JP2016181005A5 - 表示装置及び表示装置の作製方法 - Google Patents

Claims (9)

1. 画素と、ゲート線側駆動回路と、を有し、
   第１のモードで画像を表示する機能と、第２のモードで画像を表示する機能と、第３のモードで画像を表示する機能と、を有し、
   前記第１のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度は、前記第２のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度よりも小さく、
   前記第２のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度は、前記第３のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度よりも小さく、
   前記第１のモードでは、前記ゲート線側駆動回路へのクロック信号の供給が停止する期間が設けられており、
   前記画素は、トランジスタと、液晶素子と、を有し、
   前記トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、酸化物半導体層と、を有し、
   前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方は、信号線と電気的に接続され、
   前記ソース電極又は前記ドレイン電極の他方は、前記液晶素子と電気的に接続され、
   前記ゲート電極は、ゲート線と電気的に接続される表示装置の作製方法であって、
   前記酸化物半導体層上方に絶縁層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層と前記絶縁層とが接した状態で加熱処理を行う工程と、を有し、
   前記絶縁層は、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、又は酸化窒化アルミニウム膜を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
2. 画素と、ゲート線側駆動回路と、を有し、
   第１のモードで画像を表示する機能と、第２のモードで画像を表示する機能と、第３のモードで画像を表示する機能と、を有し、
   前記第１のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度は、前記第２のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度よりも小さく、
   前記第２のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度は、前記第３のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度よりも小さく、
   前記第１のモードでは、前記ゲート線側駆動回路へのクロック信号の供給が停止する期間が設けられており、
   前記画素は、トランジスタと、液晶素子と、を有し、
   前記トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、酸化物半導体層と、を有し、
   前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方は、信号線と電気的に接続され、
   前記ソース電極又は前記ドレイン電極の他方は、前記液晶素子と電気的に接続され、
   前記ゲート電極は、ゲート線と電気的に接続される表示装置の作製方法であって、
   前記酸化物半導体層上方に絶縁層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
   前記酸化物半導体層と前記絶縁層とが接した状態で加熱処理を行う工程と、を有し、
   前記絶縁層は、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、又は酸化窒化アルミニウム膜を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
3. 画素と、ゲート線側駆動回路と、を有し、
   第１のモードで画像を表示する機能と、第２のモードで画像を表示する機能と、第３のモードで画像を表示する機能と、を有し、
   前記第１のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度は、前記第２のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度よりも小さく、
   前記第２のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度は、前記第３のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度よりも小さく、
   前記第１のモードでは、前記ゲート線側駆動回路へのクロック信号の供給が停止する期間が設けられており、
   前記画素は、トランジスタと、液晶素子と、を有し、
   前記トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、酸化物半導体層と、を有し、
   前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方は、信号線と電気的に接続され、
   前記ソース電極又は前記ドレイン電極の他方は、前記液晶素子と電気的に接続され、
   前記ゲート電極は、ゲート線と電気的に接続される表示装置の作製方法であって、
   前記酸化物半導体層上方に絶縁層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
   前記酸化物半導体層は、ｃ軸配向した結晶領域を有し、
   前記酸化物半導体層と前記絶縁層とが接した状態で加熱処理を行う工程と、を有し、
   前記絶縁層は、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、又は酸化窒化アルミニウム膜を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
4. 画素と、ゲート線側駆動回路と、を有し、
   第１のモードで画像を表示する機能と、第２のモードで画像を表示する機能と、第３のモードで画像を表示する機能と、を有し、
   前記第１のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度は、前記第２のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度よりも小さく、
   前記第２のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度は、前記第３のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度よりも小さく、
   前記第１のモードでは、前記ゲート線側駆動回路へのクロック信号の供給が停止する期間が設けられており、
   前記画素は、トランジスタと、液晶素子と、を有し、
   前記トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、酸化物半導体層と、を有し、
   前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方は、信号線と電気的に接続され、
   前記ソース電極又は前記ドレイン電極の他方は、前記液晶素子と電気的に接続され、
   前記ゲート電極は、ゲート線と電気的に接続される表示装置の作製方法であって、
   前記酸化物半導体層上方に第１の絶縁層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層と前記第１の絶縁層とが接した状態で加熱処理を行う工程と、
   前記加熱処理後に、前記第１の絶縁層上方に第２の絶縁層を形成する工程と、を有し、
   前記第１の絶縁層は、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、又は酸化窒化アルミニウム膜を有し、
   前記第２の絶縁層は、窒化シリコン膜、又は窒化アルミニウム膜を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
5. 画素と、ゲート線側駆動回路と、を有し、
   第１のモードで画像を表示する機能と、第２のモードで画像を表示する機能と、第３のモードで画像を表示する機能と、を有し、
   前記第１のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度は、前記第２のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度よりも小さく、
