JP2015215937A - 半導体装置、表示モジュール及び電子機器 - Google Patents
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- H03K5/1506—Arrangements in which pulses are delivered at different times at several outputs, i.e. pulse distributors with more than two outputs with parallel driven output stages; with synchronously driven series connected output stages
- H03K5/15066—Arrangements in which pulses are delivered at different times at several outputs, i.e. pulse distributors with more than two outputs with parallel driven output stages; with synchronously driven series connected output stages using bistable devices
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- H03K4/02—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having stepped portions, e.g. staircase waveform
- H03K4/026—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having stepped portions, e.g. staircase waveform using digital techniques
Abstract
Description
本実施の形態では、本発明の一態様に係る装置について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る装置を有する表示装置について説明する。
本実施の形態では、トランジスタの構成例について、図面を参照して説明する。本実施の形態で述べるトランジスタは、実施の形態1で述べるトランジスタ101乃至116、実施の形態2で述べるトランジスタ132、トランジスタ135、トランジスタ136に採用することが可能である。
図29(A)に、以下で例示するトランジスタ600の上面概略図を示す。また図29(B)に図29(A)中に示す切断線A−Bにおけるトランジスタ600の断面概略図を示す。図29(A)(B)で例示するトランジスタ600はボトムゲート型のトランジスタである。
続いて、図29に例示するトランジスタ600の作製方法の一例について説明する。
以下では、トランジスタ600と一部が異なるトランジスタの構成例について説明する。
以下では、本発明の一態様の酸化物半導体膜を適用可能な、トップゲート型のトランジスタの構成例について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明したオフ電流の低いトランジスタの半導体層に用いることのできる酸化物半導体層について説明する。
本実施の形態においては、表示モジュールの一例について、図33及び図34を用いて以下説明を行う。
図34に示す表示モジュール700は、引き回し配線部711と、画素部702と、ソースドライバ回路部704と、FPC端子部708と、を有する。また、引き回し配線部711は、信号線710を有する。また、画素部702は、トランジスタ750及び容量素子790を有する。また、ソースドライバ回路部704は、トランジスタ752を有する。
図34に示す表示モジュール700は、液晶素子775を有する。液晶素子775は、導電膜772、導電膜774、及び液晶層776を有する。液晶層776としては、先に説明した誘電率の異方性が2以上3.8以下である液晶材料を用いる。導電膜774は、第2の基板705側に設けられ、対向電極としての機能を有する。図34に示す表示モジュール700は、導電膜772と導電膜774に印加される電圧によって、液晶層776の配向状態が変わることによって光の透過、非透過が制御され画像を表示することができる。
本実施の形態においては、先の実施の形態で説明した表示モジュールに、タッチセンサ(接触検出装置)を設けることで、入出力装置(タッチパネルともいう)として機能させることができる構成について、図35及び図36を用いて説明する。以下において、上記実施の形態と重複する部分については、説明を省略する場合がある。
本実施の形態で説明する入出力装置800は、可視光を透過する窓部834を具備し且つマトリクス状に配設される複数の検知ユニット820U、行方向(図中に矢印Rxで示す)に配置される複数の検知ユニット820Uと電気的に接続する走査線G1、列方向(図中に矢印Ryで示す)に配置される複数の検知ユニット820Uと電気的に接続する信号線DLならびに、検知ユニット820U、走査線G1および信号線DLを支持する第1の基材836を備える入力装置850と、窓部834に重なり且つマトリクス状に配設される複数の画素802および画素802を支持する第2の基材810を備える表示モジュール801と、を有する(図35(A)乃至図35(C)参照)。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した液晶表示装置を用いて作製される電子機器の具体例について、図37を用いて説明する。
C2 端子
C3 端子
C4 端子
CK1 配線
CK2 配線
CK3 配線
CK4 配線
G1 走査線
M1 トランジスタ
M3 トランジスタ
M4 トランジスタ
ND1 ノード
S1 端子
S2 端子
S3 端子
S4 端子
SP1 配線
SP2 配線
VSS1 配線
VSS2 配線
VSS3 配線
VSS4 配線
FPC1 フレキシブル基板
FPC2 フレキシブル基板
SR 回路
A 期間
B 期間
C 期間
D 期間
E 期間
F 期間
G 期間
H 期間
OUT 配線
O 端子
SL 配線
DL 信号線
CS 配線
RES 配線
VPI 配線
VRES 配線
Ca 検知素子
BG 配線
100 回路
101 トランジスタ
102 トランジスタ
103 トランジスタ
103A トランジスタ
103B トランジスタ
103C トランジスタ
103D トランジスタ
104 トランジスタ
105 トランジスタ
106 トランジスタ
107 トランジスタ
108 トランジスタ
109 トランジスタ
110 トランジスタ
111 トランジスタ
112 トランジスタ
113 トランジスタ
114 トランジスタ
115 トランジスタ
116 トランジスタ
116A トランジスタ
116B トランジスタ
130 画素部
131 画素
132 トランジスタ
133 液晶素子
134 容量素子
135 トランジスタ
136 トランジスタ
137 EL素子
600 トランジスタ
601 基板
602 ゲート電極
603 絶縁層
604 酸化物半導体層
604a チャネル領域
604b n型領域
604c n型領域
605a 電極
605b 電極
606 絶縁層
607 絶縁層
610 トランジスタ
614 酸化物半導体層
614a 酸化物半導体層
614b 酸化物半導体層
620 トランジスタ
624 酸化物半導体層
624a 酸化物半導体層
624b 酸化物半導体層
624c 酸化物半導体層
650 トランジスタ
651 絶縁層
652 絶縁層
654 絶縁層
656 絶縁層
660 トランジスタ
664 酸化物半導体層
664a 酸化物半導体層
664b 酸化物半導体層
664c 酸化物半導体層
670 トランジスタ
700 表示モジュール
701 基板
702 画素部
704 ソースドライバ回路部
705 基板
706 ゲートドライバ回路部
708 FPC端子部
710 信号線
711 配線部
712 シール材
716 FPC
734 絶縁膜
736 着色膜
738 遮光膜
750 トランジスタ
752 トランジスタ
760 接続電極
764 絶縁膜
768 絶縁膜
770 平坦化絶縁膜
772 導電膜
774 導電膜
775 液晶素子
776 液晶層
778 構造体
780 異方性導電膜
790 容量素子
800 入出力装置
801 表示モジュール
802 画素
802B 副画素
802G 副画素
802R 副画素
803c 容量
803g 走査線駆動回路
803t トランジスタ
810 基材
811 配線
819 端子
820U 検知ユニット
821 電極
822 電極
823 絶縁層
