JP2007141821A

JP2007141821A - 半導体装置およびその作製方法

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Publication number: JP2007141821A
Application number: JP2006281161A
Authority: JP
Inventors: Hideaki Kuwabara; 秀明桑原; Hideto Onuma; 英人大沼
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2005-10-17
Filing date: 2006-10-16
Publication date: 2007-06-07

Abstract

【課題】高繊細化に伴う画素領域の微細化、大面積化に伴う基板の大型化によって、蒸着時に用いるマスクの精度とたわみなどによる不良が問題となっている。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いることにより、工程を増やすことなく、表示領域における画素電極（第１の電極とも呼ぶ）上、及び画素電極層周辺に膜厚が異なる部分を有する隔壁を形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、一対の電極間に有機化合物を含む膜（以下、「有機化合物層」と記す）を設けた素子に電界を加えることで、蛍光又は燐光が得られる発光素子を用いた発光装置及びその作製方法に関する。なお、発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。

薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する有機化合物を発光体として用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。特に、発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。

発光素子の発光機構は、一対の電極間に有機化合物層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が有機化合物層中の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。

このような発光素子をマトリクス状に配置して形成された発光装置には、パッシブマトリクス駆動（単純マトリクス型）とアクティブマトリクス駆動（アクティブマトリクス型）といった駆動方法を用いることが可能である。しかし、画素密度が増えた場合には、画素（又は１ドット）毎にスイッチが設けられているアクティブマトリクス型の方が低電圧駆動できるので有利であると考えられている。

アクティブマトリクス型の発光装置を作製する場合、絶縁表面を有する基板上にスイッチング素子としてＴＦＴを形成し、該ＴＦＴと電気的に接続する画素電極を陽極または陰極としたＥＬ素子をマトリクス状に配置する。

また、アクティブマトリクス型の発光装置やパッシブマトリクス型の発光装置を作製する場合、隣合う画素同士を絶縁するための隔壁を画素電極の端部に設ける。

本出願人は、特許文献１や特許文献２に記載した隔壁を提案している。
特開２００２−１６４１８１特開２００４−１２７９３３

エレクトロルミネセンス（以下、ＥＬとも記す）素子を備える表示装置において、フルカラー表示を行うため、カラー発光するカラー発光素子を用いる。カラー発光素子を形成するには、各色の発光材料を微細なパターンに電極上に形成することが重要な要素の一つとなる。

上記目的のため、蒸着法などを用いて材料を形成する際、マスクを用いて微細パターンに形成する方法が一般的に用いられている。

しかし、高繊細化に伴う画素領域の微細化、大面積化に伴う基板の大型化によって、蒸着時に用いるマスクの精度とたわみなどによる不良が問題となっている。

本発明は、工程を増やすことなく、蒸着時に用いるマスクの精度とたわみなどによる不良を防ぐ構造を提供する。

また、赤、緑、青の発光色を用いるフルカラーのフラットパネルディスプレイとして、高精細化や高開口率化や高信頼性の要求が高まっている。こうした要求は、発光装置の高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進める上で大きな課題となっている。アクティブマトリクス型発光装置またはパッシブマトリクス型発光装置を高精細化するためには隔壁の上面形状も小さくして高精細化を可能にする必要がある。本発明は、上面形状を縮小し、さらなる高精細な表示を可能とする隔壁およびその隔壁を備えた発光装置を提供する。

本発明は、回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いることにより、工程を増やすことなく、表示領域における画素電極（第１の電極とも呼ぶ）上、及び画素電極層周辺に膜厚が異なる部分を有する隔壁を形成する。

本発明の隔壁は、膜厚の厚い部分で蒸着マスクを支持し、蒸着マスクのよじれや、たわみなどによって蒸着マスクが画素電極表面に接してしまうことを防止する。よって、画素電極表面にはマスクによる傷などの損傷が生じず、画素電極は形状不良とならないので、高繊細な表示を行うことが可能であり、且つ、高信頼性な表示装置を作製することができる。蒸着マスクが画素電極表面に接することを防止できるのであれば、膜厚の厚い部分の領域を選択的に形成してもよい。即ち、複数の画素が配置される領域内に膜厚の厚い部分を一箇所形成すればよい。

また、本発明の隔壁における膜厚の薄い部分は、有機化合物を含む層を画素電極上に形成する際、画素電極と隔壁との境界で被覆不良が発生することを抑えることができる。従って、本発明の隔壁は、非常に膜厚の薄い有機化合物を含む層を形成する場合に特に有効である。隔壁における膜厚の薄い部分は、膜厚の厚い部分の少なくとも半分以下の膜厚とする。

回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを調節すれば、膜厚の厚い部分の幅を細くすることは可能であり、膜厚の薄い部分の幅を含めたトータルの隔壁幅も２０μｍ未満とすることができる。また、隔壁の膜厚の厚い部分の幅を５μｍ程度にした場合に、蒸着の際、蒸着マスクから圧力がかかっても、膜厚の薄い部分が膜厚の厚い部分を両側から支える形となっているため、強度も確保されている。

本明細書で開示する発明の構成は、絶縁表面を有する基板上に複数の発光素子を有する発光装置であり、発光素子は、第１の電極と、該第１の電極の端部を覆う隔壁と、前記第１の電極上に有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に第２の電極とを有し、前記隔壁は、発光素子上面から基板に向かって裾広がりの断面形状を有し、隔壁の側面に段差を有していることを特徴とする発光装置である。

また、上記構成において、前記隔壁の上端部は、丸みを有することを特徴の一つとしている。隔壁の上端部に丸みを有するとは、隔壁が、基板面に垂直な面で切断した場合において、隔壁の内部に位置する曲率中心により決まる曲面を有し、その曲率半径が０．２μｍ以上３μｍ以下であることを指している。隔壁の上端部が丸みを有するように形成するには、隔壁を形成する際に隔壁の材料として感光性の樹脂を用いて選択的に露光を行うことが好ましい。また、ウェットエッチングにより隔壁の上端部に丸みを形成してもよい。また、隔壁の断面形状において、上端部と下端部との２箇所に隔壁の内部に位置する曲率中心により決まる２つの曲面を有し、その２箇所の間には隔壁の外側に位置する曲率中心により決まる１つの曲面も有している。

また、上記構成において、前記裾広がりの断面形状を有している隔壁は単層であることを特徴の一つとしている。積層構造ではないため、隔壁の作製工程が簡略である。

また、上述した課題の解決手段とは、他の解決手段として、発光素子が配置される画素部、即ち、表示領域の周りに蒸着マスクを支持する構造物を形成してもよい。本明細書では、ある発光素子と、その他の発光素子の間に形成される保護層を隔壁と呼ぶ。また、本明細書では、画素部の中心から離れて配置された発光素子の外側に位置する絶縁物であり、且つ、その絶縁物の外側に発光素子が配置されていない絶縁物を構造物と呼ぶ。表示領域の面積が小さい場合には、表示領域の周りに蒸着マスクを支持する構造物を形成することによって、蒸着マスクのよじれやたわみなどによって画素電極表面に接してしまうことを防止することができる。

本発明の他の構成は、絶縁表面を有する基板上に複数の発光素子を有する画素部を備えた発光装置であり、発光素子は、第１の電極と、該第１の電極の端部を覆う隔壁と、前記第１の電極上に有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に第２の電極とを有し、前記隔壁と同じ材料である構造物が前記画素部を囲むように配置され、前記構造物の膜厚と前記隔壁の膜厚は異なることを特徴とする発光装置である。

また、上述した構造物を前述した裾広がりの断面形状を有する隔壁と同一材料を用いて同一工程で形成することもでき、上記構成において、前記隔壁は、突出した部分を有していることを特徴の一つとしている。また、前記隔壁は、発光素子上面から基板に向かって裾広がりの断面形状を有し、隔壁の側面に段差を有している。

また、対向する基板を用いて発光素子の封止を行う場合、前記構造物が一対の基板の間隔を保持するようにしてもよい。上記構成において、前記発光装置は、前記絶縁表面を有する基板に対向する基板を有し、この一対の基板の間隔を前記構造物が保持することを特徴の一つとしている。この構成は、特に、対向する基板として透光性基板を用い、発光素子からの発光をその透光性基板を通過させて表示を行う場合に有効である。前記構造物によって一対の基板間隔を均一とすることができるため、高精細な表示が実現できる。

また、上記構成において、前記構造物と、一対の基板とで囲まれる領域は樹脂で充填されることを特徴の一つとしている。この構成は、特に、対向する基板として透光性基板を用い、発光素子からの発光をその透光性基板を通過させて表示を行う場合に有効である。また、透明な樹脂を一対の基板間に充填することによって、一対の基板間を空間（不活性気体）とした場合に比べて全体の透過率を向上させることができる。

また、上述した構造物や上述した隔壁の他にも様々な構造物、例えば、封止基板と貼り合わせる際に密着性を上げるための凸部などを同一材料を用いて同一工程で形成することもできる。

また、上記構造を実現するための発明の構成は、絶縁表面を有する基板上に第１の電極を形成し、前記第１の電極の端部上に、回折格子パターン、或いは半透部を有するフォトマスク又はレチクルを用いて、膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を有する隔壁を形成し、前記第１の電極上に有機化合物を含む層を形成し、前記有機化合物を含む層上に第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。

また、上記作製工程において、前記隔壁は、回折格子パターン、或いは半透部を有するフォトマスク又はレチクルを用いて選択的に露光現像して形成した樹脂であることを特徴の一つとしている。

また、上記作製工程において、前記第１の電極上に有機化合物を含む層を形成する工程は、蒸着法、具体的には蒸着マスクを用いた抵抗加熱法を用いた場合に隔壁の膜厚の厚い領域が蒸着マスクのたわみなどを防ぐことが可能となるため有効である。また、有機化合物を含む層は、蒸着法に限定されず、スピンコート法、インクジェット法、ディップ法、電解重合法等が挙げられる。

また、他の作製方法に関する発明の構成は、絶縁表面を有する基板上に複数の薄膜トランジスタおよび複数の発光素子を有する発光装置の作製方法であり、絶縁表面を有する第１の基板上にソース領域、ドレイン領域、およびその間のチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを形成し、前記ゲート絶縁膜上方に前記ソース領域または前記ドレイン領域と電気的に接続する第１の電極を形成し、前記第１の電極の端部を覆う隔壁と、複数の発光素子を囲む位置に構造物とを形成し、前記第１の電極上に有機化合物を含む層を形成し、前記有機化合物を含む層上に第２の電極を形成し、前記構造物で基板間隔を保つように、第２の基板を樹脂材料で前記第１の基板に貼り合せて前記発光素子を封止することを特徴とする発光装置の作製方法である。

また、上記作製工程において、前記隔壁および前記構造物は、同一材料であり、回折格子パターン、或いは半透部を有するフォトマスク又はレチクルを用いて選択的に露光現像して形成した樹脂であることを特徴の一つとしている。前記構造物は、隔壁と同一工程で形成することができるため、工程数を増やすことなく形成することができる。

また、本発明は、スイッチング素子を有するアクティブマトリクス型の発光装置に限定されず、パッシブ型の発光装置にも適用することができる。

なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅｐｒｉｎｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（ＴａｐｅＣａｒｒｉｅｒＰａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

