JP2015188063A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 第１の絶縁膜上に第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有し、
   前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜を介して、前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第１のゲート電極と、
   前記第１の酸化物半導体膜上及び前記第１のゲート電極上の第３の絶縁膜と、
   前記第３の絶縁膜上の第１の導電膜と、を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜は、前記第３の絶縁膜の第１の開口部を介して、前記第１の導電膜と接する領域を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜と、
   前記第２の酸化物半導体膜上の第４の絶縁膜と、
   前記第４の絶縁膜を介して、前記第２の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
   前記第２の酸化物半導体膜上及び前記第２のゲート電極上の前記第３の絶縁膜と、
   前記第３の絶縁膜上の第２の導電膜と、を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜は、前記第３の絶縁膜の第２の開口部を介して、前記第２の導電膜と接する領域を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜は、前記第２の酸化物半導体膜より厚く、
   前記第１の酸化物半導体膜は、第１の膜及び第２の膜を少なくとも含む多層構造であり、
   前記第１の膜及び前記第２の膜は、金属元素の原子数比が異なることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１のトランジスタは、第３のゲート電極を有し、
   前記第３のゲート電極は、前記第１の絶縁膜を介して、前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有し、
   前記第３のゲート電極は、前記第１の絶縁膜の第３の開口部及び前記第２の絶縁膜の第４の開口部を介して、前記第１のゲート電極と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記第２の酸化物半導体膜に含まれる金属元素の原子数比は、前記第１の酸化物半導体膜の前記第１の膜または前記第２の膜に含まれる金属元素の原子数比と同じであることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記第１の酸化物半導体膜において、前記第２の膜は、前記第１の膜の上面及び側面を覆う領域を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記第１のトランジスタは駆動回路部に設けられ、前記第２のトランジスタは画素部に設けられることを特徴とする半導体装置。
6. 第１の絶縁膜上に第１のトランジスタ乃至第３のトランジスタを有し、
   前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜を介して、前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第１のゲート電極と、
   前記第１の酸化物半導体膜上及び前記第１のゲート電極上の第３の絶縁膜と、
   前記第３の絶縁膜上の第１の導電膜と、を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜は、前記第３の絶縁膜の第１の開口部を介して、前記第１の導電膜と接する領域を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜と、
   前記第２の酸化物半導体膜上の第４の絶縁膜と、
   前記第４の絶縁膜を介して、前記第２の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
   前記第２の酸化物半導体膜上及び前記第２のゲート電極上の前記第３の絶縁膜と、
   前記第３の絶縁膜上の第２の導電膜と、を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜は、前記第３の絶縁膜の第２の開口部を介して、前記第２の導電膜と接する領域を有し、
   前記第３のトランジスタは、第３の酸化物半導体膜と、
   前記第３の酸化物半導体膜上の第５の絶縁膜と、
   前記第５の絶縁膜を介して、前記第３の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第３のゲート電極と、
   前記第３の酸化物半導体膜上及び前記第３のゲート電極上の前記第３の絶縁膜と、
   前記第３の絶縁膜上の第３の導電膜と、を有し、
   前記第３の酸化物半導体膜は、前記第３の絶縁膜の第３の開口部を介して、前記第１の導電膜と接する領域を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜及び第３の酸化物半導体膜の各々は、前記第２の酸化物半導体膜より厚く、
   前記第１の酸化物半導体膜は、第１の膜及び第２の膜を少なくとも含む多層構造であり、
   前記第３の酸化物半導体膜は、前記第１の膜と同じ金属元素の原子数比を有する第３の膜と、前記第２の膜と同じ金属元素の原子数比を有する第４の膜とを少なくとも含む多層構造であり、
   前記第１の膜及び前記第２の膜は、金属元素の原子数比が異なることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項６において、
   前記第１のトランジスタは、第４のゲート電極を有し、
   前記第４のゲート電極は、前記第１の絶縁膜を介して、前記第１の酸化物半導体膜を重なる領域を有し、
   前記第４のゲート電極は、前記第１の絶縁膜の第４の開口部及び前記第２の絶縁膜の第５の開口部を介して、前記第１のゲート電極と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
8. 請求項６又は７において、
   前記第２の酸化物半導体膜に含まれる金属元素の原子数比は、前記第１の酸化物半導体膜の前記第１の膜もしくは前記第２の膜に含まれる金属元素の原子数比、または前記第３の酸化物半導体膜の前記第３の膜もしくは前記第４の膜に含まれる金属元素の原子数比と同じであることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項６乃至８のいずれか一項において、
   前記第１の酸化物半導体膜において、前記第２の膜は、前記第１の膜の上面及び側面を覆う領域を有し、
   前記第３の酸化物半導体膜において、前記第４の膜は、前記第３の膜の上面及び側面を覆う領域を有することを特徴とする半導体装置。
10. 請求項６乃至９のいずれか一項において、
    前記第１のトランジスタは駆動回路部に設けられ、前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタは画素部に設けられることを特徴とする半導体装置。