TWI666623B - 半導體裝置、驅動器電路及顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種藉由閘極驅動器電路的設計實現窄邊框化的半導體裝置。顯示裝置的閘極驅動器包括移位暫存器單元、解多工器電路以及n個信號線。藉由使移位暫存器單元的每一級與傳輸時脈信號的n個信號線連接，能夠輸出(n-3)個輸出信號，n越大，傳輸無助於輸出的時脈信號的信號線的比例越小，所以與移位暫存器單元的每一級輸出1個輸出信號的習知的結構相比，移位暫存器單元部分的佔有面積變小，由此能夠實現閘極驅動器電路的窄邊框化。

Description

半導體裝置、驅動器電路及顯示裝置
本發明係關於一種物體、方法或者製造方法。另外，本發明係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)。尤其是，本發明係關於一種半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、上述裝置的驅動方法或它們的製造方法。尤其是，本發明例如係關於一種具有電晶體的半導體裝置及其製造方法。
在以液晶顯示裝置或發光顯示裝置為代表的平板顯示器中，作為實現顯示裝置的小型化、輕量化、窄邊框化的方法，已知有將閘極驅動器與像素部一同製造在相同的基板上的方法。為了進一步實現窄邊框化，需要縮小閘極驅動器。作為閘極驅動器的主要電路之一可以舉出移位暫存器。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2002-49333號公報。
藉由縮小作為閘極驅動器的主要電路的移位 暫存器的寬度，縮小閘極驅動器電路整體的寬度，這是效果好的窄邊框化的方法。
在此，本發明的一個方式的目的之一是提供一種縮小閘極驅動器電路的移位暫存器單元部分的寬度方向的閘極驅動器電路。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種在不延長閘極驅動器電路的信號線的延遲時間的情況下實現閘極驅動器電路的寬度方向的縮小的半導體裝置。此外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種藉由閘極驅動器電路的設計實現窄邊框化的半導體裝置。
注意，這些目的並不妨礙其他目的的存在。此外，本發明的一個方式並不需要實現上述所有目的。另外，從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載看來這些目的以外的目的是顯而易見的，而可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中抽出這些目的以外的目的。
本發明的一個方式是一種驅動器電路，包括：移位暫存器單元；與移位暫存器單元電連接的解多工器電路；以及n個(n是4以上的自然數)信號線，其中，移位暫存器單元與n個信號線中的1個以上電連接，並且，解多工器電路與n個信號線中的1個以上且(n-3)個以下電連接。
此外，本發明的其他方式是一種驅動器電路，包括：m個(m是3以上的自然數)移位暫存器單 元；與m個移位暫存器單元的每一個電連接的m個解多工器電路；以及n個(n是4以上的自然數)信號線，其中，m個移位暫存器單元的每一個與n個信號線中的1個以上電連接，m個解多工器電路的每一個與n個信號線中的1個以上且(n-3)個以下電連接，對m個移位暫存器單元之一輸入m個移位暫存器單元之一的與前級的移位暫存器單元電連接的解多工器電路的輸出之一，並且，對m個移位暫存器單元之一輸入m個移位暫存器單元之一的與後級的移位暫存器單元電連接的解多工器電路的輸出之一。
此外，本發明的其他方式是一種驅動器電路，包括：移位暫存器單元；解多工器電路；以及n個(n是4以上的自然數)信號線，其中，移位暫存器單元包括設定信號線及第一電晶體至第六電晶體，第一電晶體的源極和汲極中的一個與高電源電位線電連接，源極和汲極中的另一個與第二電晶體的源極和汲極中的一個及解多工器電路電連接，閘極與設定信號線電連接，第二電晶體的源極和汲極中的另一個與低電源電位線電連接，閘極與解多工器電路、第四電晶體的源極和汲極中的一個、第五電晶體的源極和汲極中的一個及第六電晶體的源極和汲極中的一個電連接，第三電晶體的源極和汲極中的一個與高電源電位線電連接，源極和汲極中的另一個與第四電晶體的源極和汲極中的另一個電連接，閘極與n個信號線之一電連接，第四電晶體的閘極與n個信號線之另一個電連 接，第五電晶體的源極和汲極中的另一個與低電源電位線電連接，閘極與設定信號線電連接，第六電晶體的源極和汲極中的另一個與高電源電位線電連接，閘極與重設信號線電連接，解多工器電路具有a個(a是1以上且(n-3)以下的自然數)緩衝器，a個緩衝器的每一個與第一電晶體的源極和汲極中的另一個及第二電晶體的閘極電連接，a個緩衝器的每一個分別與不同的n個信號線之一電連接，並且，a個緩衝器的每一個包括輸出端子。
根據本發明的一個方式可以製造一種實現了窄邊框化的半導體裝置。
101‧‧‧像素部
104‧‧‧閘極驅動器
106‧‧‧源極驅動器
107‧‧‧掃描線
109‧‧‧信號線
115‧‧‧電容線
131‧‧‧電晶體
132‧‧‧液晶元件
133‧‧‧電容元件
200‧‧‧基板
201、202‧‧‧絕緣膜
206‧‧‧導電層
207‧‧‧液晶層
208‧‧‧導電層
209‧‧‧液晶元件
211‧‧‧電晶體
212‧‧‧半導體層
214、215、216、217‧‧‧雜質區域
218‧‧‧導電層
220‧‧‧像素部
221‧‧‧電晶體
222‧‧‧半導體層
224、225、226、227‧‧‧雜質區域
228‧‧‧導電層
230‧‧‧驅動器電路部
231‧‧‧絕緣膜
232a、232b、233a、233b‧‧‧導電層
234、235‧‧‧電晶體
236、238‧‧‧絕緣膜
242‧‧‧基板
244‧‧‧遮光膜
246‧‧‧有色膜
248‧‧‧絕緣膜
251、252‧‧‧配向膜
261‧‧‧導電膜
266、267‧‧‧雜質區域
292、293‧‧‧導電膜
301‧‧‧像素
600‧‧‧閘極驅動器電路
601、601a、602、602a‧‧‧移位暫存器單元
603、604‧‧‧解多工器電路
605、605a‧‧‧緩衝器
611、612、613、614、615、616、617、618‧‧‧電晶體
619‧‧‧電容元件
621、622、623‧‧‧電晶體
624‧‧‧電容元件
625‧‧‧電晶體
800‧‧‧基板
806‧‧‧導電層
807‧‧‧液晶層
808‧‧‧導電層
811‧‧‧電晶體
812‧‧‧半導體層
816‧‧‧通道區域
817‧‧‧雜質區域
818‧‧‧導電層
821‧‧‧電晶體
822‧‧‧半導體層
826‧‧‧通道區域
827‧‧‧雜質區域
828‧‧‧導電層
831‧‧‧絕緣膜
832‧‧‧導電層
837、838‧‧‧絕緣膜
842‧‧‧基板
844‧‧‧遮光膜
846‧‧‧有色膜
848‧‧‧絕緣膜
851、852‧‧‧配向膜
9000‧‧‧桌子
9001‧‧‧外殼
9002‧‧‧桌腿
9003‧‧‧顯示部
9004‧‧‧顯示按鈕
9005‧‧‧電源供應線
9033‧‧‧卡子
9034‧‧‧開關
9035‧‧‧電源開關
9036‧‧‧開關
9038‧‧‧操作開關
9100‧‧‧電視機
9101‧‧‧外殼
9103‧‧‧顯示部
9105‧‧‧支架
9107‧‧‧顯示部
9109‧‧‧操作鍵
9110‧‧‧遙控器
9200‧‧‧電腦
9201‧‧‧主體
9202‧‧‧外殼
9203‧‧‧顯示部
9204‧‧‧鍵盤
9205‧‧‧外部連接埠
9206‧‧‧指向裝置
9630‧‧‧外殼
9631、9631a、9631b‧‧‧顯示部
9632a、9632b‧‧‧區域
9633‧‧‧太陽能電池
9634‧‧‧充放電控制電路
9635‧‧‧電池
9636‧‧‧DCDC轉換器
9637‧‧‧轉換器
9638‧‧‧操作鍵
9639‧‧‧按鈕
在圖式中：圖1A及圖1B是說明半導體裝置的一個方式的方塊圖及電路圖；圖2是說明半導體裝置的一個方式的剖面圖；圖3A至圖3E是說明半導體裝置的製造方法的一個方式的剖面圖；圖4A至圖4D是說明半導體裝置的製造方法的一個方式的剖面圖；圖5是說明半導體裝置的一個方式的剖面圖；圖6是說明半導體裝置的一個方式的剖面圖；圖7A至圖7C是說明使用本發明的一個方式的半導 體裝置的電子裝置的圖；圖8A至圖8C是說明使用本發明的一個方式的半導體裝置的電子裝置的圖；圖9是說明閘極驅動器電路的整體的圖；圖10A及圖10B是說明移位暫存器單元的圖；圖11A及圖11B是說明偽級的移位暫存器單元的圖；圖12A及圖12B是說明解多工器(demultiplexer)的圖；圖13A及圖13B是說明解多工器的圖；圖14是說明緩衝器的圖；圖15A及圖15B是說明其他移位暫存器單元的圖；圖16A及圖16B是說明其他偽級的移位暫存器單元的圖；圖17A及圖17B是說明其他緩衝器的圖；圖18A及圖18B是說明窄邊框化的圖；圖19是移位暫存器單元的時序圖。
下面，參照圖式對本發明的實施方式進行詳細說明。但是，本發明不侷限於以下說明，而所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為 僅限定在下面的實施方式所記載的內容中。另外，在下面所說明的實施方式中，在不同的圖式中使用相同的元件符號或相同的陰影線來表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略反復說明。