本発明は、工程を増やすことなく、第１の電極端部を覆う隔壁や、画素部を囲む構造物を設けることによって、蒸着時に用いるマスクの精度とたわみなどによる不良を防ぐことができる。

また、本発明は、隔壁のサイズ、特に隔壁の占める平面面積を縮小し、サイズの小さな隔壁およびその隔壁を備えた発光装置を実現できる。特に、この隔壁を用いて蒸着マスクと第１の電極との間隔を近づければ近づけるほど、蒸着膜の回り込みが抑えられ、蒸着膜の塗り分け精度を上げることができる。なお、蒸着膜の回り込みとは、蒸着マスクを用いて蒸着を行う際、蒸着マスクの開口部分の面積よりも広い領域に蒸着膜が形成されてしまうことを指している。本発明により、発光装置の高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進めることができる。本発明の隔壁は、蒸着マスクと第１の電極との間隔を近づけ、且つ、第１の電極と蒸着マスクの接触を確実に防止することができる。従って、さらに厚さが薄く設計された蒸着マスクを用いることも可能となる。

本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
ここではアクティブマトリクス型発光装置の例を用いて本発明を説明する。

また、図１（Ｃ）の構造を得るための作製工程の一例を以下に示す。

まず、絶縁表面を有する基板１０上にＴＦＴ１６を作製する。ＴＦＴ１６の下地絶縁膜１２およびゲート絶縁膜を含む絶縁膜の積層１７としては、スパッタ法、またはＰＣＶＤ法により得られる無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、ＳｉＯＦ膜、ＳｉＯＮＦ膜など）を用いる。また、層間絶縁膜として機能する絶縁膜１８は、スパッタ法、ＰＣＶＤ法、または塗布法により得られる無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、ＳｉＯＦ膜、ＳｉＯＮＦ膜など）、或いは塗布法により得られる感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、或いは塗布法により得られるＳＯＧ膜（シロキサン構造を有する絶縁膜）、またはこれらの積層などを適宜用いることができる。ＴＦＴ１６は公知の方法でｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴを作製すればよい。

次いで、絶縁膜１８に対してエッチングを行ってＴＦＴの電極に達する開口を形成した後、陽極となる第１の電極１３をＴＦＴの電極と一部重なるように形成する。ここでは、第１の電極１３として、仕事関数の大きい導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）を用い、ウエットエッチングで形成する。第１の電極１３を選択的にエッチングする際、絶縁膜１８と選択比が取れるようにエッチング条件または材料を適宜設定する。

次いで、塗布法により絶縁膜を全面に形成した後、回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いて隔壁１１を形成する。隔壁１１は、ＴＦＴの電極に達する開口と重なる位置に形成する。隔壁１１をＴＦＴの電極に達する開口と重なる位置に形成すると隔壁と第１の電極との密着性が向上するため好ましい。ここでは感光性の樹脂膜２０を全面に形成した後、半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクを用いて露光した例を図１（Ａ）に示す。

図１（Ａ）において、露光マスク４００は、Ｃｒなどの金属膜からなる遮光部４０１と、光強度低減機能を有する補助パターンとして、半透膜が設けられた部分（半透部とも呼ぶ）４０２とが設置されている。露光マスクの断面図において、遮光部４０１の幅はｔ２と示し、半透膜が設けられた部分４０２の幅はｔ１と示している。半透膜が設けられた部分４０２において遮光部４０１と重なっている部分は、光は透過しない。ここでは露光マスクの一部として半透膜を用いた例を示したが、回折格子パターンを用いてもよい。

図１（Ａ）に示す露光マスクを用いて感光性の樹脂膜２０の露光を行うと、非露光領域と露光領域が形成される。露光時には、光が遮光部４０１の回り込みや、半透膜が設けられた部分４０２を通過することによって図１（Ａ）の点線に示す露光領域が形成される。そして、露光領域を除去すると裾広がりの断面形状を有する隔壁１１が形成される。即ち、図１（Ａ）に示すように、隔壁１１は、膜厚の厚い部分と、膜厚の薄い部分を有している。隔壁における膜厚の薄い部分は、膜厚の厚い部分の少なくとも半分以下の膜厚とする。ただし、膜厚の厚い部分とは、絶縁膜１８の平坦な面から測定した膜厚の厚い部分を指している。なお、隔壁１１の高さ（即ち、膜厚の厚い部分の高さ）が２μｍ以上だと、カバレッジ不良が生じやすいので、隔壁１１の高さは低い（２μｍ未満）ほうが好ましい。また、図１（Ａ）に示すように、ＴＦＴの電極に達する開口と重なる隔壁１１とは幅の異なる隔壁が配線１９の上方に形成される。

また、ここでは感光性の樹脂膜２０を用いて形成する例を示したが、絶縁膜を全面に形成した後、回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いてレジストマスクを形成し、レジストマスクをマスクとしてエッチングを行って裾広がりの断面形状を有する隔壁１１を形成してもよい。

次いで、有機化合物を含む層１４を蒸着法で形成する。蒸着法で形成する場合には、図１（Ｂ）に示すように蒸着マスク２１を用いて選択的に有機化合物を含む層１４を形成する。なお、図１（Ｂ）は、実際に蒸着を行う際とは上下方向を逆に示している。蒸着を行う場合は、基板ホルダーと蒸着マスクの間に基板を挟み、基板ホルダーに設置された永久磁石によってメタルからなる蒸着マスクを引きつけて基板を固定し、露呈している第１の電極面の下方に蒸着源が位置するようにして蒸着が行われる。

図１（Ｂ）では、有機化合物を含む層１４は単層として示しているが、正孔注入層（または正孔輸送層）、発光層、電子注入層（または電子輸送層）などが積層された積層構造である。なお、信頼性を向上させるため、有機化合物を含む層１４の形成直前に真空加熱（１００℃〜２５０℃）を行って脱気を行うことが好ましい。例えば、蒸着法を用いる場合、真空度が５×１０^−３Ｔｏｒｒ（０．６６５Ｐａ）以下、好ましくは１０^−４〜１０^−６Ｐａまで真空排気された成膜室で蒸着を行う。蒸着の際、予め、抵抗加熱により有機化合物は気化されており、蒸着時にシャッターが開くことにより基板の方向へ飛散する。気化された有機化合物は、上方に飛散し、蒸着マスクに設けられた開口部を通って基板に蒸着される。

図２に蒸着装置の一例を示す。

図２（Ａ）に示す蒸着装置は、成膜室に蒸着材料の昇華方向を維持するために防着シールドが設けられており、開口部が複数設けられ、それらの開口部から蒸着材料が昇華する機構となっている。防着シールドの下方には、基板の移動方向（搬送方向とも呼ぶ）とは垂直な方向に移動可能な蒸着源を有している。また、防着シールドの幅Ｗｂは、基板の幅Ｗａよりも広くさせて、蒸着膜の膜厚均一性を向上させている。以下に蒸着装置の機構を簡略に示す。

基板７０１は、予め蒸着マスク７０２と位置合わせされており、位置合わせされたまま基板の搬送方向７０６ａ（図２（Ａ）中の矢印の方向）に基板が搬送される。基板は搬送されて、防着シールド７０３ａの上方を通過する。防着シールド７０３ａは開口部７０３ｂを有しており、蒸着源７０４からの蒸着材料が開口部７０３ｂから昇華するようになっている。開口部７０３ｂから蒸着材料の昇華方向７０６ｂを維持するために防着シールド７０３ａは、防着シールド自体には付着しないように加熱されている。また、蒸着シールドに接してヒーターが設けられている。蒸着シールドの加熱温度はヒーターと接続しているコンピュータで制御しても良い。

蒸着源７０４は複数のルツボが設置できるようになっており、さらに矢印の方向（蒸着源の移動方向７０５）に移動することが可能である。なお、蒸着源は移動させる代わりに、蒸着源の向きを変えて蒸着される角度を変えても良い。蒸着方法は、抵抗加熱法を用いる。また、蒸着源が移動する範囲は基板の幅Ｗａよりも広いことが望ましい。また、防着シールドの幅Ｗｂも基板の幅Ｗａよりも広くすることが蒸着膜の膜厚均一性を向上させる。

なお、図２（Ａ）の蒸着装置において、開口部７０３ｂの形状や数は特に限定されない。

また、蒸着源のルツボに蒸着材料を補給するため、成膜室にゲートを介して連結する設置室を設けてもよい。蒸着源にはルツボを加熱するヒーターが設けられている。また、一つの成膜室に複数の蒸着源と防着シールドを設けてもよい。複数のルツボを設けた一つの蒸着源を設け、設置室を設けた場合の蒸着装置の上面図を図２（Ｂ）に示す。蒸着源の移動方向７０５に設置室７０７を設置し、蒸着材料を補給する際には、蒸着源を設置室まで移動させて補給を行えばよい。蒸着源が成膜室に固定されている場合には、蒸着源に蒸着材料を補給するためには成膜室内を大気圧としなければならず、再度蒸着するためには成膜室内を真空にするのに時間を要してしまう。設置室７０７を設ければ、成膜室７００の真空度を維持したまま、設置室内のみを大気圧と真空とに切り替えればよいため、短時間で蒸着材料の補給が可能となる。

また、ここでは一つの成膜室に一つの蒸着源を設けた例を示したが、一つの成膜室に２以上の数の蒸着源を設けてもよい。

また、蒸着の際、隔壁１１の膜厚の厚い部分、即ち頂部は、蒸着マスクと接して間隔を保持する機能を有している。また、隔壁１１が第１の電極を囲むように配置されている場合、マスクの下方において開口が設けられていない領域、例えば隣の画素への蒸着を防ぐことができる。なお、隔壁１１は、各第１の電極の端部を覆い、絶縁膜１８上に接して形成され、且つ、第１の電極が隣り合う電極と絶縁し、短絡するのを防止している。また、隔壁１１の膜厚の厚い部分、即ち頂部は、ＴＦＴの電極に達する開口と重なる位置と重なる。

この隔壁１１の幅が大きいと、開口率が低下するため、できるだけ隔壁の上面形状を小さくして開口率向上、且つ、高精細化を図ることが好ましい。また、有機化合物を含む層１４を隔壁１１における膜厚の薄い部分とも一部重ねることで、隔壁の下方に形成されている第１の電極と、後に形成する第２の電極とが短絡することをより効果的に防ぐことができる。即ち、有機化合物を含む層１４のうち、隔壁１１と重なる部分、即ち発光に寄与しない部分は、隔壁の一部としても機能する。

次いで、有機化合物を含む層１４上に陰極となる第２の電極１５を形成する。第２の電極１５を形成する際にも蒸着マスクを用いるが、蒸着マスクの開口部分と対応する箇所が画素部全域である場合、画素部以外に形成した構造物が蒸着マスクとの間隔を保持する。

