JP2016219801A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (9)

1. 第１の酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の第２の酸化物半導体膜と、
   前記第２の酸化物半導体膜上の導電膜と、
   前記第２の酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域を有する半導体装置の作製方法であって、
   前記第１の酸化物半導体膜を形成し、
   前記第１の酸化物半導体膜上に、前記ゲート絶縁膜となる膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜となる膜上に、前記第２の酸化物半導体膜となる膜を形成し、
   前記第２の酸化物半導体膜となる膜を形成した後、加熱処理を行い、
   前記加熱処理を行った後、前記第１の酸化物半導体膜の第１の領域及び第２の領域が露出するように、前記ゲート絶縁膜となる膜及び前記第２の酸化物半導体膜となる膜の各々を加工して、前記ゲート絶縁膜及び前記第２の酸化物半導体膜を形成する半導体装置の作製方法。
2. 第１の酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の第２の酸化物半導体膜と、
   前記第２の酸化物半導体膜上の導電膜と、
   前記第２の酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜の前記領域は、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル形成領域よりも導電性が高い半導体装置の作製方法であって、
   前記第１の酸化物半導体膜を形成し、
   前記第１の酸化物半導体膜上に、前記ゲート絶縁膜となる膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜となる膜上に、前記第２の酸化物半導体膜となる膜を形成し、
   前記第２の酸化物半導体膜となる膜を形成した後、加熱処理を行い、
   前記加熱処理を行った後、前記第１の酸化物半導体膜の第１の領域及び第２の領域が露出するように、前記ゲート絶縁膜となる膜及び前記第２の酸化物半導体膜となる膜の各々を加工して、前記ゲート絶縁膜及び前記第２の酸化物半導体膜を形成する半導体装置の作製方法。
3. 第１の酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の第２の酸化物半導体膜と、
   前記第２の酸化物半導体膜上の導電膜と、
   前記導電膜上の窒化物絶縁膜と、を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜の前記領域は、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル形成領域よりも導電性が高い半導体装置の作製方法であって、
   前記第１の酸化物半導体膜を形成し、
   前記第１の酸化物半導体膜上に、前記ゲート絶縁膜となる膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜となる膜上に、前記第２の酸化物半導体膜となる膜を形成し、
   前記第２の酸化物半導体膜となる膜を形成した後、加熱処理を行い、
   前記加熱処理を行った後、前記第１の酸化物半導体膜の第１の領域及び第２の領域が露出するように、前記ゲート絶縁膜となる膜及び前記第２の酸化物半導体膜となる膜の各々を加工して、前記ゲート絶縁膜及び前記第２の酸化物半導体膜を形成する半導体装置の作製方法。
4. 第１の酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の第２の酸化物半導体膜と、
   前記第２の酸化物半導体膜上の導電膜と、
   前記導電膜上の窒化物絶縁膜と、を有し、
   前記導電膜は、積層された第１の層及び第２の層を有し、
   前記第１の層は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデ
   ン、ニッケル、鉄、コバルト、または、タングステンのいずれかを含み、
   前記第２の層は、透光性を有する導電性材料を含み、
   前記第２の酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜の前記領域は、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル形成領域よりも導電性が高い半導体装置の作製方法であって、
   前記第１の酸化物半導体膜を形成し、
   前記第１の酸化物半導体膜上に、前記ゲート絶縁膜となる膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜となる膜上に、前記第２の酸化物半導体膜となる膜を形成し、
   前記第２の酸化物半導体膜となる膜を形成した後、加熱処理を行い、
   前記加熱処理を行った後、前記第１の酸化物半導体膜の第１の領域及び第２の領域が露出するように、前記ゲート絶縁膜となる膜及び前記第２の酸化物半導体膜となる膜の各々を加工して、前記ゲート絶縁膜及び前記第２の酸化物半導体膜を形成する半導体装置の作製方法。
5. 第１の酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の第２の酸化物半導体膜と、
   前記第２の酸化物半導体膜上の導電膜と、
   前記第２の酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域を有する半導体装置の作製方法であって、