注意，在本說明書所說明的每一個圖式中，有時為了明確起見，誇大地表示各構成要素的大小、膜厚度、區域。因此，本發明並不侷限於圖式中的尺寸。
另外，在本說明書中使用的“第一”、“第二”、“第三”等的用語是為了方便識別構成要素而附加的，而不是為了在數目方面上進行限定。因此，例如可以將“第一”適當地替換為“第二”或“第三”等來進行說明。
另外，“源極”及“汲極”的功能在電路工作中的電流方向變化時，有時互相調換。因此，在本說明書中，“源極”和“汲極”可以互相調換。
另外，電壓是指兩個點之間的電位差，電位是指某一點的靜電場中的單位電荷具有的靜電能(電位能量)。但是，一般來說，將某一點的電位與標準的電位(例如接地電位)之間的電位差簡單地稱為電位或電壓，通常，電位和電壓是同義詞。因此，在本說明書中，除了特別指定的情況以外，既可將“電位”稱為“電壓”，又可將“電壓”稱為“電位”。
在本說明書中，當在進行光微影製程之後進行蝕刻製程時，有時省略在蝕刻製程之後去除在光微影製程中所形成的遮罩的記載。
實施方式1
在本實施方式中，參照圖式對本發明的一個方式的半導體裝置的結構及其製造方法進行說明。
在圖1A中作為半導體裝置的一個例子示出液晶顯示裝置。圖1A所示的液晶顯示裝置包括：像素部101；閘極驅動器104；源極驅動器106；各個平行或大致平行地配置且其電位由閘極驅動器104控制的m個掃描線107；以及各個平行或大致平行地配置且其電位由源極驅動器106控制的n個信號線109。而且，像素部101具有配置為矩陣狀的多個像素301。此外，具有沿著掃描線107各個平行或大致平行地配置的電容線115。此外，也可以沿著信號線109各個平行或大致平行地配置電容線115。另外，有時將閘極驅動器104及源極驅動器106總稱為驅動器電路部。
各掃描線107與在像素部101中配置為m行n列的像素301中的配置在任一行的n個像素301電連接。此外，各信號線109與配置為m行n列的像素301中的配置在任一列的m個像素301電連接。m、n都是1以上的整數。此外，各電容線115與配置為m行n列的像素301中的配置在任一行的n個像素301電連接。此外，當電容線115沿著信號線109各個平行或大致平行地配置時，電容線115與配置為m行n列的像素301中的配置在任一列的m個像素301電連接。
圖1B示出能夠用於圖1A所示的液晶顯示裝置的像素301的電路結構。
圖1B所示的像素301具有液晶元件132、電晶體131和電容元件133。
根據像素301的規格適當地設定液晶元件132的一對電極中的一個的電位。根據被寫入的資料設定液晶元件132的配向狀態。此外，也可以對多個像素301的每一個所具有的液晶元件132的一對電極中的一個供應共用電位(共用電位)。此外，也可以對各行的每個像素301的液晶元件132的一對電極中的一個供應不同電位。或者，當採用IPS模式或FFS模式時，也可以將液晶元件132的一對電極中的一個與電容線CL連接。
例如，作為具備液晶元件132的液晶顯示裝置的驅動方法也可以使用如下模式：TN模式；STN模式；VA模式；ASM(Axially Symmetric Aligned Micro-cell：軸對稱排列微單元)模式；OCB(Optically Compensated Birefringence：光學補償彎曲)模式；FLC(Ferroelectric Liquid Crystal：鐵電性液晶)模式；AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal：反鐵電液晶)模式；MVA模式；PVA(Patterned Vertical Alignment：垂直配向構型)模式；IPS模式；FFS模式；或TBA(Transverse Bend Alignment：橫向彎曲配向)模式等。另外，作為液晶顯示裝置的驅動方法，除了上述驅動方法之外，還有ECB(Electrically Controlled Birefringence： 電控雙折射)模式、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal：聚合物分散型液晶)模式、PNLC(Polymer Network Liquid Crystal：聚合物網路型液晶)模式、賓主模式等。但是，不侷限於此，作為液晶元件及其驅動方式可以使用各種液晶元件及驅動方式。
此外，也可以由包含呈現藍相(Blue Phase)的液晶和手性試劑的液晶組合物構成液晶元件。呈現藍相的液晶的回應速度快，為1msec以下，並且由於其具有光學各向同性，所以不需要配向處理，且視角依賴性小。
在第m行第n列的像素301中，電晶體131的源極電極和汲極電極中的一個與信號線DL_n電連接，源極電極和汲極電極中的另一個與電容元件133的一對電極中的一個及液晶元件132的一對電極中的另一個電連接。此外，電晶體131的閘極電極與掃描線GL_m電連接。電晶體131具有藉由成為導通狀態或關閉狀態而對資料信號的資料的寫入進行控制的功能。
電容元件133的一對電極中的另一個與被供應電位的佈線(以下，稱為電容線CL)電連接。此外，根據像素301的規格適當地設定電容線CL的電位的值。電容元件133用作儲存被寫入的資料的儲存電容。此外，當採用IPS模式或FFS模式時，也可以將電容元件133的一對電極中的另一個與液晶元件132的一對電極中的一個電連接。
例如，在具有圖1B的像素301的液晶顯示裝 置中，藉由閘極驅動器104依次選擇各行的像素301，來使電晶體131成為導通狀態而寫入資料信號的資料。
當電晶體131成為關閉狀態時，被輸入資料的像素301成為保持狀態。藉由按行依次進行上述步驟，可以顯示影像。
此外，在本說明書等中，作為使用液晶元件的液晶顯示裝置的一個例子，有透射型液晶顯示裝置、半透射型液晶顯示裝置、反射型液晶顯示裝置、直觀型液晶顯示裝置、投射型液晶顯示裝置等。作為液晶元件的一個例子，有利用液晶的光學調變作用來控制光的透過或非透過的元件。該元件可以由一對電極及液晶層構成。此外，液晶的光學調變作用由施加到液晶的電場(包括橫向電場、縱向電場或斜向電場)控制。另外，明確而言，作為液晶元件的一個例子，可以舉出向列液晶、膽固醇相液晶、層列相液晶、盤狀液晶、熱致液晶、溶致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC)、鐵電液晶、反鐵電液晶、主鏈型液晶、側鏈型高分子液晶、香蕉型液晶等。
此外，作為半導體裝置的一個例子可以使用顯示元件、顯示裝置、發光裝置等代替液晶顯示裝置。另外，顯示元件、作為具有顯示元件的裝置的顯示裝置、發光元件以及作為具有發光元件的裝置的發光裝置可以採用各種方式或具有各種元件。作為顯示元件、顯示裝置、發光元件或發光裝置的一個例子，有對比度、亮度、反射 率、透射率等因電磁作用而變化的顯示媒體，如LED(白色LED、紅色LED、綠色LED、藍色LED等)、電晶體(根據電流發光的電晶體)、電子發射元件、液晶元件、電子墨水、電泳元件、柵光閥(GLV)、電漿顯示器(PDP)、MEMS(微電子機械系統)、數位微鏡設備(DMD)、DMS(數碼微快門)、MIRASOL(在日本註冊的商標)、IMOD(干涉調變)元件、壓電陶瓷顯示器、碳奈米管等。作為使用電子發射元件的顯示裝置的一個例子，有場致發射顯示器(FED)或SED方式平面型顯示器(SED：Surface-conduction Electron-emitter Display：表面傳導電子發射顯示器)等。作為使用電子墨水或電泳元件的顯示裝置的一個例子，有電子紙等。
接著，對將液晶元件用於像素301的液晶顯示裝置的具體例子進行說明。圖2是用來說明液晶顯示裝置的剖面結構的圖。圖2示出閘極驅動器及像素電路的剖面結構。在本實施方式中作為半導體裝置對垂直電場方式的液晶顯示裝置進行說明。
在本實施方式所示的液晶顯示裝置中，在一對基板(基板200與基板242)之間夾有液晶元件209。
液晶元件209包括基板200的上方的導電層206、控制配向性的膜(下面稱為配向膜251、配向膜252)、液晶層207以及導電層208。另外，將導電層206用作液晶元件209的一個電極，將導電層208用作液晶元件209的另一個電極。
像這樣，液晶顯示裝置是指包括液晶元件的裝置。另外，液晶顯示裝置包括驅動多個像素的驅動器電路等。此外，液晶顯示裝置包括配置在另一基板上的控制電路、電源電路、信號產生電路及背光模組等，而且有時還被稱為液晶模組。
圖2所示的液晶顯示裝置在基板200上設置有構成像素部220的電晶體211及構成驅動器電路部230的電晶體221。此外，在像素部220中設置有包括導電層206、液晶層207及導電層208的液晶元件209。
在圖2所示的液晶顯示裝置中，設置在像素部220中的電晶體211包括形成通道區域的半導體層212，設置在驅動器電路部230中的電晶體221包括形成通道區域的半導體層222。
這裡，以下說明圖2所示的顯示裝置的構成要素。
在基板200上形成有絕緣膜201、絕緣膜202。在絕緣膜202上形成有島狀的形成電晶體的通道區域的半導體層212、半導體層222。