以上の工程で図１（Ｃ）に示す構造を得ることができる。また、有機化合物を含む層１４や第２の電極１５の成膜方法は、ＴＦＴ１６にダメージを与えない抵抗加熱法が好ましく、塗布法（インクジェット法やスピンコート法など）も用いることができる。また、有機化合物を含む層１４は、塗布法で形成した膜と蒸着法による膜と積層してもよく、例えば、正孔注入層として作用するポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、或いはポリアニリン／ショウノウスルホン酸水溶液（ＰＡＮＩ／ＣＳＡ）、ＰＴＰＤＥＳ、Ｅｔ−ＰＴＰＤＥＫ、またはＰＰＢＡなどをスピンコート法で塗布、焼成した後、蒸着法により発光層、電子輸送層などを積層してもよい。

図１（Ｃ）において、１０は基板、１１は隔壁、１２は下地絶縁膜、１３は第１の電極、１４は有機化合物を含む層、１５は第２の電極、１６はＴＦＴ、１７はゲート絶縁膜を含む絶縁膜の積層、１８は絶縁膜、１９は電源供給線などの配線である。なお、図１（Ｃ）では第１の電極１３は発光素子の陽極として機能させ、第２の電極は発光素子の陰極として機能させているが、特に限定されず、材料を適宜選択すれば第１の電極を陰極として機能させ、第２の電極を陽極として機能させることも可能である。

また、本発明は図１（Ａ）のＴＦＴ構造に限定されず、必要があればチャネル形成領域とドレイン領域（またはソース領域）との間にＬＤＤ領域を有する低濃度ドレイン（ＬＤＤ：ＬｉｇｈｔｌｙＤｏｐｅｄＤｒａｉｎ）構造としてもよい。この構造はチャネル形成領域と、高濃度に不純物元素を添加して形成するソース領域またはドレイン領域との間に低濃度に不純物元素を添加した領域を設けたものであり、この領域をＬＤＤ領域と呼んでいる。さらにゲート絶縁膜を介してＬＤＤ領域をゲート電極と重ねて配置させた、いわゆるＧＯＬＤ（Ｇａｔｅ−ｄｒａｉｎＯｖｅｒｌａｐｐｅｄＬＤＤ）構造としてもよい。

また、ここではｎチャネル型ＴＦＴを用いて説明したが、ｎ型不純物元素に代えてｐ型不純物元素を用いることによってｐチャネル型ＴＦＴを形成することができることは言うまでもない。

また、ここでは、トップゲート型ＴＦＴを用いて一例を説明したが、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えばボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴや順スタガ型ＴＦＴに適用することが可能である。

また、本明細書において、ＴＦＴの活性層となる半導体層は、珪素を主成分とする半導体膜、有機材料を主成分とする半導体膜、或いは金属酸化物を主成分とする半導体膜を用いることができる。珪素を主成分とする半導体膜としては、非晶質半導体膜、結晶構造を含む半導体膜、非晶質構造を含む化合物半導体膜などを用いることができる。具体的には珪素を主成分とする半導体膜としてアモルファスシリコン、微結晶シリコン、多結晶シリコンなどを用いることができる。また、有機材料を主成分とする半導体膜としては、他の元素と組み合わせて一定量の炭素または炭素の同素体（ダイヤモンドを除く）からなる物質を主成分とする半導体膜を用いることができる。具体的には、ペンタセン、テトラセン、チオフェンオリゴマ誘導体、フェニレン誘導体、フタロシアニン化合物、ポリアセチレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、シアニン色素等が挙げられる。また、金属酸化物を主成分とする半導体膜としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）や亜鉛とガリウムとインジウムの酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）等を用いることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本実施の形態１とは構造が一部異なる例を図３に示す。

ここでは、図１の層間絶縁膜を１層減らした構造、具体的には図１に示す絶縁膜１８を形成しない構造を示す。なお、図３において図１と同じ箇所には同じ符号を用いる。

実施の形態１と同様にして絶縁表面を有する基板１０上にＴＦＴ１６を作製する。次いで、ゲート絶縁膜を含む絶縁膜の積層１７上に陽極となる第１の電極３３を形成する。第１の電極３３は、ゲート絶縁膜を含む絶縁膜の積層１７上に、ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続する電極と一部接して重なるように形成される。

次いで、塗布法により絶縁膜を全面に形成した後、回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いて隔壁３１を形成する。隔壁３１は、膜厚の厚い部分と、膜厚の薄い部分を有している。また、隔壁３１は、ゲート絶縁膜を含む絶縁膜の積層１７上に接して設けられ、電源供給線などの配線１９と接した状態で覆う。

次いで、有機化合物を含む層３４を蒸着法で形成する。また、図１において、有機化合物を含む層１４は、隔壁１１における膜厚の薄い部分と一部重なる例を示したが、図３では、有機化合物を含む層３４は、隔壁３１における厚い部分とも重なる例を示している。図３で示すように有機化合物を含む層３４が隔壁３１における厚い部分とも重なるのは、基板面と垂直な面で切断した断面において、蒸着マスクの遮蔽部分の幅が隔壁３１の膜厚の厚い部分の幅よりも狭いものを用いているためである。本発明において蒸着マスクの遮蔽部分の幅が隔壁の幅より狭くてもよいし、同じでもよいし、広くてもよい。また、有機化合物を含む層３４を隔壁３１における膜厚の厚い部分とも一部重ねることで、隔壁の下方に形成されているＴＦＴと、後に形成する第２の電極とが短絡することを効果的に防ぐことができる。

次いで、有機化合物を含む層３４上に陰極となる第２の電極１５を形成する。

以上の工程で図３に示す構造を得ることができる。

このように、図３に示す構造は、図１に比べて少ない工程数で発光装置を作製することができる。

本実施の形態は、実施の形態１と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、複数の発光素子が配置された画素部（表示領域とも呼ぶ）に設ける隔壁と、画素部の周りを囲むように配置する構造物とを設ける例を示す。

ここでは、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）を用いて、パッシブマトリクス型の発光装置を作製する例を示す。

第１の基板３０１上に、第１の電極３０３が形成され、その端部を覆うように隔壁３０２が形成される。また、隔壁３０２と同一工程で構造物３０４が形成される。隔壁３０２と構造物３０４は膜厚が異なる。この段階での断面図を図４（Ａ）に示す。

次いで、第１の電極３０３上に有機化合物を含む層３０５を形成し、その上に第２の電極３０７を形成する。なお、有機化合物を含む層３０５を蒸着法で形成する際、構造物３０４は、蒸着マスクと第１の電極３０３とが接触しないように防止することができる。また、蒸着マスクと隔壁３０２とが接触しないように防止することもできる。

そして、第２の基板３０８と第１の基板３０１とを接着層３０９で貼り合わせて封止する。

図４（Ｂ）に示すように、第１の基板３０１上に画素部３０６の周りを囲むように配置する構造物３０４は、第２の基板３０８を用いて封止する場合、一対の基板間隔を保持することができる。また、構造物と一対の基板とで囲まれた領域を密閉して画素部を封止することもできる。即ち、構造物３０４は、外部からの不純物や水分の侵入を防止することができる。

隔壁３０２と構造物３０４は、回折格子パターン、或いは半透部を有するフォトマスク又はレチクルを用いて同じ工程で形成する。

また、アクティブマトリクス型の発光装置を作製する場合には、同様に複数の発光素子が配置された画素部（表示領域とも呼ぶ）に設ける隔壁と、画素部の周りを囲むように配置する構造物とを形成すればよい。

アクティブマトリクス型の発光装置を作製する場合は、画素に配置するＴＦＴと同一工程で駆動回路の一部をＴＦＴで形成することもできる。その場合、画素部の周りに駆動回路を配置することになる。また、その駆動回路と重なる位置に構造物を形成してもよい。

本実施の形態は、実施の形態１または実施の形態２と自由に組み合わせることができる。

例えば、隔壁を裾状として、隔壁の一部を構造物と同じ膜厚とすることで、隔壁と構造物との両方で一対の基板間隔を保持することができる。一つの画素を囲むような上面形状を有する隔壁を設ける場合、第２基板と隔壁とで一つの画素を密閉して封止することができ、その周りを構造物でさらに密閉して封止することができる。このように二重に密閉することで高信頼性を有する発光装置を実現することができる。また、発光装置が外部からの衝撃を受けた場合、一対の基板が隔壁と構造物とで支えられているため、衝撃の力を分散することができる。従って、丈夫な発光装置を提供することができる。

（実施の形態４）
本実施の形態は、ＴＦＴを作製し、感光性の樹脂膜を全面に形成した後、半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクを用いて隔壁を形成し、発光装置を完成させるまでの工程について以下に示す。

まず、絶縁表面を有する基板１００の上に下地膜として、スパッタリング法、ＰＶＤ法（ＰｈｙｓｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、減圧ＣＶＤ法（ＬＰＣＶＤ法）、またはプラズマＣＶＤ法等のＣＶＤ法（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などにより窒化酸化珪素膜（ＳｉＮＯ）を用いて下地膜１０１ａを１０〜２００ｎｍ（好ましくは５０〜１００ｎｍ）形成し、酸化窒化珪素膜（ＳｉＯＮ）を用いて下地膜１０１ｂを５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０ｎｍ）積層する。本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法を用いて下地膜１０１ａ、下地膜１０１ｂを形成する。基板１００としてはガラス基板、石英基板やシリコン基板、金属基板、またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いて良い。また、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよいし、フィルムのような可撓性基板を用いても良い。プラスチック基板としてはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）からなる基板、可撓性基板としてはアクリル等の合成樹脂を用いることができる。

下地膜としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素などを用いることができ、単層でも２層、３層といった積層構造でもよい。なお本明細書中において酸化窒化珪素とは酸素の組成比が窒素の組成比より大きい物質であり、窒素を含む酸化珪素とも言える。同様に、窒化酸化珪素とは、窒素の組成比が酸素の組成比より大きい物質であり、酸素を含む窒化珪素とも言える。本実施の形態では、基板上にＳｉＨ_４、ＮＨ_３、Ｎ_２Ｏ、Ｎ_２及びＨ_２を反応ガスとして窒化酸化珪素膜を膜厚５０ｎｍ形成し、ＳｉＨ_４及びＮ_２Ｏを反応ガスとして酸化窒化珪素膜を膜厚１００ｎｍで形成する。また窒化酸化珪素膜の膜厚を１４０ｎｍ、積層する酸化窒化珪素膜の膜厚を１００ｎｍとしてもよい。

次いで、下地膜上に半導体膜を形成する。半導体膜は２５〜２００ｎｍ（好ましくは３０〜１５０ｎｍ）の厚さで公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜すればよい。本実施の形態では、非晶質半導体膜を、レーザ結晶化し、結晶性半導体膜とするものを用いるのが好ましい。結晶性半導体膜を用いる場合、その結晶性半導体膜の作製方法は、公知の方法（レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する元素を用いた熱結晶化法等）を用いれば良い。

連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第２高調波〜第４高調波のレーザ光を照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、代表的には、Ｎｄ：ＹＶＯ_４レーザ（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いるのが望ましい。具体的には、連続発振のＹＶＯ_４レーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換し、出力数Ｗ以上のレーザ光を得る。そして、好ましくは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、半導体膜に照射する。このときのパワー密度は０．００１〜１００ＭＷ／ｃｍ^２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ^２）が必要である。そして、走査速度を０．５〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度（好ましくは１０〜２００ｃｍ／ｓｅｃ）とし、照射する。

