトリクスに配
列され、かつ、前記蓄積容量に共通容量線が接続された
絶縁基板と前記絶縁基板と対向する透明性絶縁基板また
はカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示
装置であって、前記共通容量線と前記信号線との交点で
前記共通容量線及び信号線のうちのいずれか、または、
前記共通容量線と前記走査線との交点で前記共通容量線
及び走査線のうちのいずれか、が分断され、かつ、前記
絶縁ゲート型トランジスタのゲート絶縁層と前記ゲート
絶縁層以外の絶縁層とを介して、または、前記絶縁ゲー
ト型トランジスタの層間絶縁層と前記層間絶縁層以外の
絶縁層とを介して、前記分断された共通容量線または信
号線または走査線を接続する接続線が形成されているこ
とを特徴とする。

【００４０】この構成により、共通容量線と走査線また
は信号線との交差部において、これらの電極線を絶縁分
離している絶縁層の厚みを増すことができて走査線また
は信号線の有する寄生容量が減少する。この結果、走査
線または信号線を駆動する駆動回路の消費電力が削減さ
れる。

【００４１】請求項４に記載の表示装置用半導体装置
は、絶縁基板の一主面上に１層以上の金属層よりなり絶
縁ゲート型トランジスタのゲートを兼ねるよう形成され
た走査線と、前記ゲート上に１層以上のゲート絶縁層を
介して島状に形成された不純物を含まない第１の半導体
層と、前記第１の半導体層上で前記ゲートと重なり合う
よう形成され、ソース・ドレインとなる不純物を含む第
２の半導体層と、前記第２の半導体層上に、１層以上の
金属層で形成されたドレイン電極と、前記走査線上を除
いて分断されるよう、１層以上の金属層で形成されたソ
ース信号線と、前記分断されたソース信号線の両端部に
形成された一対の第１の開口部、及び、前記ドレイン電
極上に形成された第２の開口部を有するパシベーション
絶縁層と、前記パシベーション絶縁層上に形成された第
２の開口部を含むよう形成された絵素電極と、前記一対
の第１の開口部を含み、前記分断されたソース信号線を
接続するよう形成された接続線と、備えることを特徴と
する。

【００４２】この構成により、走査線と信号線の交差部
において分断されたソース信号線はゲート絶縁層とパシ
ベーション絶縁層とからなる積層上に形成された接続層
で接続され、走査線と信号線との間の寄生容量を低減す
ることができる。

【００４３】請求項５に記載の表示装置用半導体装置
は、絶縁基板の一主面上に島状に形成された半導体層
と、前記半導体層上にゲート絶縁層を介して絶縁ゲート
型トランジスタのゲートを兼ねるよう形成された１層以
上の金属層よりなる走査線と、前記ゲート下を除いて前
記半導体層の不純物が注入されることにより形成された
ソース・ドレインと、前記ソース・ドレイン上に開口部
を有するよう形成された層間絶縁層と、前記開口部を含
んで層間絶縁層上に形成されたドレイン電極と、前記走
査線上を除いて分断されるよう形成されたソース信号線
と、前記ソース信号線の両端部に形成された一対の第１
の開口部、及び、前記ドレイン電極上に形成された第２
の開口部を有するパシベーション絶縁層と、前記パシベ
ーション絶縁層上に第２の開口部を含むように形成され
た絵素電極と、前記一対の第１の開口部を含み、前記分
断されたソース信号線を接続するよう形成された接続線
と、を備えることを特徴とする。

【００４４】この構成により、走査線と信号線の交差部
において分断されたソース信号線は層間絶縁層とパシベ
ーション絶縁層とからなる積層上に形成された接続線で
接続され、走査線と信号線との間の寄生容量を低減する
ことができる。

【００４５】請求項６に記載の表示装置用半導体装置
は、絵素電極と接続線が同一部材で同時に形成されるこ
とを特徴とする請求項４または５に記載の表示装置用半
導体装置である。

【００４６】この構成により、何れかの分断された接続
線を形成するにあたり製造工程が増加しないのでコスト
アップすることなく表示装置用半導体装置が得られ、表
示装置の消費電力が低減する。