雖然對基板200的材料等沒有特別的限制，但是至少需要具有能夠承受後續的加熱處理的耐熱性。例如，作為基板200，可以使用玻璃基板、陶瓷基板、石英基板、藍寶石基板等。此外，也可以利用以矽或碳化矽等為材料的單晶半導體基板或多晶半導體基板、以矽鍺等為材料的化合物半導體基板、SOI(Silicon On Insulator：絕 緣層上覆矽)基板等，並且也可以將在這些基板上設置有半導體元件的基板用作基板200。當作為基板200使用玻璃基板時，藉由使用第6代(1500mm×1850mm)、第7代(1870mm×2200mm)、第8代(2200mm×2400mm)、第9代(2400mm×2800mm)、第10代(2950mm×3400mm)等的大面積基板，可以製造大型液晶顯示裝置。
另外，作為基板200，也可以使用撓性基板，並且在撓性基板上直接形成電晶體。或者，也可以在基板200與電晶體之間設置剝離層。剝離層可以在如下情況下使用，即在剝離層上製造元件部的一部分或全部，然後將其從基板200分離並轉置到其他基板上的情況。此時，也可以將電晶體轉置到耐熱性低的基板或撓性基板上。
絕緣膜201、絕緣膜202可以藉由CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)法、濺射法或熱氧化法等使用氧化矽、氧氮化矽、氮化矽等的絕緣膜以單層或疊層設置。作為絕緣膜201與絕緣膜202的組合例子可以舉出氧氮化矽與氧化矽的組合。
半導體層212、半導體層222較佳為使用結晶矽形成，也可以使用非晶矽。結晶矽首先形成非晶矽膜然後對其照射雷射而晶化形成。或者，也可以在非晶體矽膜上形成Ni等金屬的膜之後，對非晶體矽膜進行熱晶化。或者利用CVD法形成結晶矽膜。
絕緣膜231是閘極絕緣膜。絕緣膜231可以藉由CVD法、濺射法等使用氧化矽、氧氮化矽、氮化矽 等的絕緣膜以單層或疊層設置。
此外，藉由作為絕緣膜231，利用使用有機矽烷氣體的CVD法形成氧化矽膜，可以提高後面形成的半導體膜的結晶性，由此可以提高電晶體的通態電流(on-state current)及場效移動率。作為有機矽烷氣體，可以使用如四乙氧基矽烷(TEOS：化學式為Si(OC2H5)4)、四甲基矽烷(TMS：化學式為Si(CH3)4)、四甲基環四矽氧烷(TMCTS)、八甲基環四矽氧烷(OMCTS)、六甲基二矽氮烷(HMDS)、三乙氧基矽烷(SiH(OC2H5)3)、三(二甲基胺基)矽烷(SiH(N(CH3)2)3)等含矽化合物。
另外，絕緣膜231可以藉由對半導體層212及半導體層222進行電漿處理來使其表面氧化或氮化而形成。例如，藉由引入了稀有氣體如He、Ar、Kr、Xe等和氧、氧化氮(NO2)、氨、氮或氫等的混合氣體的電漿處理，形成絕緣膜231。當藉由引入微波激發電漿時，可以產生具有低電子溫度和高密度的電漿。可以藉由使用由該高密度電漿產生的氧自由基(也有含有OH自由基的情況)或氮自由基(也有含有NH自由基的情況)，使半導體膜的表面氧化或氮化。
藉由這種使用高密度電漿的處理，在半導體膜上形成1nm以上且20nm以下，典型為5nm以上且10nm以下的絕緣膜。由於在此情況下的反應為固相反應，所以可以極度降低該絕緣膜和半導體膜的介面態密度。由於上述高密度電漿處理直接使半導體膜氧化(或氮 化)，所以可以使所形成的絕緣膜的厚度不均勻性極為低。藉由進行這種高密度電漿處理而將半導體膜的表面固相氧化，可以形成均勻性好且介面態密度低的絕緣膜。
作為絕緣膜231，既可以僅使用藉由高密度電漿處理形成的絕緣膜，又可以在該絕緣膜上藉由利用CVD法或濺射法等將氧化矽、氧氮化矽和氮化矽的絕緣膜中的任一或多個沉積並層疊。在任何情況下，將藉由高密度電漿形成的絕緣膜包含於閘極絕緣膜的一部分或全部而形成的電晶體都可以降低特性的不均勻性。
接著，在絕緣膜231上形成第一導電層272及第二導電層273。第一導電層272及第二導電層273使用選自鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉻(Cr)和鈮(Nb)等中的元素或以這些元素為主要成分的合金材料或化合物材料(例如氮化鉭)形成。或者，使用以摻雜磷等雜質元素的多晶矽為代表的半導體材料形成第一導電層272及第二導電層273。此外，第一導電層272及第二導電層273可以使用相同的導電材料或不同的導電材料。
作為第一導電層272與第二導電層273的組合的例子可以舉出氮化鉭和鎢、氮化鎢和鎢、氮化鉬和鉬等。在此，第一導電層藉由CVD法或濺射法等以20nm以上且100nm以下的厚度形成。第二導電層以100nm以上且400nm以下的厚度形成。在本實施方式中，採用兩層導電膜的疊層結構，也可以採用單層，或者也可以採用三 層以上的疊層結構。在採用三層結構的情況下，較佳為採用鉬層、鋁層、鉬層的疊層結構。
在半導體層212中形成有雜質區域216、雜質區域217，在半導體層222中形成有雜質區域226、雜質區域227。雜質元素的引入可以藉由離子摻雜法、離子植入法等使用n型或p型的雜質元素進行。作為顯示n型的雜質元素，可以使用磷(P)、砷(As)等。作為顯示p型的雜質元素，可以使用硼(B)、鋁(Al)或鎵(Ga)等。
絕緣膜236是層間絕緣膜。導電層218、導電層228是源極電極或汲極電極。
作為絕緣膜236可以使用利用CVD法或濺射法等形成的氧化矽、氧氮化矽、氮化矽等的絕緣膜。此外，可以使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、苯並環丁烯類樹脂、矽氧烷類樹脂、聚醯胺樹脂、環氧樹脂等有機樹脂形成。
導電層218、導電層228可以使用由選自鋁、鎢、鈦、鉭、鉬、鎳、釹中的一種元素或者包含多種該元素的合金構成的單層或疊層結構。例如，作為由包含多種上述元素的合金構成的導電層，可以由含有鈦的鋁合金、含有釹的鋁合金等來形成。此外，當以疊層結構形成導電層218、導電層228時，例如，也可以是在鈦層之間夾有鋁層或上述鋁合金層的疊層結構。將導電層218、導電層228用作電晶體的源極電極或汲極電極。
絕緣膜238是層間絕緣膜。形成在絕緣膜238上的導電層206是像素電極。在發光裝置中將導電層206用作陽極或陰極。
絕緣膜238可以使用利用CVD法或濺射法等形成的氧化矽、氧氮化矽、氮化矽等的絕緣膜。此外，可以使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、苯並環丁烯類樹脂、矽氧烷類樹脂、聚醯胺樹脂、環氧樹脂等有機樹脂形成。
作為導電層206使用由透光導電材料構成的透明導電膜即可，可以使用包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物等。當然，也可以使用銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加有氧化矽的銦錫氧化物等。此外，也可以使用選自功函數大的材料諸如鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、錫(Sn)、銦(In)或鉬(Mo)中的元素或以上述元素為主要成分的合金材料諸如氮化鈦、氮化矽鈦、矽化鎢、氮化鎢、氮矽化鎢、氮化鈮等以單層或疊層設置。
元件符號251是配向膜。作為配向膜251，可以使用聚醯亞胺等有機樹脂。配向膜251的厚度較佳為40nm以上且100nm以下，更佳為50nm以上且90nm以下。藉由採用上述厚度，可以增大液晶材料的預傾角。藉由增大液晶材料的預傾角，可以減少向錯(disclination)。
此外，在基板242上形成有有色的膜(以下稱為有色膜246)。將有色膜246用作濾色片。另外，與 有色膜246相鄰的遮光膜244形成在基板242上。將遮光膜244用作黑矩陣。此外，不一定需要設置有色膜246，例如當液晶顯示裝置進行黑白顯示時等也可以不設置有色膜246。
作為有色膜246，可以使用使特定的波長區域的光透過的有色膜，例如可以使用使紅色的波長區域的光透過的紅色(R)濾色片、使綠色的波長區域的光透過的綠色(G)濾色片或使藍色的波長區域的光透過的藍色(B)濾色片等。
遮光膜244只要具有阻擋特定的波長區域的光的功能，則作為遮光膜244可以使用金屬膜或包含黑色顏料等的有機絕緣膜等。
此外，在有色膜246上形成有絕緣膜248。絕緣膜248具有平坦化膜的功能或抑制有色膜246可能包含的雜質擴散到液晶元件一側的功能。
在絕緣膜248上形成有導電層208。導電層208具有像素部的液晶元件所包括的一對電極中的另一個的功能。此外，在導電層206上形成有配向膜251，在導電層208上形成有配向膜252。
在導電層206與導電層208之間形成有液晶層207。此外，使用密封材料(未圖示)將液晶層207密封在基板200與基板242之間。另外，密封材料與無機材料接觸以抑制來自外部的水分等侵入較佳。
也可以在導電層206與導電層208之間設置 間隔物以保持液晶層207的厚度(也稱為單元間隙)。
接著，將參照圖3A至圖4D說明圖1A的液晶顯示裝置所示的電晶體211、221的製造方法。
首先，準備基板200。這裡，作為基板200使用玻璃基板。
接著，在基板200上依次層疊形成絕緣膜201、絕緣膜202。絕緣膜201、絕緣膜202可以藉由CVD法、濺射法或熱氧化法等使用氧化矽、氧氮化矽、氮化矽等的絕緣膜以單層或疊層設置。作為絕緣膜201與絕緣膜202的組合例子可以舉出氧氮化矽與氧化矽的組合。
接著，在絕緣膜202上形成半導體膜，對該半導體膜選擇性地進行蝕刻形成半導體層212、半導體層222。半導體層212、半導體層222較佳為使用結晶矽形成。在本實施方式中，在利用CVD法形成非晶矽之後，進行雷射照射而晶化。此外，也可以在進行雷射照射之前進行用來去除氫的熱處理(圖3A)。