レーザのビーム形状は、線状とすると好ましい。その結果、スループットを向上させることができる。またさらにレーザは、半導体膜に対して入射角θ（０＜θ＜９０度）を持たせて照射させるとよい。レーザの干渉を防止することができるからである。

このようなレーザと、半導体膜とを相対的に走査することにより、レーザ照射を行うことができる。またレーザ照射において、ビームを精度よく重ね合わせたり、レーザ照射開始位置やレーザ照射終了位置を制御するため、マーカーを形成することもできる。マーカーは非晶質半導体膜と同時に、基板上へ形成すればよい。

なおレーザは、連続発振またはパルス発振の気体レーザ、固体レーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザなどを用いることができる。気体レーザとして、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザなどがあり、固体レーザとして、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ_３レーザ、Ｙ_２Ｏ_３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザなどが挙げられる。

半導体膜を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質半導体（以下「アモルファス半導体：ＡＳ」ともいう。）、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導体、或いはセミアモルファス（微結晶若しくはマイクロクリスタルとも呼ばれる。以下「ＳＡＳ」ともいう。）半導体などを用いることができる。

また、パルス発振のレーザ光の発振周波数を０．５ＭＨｚ以上とし、通常用いられている数十Ｈｚ〜数百Ｈｚの周波数帯よりも著しく高い周波数帯を用いてレーザ結晶化を行っても良い。パルス発振でレーザ光を半導体膜に照射してから半導体膜が完全に固化するまでの時間は数十ｎｓｅｃ〜数百ｎｓｅｃと言われている。よって上記周波数帯を用いることで、半導体膜がレーザ光によって溶融してから固化するまでに、次のパルスのレーザ光を照射できる。したがって、半導体膜中において固液界面を連続的に移動させることができるので、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を有する半導体膜が形成される。具体的には、含まれる結晶粒の走査方向における幅が１０〜３０μｍ、走査方向に対して垂直な方向における幅が１〜５μｍ程度の結晶粒の集合を形成することができる。該走査方向に沿って長く延びた単結晶の結晶粒を形成することで、少なくとも薄膜トランジスタのチャネル方向には結晶粒界のほとんど存在しない半導体膜の形成が可能となる。

また、希ガスや窒素などの不活性ガス雰囲気中でレーザ光を照射するようにしても良い。これにより、レーザ光の照射による半導体表面の荒れを抑えることができ、界面準位密度のばらつきによって生じるしきい値のばらつきを抑えることができる。

非晶質半導体膜の結晶化は、熱処理とレーザ光照射による結晶化を組み合わせてもよく、熱処理やレーザ光照射を単独で、複数回行っても良い。

本実施の形態では、下地膜１０１ｂ上に、非晶質半導体膜を形成し、非晶質半導体膜を結晶化させることによって結晶性半導体膜を形成する。非晶質半導体膜としては、ＳｉＨ_４、Ｈ_２の反応ガスにより形成する非晶質珪素を用いる。本実施の形態において、下地膜１０１ａ、下地膜１０１ｂ、非晶質半導体膜は、同チャンバー内で真空を維持したままで３３０℃の同一温度下で、反応ガスを切り変えながら連続的に形成する。次いで、非晶質半導体膜にレーザー光を照射、具体的には、レーザの繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザ発振器から射出した基本波を用いて結晶性半導体膜を形成する。この時のレーザ光の尖頭出力の範囲は、１ＧＷ／ｃｍ^２〜１ＴＷ／ｃｍ^２とする。ここまでの断面図を図５（Ａ）に示す。

このようにして得られた結晶性半導体膜に対して、薄膜トランジスタのしきい値電圧を制御するために微量な不純物元素（ボロンまたはリン）のドーピングを行ってもよい。この不純物元素のドーピングは、結晶化工程の前の非晶質半導体膜に行ってもよい。非晶質半導体膜の状態で不純物元素をドーピングすると、その後の結晶化のための加熱処理によって、不純物の活性化も行うことができる。また、ドーピングの際に生じる欠陥等も改善することができる。

次に結晶性半導体膜１０２をマスクを用いて選択的にエッチングする。本実施の形態では結晶性半導体膜１０２上に形成された酸化膜を除去した後、新たに酸化膜を形成する。そして、フォトマスクを作製し、フォトリソグラフィ法を用いたパターニング処理により、半導体層１０３、半導体層１０４、半導体層１０５、及び半導体層１０６を形成する。

次いで、半導体層上の酸化膜を除去し、半導体層１０３、半導体層１０４、半導体層１０５、及び半導体層１０６を覆うゲート絶縁層１０７を形成する。

ゲート絶縁層１０７はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法などを用い、厚さを１０〜１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。ゲート絶縁層１０７としては、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素に代表される珪素の酸化物材料又は窒化物材料等の公知の材料で形成すればよく、積層でも単層でもよい。本実施の形態では、ゲート絶縁層は窒化珪素膜、酸化珪素膜、窒化珪素膜の３層の積層を用いる。またそれらや、酸化窒化珪素膜の単層、２層からなる積層でも良い。好適には、緻密な膜質を有する窒化珪素膜を用いるとよい。さらに半導体層とゲート絶縁層の間に、膜厚１〜１００ｎｍ、好ましくは１〜１０ｎｍ、さらに好ましくは２〜５ｎｍである膜厚の薄い酸化珪素膜を形成してもよい。薄い酸化珪素膜の形成方法としては、ＧＲＴＡ法、ＬＲＴＡ法等を用いて半導体領域表面を酸化し、熱酸化膜を形成することで、膜厚の薄い酸化珪素膜を形成することができる。

次いで、ゲート絶縁層１０７上にゲート電極層として用いる膜厚２０〜１００ｎｍの第１の導電膜１０８と、膜厚１００〜４００ｎｍの第２の導電膜１０９とを積層して形成する（図５（Ｂ）参照。）。

第１の導電膜１０８及び第２の導電膜１０９は、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法等の公知の手法により形成することができる。第１の導電膜１０８及び第２の導電膜１０９はタンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジウム（Ｎｄ）から選ばれた元素、又は前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成すればよい。また、第１の導電膜１０８及び第２の導電膜１０９としてリン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。また、２層構造に限定されず、例えば、第１の導電膜として膜厚５０ｎｍのタングステン膜、第２の導電膜として膜厚５００ｎｍのアルミニウムとシリコンの合金（Ａｌ−Ｓｉ）膜、第３の導電膜として膜厚３０ｎｍの窒化チタン膜を順次積層した３層構造としてもよい。また、３層構造とする場合、第１の導電膜のタングステンに代えて窒化タングステンを用いてもよいし、第２の導電膜のアルミニウムとシリコンの合金（Ａｌ−Ｓｉ）膜に代えてアルミニウムとチタンの合金膜（Ａｌ−Ｔｉ）を用いてもよいし、第３の導電膜の窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。また、単層構造であってもよい。本実施の形態では、第１の導電膜１０８として窒化タンタル（ＴａＮ）を膜厚３０ｎｍ形成し、第２の導電膜１０９としてタングステン（Ｗ）を膜厚３７０ｎｍ形成する。

次いで、回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いてレジストマスクを形成し、第１の導電膜１０８及び第２の導電膜１０９を選択的にエッチングし、第１のゲート電極層、導電層、及び第２のゲート電極層をテーパー形状を有する様に形成する。レジストマスクは、膜厚の厚い部分と膜厚の薄い部分を有し、後にチャネル形成領域が形成される部分とレジストマスクの膜厚の厚い部分とが重なる位置になるように形成する。そして、断面形状が裾状の電極または配線が得られた後、レジストマスクを除去する。

以上の工程によって、周辺駆動回路領域２０４に第１のゲート電極層１２１及び第２のゲート電極層１３１からなるゲート電極層１１７、第１のゲート電極層１２２及び第２のゲート電極層１３２からなるゲート電極層１１８、画素領域２０６に第１のゲート電極層１２４及び第２のゲート電極層１３４からなるゲート電極層１２７、第１のゲート電極層１２５及び第２のゲート電極層１３５からなるゲート電極層１２８、第１のゲート電極層１２６及び第２のゲート電極層１３６からなるゲート電極層１２９、接続領域２０５に導電層１２３及び導電層１３３からなる導電層１３０を形成することができる（図５（Ｃ）参照。）。本実施の形態では、ゲート電極層の形成をドライエッチングで行うがウェットエッチングでもよい。

なお、ゲート電極層を形成する際のエッチング工程によって、ゲート絶縁層１０７は多少エッチングされ、膜厚が減る（いわゆる膜減り）ことがある。

次に、ゲート電極層１１７、ゲート電極層１１８、ゲート電極層１２７、ゲート電極層１２８、ゲート電極層１２９、導電層１３０をマスクとして、ｎ型を付与する不純物元素１５１を添加し、第１のｎ型不純物領域１４０ａ、第１のｎ型不純物領域１４０ｂ、第１のｎ型不純物領域１４１ａ、第１のｎ型不純物領域１４１ｂ、第１のｎ型不純物領域１４２ａ、第１のｎ型不純物領域１４２ｂ、第１のｎ型不純物領域１４２ｃ、第１のｎ型不純物領域１４３ａ、第１のｎ型不純物領域１４３ｂを形成する（図６（Ａ）参照。）。ここでは、、不純物元素を含むドーピングガスとしてホスフィン（ＰＨ_３）を用いて、第１のｎ型不純物領域１４０ａ、第１のｎ型不純物領域１４０ｂ、第１のｎ型不純物領域１４１ａ、第１のｎ型不純物領域１４１ｂ、第１のｎ型不純物領域１４２ａ、第１のｎ型不純物領域１４２ｂ、第１のｎ型不純物領域１４２ｃ、第１のｎ型不純物領域１４３ａ、第１のｎ型不純物領域１４３ｂに、ｎ型を付与する不純物元素が１×１０^１７〜５×１０^１８／ｃｍ^３程度の濃度で含まれるように添加する。

次に半導体層１０３、半導体層１０５の一部、半導体層１０６を覆うマスク１５３ａ、マスク１５３ｂ、マスク１５３ｃ、及びマスク１５３ｄを形成する。マスク１５３ａ、マスク１５３ｂ、マスク１５３ｃ、マスク１５３ｄ、第２のゲート電極層１３２をマスクとしてｎ型を付与する不純物元素１５２を添加し、第２のｎ型不純物領域１４４ａ、第２のｎ型不純物領域１４４ｂ、第３のｎ型不純物領域１４５ａ、第３のｎ型不純物領域１４５ｂ、第２のｎ型不純物領域１４７ａ、第２のｎ型不純物領域１４７ｂ、第２のｎ型不純物領域１４７ｃ、第３のｎ型不純物領域１４８ａ、第３のｎ型不純物領域１４８ｂ、第３のｎ型不純物領域１４８ｃ、第３のｎ型不純物領域１４８ｄが形成される（図６（Ｂ）参照。）。ここでは、第２のｎ型不純物領域１４４ａ、第２のｎ型不純物領域１４４ｂにｎ型を付与する不純物元素が５×１０^１９〜５×１０^２０／ｃｍ^３程度の濃度で含まれるように添加する。第３のｎ型不純物領域１４５ａ、第３のｎ型不純物領域１４５ｂは、第３のｎ型不純物領域１４８ａ、第３のｎ型不純物領域１４８ｂ、第３のｎ型不純物領域１４８ｃ、第３のｎ型不純物領域１４８ｄと同程度、もしくは少し高めの濃度でｎ型を付与する不純物元素を含むように形成される。また、半導体層１０４にチャネル形成領域１４６、半導体層１０５にチャネル形成領域１４９ａ及びチャネル形成領域１４９ｂが形成される。

