JP2017017320A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 半導体上に第１の絶縁体を形成し、
   前記第１の絶縁体上に第１の層を形成し、
   前記第１の層上に第２の層を形成し、
   前記第１の層が露出するまで前記第２の層をエッチングすることで第３の層を形成し、
   前記第３の層の表面に第４の層を形成し、
   前記第３の層および前記第４の層を用いて、前記第１の絶縁体が露出するまで前記第１の層をエッチングすることで第５の層を形成し、
   前記第３の層、前記第４の層および前記第５の層を用いて、前記半導体が露出するまで前記第１の絶縁体をエッチングすることで第２の絶縁体を形成し、
   前記第２の絶縁体の側面と接する領域、および前記半導体の上面と接する領域を有する第３の絶縁体を形成し、
   前記第３の絶縁体を介して、前記半導体と重なる領域を有する第１の導電体を形成する半導体装置の作製方法。
2. 半導体上に第１の導電体を形成し、
   前記第１の導電体上に第１の絶縁体を形成し、
   前記第１の絶縁体上に第１の層を形成し、
   前記第１の層上に第２の層を形成し、
   前記第１の層が露出するまで前記第２の層をエッチングすることで第３の層を形成し、
   前記第３の層の表面に第４の層を形成し、
   前記第３の層および前記第４の層を用いて、前記第１の絶縁体が露出するまで前記第１の層をエッチングすることで第５の層を形成し、
   前記第３の層、前記第４の層および前記第５の層を用いて、前記半導体が露出するまで前記第１の絶縁体および前記第１の導電体をエッチングすることで第２の絶縁体、第２の導電体および第３の導電体を形成し、
   前記第２の絶縁体の側面と接する領域、前記第２の導電体の側面と接する領域、前記第３の導電体の側面と接する領域、および前記半導体の上面と接する領域を有する第３の絶縁体を形成し、
   前記第３の絶縁体を介して、前記半導体と重なる領域を有する第４の導電体を形成する半導体装置の作製方法。
3. 請求項１において、
   前記第１の導電体は、前記半導体のチャネル幅方向において、前記第３の絶縁体を介して、前記半導体の側面と面する領域を有する半導体装置の作製方法。
4. 請求項２において、
   前記第４の導電体は、前記半導体のチャネル幅方向において、前記第３の絶縁体を介して、前記半導体の側面と面する領域を有する半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第２の層は、シリコンを有し、
   前記第１の層は、前記第２の層と異なる材料を有する半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記第４の層は、シリコンおよびハロゲンを有する原料ガスを用いて形成する半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記第４の層は、前記第３の層の表面を酸化または窒化することで形成する半導体装置の作製方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記半導体は、酸化物半導体を有する半導体装置の作製方法。