【００４７】

【発明の実施の形態】図１〜図９を参照しながら本発明
の実施の形態について説明する。図１〜図６に本発明の
第１〜第９の実施形態に係る表示装置の等価回路図を示
し、図７には本発明の第１０の実施形態に係る表示装置
用半導体装置の平面図を示す。同様に第１２の実施形態
は図８と図９とで夫々アクティブ基板（表示装置用半導
体装置）の平面図と同図のＡ−Ａ’線上の製造工程の断
面図を示す。なお、従来例と同一の機能を有する部位に
ついては同じ符号を付与し、詳細な説明は省略すること
にする。

【００４８】本発明の第１の実施形態の表示装置では、
図１の等価回路図に示したように、走査線１１と信号線
１２との交点毎にスイッチング用の絶縁ゲート型トラン
ジスタ１０と、同トランジスタのドレインに蓄積容量１
５と駆動用の絶縁ゲート型トランジスタ４０のゲートが
接続され、駆動用の絶縁ゲート型トランジスタ４０のド
レインには例えば有機ＥＬ発光素子よりなる表示媒体４
１が接続されている。蓄積容量１５は駆動用の絶縁ゲー
ト型トランジスタ４０を保持時間中ＯＮさせるために必
要である（特開平６−３２５８６９号公報参照）。

【００４９】なお、４２、４３は表示媒体を駆動するた
めの電力を供給・回収する電源線であり、全ての駆動用
絶縁ゲート型トランジスタ４０のソースに共通する電源
線（＋電位）が４２で、絶縁基板上に形成された導電路
からなる。一方、有機ＥＬ発光薄膜上に形成された導電
性薄膜層よりなり、全ての発光素子４１に共通する発光
素子４１を流れる電流の帰還線（接地線、アース線）が
４３である（特開平８−２３４６８３号公報参照）。

【００５０】走査線１１と信号線１２とは最低１種類以
上の絶縁層で絶縁分離されていることは公知の技術であ
るが、その絶縁層はスイッチング用あるいは駆動用絶縁
ゲート型トランジスタ１０を構成するゲート絶縁層、層
間絶縁層、パシベーション絶縁層に加えて蓄積容量１５
を構成する絶縁体等の中から適宜選択されて用いられ
る。通常はこれらの絶縁層の中から１種類のものが選ば
れ、一般的には絶縁ゲート型トランジスタ１０のゲート
絶縁層または層間絶縁層が採用されている。

【００５１】そこで、走査線１１と信号線１２との交差
部７１において交差部７１の絶縁層を上記ゲート絶縁ま
たは層間絶縁層に加えて、例えばパシベーション絶縁層
を積層すると共に走査線１１と信号線１２の何れかを分
断し、上記積層した絶縁層に開口部を形成して分断され
た何れかの配線を他の導電性薄膜（第１の接続線）で接
続する。他の導電性薄膜とは例えば蓄積容量を構成する
電極あるいは表示素子を構成する電極等が選択可能であ
る。

【００５２】その結果、走査線１１と信号線１２との交
差部７１においては交差部の絶縁層が厚くなるので、走
査線１１と信号線１２とが交差することによって生じる
寄生容量は低減する。

【００５３】本発明の第２の実施形態の表示装置では図
２の等価回路図に示したように、走査線１１と略平行な
駆動用絶縁ゲート型トランジスタ４０のソースも兼ねる
電源線４２とスイッチング用絶縁ゲート型トランジスタ
１０の信号線１２との交差部７２において交差部７２の
絶縁層を上記ゲート絶縁層または層間絶縁層に加えて、
例えばパシベーション絶縁層を積層すると共に、信号線
１２と電源線４２の何れかを分断し、上記積層した絶縁
層に開口部を形成して分断された何れかの配線を他の導
電性薄膜（第２の接続線）で接続するものである。

【００５４】その結果、信号線１２と電源線４２との交
差部７２においては交差部の絶縁層が厚くなるので、信
号線１２と電源線４２とが交差することによって生じる
寄生容量は低減する。

【００５５】第２の実施形態のように駆動用絶縁ゲート
型トランジスタ４０のソースも兼ねる電源線４２をスイ
ッチング用絶縁ゲート型トランジスタ１０の走査線１１
と平行に配置すると、表示装置の画面サイズが大きい場
合には電源線４２の電位降下が大きくなるので電源線４
２にバイパスを設けないと表示画像が暗くなる。そこで
画面サイズが大きい場合には電源線４２を信号線１２と
平行に配置するのが一般的な設計事項となる。