第２のｎ型不純物領域１４４ａ、第２のｎ型不純物領域１４４ｂ、第２のｎ型不純物領域１４７ａ、第２のｎ型不純物領域１４７ｂ、第２のｎ型不純物領域１４７ｃは高濃度ｎ型不純物領域であり、ソース、ドレインとして機能する。一方、第３のｎ型不純物領域１４５ａ、第３のｎ型不純物領域１４５ｂ、第３のｎ型不純物領域１４８ａ、第３のｎ型不純物領域１４８ｂ、第３のｎ型不純物領域１４８ｃ、第３のｎ型不純物領域１４８ｄは低濃度不純物領域であり、ＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌｙＤｏｐｅｄＤｒａｉｎ）領域となる。ｎ型不純物領域１４５ａ、ｎ型不純物領域１４５ｂは、ゲート絶縁層１０７を介して、第１のゲート電極層１２２に覆われているのでＬｏｖ領域であり、ドレイン近傍の電界を緩和し、ホットキャリアによるオン電流の劣化を抑制することが可能である。この結果、高速動作が可能な薄膜トランジスタを形成することができる。一方、第３のｎ型不純物領域１４８ａ、第３のｎ型不純物領域１４８ｂ、第３のｎ型不純物領域１４８ｃ、第３のｎ型不純物領域１４８ｄはゲート電極層１２７、ゲート電極層１２８に覆われていないＬｏｆｆ領域に形成されるため、ドレイン近傍の電界を緩和してホットキャリア注入による劣化を防ぐとともに、オフ電流を低減する効果がある。この結果、信頼性の高く、低消費電力の半導体装置を作製することが可能である。

なお、本実施の形態では、不純物領域がゲート絶縁層を介してゲート電極層と重なる領域をＬｏｖ領域と示し、不純物領域がゲート絶縁層を介してゲート電極層と重ならない領域をＬｏｆｆ領域と示す。

次に、マスク１５３ａ、マスク１５３ｂ、マスク１５３ｃ及びマスク１５３ｄを除去し、半導体層１０４、半導体層１０５を覆うマスク１５５ａ、マスク１５５ｂを形成する。マスク１５５ａ、マスク１５５ｂ、ゲート電極層１１７及びゲート電極層１２９をマスクとしてｐ型を付与する不純物元素１５４を添加し、第１のｐ型不純物領域１６０ａ、第１のｐ型不純物領域１６０ｂ、第１のｐ型不純物領域１６３ａ、第１のｐ型不純物領域１６３ｂ、第２のｐ型不純物領域１６１ａ、第２のｐ型不純物領域１６１ｂ、第２のｐ型不純物領域１６４ａ、第２のｐ型不純物領域１６４ｂが形成される（図６（Ｃ）参照。）。本実施の形態では、不純物元素としてボロン（Ｂ）を用いる。ここでは、第１のｐ型不純物領域１６０ａ、第１のｐ型不純物領域１６０ｂ、第１のｐ型不純物領域１６３ａ、第１のｐ型不純物領域１６３ｂ、第２のｐ型不純物領域１６１ａ、第２のｐ型不純物領域１６１ｂ、第２のｐ型不純物領域１６４ａ、第２のｐ型不純物領域１６４ｂにｐ型を付与する不純物元素が１×１０^２０〜５×１０^２１／ｃｍ^３程度の濃度で含まれるように添加する。本実施の形態では、第２のｐ型不純物領域１６１ａ、第２のｐ型不純物領域１６１ｂ、第２のｐ型不純物領域１６４ａ、第２のｐ型不純物領域１６４ｂは、ゲート電極層１１７及びゲート電極層１２９の形状を反映し、自己整合的に第１のｐ型不純物領域１６０ａ、第１のｐ型不純物領域１６０ｂ、第１のｐ型不純物領域１６３ａ、第１のｐ型不純物領域１６３ｂより低濃度となるように形成する。また、半導体層１０３にチャネル形成領域１６２、半導体層１０６にチャネル形成領域１６５が形成される。

次いで、マスク１５５ａ、マスク１５５ｂをＯ_２アッシングやレジスト剥離液により除去し、酸化膜も除去する。

次いで、不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、又はレーザ光の照射を行う。活性化と同時にゲート絶縁層へのプラズマダメージやゲート絶縁層と半導体層との界面へのプラズマダメージを回復することができる。

次いで、ゲート電極層、ゲート絶縁層を覆う層間絶縁層を形成する。本実施の形態では、絶縁膜１６７と絶縁膜１６８との積層構造とする（図７（Ａ）参照。）。絶縁膜１６７として窒化酸化珪素膜を膜厚２００ｎｍ形成し、絶縁膜１６８として酸化窒化絶縁膜を膜厚８００ｎｍ形成し、積層構造とする。また、ゲート電極層、ゲート絶縁層を覆って、酸化窒化珪素膜を膜厚３０ｎｍ形成し、窒化酸化珪素膜を膜厚１４０ｎｍ形成し、酸化窒化珪素膜を膜厚８００ｎｍ形成し、３層の積層構造としてもよい。本実施の形態では、絶縁膜１６７及び絶縁膜１６８を下地膜と同様にプラズマＣＶＤ法を用いて連続的に形成する。絶縁膜１６７及び絶縁膜１６８は窒化珪素膜に限定されるものでなく、スパッタ法、またはプラズマＣＶＤを用いた窒化酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、酸化珪素膜でもよく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または３層以上の積層構造として用いても良い。

次いで、窒素雰囲気中で、３００〜５５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い、半導体層を水素化する工程を行う。好ましくは、４００〜５００℃で行う。この工程は層間絶縁層である絶縁膜１６７に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。本実施の形態では、４１０度（℃）で加熱処理を行う。

次いで、レジストからなるマスクを用いて絶縁膜１６７、絶縁膜１６８、ゲート絶縁層１０７に半導体層に達するコンタクトホール（開口部）を形成する。エッチングは、用いる材料の選択比によって、一回で行っても複数回行っても良い。

次いで、開口部を覆うように導電膜を形成し、導電膜をエッチングして各ソース領域又はドレイン領域の一部とそれぞれ電気的に接続するソース電極層又はドレイン電極層１６９ａ、ソース電極層又はドレイン電極層１６９ｂ、ソース電極層又はドレイン電極層１７０ａ、ソース電極層又はドレイン電極層１７０ｂ、ソース電極層又はドレイン電極層１７１ａ、ソース電極層又はドレイン電極層１７１ｂ、ソース電極層又はドレイン電極層１７２ａ、ソース電極層又はドレイン電極層１７２ｂ、配線層１５６を形成する。ソース電極層又はドレイン電極層は、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、蒸着法等により導電膜を成膜した後、所望の形状にエッチングして形成することができる。また、液滴吐出法、印刷法、電解メッキ法等により、所定の場所に選択的に導電層を形成することができる。更にはリフロー法、ダマシン法を用いても良い。ソース電極層又はドレイン電極層の材料は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂａ等の金属又はその合金、若しくはその金属窒化物を用いて形成する。また、Ｓｉ、Ｇｅを含む導電材料を用いてもよい。また、これらの積層構造としても良い。本実施の形態では、チタン（Ｔｉ）を膜厚１００ｎｍ形成し、アルミニウムとシリコンの合金（Ａｌ−Ｓｉ）を膜厚７００ｎｍ形成し、チタン（Ｔｉ）を膜厚２００ｎｍ形成し、選択的にエッチングして所望な形状に形成する。

ここまでの工程で周辺駆動回路領域２０４にＬｏｖ領域にｐ型不純物領域を有するｐチャネル型薄膜トランジスタ１７３、Ｌｏｖ領域にｎ型不純物領域を有するｎチャネル型薄膜トランジスタ１７４を、接続領域に、導電層１７７を、画素領域２０６にＬｏｆｆ領域にｎ型不純物領域を有するマルチチャネル型のｎチャネル型薄膜トランジスタ１７５、Ｌｏｖ領域にｐ型不純物領域を有するｐチャネル型薄膜トランジスタ１７６を有するアクティブマトリクス基板を作製することができる（図７（Ｂ）参照。）。

次に第２の層間絶縁層として絶縁膜１８０及び絶縁膜１８１を形成する（図８（Ａ）参照。）。図８は、表示装置の作製工程を示しており、スクライブによる切り離しのための切り離し領域２０１、ＦＰＣの貼り付け部である外部端子接続領域２０２、周辺部の引き回し配線領域である配線領域２０３、周辺駆動回路領域２０４、接続領域２０５、画素領域２０６である。配線領域２０３には配線１７９ａ、配線１７９ｂが設けられ、外部端子接続領域２０２には、外部端子と接続する端子電極層１７８が設けられている。

絶縁膜１８０、絶縁膜１８１としては酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮＯ）または酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素含有炭素膜（ＣＮ）、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）、アルミナ膜、ポリシラザン、その他の無機絶縁性材料を含む物質から選ばれた材料で形成することができる。また、シロキサン樹脂を用いてもよい。なお、シロキサン樹脂とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、有機絶縁性材料を用いてもよく、有機材料としては、感光性、非感光性どちらでも良く、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジス、ベンゾシクロブテン、低誘電率有機絶縁性材料を用いることができる。

次に、図８（Ｂ）に示すように、第２の層間絶縁層である絶縁膜１８０及び絶縁膜１８１に開口部１８２、１８３を形成する。絶縁膜１８０及び絶縁膜１８１は、接続領域２０５、配線領域２０３、外部端子接続領域２０２、切り離し領域２０１等では大面積にエッチングする必要がある。しかし、画素領域２０６においては開口面積が、接続領域２０５等の開口面積と比較して非常に小さく、微細なものとなる。従って、画素領域の開口部形成用のフォトリソグラフィ工程と、接続領域の開口部形成用のフォトリソグラフィ工程とを別々に行う。

その後、図８（Ｃ）に示すように、画素領域２０６の絶縁膜１８０及び絶縁膜１８１に微細な開口部１８４、つまりコンタクトホールを形成する。

本実施の形態では、接続領域２０５、配線領域２０３、外部端子接続領域２０２、切り離し領域２０１、周辺駆動回路領域２０４を覆い、画素領域２０６に所定の開口部が設けられたマスクで、絶縁膜１８０及び絶縁膜１８１をエッチングする場合を説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、接続領域２０５の開口部は広面積であるため、エッチングする量が多い。このような広面積な開口部は、複数回エッチングしてもよい。