   前記第２のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度は、前記第３のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度よりも小さく、
   前記第１のモードでは、前記ゲート線側駆動回路へのクロック信号の供給が停止する期間が設けられており、
   前記画素は、トランジスタと、液晶素子と、を有し、
   前記トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、酸化物半導体層と、を有し、
   前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方は、信号線と電気的に接続され、
   前記ソース電極又は前記ドレイン電極の他方は、前記液晶素子と電気的に接続され、
   前記ゲート電極は、ゲート線と電気的に接続される表示装置の作製方法であって、
   前記酸化物半導体層上方に第１の絶縁層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層と前記第１の絶縁層とが接した状態で加熱処理を行う工程と、
   前記加熱処理後に、前記第１の絶縁層上方に第２の絶縁層を形成する工程と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
   前記第１の絶縁層は、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、又は酸化窒化アルミニウム膜を有し、
   前記第２の絶縁層は、窒化シリコン膜、又は窒化アルミニウム膜を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
6. 画素と、ゲート線側駆動回路と、を有し、
   第１のモードで画像を表示する機能と、第２のモードで画像を表示する機能と、第３のモードで画像を表示する機能と、を有し、
   前記第１のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度は、前記第２のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度よりも小さく、
   前記第２のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度は、前記第３のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度よりも小さく、
   前記第１のモードでは、前記ゲート線側駆動回路へのクロック信号の供給が停止する期間が設けられており、
   前記画素は、トランジスタと、液晶素子と、を有し、
   前記トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、酸化物半導体層と、を有し、
   前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方は、信号線と電気的に接続され、
   前記ソース電極又は前記ドレイン電極の他方は、前記液晶素子と電気的に接続され、
   前記ゲート電極は、ゲート線と電気的に接続される表示装置の作製方法であって、
   前記酸化物半導体層上方に第１の絶縁層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層と前記第１の絶縁層とが接した状態で加熱処理を行う工程と、
   前記加熱処理後に、前記第１の絶縁層上方に第２の絶縁層を形成する工程と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
   前記酸化物半導体層は、ｃ軸配向した結晶領域を有し、
   前記第１の絶縁層は、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、又は酸化窒化アルミニウム膜を有し、
   前記第２の絶縁層は、窒化シリコン膜、又は窒化アルミニウム膜を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
7. 画素と、ゲート線側駆動回路と、を有し、
   第１のモードで画像を表示する機能と、第２のモードで画像を表示する機能と、第３のモードで画像を表示する機能と、を有し、
   前記第１のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度は、前記第２のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度よりも小さく、
   前記第２のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度は、前記第３のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度よりも小さく、
   前記第１のモードでは、前記ゲート線側駆動回路へのクロック信号の供給が停止する期間が設けられており、
   前記画素は、トランジスタと、液晶素子と、を有し、
   前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、信号線と電気的に接続され、
   前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記液晶素子と電気的に接続され、
   前記トランジスタのゲートは、ゲート線と電気的に接続され、
   前記トランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有することを特徴とする表示装置。
8. 画素と、ゲート線側駆動回路と、を有し、
   第１のモードで画像を表示する機能と、第２のモードで画像を表示する機能と、第３のモードで画像を表示する機能と、を有し、
   前記第１のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度は、前記第２のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度よりも小さく、
   前記第２のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度は、前記第３のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度よりも小さく、
   前記第１のモードでは、前記ゲート線側駆動回路へのクロック信号の供給が停止する期間が設けられており、
   前記画素は、トランジスタと、液晶素子と、を有し、
   前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、信号線と電気的に接続され、
   前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記液晶素子と電気的に接続され、
   前記トランジスタのゲートは、ゲート線と電気的に接続され、
   前記トランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有し、
   前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有することを特徴とする表示装置。
9. 画素と、ゲート線側駆動回路と、を有し、
   第１のモードで画像を表示する機能と、第２のモードで画像を表示する機能と、第３のモードで画像を表示する機能と、を有し、
   前記第１のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度は、前記第２のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度よりも小さく、
   前記第２のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度は、前記第３のモードにおける前記画素への画像信号の書き込み頻度よりも小さく、
   前記第１のモードでは、前記ゲート線側駆動回路へのクロック信号の供給が停止する期間が設けられており、
   前記画素は、トランジスタと、液晶素子と、を有し、
   前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、信号線と電気的に接続され、
   前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記液晶素子と電気的に接続され、
   前記トランジスタのゲートは、ゲート線と電気的に接続され、
   前記トランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有し、
   前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
   前記酸化物半導体層は、ｃ軸配向した結晶領域を有することを特徴とする表示装置。