834 窓部
836 基材
837 保護基材
837p 保護層
839 検知回路
850 入力装置
867p 反射防止層
872 反射電極
880 液晶素子
1400 携帯情報端末
1401 筐体
1402 表示部
1403 操作ボタン
1410 携帯電話機
1411 筐体
1412 表示部
1413 操作ボタン
1414 スピーカー
1415 マイク
1420 音楽再生装置
1421 筐体
1422 表示部
1423 操作ボタン
1424 アンテナ
Claims (9)
- シフトレジスタを有し、
前記シフトレジスタは、第1乃至第3のフリップフロップを有し、
前記第1のフリップフロップは、第1の配線に第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第2のフリップフロップは、第2の配線に第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記第3のフリップフロップは、第3の配線に第3の信号を出力することができる機能を有し、
前記第1の信号は、第1のクロック信号に同期する値を有し、
前記第2の信号は、第2のクロック信号に同期する値を有し、
前記第3の信号は、第3のクロック信号に同期する値を有し、
前記第2のフリップフロップは、第1乃至第3のトランジスタを有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第4の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、第5の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは、第6の配線と電気的に接続され、
前記第4の配線は、前記第2のクロック信号を伝達することができる機能を有し、
前記第5の配線は、前記第1のクロック信号を伝達することができる機能を有し、
前記第6の配線は、前記第3のクロック信号を伝達することができる機能を有することを特徴とする半導体装置。 - シフトレジスタを有し、
前記シフトレジスタは、第1乃至第3のフリップフロップを有し、
前記第1のフリップフロップは、第1の配線に第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第2のフリップフロップは、第2の配線に第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記第3のフリップフロップは、第3の配線に第3の信号を出力することができる機能を有し、
前記第1の信号は、第1のクロック信号に同期する値を有し、
前記第2の信号は、第2のクロック信号に同期する値を有し、
前記第3の信号は、第3のクロック信号に同期する値を有し、
前記第2のフリップフロップは、第1乃至第3のトランジスタを有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第4の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第5の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、前記第1の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第6の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第4の配線は、前記第2のクロック信号を伝達することができる機能を有し、
前記第5の配線は、前記第1のクロック信号を伝達することができる機能を有し、
前記第6の配線は、前記第3のクロック信号を伝達することができる機能を有することを特徴とする半導体装置。 - シフトレジスタを有し、
前記シフトレジスタは、第1乃至第5のフリップフロップを有し、
前記第1のフリップフロップは、第1の配線に第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第2のフリップフロップは、第2の配線に第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記第3のフリップフロップは、第3の配線に第3の信号を出力することができる機能を有し、
前記第4のフリップフロップは、第4の配線に第4の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5のフリップフロップは、第5の配線に第5の信号を出力することができる機能を有し、
前記第1の信号は、第1のクロック信号に同期する値を有し、
前記第2の信号は、第2のクロック信号に同期する値を有し、
前記第3の信号は、第3のクロック信号に同期する値を有し、
前記第4の信号は、第4のクロック信号に同期する値を有し、
前記第5の信号は、前記第1のクロック信号に同期する値を有し、
前記第3のフリップフロップは、第1乃至第5のトランジスタを有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第6の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第4の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方と前記第4のトランジスタのゲートとの少なくとも一は、前記第1の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方と前記第5のトランジスタのゲートとの少なくとも一は、前記第5の配線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第3のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第6の配線は、前記第3のクロック信号を伝達することができる機能を有することを特徴とする半導体装置。 - シフトレジスタを有し、
前記シフトレジスタは、第1乃至第3のフリップフロップを有し、
前記第1のフリップフロップは、第1の配線に第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第2のフリップフロップは、第2の配線に第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記第3のフリップフロップは、第3の配線に第3の信号を出力することができる機能を有し、
前記第1の信号は、第1のクロック信号に同期する値を有し、
前記第2の信号は、第2のクロック信号に同期する値を有し、
前記第3の信号は、第3のクロック信号に同期する値を有し、
前記第2のフリップフロップは、第1乃至第5のトランジスタを有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第4の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方と前記第4のトランジスタのゲートとの少なくとも一方は、前記第1の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方と前記第5のトランジスタのゲートとの少なくとも一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第3のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第4の配線は、前記第2のクロック信号を伝達することができる機能を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項3又は請求項4において、
前記第4のトランジスタのW(Wはチャネル幅)/L(Lはチャネル長)は、前記第5のトランジスタのW/Lの0.8倍以上且つ1.2倍以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記第2のトランジスタのW(Wはチャネル幅)/L(Lはチャネル長)は、前記第3のトランジスタのW/Lの0.8倍以上且つ1.2倍以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記第1のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の半導体装置と、
FPCと、
を有する表示モジュール。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の半導体装置、又は請求項8に記載の表示モジュールと、
スピーカー、操作ボタン、及び/又はアンテナと、
を有する電子機器。
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