接著，以覆蓋半導體層212、半導體層222的方式形成絕緣膜231。絕緣膜231可以藉由CVD法、濺射法或熱氧化法等使用氧化矽、氧氮化矽、氮化矽等的絕緣膜以單層或疊層設置。這裡，作為閘極絕緣膜使用氧化矽(圖3B)。
接著，在絕緣膜231上依次層疊形成第一導電膜292及第二導電膜293。第一導電膜292及第二導電 膜293使用選自鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉻(Cr)和鈮(Nb)等中的元素或氮化鉭等以這些元素為主要成分的合金材料或化合物材料形成。或者，使用以摻雜磷等雜質元素的多晶矽為代表的半導體材料形成第一導電膜292及第二導電膜293。此外，第一導電膜292及第二導電膜293可以使用相同的導電材料或不同的導電材料。這裡，作為第一導電膜使用氮化鉭膜，作為第二導電膜使用鎢膜(圖3C)。
接著，在第二導電膜293上選擇性地形成光阻遮罩234，使用該光阻遮罩234進行第一蝕刻處理及第二蝕刻處理。藉由進行第一蝕刻處理，選擇性地去除形成在絕緣膜231上的第一導電膜292及第二導電膜293，在半導體層212的上方殘留能夠用作閘極電極的第一導電層232a及第二導電層233a的疊層結構，在半導體層222的上方殘留能夠用作閘極電極的第一導電層232b及第二導電層233b的疊層結構(圖3D)。
然後，藉由進行第二蝕刻處理，對第二導電層233a、第二導電層233b的端部選擇性地進行蝕刻。其結果是，可以獲得第二導電層233a、第二導電層233b的寬度比第一導電層232a、第一導電層232b的寬度窄的結構(圖3E)。
可以適當地選擇應用於第一蝕刻處理及第二蝕刻處理的蝕刻法。為了提高蝕刻速度，可以使用利用ECR(Electron Cyclotron Resonance：電子迴旋共振)方 式或ICP(Inductively Coupled Plasma：感應耦合電漿)方式等的高密度電漿源的乾蝕刻裝置。藉由適當地調整第一蝕刻處理及第二蝕刻處理的蝕刻條件，可以將第一導電層232a、232b及第二導電層233a、233b的端部形成為所希望的錐形。
接著，將第一導電層232a、第一導電層232b及第二導電層233a、第二導電層233b用作遮罩，對半導體層212、半導體層222引入雜質元素，在半導體層212中形成低濃度的雜質區域215，在半導體層222中形成低濃度的雜質區域225(圖4A)。
雜質元素的引入可以藉由離子摻雜法、離子植入法等使用n型或p型的雜質元素進行。作為顯示n型的雜質元素，可以使用磷(P)、砷(As)等。作為顯示p型的雜質元素，可以使用硼(B)、鋁(Al)或鎵(Ga)等。
這裡，示出在半導體層212中雜質區域215形成在不與第一導電層232a重疊的區域的例子，但根據引入雜質元素的條件，也在與第一導電層232a重疊的區域會形成雜質區域215。此外，示出在半導體層222中雜質區域225形成在不與第一導電層232b重疊的區域的例子，但根據引入雜質元素的條件，也在與第一導電層232b重疊的區域會形成雜質區域225。
接著，在第一導電層232a、第二導電層233a、半導體層212的上方選擇性地形成光阻遮罩235， 將該光阻遮罩235、第一導電層232b及第二導電層233b用作遮罩，在半導體層212、半導體層222中引入雜質。其結果是，在半導體層212中形成雜質區域216、雜質區域217，在半導體層222中形成雜質區域226、雜質區域227。此外，雜質元素穿過第一導電層232b引入到半導體層222中(圖4B)。
雜質元素的引入可以藉由離子摻雜法、離子植入法等進行。作為顯示n型的雜質元素，可以使用磷(P)、砷(As)等。作為顯示p型的雜質元素，可以使用硼(B)、鋁(Al)或鎵(Ga)等。這裡，對雜質區域216、217、226、227使用磷(P)進行離子摻雜。
在半導體層212中，將形成在不由光阻遮罩235覆蓋的區域的高濃度的雜質區域217用作電晶體的源極區域或汲極區域，將形成在由光阻遮罩235覆蓋且不與第一導電層232a重疊的區域的低濃度的雜質區域216用作電晶體的LDD區域。此外，在半導體層222中，將形成在不與第一導電層232b重疊的區域的高濃度的雜質區域227用作電晶體的源極區域或汲極區域，將形成在與第一導電層232b重疊且不與第二導電層233b重疊的區域的低濃度的雜質區域226用作電晶體的LDD區域。
LDD區域是指在通道形成區域與源極區域或汲極區域之間以低濃度添加了雜質元素的區域，該源極區域或汲極區域藉由以高濃度添加雜質元素形成。藉由設置LDD區域，可以獲得緩衝汲極區域附近的電場並防止由於 熱載子注入引起的劣化的效果。另外，為了防止由熱載子導致的通態電流的劣化，也可以採用LDD區域隔著閘極絕緣膜與閘極電極重疊配置的結構(也稱為GOLD(Gate-drain Overlapped LDD結構，即閘極汲極重疊LDD)結構)。在本實施方式中，示出作為構成像素部的電晶體211使用設置有LDD區域的n型電晶體，作為構成驅動器電路部的電晶體221使用GOLD結構的n型電晶體的例子，但是不侷限於此。也可以在構成像素部220的電晶體中設置GOLD結構。
接著，形成層間絕緣膜。這裡，作為層間絕緣膜形成絕緣膜236。接著，在絕緣膜231、絕緣膜236中選擇性地形成開口部，形成用作源極電極或汲極電極的導電層218、導電層228(圖4C)。
絕緣膜236可以使用利用CVD法或濺射法等形成的氧化矽、氧氮化矽、氮化矽等的絕緣膜。此外，可以使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、苯並環丁烯類樹脂、矽氧烷類樹脂、聚醯胺樹脂、環氧樹脂等有機樹脂形成。這裡，絕緣膜236利用CVD法使用氧化矽、氧氮化矽或氮化矽形成。
導電層218、導電層228可以使用由選自鋁、鎢、鈦、鉭、鉬、鎳、釹中的一種元素或者包含多種該元素的合金構成的單層或疊層結構。例如，作為由包含多種上述元素的合金構成的導電層，可以由含有鈦的鋁合金、含有釹的鋁合金等來形成。此外，當以疊層結構形成導電 層218、導電層228時，例如，也可以是在鈦層之間夾有鋁層或上述鋁合金層的疊層結構。將導電層218、導電層228用作電晶體的源極電極或汲極電極。
接著，形成絕緣膜238。然後，在絕緣膜238中設置開口部，以與導電層218電連接的方式形成用作像素電極的導電層206。在發光裝置中將導電層206用作陽極或陰極(圖4D)。
作為絕緣膜238可以使用利用CVD法或濺射法等形成的氧化矽、氧氮化矽、氮化矽等的絕緣膜。此外，可以使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、苯並環丁烯類樹脂、矽氧烷類樹脂、聚醯胺樹脂、環氧樹脂等有機樹脂形成。
作為用作像素電極的導電層206使用由透光導電材料構成的透明導電膜即可，可以使用包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物等。當然，也可以使用銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加有氧化矽的銦錫氧化物等。此外，也可以使用選自功函數大的材料諸如鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、錫(Sn)、銦(In)或鉬(Mo)中的元素或以上述元素為主要成分的合金材料諸如氮化鈦、氮化矽鈦、矽化鎢、氮化鎢、氮矽化鎢、氮化鈮等以單層或疊層設置。
藉由上述步驟，可以製造圖1A的液晶顯示裝置所示的電晶體211及電晶體221。
注意，本實施方式所示的結構等可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
<變形例>
將參照圖5對實施方式1中的閘極電極的變形例進行說明。
在圖2中示出在閘極電極中導電層具有兩層結構的例子，在圖5中示出閘極電極使用導電層261的單層結構的例子。
圖5的雜質區域266、雜質區域276是低濃度的雜質區域，並用作電晶體的LDD區域。圖5的雜質區域267、雜質區域277是高濃度的雜質區域，並用作電晶體的源極區域或汲極區域。作為低濃度的雜質區域266、雜質區域276及高濃度的雜質區域267、雜質區域277的製造方法，與圖4A及圖4B所示的低濃度的雜質區域216及高濃度的雜質區域217的製造方法相同，採用使用光阻遮罩形成的方法。
藉由使用具有單層結構的閘極電極，可以使電晶體的製程簡化，由此可以降低成本。
實施方式2
在本實施方式中，將參照圖式對與上述實施方式不同的半導體裝置的結構進行說明。
在圖6中，電晶體811是構成像素部的電晶 體，電晶體821是構成驅動器電路部的電晶體。
如圖6所示，在基板800上形成有用作閘極電極的導電層832。以覆蓋導電層832的方式形成有用作閘極絕緣膜的絕緣膜831。在絕緣膜831上形成有半導體層812、半導體層822。在半導體層812中形成有通道區域816、雜質區域817，在半導體層822中形成有通道區域826、雜質區域827。將雜質區域817及雜質區域827用作源極區域及汲極區域。
作為基板800可以適當地使用實施方式1所示的基板200。
導電層832使用選自鉬(Mo)、鋁(Al)、組(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鈮(Nb)、釹、鈧、鎳等中的元素或以這些元素為主要成分的合金材料或化合物材料(例如氮化鉭)以單層或疊層形成。或者，使用以摻雜磷等雜質元素的多晶矽為代表的半導體材料形成導電層832。