   前記第１の酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜に第１の熱処理を行い、
   前記第１の加熱処理を行った後、前記第１の酸化物半導体膜上に、前記ゲート絶縁膜となる膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜となる膜上に、前記第２の酸化物半導体膜となる膜を形成し、
   前記第２の酸化物半導体膜となる膜を形成した後、第２の加熱処理を行い、
   前記第２の加熱処理を行った後、前記第１の酸化物半導体膜の第１の領域及び第２の領域が露出するように、前記ゲート絶縁膜となる膜及び前記第２の酸化物半導体膜となる膜の各々を加工して、前記ゲート絶縁膜及び前記第２の酸化物半導体膜を形成する半導体装置の作製方法。
6. 第１の酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の第２の酸化物半導体膜と、
   前記第２の酸化物半導体膜上の導電膜と、
   前記第２の酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜の前記領域は、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル形成領域よりも導電性が高い半導体装置の作製方法であって、
   前記第１の酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜に第１の熱処理を行い、
   前記第１の加熱処理を行った後、前記第１の酸化物半導体膜上に、前記ゲート絶縁膜となる膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜となる膜上に、前記第２の酸化物半導体膜となる膜を形成し、
   前記第２の酸化物半導体膜となる膜を形成した後、第２の加熱処理を行い、
   前記第２の加熱処理を行った後、前記第１の酸化物半導体膜の第１の領域及び第２の領域が露出するように、前記ゲート絶縁膜となる膜及び前記第２の酸化物半導体膜となる膜の各々を加工して、前記ゲート絶縁膜及び前記第２の酸化物半導体膜を形成する半導体装置の作製方法。
7. 第１の酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の第２の酸化物半導体膜と、
   前記第２の酸化物半導体膜上の導電膜と、
   前記導電膜上の窒化物絶縁膜と、を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜の前記領域は、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル形成領域よりも導電性が高い半導体装置の作製方法であって、
   前記第１の酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜に第１の熱処理を行い、
   前記第１の加熱処理を行った後、前記第１の酸化物半導体膜上に、前記ゲート絶縁膜となる膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜となる膜上に、前記第２の酸化物半導体膜となる膜を形成し、
   前記第２の酸化物半導体膜となる膜を形成した後、第２の加熱処理を行い、
   前記第２の加熱処理を行った後、前記第１の酸化物半導体膜の第１の領域及び第２の領域が露出するように、前記ゲート絶縁膜となる膜及び前記第２の酸化物半導体膜となる膜の各々を加工して、前記ゲート絶縁膜及び前記第２の酸化物半導体膜を形成する半導体装置の作製方法。
8. 第１の酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の第２の酸化物半導体膜と、
   前記第２の酸化物半導体膜上の導電膜と、
   前記導電膜上の窒化物絶縁膜と、を有し、
   前記導電膜は、積層された第１の層及び第２の層を有し、
   前記第１の層は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデ
   ン、ニッケル、鉄、コバルト、または、タングステンのいずれかを含み、
   前記第２の層は、透光性を有する導電性材料を含み、
   前記第２の酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜の前記領域は、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル形成領域よりも導電性が高い半導体装置の作製方法であって、
   前記第１の酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜に第１の熱処理を行い、
   前記第１の加熱処理を行った後、前記第１の酸化物半導体膜上に、前記ゲート絶縁膜となる膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜となる膜上に、前記第２の酸化物半導体膜となる膜を形成し、
   前記第２の酸化物半導体膜となる膜を形成した後、第２の加熱処理を行い、
   前記第２の加熱処理を行った後、前記第１の酸化物半導体膜の第１の領域及び第２の領域が露出するように、前記ゲート絶縁膜となる膜及び前記第２の酸化物半導体膜となる膜の各々を加工して、前記ゲート絶縁膜及び前記第２の酸化物半導体膜を形成する半導体装置の作製方法。
9. 請求項４または請求項８において、
   前記透光性を有する導電性材料は、インジウム亜鉛酸化物を含む半導体装置の作製方法。