【００５６】本発明の第３の実施形態の表示装置では図
３の等価回路図に示したように、信号線１２と略平行な
駆動用絶縁ゲート型トランジスタ４０のソースも兼ねる
電源線４２と前記スイッチング用絶縁ゲート型トランジ
スタ１０の走査線１１との交差部７３において交差部７
３の絶縁層を上記ゲート絶縁または層間絶縁層に加え
て、例えばパシベーション絶縁層を積層すると共に、走
査線１１と電源線４２の何れかを分断し、上記積層した
絶縁層に開口部を形成して分断された何れかの配線を他
の導電性薄膜（第３の接続線）で接続するものである。

【００５７】その結果、走査線１１と電源線４２との交
差部７３においては交差部の絶縁層が厚くなるので、走
査線１１と電源線４２とが交差することによって生じる
寄生容量は低減する。

【００５８】本発明の第４の実施形態の表示装置では、
図示はしないが上記した第１の接続線に加えて第２また
は第３の接続線を付加して走査線と信号線の負荷を最大
限低減して消費電力を抑制せんとするものである。

【００５９】本発明の第５の実施形態の表示装置はスイ
ッチング用の絶縁ゲート型トランジスタが駆動用の絶縁
ゲート型トランジスタを兼ねることが可能な程表示媒体
を駆動する電力が小さい表示装置に適用され、具体的に
は液晶を表示媒体とする液晶表示装置等が該当する。

【００６０】本発明の第６の実施形態の液晶表示装置で
は図４の等価回路図に示したように、前段の走査線１１
と当該画素電極との間で蓄積容量１５を構成したアクテ
ィブ型の液晶表示装置において、スイッチング用絶縁ゲ
ート型トランジスタ１０の走査線１１と信号線１２との
交差部７１において交差部７１の絶縁層を上記ゲート絶
縁層または層間絶縁層に加えて、例えばパシベーション
絶縁層を積層すると共に、走査線１１と信号線１２の何
れかを分断し、上記積層した絶縁層に開口部を形成して
分断された何れかの配線を他の導電性薄膜（第１の接続
線）で接続するものであり、他の導電性薄膜とは例えば
蓄積容量を構成する電極あるいは表示素子を構成する電
極として透明導電層等が選択可能である。

【００６１】この結果、走査線１１と信号線１２との交
差部７１においては交差部の絶縁層が厚くなるので、走
査線１１と信号線１２とが交差することによって生じる
寄生容量は低減する。

【００６２】本発明の第７の実施形態の表示装置では図
５の等価回路図に示したように、蓄積容量線１６と当該
画素電極との間で蓄積容量１５を構成したアクティブ型
の液晶表示装置において、スイッチング用絶縁ゲート型
トランジスタ１０の走査線１１と略平行な蓄積容量線１
６と信号線１２との交差部７２において交差部７２の絶
縁層を上記ゲート絶縁層４または層間絶縁層に加えて、
例えばパシベーション絶縁層を積層すると共に、信号線
１２と蓄積容量線１６の何れかを分断し、上記積層した
絶縁層に開口部を形成して分断された何れかの配線を他
の導電性薄膜（第２の接続線）で接続するものである。

【００６３】この結果、信号線１２と蓄積容量線１６と
の交差部７２においては交差部の絶縁層が厚くなるの
で、信号線１２と蓄積容量線１６とが交差することによ
って生じる寄生容量は低減する。

【００６４】本発明の第８の実施形態の表示装置では図
６の等価回路図に示したように、蓄積容量線１６と当該
画素電極との間で蓄積容量１５を構成したアクティブ型
の液晶表示装置において、スイッチング用絶縁ゲート型
トランジスタ１０の信号線１２と略平行な蓄積容量線１
６と走査線１１との交差部７３において交差部７３の絶
縁層を上記ゲート絶縁層または層間絶縁層に加えて、例
えばパシベーション絶縁層を積層すると共に、走査線１
１と蓄積容量線１６の何れかを分断し、上記積層した絶
縁層に開口部を形成して分断された何れかの配線を他の
導電性薄膜（第３の接続線）で接続するものである。

【００６５】この結果、走査線１１と蓄積容量線１６と
の交差部７３においては交差部の絶縁層が厚くなるの
で、走査線１１と蓄積容量線１６とが交差することによ
って生じる寄生容量は低減する。