例如，作為導電層832的兩層的疊層結構，較佳為採用如下結構：在鋁膜上層疊鉬膜的兩層結構；在銅膜上層疊鉬膜的兩層結構；在銅膜上層疊氮化鈦膜或氮化鉭膜的兩層結構；層疊氮化鈦膜和鉬膜的兩層結構；層疊含有氧的銅-鎂合金膜和銅膜的兩層結構；含有氧的銅-錳合金膜和銅膜的兩層結構；層疊銅-錳合金膜和銅膜的兩層結構等。作為三層的疊層結構，較佳為採用層疊鎢膜或氮化鎢膜、鋁與矽的合金膜或鋁與鈦的合金膜和氮化鈦 膜或鈦膜的三層結構。藉由在低電阻膜上層疊用作障壁膜的金屬膜，可以降低電阻，並且可以防止金屬元素從金屬膜擴散到半導體膜中。
此外，藉由形成導電層832的製程，也可以同時形成閘極佈線(掃描線)及電容佈線。注意，掃描線是指選擇像素的佈線，而電容佈線是指與像素的儲存電容中的一個電極連接的佈線。但是，不侷限於此，而也可以分別設置閘極佈線和電容佈線中的一者或兩者和導電層832。
絕緣膜831可以利用CVD法或濺射法等形成。
此外，藉由作為絕緣膜831，利用使用有機矽烷氣體的CVD法形成氧化矽膜，可以提高後面形成的半導體膜的結晶性，由此可以提高電晶體的通態電流及場效移動率。作為有機矽烷氣體，可以使用如四乙氧基矽烷(TEOS：化學式為Si(OC2H5)4)、四甲基矽烷(TMS：化學式為Si(CH3)4)、四甲基環四矽氧烷(TMCTS)、八甲基環四矽氧烷(OMCTS)、六甲基二矽氮烷(HMDS)、三乙氧基矽烷(SiH(OC2H5)3)、三(二甲基胺基)矽烷(SiH(N(CH3)2)3)等含矽化合物。
作為半導體層812、半導體層822較佳為使用結晶矽層，也可以使用非晶矽層。結晶矽層首先形成非晶矽膜然後對其照射雷射而晶化形成。或者，也可以在非晶體矽膜上形成Ni等金屬的膜之後，對非晶體矽膜進行熱 晶化。或者利用CVD法形成結晶矽膜。用來形成雜質區域817及雜質區域827的雜質元素的引入可以藉由離子摻雜法、離子植入法等使用n型或p型的雜質元素進行。作為顯示n型的雜質元素，可以使用磷(P)、砷(As)等。作為顯示p型的雜質元素，可以使用硼(B)、鋁(Al)或鎵(Ga)等。這裡，藉由使用磷(P)進行離子摻雜，製造n型電晶體811、n型電晶體821。
導電層818及導電層828是源極電極及汲極電極。導電層818及導電層828可以使用由選自鋁、鎢、鈦、鉭、鉬、鎳、釹中的一種元素或者包含多種該元素的合金構成的單層或疊層結構。例如，作為由包含多種上述元素的合金構成的導電層，可以由含有鈦的鋁合金、含有釹的鋁合金等來形成。此外，當以疊層結構形成導電層818及導電層828時，例如，也可以是在鈦層之間夾有鋁層或上述鋁合金層的疊層結構。也可以使用添加有成為施體的雜質元素的結晶矽。也可以採用如下疊層結構，即使用鈦、鉭、鉬、鎢或這些元素的氮化物形成與添加有成為施體的雜質元素的結晶矽接觸一側的膜，並在其上形成鋁或鋁合金。而且，還可以採用如下疊層結構，即鋁或鋁合金的頂面及底面被夾在鈦、鉭、鉬、鎢或這些元素的氮化物之間。導電層818及導電層828藉由CVD法、濺射法或真空蒸鍍法來形成。此外，導電層818和導電層828中的一個不僅用作源極電極或汲極電極而且用作信號線。但是，並不侷限於此，也可以將信號線與源極電極及汲極電 極分別設置。
絕緣膜837及絕緣膜838是層間絕緣膜。導電層806是像素電極。導電層806在發光裝置中用作陽極或陰極。這裡，示出在設置在導電層818上的絕緣膜838上形成有導電層806的例子，但不侷限於此。例如，也可以採用在絕緣膜837上設置導電層806的結構。
絕緣膜837及絕緣膜838可以使用利用CVD法或濺射法等形成的氧化矽、氧氮化矽、氮化矽等的絕緣膜。此外，可以使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、苯並環丁烯類樹脂、矽氧烷類樹脂、聚醯胺樹脂、環氧樹脂等有機樹脂形成。
作為導電層806使用由透光導電材料構成的透明導電膜即可，可以使用包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物等。當然，也可以使用銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加有氧化矽的銦錫氧化物等。此外，也可以使用選自功函數大的材料諸如鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、錫(Sn)、銦(In)或鉬(Mo)中的元素或以上述元素為主要成分的合金材料諸如氮化鈦、氮化矽鈦、矽化鎢、氮化鎢、氮矽化鎢、氮化鈮等以單層或疊層設置。
元件符號851是配向膜。作為配向膜851，可以使用聚醯亞胺等有機樹脂。配向膜851的厚度較佳為40nm以上且100nm以下，更佳為50nm以上且90nm以 下。藉由採用上述厚度，可以增大液晶材料的預傾角。藉由增大液晶材料的預傾角，可以減少向錯。
此外，在基板842上形成有有色的膜(以下稱為有色膜846)。將有色膜846用作濾色片。另外，與有色膜846相鄰的遮光膜844形成在基板842上。將遮光膜844用作黑矩陣。此外，不一定需要設置有色膜846，例如當液晶顯示裝置進行黑白顯示時等也可以不設置有色膜846。
作為有色膜846，可以使用使特定的波長區域的光透過的有色膜，例如可以使用使紅色的波長區域的光透過的紅色(R)濾色片、使綠色的波長區域的光透過的綠色(G)濾色片或使藍色的波長區域的光透過的藍色(B)濾色片等。
遮光膜844只要具有阻擋特定的波長區域的光的功能，則作為遮光膜844可以使用金屬膜或包含黑色顏料等的有機絕緣膜等。
此外，在有色膜846上形成有絕緣膜848。絕緣膜848具有平坦化膜的功能或抑制有色膜846可能包含的雜質擴散到液晶元件一側的功能。
在絕緣膜848上形成有導電層808。導電層808具有像素部的液晶元件所包括的一對電極中的另一個的功能。此外，在導電層806上形成有配向膜851，在導電層808上形成有配向膜852。
在導電層806與導電層808之間形成有液晶 層807。此外，使用密封材料(未圖示)將液晶層807密封在基板800與基板842之間。另外，密封材料與無機材料接觸以抑制來自外部的水分等侵入較佳。
也可以在導電層806與導電層808之間設置間隔物以保持液晶層807的厚度(也稱為單元間隙)。
注意，本實施方式所示的結構等可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
實施方式3
在本實施方式中對上述實施方式所示的顯示裝置的驅動器電路部進行說明。
在圖9中作為顯示裝置的驅動器電路的一個例子示出閘極驅動器電路的整體的圖。閘極驅動器電路600包括：多個移位暫存器單元601；偽級的移位暫存器單元602；與各移位暫存器單元601電連接的解多工器電路603；與移位暫存器單元602電連接的解多工器電路604；以及傳輸起動脈衝SP、時脈信號(CLK1至CLK8)的多個信號線。
對移位暫存器單元601(這裡，使用第一級移位暫存器單元進行說明)如圖10A所示輸入設定信號LIN(這裡起動脈衝SP)、重設信號RIN、時脈信號(這裡CLK6及CLK7)。圖10B示出具體電路結構的一個例子。移位暫存器單元601包括第一電晶體611至第六電晶體616。
第一電晶體611的源極和汲極中的一個與高電源電位線VDD連接，第一電晶體611的源極和汲極中的另一個與第二電晶體612的源極和汲極中的一個及解多工器電路603的輸入端子FN1連接，對第一電晶體611的閘極輸入設定信號LIN。第二電晶體612的源極和汲極中的另一個與低電源電位線VSS連接，第二電晶體612的閘極與解多工器電路603的輸入端子FN2、第四電晶體614的源極和汲極中的一個、第五電晶體615的源極和汲極中的一個及第六電晶體616的源極和汲極中的一個連接。第三電晶體613的源極和汲極中的一個與高電源電位線VDD連接，第三電晶體613的源極和汲極中的另一個與第四電晶體614的源極和汲極中的另一個連接，對第三電晶體613的閘極輸入時脈信號CLK7。對第四電晶體614的閘極輸入時脈信號CLK6。第五電晶體615的源極和汲極中的另一個與低電源電位線VSS連接，對第五電晶體615的閘極輸入設定信號LIN。第六電晶體616的源極和汲極中的另一個與高電源電位線VDD連接，對第六電晶體616的閘極輸入重設信號RIN。此外，將第一電晶體611的源極和汲極中的另一個及第二電晶體612的源極和汲極中的一個電連接的部分稱為節點FN1。另外，將第二電晶體612的閘極、第四電晶體614的源極和汲極中的一個、第五電晶體615的源極和汲極中的一個及第六電晶體616的源極和汲極中的一個電連接的部分稱為節點FN2。
此外，對8a+1級(a是0或自然數)移位暫存器單元601輸入時脈信號CLK6及CLK7，對8a+2級(a是0或自然數)移位暫存器單元601輸入時脈信號CLK3及CLK4，對8a+3級(a是0或自然數)移位暫存器單元601輸入時脈信號CLK1及CLK8，對8a+4級(a是0或自然數)移位暫存器單元601輸入時脈信號CLK5及CLK6，對8a+5級(a是0或自然數)移位暫存器單元601輸入時脈信號CLK2及CLK3，對8a+6級(a是0或自然數)移位暫存器單元601輸入時脈信號CLK7及CLK8，對8a+7級(a是0或自然數)移位暫存器單元601輸入時脈信號CLK4及CLK5，對8(a+1)級(a是0或自然數)移位暫存器單元601輸入時脈信號CLK1及CLK2。
對偽級的移位暫存器單元602如圖11A所示輸入設定信號LIN、時脈信號(這裡CLK3及CLK4)。圖11B示出具體電路結構的一個例子。移位暫存器單元602具有第一電晶體611至第五電晶體615。
