JP2011124561A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (3)

1. ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なっている酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜に接するソース電極及びドレイン電極とを有し、
   前記ソース電極及びドレイン電極は、電気陰性度が水素よりも低い金属を有しており、前記ソース電極及びドレイン電極中の水素濃度は、前記酸化物半導体膜中の水素濃度の１．２倍以上である半導体装置。
2. ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なっている酸化物半導体膜と、ソース電極及びドレイン電極とを有し、
   前記ソース電極及びドレイン電極は、積層された複数の導電膜を有し、
   前記複数の導電膜のうち、前記酸化物半導体膜に接している導電膜は、電気陰性度が水素よりも低い金属を有しており、
   前記酸化物半導体膜に接している前記導電膜中の水素濃度は、前記酸化物半導体膜中の水素濃度の１．２倍以上である半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記電気陰性度が水素より低い金属は、チタン、マグネシウム、イットリウム、アルミニウム、タングステン、またはモリブデンである半導体装置。