【００６６】本発明の第９の実施形態の液晶表示装置で
は、図示はしないが上記した第１の接続層に加えて第２
または第３の接続層を付加して走査線と信号線の負荷を
最大限低減して消費電力を抑制せんとするものである。

【００６７】本発明の第１０の実施形態の表示装置用半
導体装置の単位画素の平面図を図７に示す。図１５に示
した合理化された５枚マスク工程で透過型液晶表示装置
を作製するにあたり、信号線１２を走査線１１との交差
部で分断して形成して１２’とし、ドレイン電極２１上
と分断された信号線１２’の両端部に夫々開口部６２と
６１を有するパシベーション絶縁層３７を形成し、開口
部６２を含んで絵素電極２２と一対の開口部６１を含ん
で第１の接続線７０とを透明導電層を用いて形成したも
のである。

【００６８】この構成によれば、走査線１１と信号線の
一部である接続線７０とはゲート絶縁層３０とパシベー
ション絶縁層３７との積層よりなる絶縁層を介して交差
することになり、絶縁層の厚みが増した分寄生容量が小
さくなることは明白である。絶縁ゲート型トランジスタ
１０にエッチ・ストップ型を採用してパシベーション絶
縁層３７に透明性の高いアクリル樹脂よりなる平坦化樹
脂層を採用するか、あるいはパシベーション絶縁層３７
に加えて透明性の高いアクリル系樹脂よりなる平坦化樹
脂層をさらに積層化すると、平坦化樹脂は通常１．５μ
ｍ以上の膜厚で構成されるので寄生容量値はさらに低減
して他の寄生容量、例えば信号線１２と対向するカラー
フィルタ９上の透明導電層１４とが配向膜２０と液晶１
７とを介して構成するような寄生容量値と変わらない位
小さくすることができる。

【００６９】本実施の形態では、製造工程の増加も無
く、アクティブ基板２作製のためのマスク変更だけで走
査線１１と信号線１２とが構成する寄生容量の大幅な削
減が可能となり、消費電力への規制が厳しい携帯電話用
の液晶パネル等にとっては一石二鳥の効果が得られる。

【００７０】接続線７０は信号線１２の全体の長さから
見ると高々１０％程度の長さしかないが、導電性の異物
が液晶セル内に混入した場合、いわゆる対向ショートと
称される重大な画像欠陥が発生するので、好ましくはそ
の表面に適当な絶縁層を形成すべきであるが、それ以外
の理由では通常の動作条件では表示画像を特に低下させ
ることはないので、製造コストの上昇が許されない場合
には、例示したように透明導電層（金属層）で透明絵素
電極２２（反射電極）と接続線７０とを同時に形成する
のが合理的である。

【００７１】本発明の第１２の実施形態の表示装置用半
導体装置の単位画素の平面図を図８に示す。第１０の実
施形態とは異なって半導体層にいわゆる低温ポリシリコ
ンを採用した絶縁ゲート型トランジスタ１０をスイッチ
ング素子に用いており、図９を参照しながら図８のＡ−
Ａ’線上の製造工程断面図を説明する。

【００７２】先ず、図示はしないが透明性と耐熱性と耐
薬品性の優れた絶縁性透明基板２として先述したように
コーニング社製の商品名１７３７の一主面上にアルカリ
阻止層として膜厚0.3μｍ程度のSiO₂あるいはSiNxを被
着する。その後ＰＣＶＤ装置を用いて膜厚0.05μｍ程度
の非晶質シリコン層を被着し、加熱して含有水素を低減
させた後、エキシマ・レーザを照射して前記非晶質シリ
コン層を結晶化させる。そして、図９（ａ）に示したよ
うに結晶化された、通称低温ポリシリコンを選択的に除
去してガラス基板２上に島状に残して８０とする。

【００７３】次に、ゲート絶縁層３０としてＣＶＤまた
はＴＥＯＳ−ＰＣＶＤにより基板加熱温度５００℃程度
で膜厚0.1μｍ程度のSiO₂とゲート金属層となる例えば
膜厚0.3μｍ程度のＭｏＷ合金を全面に被着した後、図
９（ｂ）に示したようにゲート１１（と共通容量線１
６）パターンに対応して微細加工技術によりＭｏＷとSi
O₂とを食刻して低温ポリシリコン８０を露出する。そし
て、図示はしないがゲート１１をマスクとしてイオン注
入またはイオン照射により不純物として燐を低温ポリシ
リコン８０に注入して絶縁ゲート型トランジスタのソー
ス・ドレイン８１，８２を形成する。