第一電晶體611的源極和汲極中的一個與高電源電位線VDD連接，第一電晶體611的源極和汲極中的另一個與第二電晶體612的源極和汲極中的一個及解多工器電路604的輸入端子FN1連接，對第一電晶體611的閘極輸入設定信號LIN。第二電晶體612的源極和汲極中的另一個與低電源電位線VSS連接，第二電晶體612的閘極與解多工器電路604的輸入端子FN2、第四電晶體 614的源極和汲極中的一個及第五電晶體615的源極和汲極中的一個連接。第三電晶體613的源極和汲極中的一個與高電源電位線VDD連接，第三電晶體613的源極和汲極中的另一個與第四電晶體614的源極和汲極中的另一個連接，對第三電晶體613的閘極輸入時脈信號CLK4。對第四電晶體614的閘極輸入時脈信號CLK3。第五電晶體615的源極和汲極中的另一個與低電源電位線VSS連接，對第五電晶體615的閘極輸入設定信號LIN。此外，將第一電晶體611的源極和汲極中的另一個及第二電晶體612的源極和汲極中的一個電連接的部分稱為節點FN1。另外，將第二電晶體612的閘極、第四電晶體614的源極和汲極中的一個及第五電晶體615的源極和汲極中的一個電連接的部分稱為節點FN2。
對解多工器電路603及解多工器電路604如圖12A及圖13A所示輸入時脈信號、來自移位暫存器單元601及移位暫存器單元602的輸出信號(輸入到輸入端子FN1及輸入端子FN2的信號)，而輸出輸出信號。圖12B及圖13B示出具體電路結構的一個例子。解多工器電路603及解多工器電路604具有緩衝器605。
圖14示出緩衝器605的具體電路結構的一個例子。對第七電晶體617的源極和汲極中的一個輸入時脈信號CLK(時脈信號CLK1至CLK8中的任一個)，第七電晶體617的源極和汲極中的另一個與第八電晶體618的源極和汲極中的一個及輸出端子連接，第七電晶體617的 閘極與節點FN1連接。第八電晶體618的源極和汲極中的另一個與低電源電位線VSS連接，第八電晶體618的閘極與節點FN2連接。
此外，移位暫存器單元也可以是移位暫存器單元601a，其中如圖15A及圖15B所示，除了移位暫存器單元601以外還設置電晶體621、電晶體622、電晶體623及電容元件624。此外，對電晶體623的閘極輸入重設信號RES。
同樣地，偽級的移位暫存器單元也可以是移位暫存器單元602a，其中如圖16A及圖16B所示，除了移位暫存器單元602以外還設置電晶體621、電晶體622、電晶體623及電容元件624。此外，對電晶體623的閘極輸入重設信號RES。
當進行移位暫存器單元的初期化時，輸入重設信號RES的脈衝，使電晶體623處於導通狀態，節點FN2的電位成為高電源電位線VDD的電位。另外，藉由節點FN2的電位，使第二電晶體612及電晶體621處於導通狀態，節點FN1的電位成為低電源電位線VSS的電位，由此可以使移位暫存器單元初期化。此外，重設信號RES藉由共同信號線輸入所有移位暫存器單元。
此外，如圖17A及圖17B所示，緩衝器605也可以替換成設置有電晶體625及電容元件619的緩衝器605a。
電容元件具有保持電荷的儲存電容的功能。
在第一級移位暫存器單元601中時脈信號CLK1至CLK5輸入到解多工器電路603中，而解多工器電路603輸出輸出信號OUT1至OUT5。
此外，藉由在不輸出閘極選擇輸出信號的期間將節點FN2固定為高電位，使第二電晶體612及第八電晶體618一直處於導通狀態，而穩定地輸出低電位。但是，在第五電晶體615的截止電流(cutoff current)(閘極電圧為0V時流過的汲極電流)較大的情況下，節點FN2的電荷藉由第五電晶體615洩露，所以需要定期性地補充電荷。由此，使用時脈信號CLK6及CLK7使第三電晶體613及第四電晶體614處於導通狀態，從高電源電位線VDD供應節點FN2的電荷。另外，第一級移位暫存器單元601的閘極選擇輸出期間(節點FN1為高電位的期間)是後面說明的從起動脈衝SP的上升(設定)至時脈信號CLK7的上升(重設)，使用兩個時脈信號，不使閘極選擇輸出期間與定期性的電荷的補充的時序重疊。
此外，在第一級移位暫存器單元601中時脈信號CLK8不輸入到任何部分中。該時脈信號不與定期性的電荷的補充的時序重疊。
同樣地，在第二級移位暫存器單元601中，時脈信號CLK1、CLK2、CLK6至CLK8輸入到解多工器電路603中，解多工器電路603輸出輸出信號OUT1至OUT5。時脈信號CLK3及CLK4具有定期性地補充電荷的功能。此外，在第二級移位暫存器單元601中時脈信號 CLK5不輸入到任何部分中。
第三級以後的移位暫存器單元601也是同樣的。換而言之，在1級移位暫存器單元中5個時脈信號輸入到解多工器電路603中，解多工器電路603輸出5個輸出信號。此外，其他2個時脈信號用作定期性地補充電荷，其輸入到移位暫存器單元601中。再者，其他1個時脈信號不輸入到任何部分中。
此外，偽級的移位暫存器單元602也是同樣的，時脈信號CLK1及CLK2輸入到解多工器電路604中，解多工器電路604輸出輸出信號DUMOUT1及DUMOUT2。時脈信號CLK3及CLK4具有定期性地補充電荷的功能。
此外，在本實施方式中，時脈信號的數量為8個，但是本發明不侷限於此，時脈信號的數量至少為4個以上即可。例如，當時脈信號的數量為n時，無助於輸出信號的時脈信號為3個，所以輸出信號的數量為n-3。
換而言之，藉由使移位暫存器單元的每一級與傳輸時脈信號的n個信號線連接，能夠輸出n-3個輸出信號，n越大，無助於輸出的傳輸時脈信號的信號線的比例越小，所以與移位暫存器單元的每一級輸出1個輸出信號的習知的結構相比，移位暫存器單元部分的佔有面積變小，由此能夠使閘極驅動器電路600的寬度變窄。
這裡，簡單地說明使閘極驅動器電路600的寬度變窄的情況。圖18A示出習知的閘極驅動器電路的方 塊圖，而圖18B示出本實施方式的閘極驅動器電路的方塊圖。
在圖18A所示的習知的閘極驅動器電路中，移位暫存器單元SR的每一級與傳輸時脈信號的4個信號線CLK_LINE連接，由1個緩衝器BUF輸出1個信號。另一方面，在圖18B所示的本實施方式的閘極驅動器電路中，移位暫存器單元SR的每一級與傳輸時脈信號的8個信號線CLK_LINE連接，由5個緩衝器BUF輸出5個信號。
本實施方式的閘極驅動器電路與習知的閘極驅動器電路相比可以縮減移位暫存器單元的每一級的橫向的佈局寬度。縱向的佈局寬度因緩衝器BUF的增加(這裡習知的閘極驅動器電路的5倍)而增大，但不影響到閘極驅動器電路的邊框。因此，可以縮減移位暫存器單元的每一級的橫向的佈局寬度，由此可以實現窄邊框化。此外，傳輸時脈信號的信號線CLK_LINE的個數比習知的閘極驅動器電路多，但由此減少信號線CLK_LINE的每一個中的負載電容。由此，即使使信號線CLK_LINE變細而使負載電阻增大(因為時間常數=負載電容×負載電阻)遲延時間也不變化。由此，以獲得相同的時間常數的方式使信號線的寬度變細，可以抑制佈局寬度的增加，由此即使信號線CLK_LINE的個數增加也能夠使閘極驅動器電路的寬度變窄。
接著，參照圖19所示的時序圖說明閘極驅動 器電路600的工作。這裡，設定信號LIN、重設信號RIN及時脈信號CLK1至CLK8的高電位與高電源電位線VDD相等，低電位與低電源電位線VSS相等。
在圖19所示的閘極驅動器電路600的驅動方法中，首先，起動脈衝SP成為高電位，第一電晶體611及第五電晶體615處於導通狀態。此外，由於重設信號RIN(輸出信號OUT7)為低電位，所以第六電晶體616處於非導通狀態。另外，由於時脈信號CLK1至CLK6為低電位且時脈信號CLK7及CLK8為高電位，所以第四電晶體614及第七電晶體617成為非導通狀態，且第三電晶體613成為導通狀態。
此時，節點FN1的電位成為從高電源電位線VDD的電位減第一電晶體611的臨界電壓的值(VDD-Vth(611))，節點FN2的電位成為低電源電位線VSS的電位，第七電晶體617成為導通狀態，第八電晶體618成為非導通狀態，所以輸出信號OUT1至OUT5成為與時脈信號CLK1至CLK5相同的低電位。
接著，時脈信號CLK7成為低電位，第三電晶體613成為非導通狀態。另外，在第三電晶體613的源極和汲極中的另一個與第四電晶體614的源極和汲極中的一個電連接的節點中保持高電位。
接著，時脈信號CLK1從低電位變為高電位，由於自舉而節點FN1的電位上升了相當於時脈信號CLK1的振幅的電壓。其結果是，第七電晶體617成為導 通狀態，輸出信號OUT1輸出高電位(時脈信號CLK1的電位)。此外，當時脈信號CLK2以後的時脈信號從低電位變為高電位時也同樣地發生上述自舉。接著，時脈信號CLK8成為低電位，但在第一級移位暫存器單元601中不使用時脈信號CLK8的信號，所以沒有變化。接著，時脈信號CLK2成為高電位，輸出信號OUT2輸出高電位。然後，時脈信號CLK1成為低電位，輸出信號OUT1輸出低電位。此後，輸出信號OUT3及OUT4也是同樣的。此外，當時脈信號CLK5成為高電位且輸出信號OUT5成為高電位時，第二級移位暫存器單元601的設定信號LIN成為高電位。
在第一級移位暫存器單元601中，當時脈信號CLK6成為高電位時，第四電晶體614成為導通狀態。接著，時脈信號CLK5成為低電位，輸出信號OUT5輸出低電位。
