JP2018049919A5 - 半導体装置 - Google Patents
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Claims (20)
- 基板上に酸化物半導体を用いた第１のＴＦＴを有し、
前記酸化物半導体の上にはゲート絶縁膜が形成され、前記ゲート絶縁膜の上には第１のゲート電極が形成され、
前記酸化物半導体のソース及びドレインの各々には、金属または合金で形成された第１のソースドレイン電極が前記酸化物半導体に接触して形成され、
前記第１のゲート電極および前記第１のソースドレイン電極は同じ材料であり、同時にパターニングされていることを特徴とする半導体装置。 - 前記ゲート絶縁膜は、前記酸化物半導体を覆って形成され、前記第１のソースドレイン電極は、前記ゲート絶縁膜に形成されたスルーホールを介して前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインに接続していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
- 前記ゲート絶縁膜は、前記第１のＴＦＴのチャンネル部を覆って、島状に形成されており、前記第１のソースドレイン電極と前記酸化物半導体の間には存在していないことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
- 前記第１のＴＦＴのチャンネル部と前記ソースドレイン電極とは、前記酸化物半導体にイオンがドープされている領域を介して接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
- 前記第１のＴＦＴは第１の絶縁膜によって覆われ、
第２のソースドレイン電極は、前記第１の絶縁膜に形成されたスルーホールを介して前記第１のソースドレイン電極と接続し、
前記第１の絶縁膜に形成されたスルーホールの底には、前記第１のソースドレイン電極が存在していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 前記基板には駆動回路が形成され、
前記駆動回路は、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ半導体層で形成された第２のＴＦＴを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 前記第２のＴＦＴは第２の絶縁膜によって覆われ、
第３のソースドレイン電極は、前記第２の絶縁膜に形成されたスルーホールを介して前記Ｐｏｌｙ−Ｓｉ半導体層と接続し、
前記第２の絶縁膜に形成されたスルーホールの底には、前記Ｐｏｌｙ−Ｓｉ半導体が存在していることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。 - 前記第２のＴＦＴのゲート電極と同層で、同じ材料によって、前記第１のＴＦＴの遮光膜が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
- 前記表示領域は、さらに、Ｐｏｌｙ−Ｓｉによる第２のＴＦＴを含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
- 前記駆動回路は、さらに前記酸化物半導体による第１のＴＦＴを含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
- 前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴはトップゲートタイプのＴＦＴであることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
- 基板上に酸化物半導体を用いた第１のＴＦＴを有し、
前記酸化物半導体の上にはゲート絶縁膜が形成され、前記ゲート絶縁膜の上には第１のゲート電極が形成され、
前記酸化物半導体のソース及びドレインの各々には、金属または合金で形成された第１のソースドレイン電極が前記酸化物半導体に接触して形成され、
前記酸化物半導体、前記ゲート電極、前記第１のソースドレイン電極を覆って第１の絶縁膜が形成され、
第２のソースドレイン電極は、前記第１の絶縁膜に形成されたスルーホールを介して前記第１のソースドレイン電極と接続し、
前記第１の絶縁膜に形成されたスルーホールの底には、前記第１のソースドレイン電極が存在していることを特徴とする半導体装置。 - 前記ゲート絶縁膜は、前記酸化物半導体を覆って形成され、前記第１のソースドレイン電極は、前記ゲート絶縁膜に形成されたスルーホールを介して前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインに接続していることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
- 前記ゲート絶縁膜は、前記第１のＴＦＴのチャンネル部を覆って、島状に形成されており、前記第１のソースドレイン電極と前記酸化物半導体の間には存在していないことを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
- 前記第１のＴＦＴのチャンネル部と前記ソースドレイン電極とは、前記酸化物半導体にイオンがドープされている領域を介して接続されていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
- 基板には駆動回路が形成され、
前記駆動回路は、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ半導体層で形成された第２のＴＦＴを含むことを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。 - 前記第２のＴＦＴは第２の絶縁膜によって覆われ、
第３のソースドレイン電極は、前記第２の絶縁膜に形成されたスルーホールを介して前記Ｐｏｌｙ−Ｓｉ半導体層と接続し、
前記第２の絶縁膜に形成されたスルーホールの底には、前記Ｐｏｌｙ−Ｓｉ半導体が存在していることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。 - 前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴはトップゲートタイプのＴＦＴであることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は液晶表示装置であることを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は有機ＥＬ表示装置であることを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の半導体装置。
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