【００７４】続いて、図９（ｃ）に示したように層間絶
縁層８３として例えば膜厚0.2μｍ程度のSiO₂を上記し
た製法で被着し、微細加工技術によりソース・ドレイン
８１，８２上に一対の開口部８４，８５を形成する。

【００７５】引き続き、図９（ｄ）に示したようにソー
ス・ドレイン電極材として例えば膜厚0.1／0.3／0.1μ
ｍ程度のＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ等の積層をスパッタ等の製膜
装置を用いて被着した後、微細加工技術により一対の開
口部８４，８５を含んでソース（信号線）・ドレイン配
線１２”，２１を形成する。この時、図８に示したよう
に信号線１２”は走査線１１との交点で分断して形成さ
れる。

【００７６】さらに、図９（ｅ）に示したようにパシベ
ーション絶縁層３７として例えば膜厚0.3μｍ程度のSiO
₂を上記した製法で被着し、微細加工技術によりドレイ
ン電極２１上に開口部６２と前記分断された信号線１
２”の両端部に上に一対の開口部６１とを形成する。

【００７７】最後に、膜厚0.1〜0.2μｍ程度の透明導電
層であるＩＴＯをスパッタ等の製膜装置を用いて被着し
た後、パシベーション絶縁層３７上に微細加工技術によ
り開口部６２を含んで絵素電極２２と一対の開口部６１
を含んで接続線７０とを選択的に形成し、図９（ｆ）に
示したように表示装置用半導体装置が完成する。この表
示装置用半導体装置とカラーフィルタとを貼り合わせて
液晶パネル化して液晶表示装置を得る。

【００７８】上記の構成によれば、走査線１１と信号線
の一部である第１の接続線７０とは層間絶縁層８３とパ
シベーション絶縁層３７との積層よりなる絶縁層で交差
することになり絶縁層の厚みが増した分、寄生容量が小
さくなることは明白であろう。

【００７９】

【発明の効果】以上述べたように本発明に記載の表示装
置によれば、走査線や信号線の電極線と他の電源線との
交差部、あるいは走査線と信号線との交差部において、
交差する何れかの配線が分断され、ゲート絶縁層または
層間絶縁層とパシベーション絶縁層を始めとする他の種
類の絶縁層とを介して分断された配線を接続する接続線
が形成されるので交差部における寄生容量が低減され
る。この結果、走査線と信号線を駆動する回路の消費電
力を削減することができて、省エネルギの観点からも価
値が高い。

【００８０】駆動時の消費電力が削減されることは同時
に待機時の消費電力も削減されるので、携帯電話やＰＤ
Ａのような電池駆動の携帯型情報端末機器にとっても本
発明による低消費電力化は極めて有用な技術である。

【００８１】また、上記交差部においては２種類の絶縁
層が積層されているので、何らかの原因で何れかの絶縁
層にピンホールや欠損部が生じても、もう一方の絶縁層
がそれを埋めてくれるので、交差部における層間短絡が
減少して歩留が向上する副次的な効果も生産上の観点か
らは特筆すべき特徴となり得る。

【００８２】本発明の適用によるアクティブマトリクス
表示装置において、スイッチング素子である絶縁ゲート
型トランジスタを構成する半導体材料は既に述べたよう
に、非晶質シリコン、微結晶シリコン、（低温）多結晶
シリコン等その材質に制約が無いことは明白である。ま
たＦＳ（フィールド・シーケンシャル）方式の液晶表示
装置においても何らその適用に支障は無い。交差する電
極線の何れを分断するかは、分断された電極線が基板上
で上層に位置することになるので、接続線上の絶縁層の
有無、あるいは接続線の導入による抵抗値の増大等の影
響を考慮して最適な方を選択すると良いことは言うまで
も無いだろう。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態にかかる表示装置の等
価回路図

