JP2013165260A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. 絶縁表面上の、フィン型の絶縁体と、
   前記絶縁表面および前記フィン型の絶縁体と接し、前記フィン型の絶縁体を乗り越えるように設けられた酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重畳し、前記フィン型の絶縁体を乗り越えるように設けられているゲート電極と、を有し、
   前記ゲート電極が前記フィン型の絶縁体を乗り越える方向において、
   前記ゲート電極は前記酸化物半導体膜より長く、
   また前記酸化物半導体膜は前記フィン型の絶縁体より長いことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記乗り越える方向と直交する方向において、
   前記フィン型の絶縁体は前記ゲート電極より長く、
   前記フィン型の絶縁体は前記酸化物半導体膜より長いことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１において、
   前記乗り越える方向と直交する方向において、
   前記フィン型の絶縁体は前記ゲート電極より長く、
   前記酸化物半導体膜は前記フィン型の絶縁体より長いことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記フィン型の絶縁体は、過剰酸素を含む絶縁体であることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記絶縁表面は、フィン型の絶縁体よりも酸素の拡散係数が小さい絶縁体の表面であることを特徴とする半導体装置。