次に、図９（Ａ）に示すようにソース電極層又はドレイン電極層１７２ａと接するように、第１の電極層１８５（画素電極層ともいう。）を形成する。第１の電極層は陽極、または陰極として機能し、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、またはＭｏから選ばれた元素、ＴｉＮ、ＴｉＳｉ_ＸＮ_Ｙ、ＷＳｉ_Ｘ、ＷＮ_Ｘ、ＷＳｉ_ＸＮ_Ｙ、ＮｂＮ、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とする膜またはそれらの積層膜を総膜厚１００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で用いればよい。

本実施の形態では、表示素子として発光素子を用い、発光素子からの光を第１の電極層１８５側から取り出す構造のため、第１の電極層１８５が透光性を有する。第１の電極層１８５として、透明導電膜を形成し、所望の形状にエッチングすることで第１の電極層１８５を形成する。本発明で用いる第１の電極層１８５として、酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ともいう、以下、「ＩＴＳＯ」という。）、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウムなどを用いてもよい。この他、酸化インジウムに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した酸化インジウム酸化亜鉛合金などの透明導電膜を用いることができる。第１の電極層１８５として上記透明導電膜の他に、窒化チタン膜またはチタン膜を用いても良い。この場合、透明導電膜を成膜した後に、窒化チタン膜またはチタン膜を、光が透過する程度の膜厚（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）で成膜する。本実施の形態では、第１の電極層１８５として、酸化インジウムスズと酸化珪素を用いたＩＴＳＯを用いる。

第１の電極層１８５を形成した段階での画素領域の上面図の一例を図１１に示す。図１１において、一つの画素は、ＴＦＴ５０１、ＴＦＴ５０２、容量素子５０４、第１の電極層１８５、ゲート配線層５０６、ソース配線層及びドレイン配線層５０５、電源線５０７から構成されている。

次いで、第１の電極層１８５を形成後、加熱処理を行ってもよい。この加熱処理により、第１の電極層１８５中に含まれる水分は放出される。よって、第１の電極層１８５は脱ガスなどを生じないため、第１の電極層上に水分によって劣化しやすい発光材料を形成しても、発光材料は劣化せず、信頼性の高い表示装置を作製することができる。本実施の形態では、第１の電極層１８５にＩＴＳＯを用いているので、ベークを行ってもＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）のように結晶化せず、アモルファス状態のままである。従って、ＩＴＳＯは、ＩＴＯよりも平坦性が高く、有機化合物を含む層が薄くとも陰極とのショートが生じにくい。

次いで、第１の電極層１８５の端部、ソース電極層又はドレイン電極層を覆う絶縁材料からなる隔壁１８６を形成する（図９（Ｂ）参照。）。回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いて隔壁１８６を形成する。また、隔壁１８６は、膜厚の厚い部分を複数箇所有した断面形状を有し、隔壁の側面に段差を有している。この隔壁１８６の作製方法は、実施の形態１に従って得ることができる。

フルカラー表示を行うためには、第１の電極層上に電界発光層を形成する際、ＲＧＢの発光を行う電界発光層をそれぞれ作り分けなければならない。よって、他色の電界発光層を形成する時は、その画素電極層（第１の電極層）は蒸着マスクによって覆われている。蒸着マスクは金属材料などからなる膜状の形態を用いることができる。このとき、蒸着マスクは隔壁１８６上に設けられ、隔壁１８６の厚い部分で支持される。この隔壁１８６の厚い部分を設けることによって、マスクによる第１の電極層への形状不良は防止され、第１の電極層は発光不良、表示不良を引き起こすことなく、信頼性の高い高画質な表示装置とすることができる。

また、隔壁１８６と同工程で外部端子接続領域２０２に絶縁物（絶縁層）１８７ａ、絶縁物（絶縁層）１８７ｂを形成する。

また、接続領域２０５において、隔壁１８６は、開口部１８２の側面の絶縁膜１８０及び絶縁膜１８１の端部を覆うように形成されている。選択的にエッチングする処理によって段差を有するように加工された絶縁膜１８０及び絶縁膜１８１の端部は、その急激な段差のため、その上に積層する第２の電極層１８９の被覆性が悪い。よって本発明のように、開口部周辺の段差を隔壁１８６によって覆い、段差をなだらかにすることで、積層する第２の電極層１８９の被覆性を向上させることができる。接続領域２０５において、第２の電極層と同工程、同材料で形成される配線層は配線層１５６と電気的に接続する。本実施の形態では、第２の電極層１８９は配線層１５６と接して電気的に接続されているが、他の配線を介して電気的に接続されてもよい。

次いで、第１の電極層１８５上に電界発光層１８８を形成する。なお、図１０では一画素しか図示していないが、本実施の形態ではＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した電界発光層を作り分けている。本実施の形態では電界発光層１８８として、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光を示す材料を、それぞれ蒸着マスクを用いた蒸着法等によって選択的に形成する。

次に、電界発光層１８８上に導電膜からなる第２の電極層１８９を形成する。第２の電極層１８９としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金や化合物、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ_２、または窒化カルシウム）を用いればよい。こうして第１の電極層１８５、電界発光層１８８及び第２の電極層１８９からなる発光素子１９０が形成される。

図１０に示した本実施の形態の表示装置において、発光素子１９０から発した光は、第１の電極層１８５側から、図１０中の矢印の方向に透過して射出される。

第２の電極層１８９を覆うようにしてパッシベーション膜１９１を設けることは有効である。パッシベーション膜１９１としては、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮＯ）または酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素含有炭素膜（ＣＮ）を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層を用いることができる。また、シロキサン樹脂材料を用いてもよい。

次いで、発光素子１９０が形成された基板１００と、封止基板１９５とをシール材１９２によって固着し、発光素子を封止する（図１０参照。）。

なお、シール材で囲まれた領域には充填材や粘着テープを充填してもよく、窒素雰囲気下で封止することによって、窒素等を封入してもよい。本実施の形態は、下面射出型のため、充填材は透光性を有する必要はないが、充填材を透過して光を取り出す構造の場合は、透光性を有する必要がある。代表的には可視光硬化、紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂を用いればよい。以上の工程において、本実施の形態における、発光素子を用いた表示機能を有する表示装置が完成する。また充填材は、液状の状態で滴下し、表示装置内に充填することもできる。

また、発光素子の水分による劣化を防ぐため、パネル内に乾燥剤を設置してもよい。

次いで、外部端子接続領域２０２において、端子電極層１７８に異方性導電層１９６によってＦＰＣ１９４を接続し、外部と電気的に接続する。

また、本発明の表示装置において、画面表示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよい。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、表示装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい。

さらに、ビデオ信号がデジタルの表示装置において、画素に入力されるビデオ信号が定電圧（ＣＶ）のものと、定電流（ＣＣ）のものとがある。ビデオ信号が定電圧のもの（ＣＶ）には、発光素子に印加される電圧が一定のもの（ＣＶＣＶ）と、発光素子に印加される電流値が一定のもの（ＣＶＣＣ）とがある。また、ビデオ信号が定電流のもの（ＣＣ）には、発光素子に印加される電圧値が一定のもの（ＣＣＣＶ）と、発光素子に印加される電流値が一定のもの（ＣＣＣＣ）とがある。

本発明を用いると、信頼性の高い表示装置を簡略化した工程で作製することができる。よって、高精細、高画質な表示装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる。

本実施の形態は、実施の形態１乃至３のいずれか一と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本発明によって形成される発光装置によって、テレビジョン装置を完成させることができる。表示パネルには、画素部のみが形成されて走査線側駆動回路と信号線側駆動回路とが、ＴＡＢ方式により実装される場合と、ＣＯＧ方式により実装される場合と、ＴＦＴを形成し、画素部と走査線側駆動回路を基板上に一体形成し信号線側駆動回路を別途ドライバＩＣとして実装する場合、また画素部と信号線側駆動回路と走査線側駆動回路を基板上に一体形成する場合などがあるが、どのような形態としても良い。

その他の外部回路の構成として、映像信号の入力側では、チューナで受信した信号のうち、映像信号を増幅する映像信号増幅回路と、そこから出力される信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路と、その映像信号をドライバＩＣの入力仕様に変換するためのコントロール回路などからなっている。コントロール回路は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号が出力する。デジタル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路を設け、入力デジタル信号をｍ個に分割して供給する構成としても良い。

チューナで受信した信号のうち、音声信号は、音声信号増幅回路に送られ、その出力は音声信号処理回路を経てスピーカに供給される。制御回路は受信局（受信周波数）や音量の制御情報を入力部から受け、チューナや音声信号処理回路に信号を送出する。

表示モジュールを、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、筐体に組みこんで、テレビジョン装置を完成させることができる。ＦＰＣまで取り付けられた表示パネルのことを表示モジュールとも呼ぶ。表示モジュールにより主画面２００３が形成され、その他付属設備としてスピーカー部２００９、操作スイッチなどが備えられている。このように、本発明によりテレビジョン装置を完成させることができる。

また、位相差板や偏光板を用いて、外部から入射する光の反射光を遮断するようにしてもよい。また上面放射型の表示装置ならば、隔壁となる絶縁層を着色しブラックマトリクスとして用いてもよい。この隔壁は液滴吐出法などによっても形成することができ、顔料系の黒色樹脂や、ポリイミドなどの樹脂材料に、カーボンブラック等を混合させてもよく、その積層でもよい。液滴吐出法によって、異なった材料を同領域に複数回吐出し、隔壁を形成してもよい。位相差板、位相差板としてはλ／４板、λ／２板を用い、光を制御できるように設計すればよい。構成としては、順にＴＦＴ素子基板、発光素子、封止基板（封止材）、位相差板、位相差板（λ／４板、λ／２板）、偏光板となり、発光素子から放射された光は、これらを通過し偏光板側より外部に放射される。この位相差板や偏光板は光が放射される側に設置すればよく、両面放射される両面放射型の表示装置であれば両方に設置することもできる。また、偏光板の外側に反射防止膜を有していても良い。これにより、より高繊細で精密な画像を表示することができる。

図１２（Ａ）に示すように、筐体２００１に表示素子を利用した表示用パネル２００２が組みこまれ、受信機２００５により一般のテレビ放送の受信をはじめ、モデム２００４を介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、又は受信者間同士）の情報通信をすることもできる。テレビジョン装置の操作は、筐体に組みこまれたスイッチ又は別体のリモコン操作機２００６により行うことが可能であり、このリモコン装置にも出力する情報を表示する表示部２００７が設けられていても良い。

また、テレビジョン装置にも、主画面２００３の他にサブ画面２００８を第２の表示用パネルで形成し、チャネルや音量などを表示する構成が付加されていても良い。この構成において、主画面２００３を視野角の優れたＥＬ表示用パネルで形成し、サブ画面を低消費電力で表示可能な液晶表示用パネルで形成しても良い。また、低消費電力化を優先させるためには、主画面２００３を液晶表示用パネルで形成し、サブ画面をＥＬ表示用パネルで形成し、サブ画面は点滅可能とする構成としても良い。本発明を用いると、このような大型基板を用いて、多くのＴＦＴや電子部品を用いても、信頼性の高い表示装置とすることができる。