【図２】本発明の第２の実施形態にかかる表示装置の等
価回路図

【図３】本発明の第３の実施形態にかかる表示装置の等
価回路図

【図４】本発明の第６の実施形態にかかる液晶表示装置
の等価回路図

【図５】本発明の第７の実施形態にかかる液晶表示装置
の等価回路図

【図６】本発明の第８の実施形態にかかる液晶表示装置
の等価回路図

【図７】本発明の第１０の実施形態にかかる表示装置用
半導体装置の平面図

【図８】本発明の第１２の実施形態にかかる表示装置用
半導体装置の平面図

【図９】本発明の第１２の実施形態にかかる表示装置用
半導体装置の製造工程断面図

【図１０】液晶パネルの実装状態を示す斜視図

【図１１】液晶パネルの等価回路図

【図１２】液晶パネルの要部断面図

【図１３】従来例のアクティブ基板の平面図

【図１４】従来例のアクティブ基板の製造工程断面図

【図１５】合理化されたアクティブ基板の平面図

【図１６】合理化されたアクティブ基板の製造工程断面
図

【符号の説明】

１ 液晶画像表示装置（液晶パネル） ２ アクティブ基板（絶縁基板、ガラス基板） ３ 半導体集積回路チップ ４ ＴＣＰフィルム ５，６ 端子電極 ９ カラーフィルタ（対向するガラス基板） １０ 絶縁ゲート型トランジスタ １１ 走査線（ゲート） １２（１２’） 信号線（ソース電極） １４ 対向電極 １６ 蓄積容量線 １７ 液晶 ２１ ドレイン電極 ２２ （透明導電性）絵素電極 ３０ ゲート絶縁層（である第１のＳｉＮx層） ３１ 不純物を含まない非晶質シリコン層 ３２ （チャネルを保護する絶縁層である）第２のＳｉ
Ｎx層 ３３ 不純物を含む非晶質シリコン層 ３４ 耐熱金属層 ３５ 低抵抗金属層（ＡＬ） ３６ 中間導電層 ３７ パシベーション絶縁層 ４２，４３ 表示媒体を駆動する電源の供給線と回収
（帰還）線 ６１ （分断された信号線１２’上の）開口部 ６２ （ドレイン電極上の）開口部 ７０ （分断された信号線１２’を接続する）接続線 ７１ 走査線と信号線との交差部 ７２ 信号線と電源線（蓄積容量線）との交差部 ７３ 走査線と電源線（蓄積容量線）との交差部 ８３ 層間絶縁層

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｈ０１Ｌ 21/768 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｃ Ｈ０５Ｂ 33/14 21/90 Ｗ Ｆターム(参考） 2H092 HA04 HA06 JA26 JB57 KA04 KA05 KA18 KB24 KB25 MA07 MA30 NA23 NA26 NA27 NA29 3K007 AB03 BA06 DB03 GA00 5C094 AA22 BA03 BA27 DA15 DB04 FA02 FB12 HA08 5F033 GG04 HH08 HH18 HH22 HH38 JJ38 KK08 KK18 KK22 MM08 NN21 QQ37 RR04 VV15 XX24 5F110 AA02 AA09 AA28 BB01 CC02 CC07 DD02 DD13 DD14 EE06 EE37 EE43 EE45 FF02 FF29 FF30 GG02 GG13 GG14 GG15 GG25 GG45 HJ01 HJ13 HK03 HK04 HK16 HK22 HL03 HL04 HL07 HL12 HL23 HM19 NN03 NN04 NN23 NN24 NN27 NN35 NN71 NN72 NN73 PP03 PP35 QQ11