此外，在第二級移位暫存器單元601中，設定信號LIN(輸出信號OUT5)成為高電位，第一電晶體611及第五電晶體615成為導通狀態。此外，由於重設信號RIN(輸出信號OUT12)為低電位，所以第六電晶體616成為非導通狀態。另外，由於時脈信號CLK1、CLK2、CLK6至CLK8為低電位且時脈信號CLK4及CLK5為高電位，所以第四電晶體614及第七電晶體617成為非導通狀態，第三電晶體613成為導通狀態。
此時，由於節點FN1的電位成為從高電源電 位線VDD的電位減第一電晶體611的臨界電壓的值(VDD-Vth(611))，節點FN2的電位成為低電源電位線VSS的電位，第七電晶體617成為導通狀態，第八電晶體618成為非導通狀態，所以輸出信號OUT6至OUT10成為與時脈信號CLK1、CLK2、CLK6至CLK8相同的低電位。
接著，時脈信號CLK4成為低電位，第三電晶體613成為非導通狀態。此外，在第三電晶體613的源極和汲極中的另一個及第四電晶體614的源極和汲極中的一個電連接的節點中保持高電位。
接著，時脈信號CLK6從低電位變為高電位，由於自舉而節點FN1的電位上升了相當於時脈信號CLK6的振幅的電壓。其結果是，第七電晶體617成為導通狀態，輸出信號OUT6輸出高電位(時脈信號CLK6的電位)。接著，時脈信號CLK5成為低電位，但在第二級移位暫存器單元601中不使用時脈信號CLK5的信號，所以沒有變化。接著，時脈信號CLK7成為高電位，輸出信號OUT7輸出高電位。
此時，在第一級移位暫存器單元601中，重設信號RIN(輸出信號OUT7)成為高電位，使第六電晶體616處於導通狀態，節點FN2的電位成為高電源電位線VDD的電位。此外，藉由使用節點FN2的電位使第二電晶體612處於導通狀態，節點FN1的電位成為低電源電位線VSS的電位，由此進行重設。
此外，第二級移位暫存器單元601也與第一 級移位暫存器單元601同樣地驅動。
總之，作為第m級(m是自然數)移位暫存器單元601的設定信號LIN輸入第m-1級移位暫存器單元601的輸出信號OUT5(m-1)，而作為第m級移位暫存器單元601的重設信號RIN輸入第m+1級移位暫存器單元601的輸出信號OUT5(m+2)。此外，m為1時的設定信號LIN成為起動脈衝SP。
此外，偽級的移位暫存器單元602也與移位暫存器單元601同樣，藉由具有該移位暫存器單元602，可以對移位暫存器單元601的最後級輸入重設信號RIN。
注意，在本實施方式中，將時脈信號的脈衝與下一個時脈信號的脈衝的重疊設定為脈衝寬度的1/3，但本發明不侷限於此，只要是脈衝寬度的1/2以下就可以採用任何重疊。此外，也可以同時進行時脈信號的脈衝的下降與下一個時脈信號的脈衝的上升。此外，在同時進行時脈信號的脈衝的下降與下一個時脈信號的脈衝的上升的情況下，由於第一級移位暫存器單元601的閘極選擇輸出期間是從起動脈衝SP的上升(設定)至時脈信號CLK6的上升(重設)的期間，所以只有一個用於定期性的電荷的補充的時脈信號即可。
本實施方式所示的結構等可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
實施方式4
本發明的一個方式的半導體裝置可以應用於能夠檢測出目標物的接近或接觸的感測器(例如，靜電容量式、電阻膜式、表面聲波式、紅外線式、光學式等觸摸感測器)或能夠獲得用於醫療的射線影像的射線影像檢測裝置。此外，本發明的一個方式的半導體裝置可以應用於各種電子裝置(包括遊戲機)。作為電子裝置，可以舉出電視機(也稱為電視或電視接收機)、用於電腦等的監視器、數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話機、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音頻再生裝置、遊戲機(彈珠機(pachinko machine)或投幣機(slot machine)等)、外殼遊戲機。圖7A至圖7C示出上述電子裝置的一個例子。
圖7A示出具有顯示部的桌子9000。在桌子9000中，外殼9001組裝有顯示部9003，能夠利用顯示部9003來顯示視頻。另外，示出利用四個桌腿9002來支撐外殼9001的結構。另外，外殼9001具有用於供應電力的電源供應線9005。
可以將上述實施方式中任一個所示的半導體裝置用於顯示部9003。因此，可以提高顯示部9003的顯示品質。
顯示部9003具有觸屏輸入功能，藉由用手指等按觸顯示於桌子9000的顯示部9003上的顯示按鈕9004，可以進行畫面操作或資訊輸入，並且桌子9000也可以用作如下控制裝置，即藉由使其具有能夠與其他家電 產品進行通信的功能或能夠控制其他家電產品的功能，從而藉由畫面操作來控制其他家電產品。例如，藉由使用具有影像感測器功能的半導體裝置，可以使顯示部9003具有觸屏輸入功能。
另外，利用設置於外殼9001的鉸鏈也可以將顯示部9003的畫面以垂直於地板的方式立起來，從而也可以用作電視機。雖然當在小房間裡設置大畫面的電視機時，自由使用的空間變小，但是若在桌子內安裝有顯示部則可以有效地利用房間的空間。
圖7B示出電視機9100。在電視機9100中，外殼9101組裝有顯示部9103，並且能夠利用顯示部9103來顯示視頻。此外，在此示出利用支架9105來支撐外殼9101的結構。
藉由利用外殼9101所具備的操作開關、另外提供的遙控器9110，能夠進行電視機9100的操作。藉由利用遙控器9110所具備的操作鍵9109，能夠進行頻道及音量的操作，並可以對在顯示部9103上顯示的視頻進行操作。此外，也可以採用在遙控器9110中設置對從該遙控器9110輸出的資訊進行顯示的顯示部9107的結構。
圖7B所示的電視機9100具備接收機及數據機等。電視機9100可以利用接收機來接收一般的電視廣播，而且，電視機9100藉由數據機連接到有線或無線方式的通信網路，也可以進行單向(從發送者到接收者)或雙向(發送者和接收者之間或接收者彼此之間等)的資訊 通信。
可以將上述實施方式中任一個所示的半導體裝置用於顯示部9103、顯示部9107。因此，可以提高電視機的顯示品質。
圖7C示出電腦9200，該電腦包括主體9201、外殼9202、顯示部9203、鍵盤9204、外部連接埠9205、指向裝置9206等。
可以將上述實施方式中任一個所示的半導體裝置用於顯示部9203。因此，可以提高電腦9200的顯示品質。
圖8A和圖8B是能夠折疊的平板終端。圖8A是打開的狀態，並且平板終端包括外殼9630、顯示部9631a、顯示部9631b、顯示模式切換開關9034、電源開關9035、省電模式切換開關9036、卡子9033以及操作開關9038。
可以將上述實施方式中任一個所示的半導體裝置用於顯示部9631a、顯示部9631b。因此，可以提高平板終端的顯示品質。
在顯示部9631a中，可以將其一部分用作觸控面板的區域9632a，並且可以藉由按觸所顯示的操作鍵9638來輸入資料。此外，作為一個例子在此示出：顯示部9631a的一半區域只具有顯示的功能，並且另一半區域具有觸控面板的功能，但是並不侷限於該結構。也可以採用顯示部9631a的整個區域具有觸控面板的功能的結構。 例如，可以使顯示部9631a的整個面顯示為鍵盤按鈕來將其用作觸控面板，並且將顯示部9631b用作顯示畫面。
此外，顯示部9631b也與顯示部9631a同樣，可以將其一部分用作觸控面板的區域9632b。此外，藉由使用手指或觸控筆等按觸觸控面板的顯示有鍵盤顯示切換按鈕9639的位置，可以在顯示部9631b顯示鍵盤按鈕。
此外，也可以對觸控面板的區域9632a和觸控面板的區域9632b同時進行按觸輸入。
另外，顯示模式切換開關9034能夠進行豎屏顯示和橫屏顯示等顯示的方向的切換以及黑白顯示或彩色顯示等的切換等。根據內置於平板終端中的光感測器所檢測的使用時的外光的光量，省電模式切換開關9036可以將顯示的亮度設定為最適合的亮度。平板終端除了光感測器以外，還可以內置陀螺儀和加速度感測器等檢測傾斜度的感測器等的其他檢測裝置。
此外，圖8A示出顯示部9631b的顯示面積與顯示部9631a的顯示面積相同的例子，但是本發明的一個方式並不侷限於此，一個的尺寸和另一個的尺寸可以不同，並且它們的顯示品質也可以不同。例如可以設定為顯示面板的其中一個進行比另一個具有更高精細的顯示。
圖8B是合上的狀態，並且平板終端包括外殼9630、太陽能電池9633、充放電控制電路9634。此外，在圖8B中，作為充放電控制電路9634的一個例子示出具 有電池9635和DCDC轉換器9636的結構。
此外，平板終端可以折疊，因此不使用時可以合上外殼9630。因此，可以保護顯示部9631a和顯示部9631b，因而，可以提供一種具有良好的耐久性且從長期使用的觀點來看具有高可靠性的平板終端。
此外，圖8A和圖8B所示的平板終端還可以具有如下功能：顯示各種各樣的資訊(靜態影像、動態影像、文字影像等)的功能；將日曆、日期或時刻等顯示在顯示部上的功能；對顯示在顯示部上的資訊進行操作或編輯的觸摸輸入功能；藉由各種各樣的軟體(程式)來控制處理的功能等。
藉由利用安裝在平板終端的表面上的太陽能電池9633，可以將電力供應到觸控面板、顯示部或視訊信號處理部等。另外，太陽能電池9633可以設置在外殼9630的單面或兩面，因此可以進行高效的電池9635的充電。另外，當使用鋰離子電池以作為電池9635時，有可以實現小型化等的優點。
另外，參照圖8C所示的方塊圖，對圖8B所示的充放電控制電路9634的結構和工作進行說明。圖8C示出太陽能電池9633、電池9635、DCDC轉換器9636、轉換器9637、開關SW1至SW3以及顯示部9631，電池9635、DCDC轉換器9636、轉換器9637、開關SW1至SW3對應於圖8B所示的充放電控制電路9634。