図１２（Ｂ）は例えば２０〜８０インチの大型の表示部を有するテレビジョン装置であり、筐体２０１０、操作部であるキーボード部２０１２、表示部２０１１、スピーカー部２０１３等を含む。本発明は、表示部２０１１の作製に適用される。図１２（Ｂ）の表示部は、わん曲可能な基板を用いているので、表示部がわん曲したテレビジョン装置となっている。このように表示部の形状を自由に設計することができるので、所望な形状のテレビジョン装置を作製することができる。

本発明により、簡略な工程で表示装置を形成できるため、コストダウンも達成できる。よって本発明を用いたテレビジョン装置では、大画面の表示部を有しても低いコストで形成できる。よって高性能、高信頼性のテレビジョン装置を歩留まりよく作製することができる。

勿論、本発明はテレビジョン装置に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをはじめ、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など大面積の表示媒体としても様々な用途に適用することができる。

本実施の形態は、実施の形態１乃至４のいずれか一と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態を図１３を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態１乃至４で作製する表示装置を有するパネルを用いたモジュールの例を示す。

図１３（Ａ）に示す情報端末のモジュールは、プリント配線基板９４６に、コントローラ９０１、中央処理装置（ＣＰＵ）９０２、メモリ９１１、電源回路９０３、音声処理回路９２９及び送受信回路９０４や、その他、抵抗、バッファ、容量素子等の素子が実装されている。また、パネル９００がフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）９０８を介してプリント配線基板９４６に接続されている。

パネル９００には、発光素子が各画素に設けられた画素部９０５と、前記画素部９０５が有する画素を選択する第１の走査線駆動回路９０６ａ、第２の走査線駆動回路９０６ｂと、選択された画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回路９０７とが設けられている。

プリント配線基板９４６に備えられたインターフェース（Ｉ／Ｆ）部９０９を介して、各種制御信号の入出力が行われる。また、アンテナとの間の信号の送受信を行なうためのアンテナ用ポート９１０が、プリント配線基板９４６に設けられている。

なお、本実施の形態ではパネル９００にプリント配線基板９４６がＦＰＣ９０８を介して接続されているが、必ずしもこの構成に限定されない。ＣＯＧ（ＣｈｉｐｏｎＧｌａｓｓ）方式を用い、コントローラ９０１、音声処理回路９２９、メモリ９１１、ＣＰＵ９０２または電源回路９０３をパネル９００に直接実装させるようにしても良い。また、プリント配線基板９４６には、容量素子、バッファ等の各種素子が設けられ、電源電圧や信号にノイズがのったり、信号の立ち上がりが鈍ったりすることを防いでいる。

図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）に示したモジュールのブロック図を示す。このモジュール９９９は、メモリ９１１としてＶＲＡＭ９３２、ＤＲＡＭ９２５、フラッシュメモリ９２６などが含まれている。ＶＲＡＭ９３２にはパネルに表示する画像のデータが、ＤＲＡＭ９２５には画像データまたは音声データが、フラッシュメモリには各種プログラムが記憶されている。

電源回路９０３では、パネル９００、コントローラ９０１、ＣＰＵ９０２、音声処理回路９２９、メモリ９１１、送受信回路９３１に与える電源電圧が生成される。またパネルの仕様によっては、電源回路９０３に電流源が備えられている場合もある。

ＣＰＵ９０２は、制御信号生成回路９２０、デコーダ９２１、レジスタ９２２、演算回路９２３、ＲＡＭ９２４、ＣＰＵ用のインターフェース９３５などを有している。インターフェース９３５を介してＣＰＵ９０２に入力された各種信号は、一旦レジスタ９２２に保持された後、演算回路９２３、デコーダ９２１などに入力される。演算回路９２３では、入力された信号に基づき演算を行ない、各種命令を送る場所を指定する。一方デコーダ９２１に入力された信号はデコードされ、制御信号生成回路９２０に入力される。制御信号生成回路９２０は入力された信号に基づき、各種命令を含む信号を生成し、演算回路９２３において指定された場所、具体的にはメモリ９１１、送受信回路９３１、音声処理回路９２９、コントローラ９０１などに送る。

メモリ９１１、送受信回路９３１、音声処理回路９２９、コントローラ９０１は、それぞれ受けた命令に従って動作する。以下その動作について簡単に説明する。

入力手段９３４から入力された信号は、インターフェース９０９を介してプリント配線基板９４６に実装されたＣＰＵ９０２に送られる。制御信号生成回路９２０は、ポインティングデバイスやキーボードなどの入力手段９３４から送られてきた信号に従い、ＶＲＡＭ９３２に格納してある画像データを所定のフォーマットに変換し、コントローラ９０１に送付する。

コントローラ９０１は、パネルの仕様に合わせてＣＰＵ９０２から送られてきた画像データを含む信号にデータ処理を施し、パネル９００に供給する。またコントローラ９０１は、電源回路９０３から入力された電源電圧やＣＰＵ９０２から入力された各種信号をもとに、Ｈｓｙｎｃ信号、Ｖｓｙｎｃ信号、クロック信号ＣＬＫ、交流電圧（ＡＣＣｏｎｔ）、切り替え信号Ｌ／Ｒを生成し、パネル９００に供給する。

送受信回路９０４では、アンテナ９３３において電波として送受信される信号が処理されており、具体的にはアイソレータ、バンドパスフィルタ、ＶＣＯ（ＶｏｌｔａｇｅＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＯｓｃｉｌｌａｔｏｒ）、ＬＰＦ（ＬｏｗＰａｓｓＦｉｌｔｅｒ）、カプラ、バランなどの高周波回路を含んでいる。送受信回路９０４において送受信される信号のうち音声情報を含む信号が、ＣＰＵ９０２からの命令に従って、音声処理回路９２９に送られる。

ＣＰＵ９０２の命令に従って送られてきた音声情報を含む信号は、音声処理回路９２９において音声信号に復調され、スピーカー９２８に送られる。またマイク９２７から送られてきた音声信号は、音声処理回路９２９において変調され、ＣＰＵ９０２からの命令に従って、送受信回路９０４に送られる。

コントローラ９０１、ＣＰＵ９０２、電源回路９０３、音声処理回路９２９、メモリ９１１を、本実施の形態のパッケージとして実装することができる。本実施の形態は、アイソレータ、バンドパスフィルタ、ＶＣＯ（ＶｏｌｔａｇｅＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＯｓｃｉｌｌａｔｏｒ）、ＬＰＦ（ＬｏｗＰａｓｓＦｉｌｔｅｒ）、カプラ、バランなどの高周波回路以外であれば、どのような回路にも応用することができる。

表示パネル９００は、画素電極上、又は画素電極周囲を覆う絶縁物上にスペーサを具備している。それにより、この表示パネル９００を備えるモジュールは、電界発光層を形成時に用いるマスクが画素電極と接触しないように支持するため、画素電極の損傷が防げ、高画質な表示と高い信頼性という効果を奏することができる。

（実施の形態７）
本実施の形態を図１４を用いて説明する。図１４は、実施の形態６で作製するモジュールを含む無線を用いた持ち運び可能な小型電話機（携帯電話）の一態様を示している。表示パネル９００はハウジング１００１に脱着自在に組み込んでモジュール９９９と容易に固定できるようにしている。ハウジング１００１は組み入れる電子機器に合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。

表示パネル９００を固定したハウジング１００１はプリント配線基板９４６に嵌着されモジュールとして組み立てられる。プリント配線基板９４６には、コントローラ、ＣＰＵ、メモリ、電源回路、その他、抵抗、バッファ、容量素子等が実装されている。さらに、マイクロフォン９９４及びスピーカー９９５を含む音声処理回路、送受信回路などの信号処理回路９９３が備えられている。パネル９００はＦＰＣ９０８を介してプリント配線基板９４６に接続される。

このようなモジュール９９９、入力手段９９８、バッテリ９９７は筐体９９６に収納される。表示パネル９００の画素部は筐体９９６に形成された開口窓から視認できように配置されている。

図１４で示す筐体９９６は、電話機の外観形状を一例として示している。しかしながら、本実施の形態に係る電子機器は、その機能や用途に応じてさまざまな態様に変容し得る。以下に示す実施の形態で、その態様の一例を説明する。

（実施の形態８）
本発明を適用して、様々な表示装置を作製することができる。即ち、それら表示装置を表示部に組み込んだ様々な電子機器に本発明を適用できる。

その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌＶｅｒｓａｔｉｌｅＤｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それらの例を図１５に示す。

図１５（Ａ）は、コンピュータであり、本体２１０１、筐体２１０２、表示部２１０３、キーボード２１０４、外部接続ポート２１０５、ポインティングマウス２１０６等を含む。本発明を用いると、小型化し、画素が微細化しても、信頼性が高く、高画質な画像を表示するコンピュータを完成させることができる。

図１５（Ｂ）は記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部Ａ２２０３、表示部Ｂ２２０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２２０５、操作キー２２０６、スピーカー部２２０７等を含む。表示部Ａ２２０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２２０４は主として文字情報を表示する。本発明を用いると、小型化し、画素が微細化しても、信頼性が高く、高画質な画像を表示する画像再生装置を完成させることができる。

図１５（Ｃ）は携帯電話であり、本体２３０１、音声出力部２３０２、音声入力部２３０３、表示部２３０４、操作スイッチ２３０５、アンテナ２３０６等を含む。本発明を用いると、小型化し、画素が微細化しても、信頼性が高く、高画質な画像を表示する携帯電話を完成することができる。

図１５（Ｄ）はビデオカメラであり、本体２４０１、表示部２４０２、筐体２４０３、外部接続ポート２４０４、リモコン受信部２４０５、受像部２４０６、バッテリー２４０７、音声入力部２４０８、接眼部２４０９、操作キー２４１０等を含む。本発明を用いると、小型化し、画素が微細化しても、信頼性が高く、高画質な画像を表示できるビデオカメラを完成することができる。

（実施の形態９）
ここでは、発光素子と電気的に接続するＴＦＴとして、アモルファスシリコンを活性層とするＴＦＴの例を図１６に示す。

図１６において、１９１０は基板、１９１１は隔壁、１９１３は第１の電極、１９１４は有機化合物を含む層、１９１５は第２の電極、１９１６はアモルファスシリコンＴＦＴ、１９１７はゲート絶縁膜、１９１８は絶縁膜である。また、１９１９は電源供給線などの配線である。

アモルファスシリコンＴＦＴ１９１６の作製手順は、公知の技術を用いればよく、まず、基板１９１０上にゲート電極を形成した後、ゲート絶縁膜１９１７を形成する。次いで、アモルファスシリコン膜（活性層）、リンを含むアモルファスシリコン膜（ｎ＋層）、金属膜を順次積層する。次いで、アモルファスシリコンを所望の素子形状にエッチングした後、ゲート電極と重なる領域において、アモルファスシリコンが一部露呈するように選択的にエッチングを行ってチャネルを形成する。次いで、全面を絶縁膜１９１８で覆った後、コンタクトホールの形成、ソース配線、ドレイン配線の形成を行う。

