JP2016146478A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (8)

1. 酸化物半導体膜を第１の温度で成膜する工程と、
   前記酸化物半導体膜を島状に加工する工程と、
   前記酸化物半導体膜上にソース電極、及びドレイン電極となる部材をスパッタリング法によって成膜する工程と、
   前記部材を加工してソース電極、及びドレイン電極を形成する工程と、
   前記酸化物半導体膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上に第１の保護絶縁膜、及び第２の保護絶縁膜を成膜する工程と、
   前記第１の温度よりも高い第２の温度で、前記第１の保護絶縁膜、及び前記第２の保護絶縁膜を加熱する工程と、
   前記第２の保護絶縁膜上に、第１のバリア膜を形成する工程と、
   前記第１のバリア膜を介して、過剰酸素または酸素ラジカルを前記第２の保護絶縁膜に添加する工程と、
   前記第１のバリア膜、及び前記第２の保護絶縁膜の一部をウエットエッチングによって除去する工程と、
   前記第２の保護絶縁膜上に前記第１の温度よりも高い第３の温度で、第２のバリア膜を成膜する工程と、を有し、
   前記第２の温度及び前記第３の温度のいずれか一方または双方が工程中で最も高い温度である半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記第１の温度は、１００℃以上２００℃以下である半導体装置の作製方法。
3. 請求項１において、
   前記第２の温度は、３４０℃以上３６０℃以下である半導体装置の作製方法。
4. 酸化物半導体膜を第１の温度で成膜する工程と、
   前記酸化物半導体膜を島状に加工する工程と、
   前記酸化物半導体膜上にソース電極、及びドレイン電極となる部材をスパッタリング法によって成膜する工程と、
   前記部材を加工してソース電極、及びドレイン電極を形成する工程と、
   前記酸化物半導体膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上に第１の保護絶縁膜、及び第２の保護絶縁膜を成膜する工程と、
   前記第１の温度よりも高い第２の温度で、前記第１の保護絶縁膜、及び前記第２の保護絶縁膜を加熱する工程と、
   前記第２の保護絶縁膜上に、金属酸化膜を成膜することで、過剰酸素または酸素ラジカルを前記第２の保護絶縁膜に添加する工程と、
   前記第１の温度よりも高い第３の温度で前記第２の保護絶縁膜を加熱し、前記過剰酸素または前記酸素ラジカルを前記酸化物半導体膜に拡散させる工程と、を有し、
   前記第２の温度及び前記第３の温度のいずれか一方または双方が工程中で最も高い温度である半導体装置の作製方法。
5. 酸化物半導体膜を第１の温度で成膜する工程と、
   前記酸化物半導体膜を島状に加工する工程と、
   前記酸化物半導体膜上にソース電極、及びドレイン電極となる部材をスパッタリング法によって成膜する工程と、
   前記部材を加工してソース電極、及びドレイン電極を形成する工程と、
   前記酸化物半導体膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上に第１の保護絶縁膜、及び第２の保護絶縁膜を成膜する工程と、
   前記第１の温度よりも高い第２の温度で、前記第１の保護絶縁膜、及び前記第２の保護絶縁膜を加熱する工程と、
   前記第２の保護絶縁膜上に、前記第１の温度よりも高い第３の温度で、金属酸化膜を成膜することで、過剰酸素または酸素ラジカルを前記第２の保護絶縁膜に添加し、且つ前記第２の保護絶縁膜中の酸素、前記過剰酸素、または前記酸素ラジカルを前記酸化物半導体膜に拡散させる工程と、有し、
   前記第２の温度及び前記第３の温度のいずれか一方または双方が工程中で最も高い温度である半導体装置の作製方法。
6. 請求項４または請求項５において、
   前記金属酸化膜は、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、または酸化イットリウムである半導体装置の作製方法。
7. 請求項４乃至請求項６のいずれか一において、
   前記第１の温度は、１００℃以上２００℃以下である半導体装置の作製方法。
8. 請求項４乃至請求項７のいずれか一において、
   前記第２の温度及び前記第３の温度のいずれか一方または双方は、３４０℃以上３６０℃以下である半導体装置の作製方法。