首先，說明在利用外光使太陽能電池9633進 行發電時的工作的例子。使用DCDC轉換器9636對太陽能電池所產生的電力進行升壓或降壓以使它成為用來對電池9635進行充電的電壓。並且，當利用來自太陽能電池9633的電力使顯示部9631工作時，使開關SW1導通，並且，利用轉換器9637將其升壓或降壓到顯示部9631所需要的電壓。另外，當不進行顯示部9631中的顯示時，可以採用使開關SW1截止且使開關SW2導通以對電池9635進行充電的結構。
注意，作為發電單元的一個例子，示出太陽能電池9633，但是並不侷限於此，也可以使用壓電元件(piezoelectric element)或熱電轉換元件(珀耳帖元件(Peltier element))等其他發電單元來對電池9635進行充電。例如，也可以使用以無線(不接觸)的方式能夠收發電力來進行充電的無線電力傳輸模組或組合其他充電方法來進行充電。
本實施方式所示的結構等可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。

Claims (21)

  1. 一種驅動器電路，包括：移位暫存器單元；與該移位暫存器單元電連接的解多工器電路；以及n個時脈信號線，其中，n是4以上的自然數，該移位暫存器單元及該解多工器電路每一個都包括含矽的半導體元件，該移位暫存器單元與1或更多n個時脈信號線電連接，並且，該解多工器電路與1個至(n-3)個時脈信號線電連接。
  2. 一種驅動器電路，包括：m個移位暫存器單元；與該m個移位暫存器單元電連接的m個解多工器電路；以及n個時脈信號線，其中，m是3以上的自然數，n是4以上的自然數，在該m個移位暫存器單元和該m個解多工器電路中的至少一個中包括含矽的半導體元件，該m個移位暫存器單元的每一個與1或更多n個時脈信號線電連接，該m個解多工器電路的每一個與1個至(n-3)個時脈信號線電連接，第(m-2)解多工器電路的輸出之一輸入到第(m-1)移位暫存器單元，並且，第m解多工器電路的輸出之一輸入到該第(m-1)移位暫存器單元。
  3. 根據申請專利範圍第1或2項之驅動器電路，其中該矽是結晶矽。
  4. 一種驅動器電路，包括：移位暫存器單元，包括：設定信號線；第一電晶體；第二電晶體；第三電晶體；第四電晶體；第五電晶體；以及第六電晶體；解多工器電路；以及n個時脈信號線，其中，n是4以上的自然數，該第一電晶體的源極和汲極中的一個與高電源電位線電連接，該第一電晶體的源極和汲極中的另一個與該第二電晶體的源極和汲極中的一個及該解多工器電路電連接，該第一電晶體的閘極與該設定信號線電連接，該第二電晶體的源極和汲極中的另一個與低電源電位線電連接，該第二電晶體的閘極與該解多工器電路、該第四電晶體的源極和汲極中的一個、該第五電晶體的源極和汲極中的一個及該第六電晶體的源極和汲極中的一個電連接，該第三電晶體的源極和汲極中的一個與該高電源電位線電連接，該第三電晶體的源極和汲極中的另一個與該第四電晶體的源極和汲極中的另一個電連接，該第三電晶體的閘極與該n個時脈信號線之一電連接，該第四電晶體的閘極與該n個時脈信號線之另一電連接，該第五電晶體的源極和汲極中的另一個與該低電源電位線電連接，該第五電晶體的閘極與該設定信號線電連接，該第六電晶體的源極和汲極中的另一個與該高電源電位線電連接，該第六電晶體的閘極與重設信號線電連接，該第一至第六電晶體中的至少一個包括含矽的通道形成區域，該解多工器電路包括a個緩衝器，a是1至(n-3)的自然數，該a個緩衝器的一個與該第一電晶體的源極和汲極中的另一個及該第二電晶體的閘極電連接，該a個緩衝器的每一個與對應的該n個時脈信號線之一電連接，並且，該a個緩衝器的每一個包括輸出端子。
  5. 根據申請專利範圍第4項之驅動器電路，其中在該第一至第六電晶體的至少一個的通道形成區域中包括結晶矽。
  6. 一種驅動器電路，包括：m個移位暫存器單元；與該m個移位暫存器單元電連接的m個解多工器電路；以及n個時脈信號線，其中，m是3以上的自然數，其中，n是4以上的自然數，其中，含矽的半導體元件係包括於該m個移位暫存器單元及該m個解多工器電路之至少一者中，其中，該m個移位暫存器單元之各者電連接至1或更多n個時脈信號線，其中，該m個解多工器電路之各者電連接至1個至(n-3)個時脈信號線，其中，第m-2個解多工器電路之輸出的一者被輸入至第m-1個移位暫存器單元，其中，第m個解多工器電路之輸出的一者被輸入至該m-1個移位暫存器單元，以及其中，該矽是多晶矽。
  7. 一種驅動器電路，包括：m個移位暫存器單元，各移位暫存器包括：設定信號線；第一電晶體；第二電晶體；第三電晶體；第四電晶體；第五電晶體；以及第六電晶體；m個解多工器電路；以及n個時脈信號線，其中，m是3以上的自然數，其中，n是4以上的自然數，其中，該第一電晶體的源極和汲極之一者電連接至高電源電位線，其中，該第一電晶體的該源極和該汲極之另一者電連接至該第二電晶體的源極和汲極之一者與該m個解多工器電路之一者，其中，該第一電晶體的閘極電連接至該設定信號線，其中，該第二電晶體的該源極和該汲極之另一者電連接至低電源電位線，其中，該第二電晶體的閘極電連接至該m個解多工器電路之該一者、該第四電晶體的源極和汲極之一者、該第五電晶體的源極和汲極之一者及該第六電晶體的源極和汲極之一者，其中，該第三電晶體的源極和汲極之一者電連接至該高電源電位線，其中，該第三電晶體的該源極和該汲極之另一者電連接至該第四電晶體的該源極和該汲極之另一者，其中，該第三電晶體的閘極電連接至該n個時脈信號線之一者，其中，該第四電晶體的閘極電連接至該n個時脈信號線之另一者，其中，該第五電晶體的該源極和該汲極之另一者電連接至該低電源電位線，其中，該第五電晶體的閘極電連接至該設定信號線，其中，該第六電晶體的該源極和該汲極之另一者電連接至該高電源電位線，其中，該第六電晶體的閘極電連接至重設信號線，其中，該第一至第六電晶體中的至少一個包括含矽的通道形成區域，其中，該m個解多工器電路之該一者包括a個緩衝器，其中，a是1至(n-3)的自然數，其中，該a個緩衝器之一者電連接至該第一電晶體的該源極和該汲極之另一者與該第二電晶體的該閘極，其中，該a個緩衝器之各者電連接至該n個時脈信號線之對應一者，其中，該a個緩衝器之各者包括輸出端子，其中，該第m-2個解多工器電路之該a個緩衝器之該些緩衝器之一者電連接至該第m-1個移位暫存器單元之該第一電晶體與該第五電晶體的該些閘極，其中，該第m個解多工器電路之該a個緩衝器之該些緩衝器之一者電連接至該第m-1個移位暫存器單元之該第六電晶體的該閘極，以及其中，多晶矽係包含於該第一至該第六電晶體之至少一者的通道形成區中。
  8. 一種包括根據申請專利範圍第1、2、4、6及7項中任一項之驅動器電路的顯示裝置。
  9. 一種包括根據申請專利範圍第8項之顯示裝置的電子裝置。
  10. 一種驅動器電路，包括：第一移位暫存器；第二移位暫存器；第一解多工器；以及第二解多工器，其中，該第一移位暫存器之第一端子電連接至該第一解多工器之第一端子，其中，該第二移位暫存器之第一端子電連接至該第二解多工器之第一端子，以及其中，該第一解多工器之第二端子電連接至該第二移位暫存器之第二端子。
  11. 根據申請專利範圍第10項之驅動器電路，其中，該第一及第二移位暫存器與該第一及第二解多工器包含分別第一至第四電晶體，以及其中，該第一至第四電晶體之各者包括含矽的半導體。
  12. 根據申請專利範圍第11項之驅動器電路，其中，該矽是多晶矽。
  13. 根據申請專利範圍第11項之驅動器電路，其中，該第一至第四電晶體具有第一導電類型。
  14. 根據申請專利範圍第13項之驅動器電路，其中，該第一導電類型為n型。
  15. 一種驅動器電路，包括：第一至第三移位暫存器；以及第一至第三解多工器，其中，該第一移位暫存器的第一端子電連接至該第一解多工器的第一端子，其中，該第二移位暫存器的第一端子電連接至該第二解多工器的第一端子，其中，該第三移位暫存器的第一端子電連接至該第三解多工器的第一端子，其中，該第一解多工器的第二端子電連接至該第二移位暫存器的第二端子，以及其中，該第三解多工器的第二端子電連接至該第二移位暫存器的第三端子。
  16. 一種驅動器電路，包括：第一至第三移位暫存器；以及第一至第三解多工器，其中，該第一移位暫存器的第一輸出端子電連接至該第一解多工器的第一輸入端子，其中，該第二移位暫存器的第一輸出端子電連接至該第二解多工器的第一輸入端子，其中，該第三移位暫存器的第一輸出端子電連接至該第三解多工器的第一輸入端子，其中，該第一解多工器的第一輸出端子電連接至該第二移位暫存器的第一輸入端子，以及其中，該第三解多工器的第一輸出端子電連接至該第二移位暫存器的第二輸入端子。
  17. 根據申請專利範圍第15或16項之驅動器電路，其中，該第一至第三移位暫存器及該第一至第三解多工器分別包含第一至第六電晶體，以及其中，該第一至第六電晶體之各者包括含矽的半導體。
  18. 根據申請專利範圍第17項之驅動器電路，其中，該矽是多晶矽。
  19. 根據申請專利範圍第17項之驅動器電路，其中，該第一至第六電晶體具有第一導電類型。
  20. 根據申請專利範圍第19項之驅動器電路，其中，該第一導電類型為n型。
  21. 一種包括根據申請專利範圍第10、15及16項中任一項之驅動器電路的顯示裝置。
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