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】スイッチング用絶縁ゲート型トランジスタ
   と、前記スイッチング用絶縁ゲート型トランジスタのゲ
   ートを兼ねる走査線と、前記スイッチング用絶縁ゲート
   型トランジスタのソースを兼ねる信号線と、前記スイッ
   チング用絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続さ
   れた蓄積容量及び駆動用絶縁ゲート型トランジスタと、
   前記駆動用絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続
   された表示電極と、を少なくとも有する単位絵素が二次
   元のマトリクスに配列され、かつ、前記駆動用絶縁ゲー
   ト型トランジスタのソースに電源線が接続された絶縁基
   板と、 有機ＥＬ発光素子と、からなる有機ＥＬ表示素子であっ
   て、 前記走査線と信号線との交点で、前記走査線及び信号線
   のうちのいずれか、または、 前記電源線と信号線との交点で前記電源線及び信号線の
   うちのいずれか、または、 前記電源線と走査線との交点で前記電源線及び走査線の
   うちのいずれか、が分断され、かつ、 前記スイッチング用絶縁ゲート型トランジスタの層間絶
   縁層と前記層間絶縁層以外の絶縁層とを介して、前記分
   断された走査線または信号線または電源線を接続する接
   続線が形成されている有機ＥＬ表示装置。
2. 【請求項２】絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲ
   ート型トランジスタのゲートを兼ねる走査線と、前記絶
   縁ゲート型トランジスタのソースを兼ねる信号線と、前
   記絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された絵
   素電極と、を少なくとも有する単位絵素が二次元のマト
   リクスに配列された絶縁基板と前記絶縁基板と対向する
   透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充
   填してなる液晶表示装置であって、 前記走査線と信号線との交点で前記走査線及び信号線の
   うちのいずれかが分断され、かつ、 前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート絶縁層と前記ゲ
   ート絶縁層以外の絶縁層とを介して、または、前記絶縁
   ゲート型トランジスタの層間絶縁層と前記層間絶縁層以
   外の絶縁層とを介して、前記分断された走査線及び信号
   線のうちのいずれかを接続する接続線が形成されている
   液晶表示装置。
3. 【請求項３】絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲ
   ート型トランジスタのゲートを兼ねる走査線と、前記絶
   縁ゲート型トランジスタのソースを兼ねる信号線と、前
   記絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された絵
   素電極及び蓄積容量と、を少なくとも有する単位絵素が
   二次元のマトリクスに配列され、かつ、前記蓄積容量に
   共通容量線が接続された絶縁基板と前記絶縁基板と対向
   する透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶
   を充填してなる液晶表示装置であって、 前記共通容量線と前記信号線との交点で前記共通容量線
   及び信号線のうちのいずれか、または、 前記共通容量線と前記走査線との交点で前記共通容量線
   及び走査線のうちのいずれか、が分断され、かつ、 前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート絶縁層と前記ゲ
   ート絶縁層以外の絶縁層とを介して、または、前記絶縁
   ゲート型トランジスタの層間絶縁層と前記層間絶縁層以
   外の絶縁層とを介して、前記分断された共通容量線また
   は信号線または走査線を接続する接続線が形成されてい
   る液晶表示装置。
4. 【請求項４】絶縁基板の一主面上に１層以上の金属層よ
   りなり絶縁ゲート型トランジスタのゲートを兼ねるよう
   形成された走査線と、 前記ゲート上に１層以上のゲート絶縁層を介して島状に
   形成された不純物を含まない第１の半導体層と、 前記第１の半導体層上で前記ゲートと重なり合うよう形
   成され、ソース・ドレインとなる不純物を含む第２の半
   導体層と、 前記第２の半導体層上に、１層以上の金属層で形成され
   たドレイン電極と、 前記走査線上を除いて分断されるよう、１層以上の金属
   層で形成されたソース信号線と、 前記分断されたソース信号線の両端部に形成された一対
   の第１の開口部、及び、前記ドレイン電極上に形成され
   た第２の開口部を有するパシベーション絶縁層と、 前記パシベーション絶縁層上に形成された第２の開口部
   を含むよう形成された絵素電極と、 前記一対の第１の開口部を含み、前記分断されたソース
   信号線を接続するよう形成された接続線と、備える表示
   装置用半導体装置。
5. 【請求項５】絶縁基板の一主面上に島状に形成された半
   導体層と、 前記半導体層上にゲート絶縁層を介して絶縁ゲート型ト
   ランジスタのゲートを兼ねるよう形成された１層以上の
   金属層よりなる走査線と、 前記ゲート下を除いて前記半導体層の不純物が注入され
   ることにより形成されたソース・ドレインと、 前記ソース・ドレイン上に開口部を有するよう形成され
   た層間絶縁層と、 前記開口部を含んで層間絶縁層上に形成されたドレイン
   電極と、 前記走査線上を除いて分断されるよう形成されたソース
   信号線と、 前記ソース信号線の両端部に形成された一対の第１の開
   口部、及び、前記ドレイン電極上に形成された第２の開
   口部を有するパシベーション絶縁層と、 前記パシベーション絶縁層上に第２の開口部を含むよう
   に形成された絵素電極と、 前記一対の第１の開口部を含み、前記分断されたソース
   信号線を接続するよう形成された接続線と、を備える表
   示装置用半導体装置。
6. 【請求項６】絵素電極と接続線が同一部材で同時に形成
   されることを特徴とする請求項４または５に記載の表示
   装置用半導体装置。