JP2016046527A5 - 半導体装置及びその作製方法 - Google Patents

Claims (5)

1. 第１の層と、
   前記第１の層上の第２の層と、
   前記第２の層上の第３の層と、を有し、
   前記第１の層は、第１のトランジスタを有し、
   前記第３の層は、第２のトランジスタを有し、
   前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、単結晶半導体を有し、
   前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
   前記第２の層は、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、導電膜と、を有し、
   前記導電膜は、前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとを電気的に接続する機能を有し、
   前記第１の絶縁膜は、前記導電膜と前記導電膜上で接し、
   前記第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜上に設けられ、
   前記第２の絶縁膜は、炭素濃度が１．７７×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記導電膜の表面に窒化膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
3. 単結晶半導体をチャネル形成領域とする第１のトランジスタを形成し、
   前記第１のトランジスタ上に前記第１のトランジスタと電気的に接続する導電膜を形成し、
   前記導電膜と前記導電膜上で接する第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
   前記第２の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜上に一対の電極を形成し、
   前記一対の電極上に第３の絶縁膜を形成し、
   前記第３の絶縁膜上にゲート電極を形成し、
   前記第２の絶縁膜は、常圧化学気相成長法により形成し、
   前記一対の電極の一方は、前記導電膜と電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項３において、
   前記導電膜を形成後、前記導電膜を窒化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項３又は４において、
   前記第２の絶縁膜は、酸素と、シリコンと、を有し、
   前記第２の絶縁膜の成膜速度は、１００ｎｍ／ｍｉｎ．以上２００ｎｍ／ｍｉｎ．以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。