なお、アモルファスシリコンＴＦＴ１９１６はチャネルエッチ型ＴＦＴを示しているが、チャネルストップ型ＴＦＴとしてもよい。

アモルファスシリコンＴＦＴ作製以降の工程は、実施の形態１と同様に、第１の電極１９１３の形成、断面形状が裾状の隔壁１９１１を形成する。

次いで、有機化合物を含む層１９１４を蒸着法、インクジェット法、または塗布法によって形成する。次いで、蒸着法またはスパッタ法により第２の電極１９１５を形成する。

アモルファスシリコンＴＦＴは高熱でのプロセスが少なく、量産に適したプロセスであり、発光装置の作製におけるコスト削減することができる。

また、本実施の形態においては、アモルファスシリコンＴＦＴを用いる例であるので、同一基板上に画素部と駆動回路とを作製せずに、画素部のみを基板上に形成し、駆動回路をＩＣで構成する。

本実施の形態は、実施の形態１乃至８のいずれか一と自由に組み合わせることができる。

本発明の工程断面図を示す図。蒸着装置の一例を示す図。本発明の断面構造の一例を示す図。本発明の断面構造の一例を示す図。発光装置の作製工程を示す図。発光装置の作製工程を示す図。発光装置の作製工程を示す図。発光装置の作製工程を示す図。発光装置の作製工程を示す図。アクティブマトリクス型発光装置の構成を示す図。画素領域の上面図の一例本発明が適用される電子機器を示す図。本発明が適用される電子機器を示す図。本発明が適用される電子機器を示す図。本発明が適用される電子機器を示す図。本発明の断面構造の一例を示す図。

符号の説明

１０基板
１１隔壁
１２下地絶縁膜
１３第１の電極
１４有機化合物を含む層
１５第２の電極
１６ＴＦＴ
１７ゲート絶縁膜を含む絶縁膜の積層
１８絶縁膜
１９配線
２０感光性の樹脂膜
２１蒸着マスク
３１隔壁
３３第１の電極
３４有機化合物を含む層
１００基板
１０１ａ下地膜
１０１ｂ下地膜
１０２結晶性半導体膜
１０３半導体層
１０４半導体層
１０５半導体層
１０６半導体層
１０７ゲート絶縁層
１０８導電膜
１０９導電膜
１１７ゲート電極層
１１８ゲート電極層
１２１ゲート電極層
１２２ゲート電極層
１２３導電層
１２４ゲート電極層
１２５ゲート電極層
１２６ゲート電極層
１２７ゲート電極層
１２８ゲート電極層
１２９ゲート電極層
１３０導電層
１３１ゲート電極層
１３２ゲート電極層
１３３導電層
１３４ゲート電極層
１３５第２のゲート電極層
１３６第２のゲート電極層
１４０ａｎ型不純物領域
１４０ｂｎ型不純物領域
１４１ａｎ型不純物領域
１４１ｂｎ型不純物領域
１４２ａｎ型不純物領域
１４２ｂｎ型不純物領域
１４２ｃｎ型不純物領域
１４３ａｎ型不純物領域
１４３ｂｎ型不純物領域
１４４ａｎ型不純物領域
１４４ｂｎ型不純物領域
１４５ａｎ型不純物領域
１４５ｂｎ型不純物領域
１４６チャネル形成領域
１４７ａｎ型不純物領域
１４７ｂｎ型不純物領域
１４７ｃｎ型不純物領域
１４８ａｎ型不純物領域
１４８ｂｎ型不純物領域
１４８ｃｎ型不純物領域
１４８ｄｎ型不純物領域
１４９ａチャネル形成領域
１４９ｂチャネル形成領域
１５１不純物元素
１５２不純物元素
１５３ａマスク
１５３ｂマスク
１５３ｃマスク
１５３ｄマスク
１５４不純物元素
１５５ａマスク
１５５ｂマスク
１５６配線層
１６０ａｐ型不純物領域
１６０ｂｐ型不純物領域
１６１ａｐ型不純物領域
１６１ｂｐ型不純物領域
１６２チャネル形成領域
１６３ａｐ型不純物領域
１６３ｂｐ型不純物領域
１６４ａｐ型不純物領域
１６４ｂｐ型不純物領域
１６５チャネル形成領域
１６７絶縁膜
１６８絶縁膜
１６９ａドレイン電極層
１６９ｂドレイン電極層
１７０ａドレイン電極層
１７０ｂドレイン電極層
１７１ａドレイン電極層
１７１ｂドレイン電極層
１７２ａドレイン電極層
１７２ｂドレイン電極層
１７３ｐチャネル型薄膜トランジスタ
１７４ｎチャネル型薄膜トランジスタ
１７５ｎチャネル型薄膜トランジスタ
１７６ｐチャネル型薄膜トランジスタ
１７７導電層
１７８端子電極層
１７９ａ配線
１７９ｂ配線
１８０絶縁膜
１８１絶縁膜
１８２開口部
１８３開口部
１８４開口部
１８５第１の電極層
１８６隔壁
１８７ａ絶縁物
１８７ｂ絶縁物
１８８電界発光層
１８９第２の電極層
１９０発光素子
１９１パッシベーション膜
１９２シール材
１９４ＦＰＣ
１９５封止基板
１９６異方性導電層
２０１領域
２０２外部端子接続領域
２０３配線領域
２０４周辺駆動回路領域
２０５接続領域
２０６画素領域
３０１第１の基板
３０２隔壁
３０３第１の電極
３０４構造物
３０５有機化合物を含む層
３０６画素部
３０７第２の電極
３０８第２の基板
３０９接着層
４００露光マスク
４０１遮光部
４０２半透部
５０１ＴＦＴ
５０２ＴＦＴ
５０４容量素子
５０５ドレイン配線層
５０６ゲート配線層
５０７電源線
７００成膜室
７０１基板
７０２蒸着マスク
７０３ａ防着シールド
７０３ｂ開口部
７０４蒸着源
７０５蒸着源の移動方向
７０６ａ基板の搬送方向
７０６ｂ蒸着材料の昇華方向
７０７設置室
９００パネル
９０１コントローラ
９０２ＣＰＵ
９０３電源回路
９０４送受信回路
９０５画素部
９０６ａ第１の走査線駆動回路
９０６ｂ第２の走査線駆動回路
９０７信号線駆動回路
９０８ＦＰＣ
９０９Ｉ／Ｆ部
９１０アンテナ用ポート
９１１メモリ
９２０制御信号生成回路
９２１デコーダ
９２２レジスタ
９２３演算回路
９２４ＲＡＭ
９２５ＤＲＡＭ
９２６フラッシュメモリ
９２７マイク
９２８スピーカー
９２９音声処理回路
９３１送受信回路
９３２ＶＲＡＭ
９３３アンテナ
９３４入力手段
９３５インターフェース
９４６プリント配線基板
９９３信号処理回路
９９４マイクロフォン
９９５スピーカー
９９６筐体
９９７バッテリ
９９８入力手段
９９９モジュール
１００１ハウジング
１９１０基板
１９１１隔壁
１９１３電極
１９１４有機化合物を含む層
１９１５電極
１９１６アモルファスシリコンＴＦＴ
１９１７ゲート絶縁膜
１９１８絶縁膜
１９１９配線
２００１筐体
２００２表示用パネル
２００３主画面
２００４モデム
２００５受信機
２００６リモコン操作機
２００７表示部
２００８サブ画面
２００９スピーカー部
２０１０筐体
２０１１表示部
２０１２キーボード部
２０１３スピーカー部
２１０１本体
２１０２筐体
２１０３表示部
２１０４キーボード
２１０５外部接続ポート
２１０６ポインティングマウス
２２０１本体
２２０２筐体
２２０３表示部Ａ
２２０４表示部Ｂ
２２０５記録媒体読み込み部
２２０６操作キー
２２０７スピーカー部
２３０１本体
２３０２音声出力部
２３０３音声入力部
２３０４表示部
２３０５操作スイッチ
２３０６アンテナ
２４０１本体
２４０２表示部
２４０３筐体
２４０４外部接続ポート
２４０５リモコン受信部
２４０６受像部
２４０７バッテリー
２４０８音声入力部
２４０９接眼部
２４１０操作キー

Claims

絶縁表面を有する基板上に複数の発光素子を有する発光装置であり、
発光素子は、第１の電極と、該第１の電極の端部を覆う隔壁と、前記第１の電極上に有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に第２の電極とを有し、
前記隔壁は、発光素子上面から基板に向かって裾広がりの断面形状を有し、隔壁の側面に段差を有していることを特徴とする発光装置。
絶縁表面を有する基板上に複数の発光素子を有する発光装置であり、
発光素子は、第１の電極と、該第１の電極の端部を覆う隔壁と、前記第１の電極上に有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に第２の電極とを有し、
前記隔壁は、突出した部分を有していることを特徴とする発光装置。
請求項１または請求項２において、前記隔壁の上端部は、丸みを有することを特徴とする発光装置。
請求項１乃至３のいずれか一において、前記隔壁は単層であることを特徴とする発光装置。
絶縁表面を有する基板上に複数の発光素子を有する画素部を備えた発光装置であり、
発光素子は、第１の電極と、該第１の電極の端部を覆う隔壁と、前記第１の電極上に有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に第２の電極とを有し、
前記隔壁と同じ材料である構造物が前記画素部を囲むように配置され、前記構造物の膜厚と前記隔壁の膜厚は異なることを特徴とする発光装置。
請求項５において、前記隔壁は、発光素子上面から基板に向かって裾広がりの断面形状を有し、隔壁の側面に段差を有していることを特徴とする発光装置。
請求項５または請求項６において、前記発光装置は、前記絶縁表面を有する基板に対向する基板を有し、この一対の基板の間隔を前記構造物が保持することを特徴とする発光装置。
請求項５乃至７のいずれか一において、前記発光装置は、前記絶縁表面を有する基板に対向する基板を有し、該基板を発光素子の発光が通過することを特徴とする発光装置。
請求項５乃至８のいずれか一において、前記構造物と、一対の基板とで囲まれる領域は樹脂で充填されることを特徴とする発光装置。
請求項５乃至９のいずれか一において、前記構造物は、前記隔壁と同一工程で形成されることを特徴とする発光装置。
絶縁表面を有する基板上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極の端部上に、回折格子パターン、或いは半透部を有するフォトマスク又はレチクルを用いて、膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を有する隔壁を形成し、
前記第１の電極上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
請求項１１において、前記隔壁は、回折格子パターン、或いは半透部を有するフォトマスク又はレチクルを用いて選択的に露光現像して形成した樹脂であることを特徴とする発光装置の作製方法。
絶縁表面を有する基板上に複数の薄膜トランジスタおよび複数の発光素子を有する発光装置の作製方法であり、
絶縁表面を有する基板上にソース領域、ドレイン領域、およびその間のチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを形成し、
前記ゲート絶縁膜上方に前記ソース領域または前記ドレイン領域と電気的に接続する第１の電極を形成し、
前記第１の電極の端部を覆う隔壁と、複数の発光素子を囲む位置に構造物とを形成し、
前記第１の電極上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に第２の電極を形成し、
前記構造物で基板間隔を保つように、第２の基板を樹脂材料で前記第１の基板に貼り合せて前記発光素子を封止することを特徴とする発光装置の作製方法。
請求項１３において、前記隔壁および前記構造物は、回折格子パターン、或いは半透部を有するフォトマスク又はレチクルを用いて選択的に露光現像して形成した樹脂であることを特徴とする発光装置の作製方法。