JP2017028252A5 - トランジスタ - Google Patents
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Claims (15)
- 酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上の第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第２の導電膜及び第３の導電膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間のチャネル形成領域と、を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の領域と電気的に接続され、
前記第３の導電膜は、前記第２の領域と電気的に接続され、
前記金属酸化物膜及び前記第１の導電膜の各々は、前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第１の導電膜は、ゲート電極としての機能を有する、トランジスタ。 - 酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上の第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第２の導電膜及び第３の導電膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間のチャネル形成領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜及び前記金属酸化物膜の一方又は双方は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の領域と電気的に接続され、
前記第３の導電膜は、前記第２の領域と電気的に接続され、
前記金属酸化物膜及び前記第１の導電膜の各々は、前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第１の導電膜は、ゲート電極としての機能を有する、トランジスタ。 - 酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上の第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第２の導電膜及び第３の導電膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間のチャネル形成領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜及び前記金属酸化物膜は、Ｉｎ、Ｍ、及びＺｎを有し（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、又はＳｎ）、且つ金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍであり、
前記第２の導電膜は、前記第１の領域と電気的に接続され、
前記第３の導電膜は、前記第２の領域と電気的に接続され、
前記金属酸化物膜及び前記第１の導電膜の各々は、前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第１の導電膜は、ゲート電極としての機能を有する、トランジスタ。 - 酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上の第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第２の導電膜及び第３の導電膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間のチャネル形成領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜及び前記金属酸化物膜の一方又は双方は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有し、
前記酸化物半導体膜及び前記金属酸化物膜の一方又は双方は、ｃ軸配向した結晶部を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の領域と電気的に接続され、
前記第３の導電膜は、前記第２の領域と電気的に接続され、
前記金属酸化物膜及び前記第１の導電膜の各々は、前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第１の導電膜は、ゲート電極としての機能を有する、トランジスタ。 - 酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上の第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第２の導電膜及び第３の導電膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間のチャネル形成領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜及び前記金属酸化物膜の一方又は双方は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有し、
前記酸化物半導体膜及び前記金属酸化物膜の一方又は双方は、ナノビーム電子線回折パターンによりリング状に複数のスポットが観察される結晶部を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の領域と電気的に接続され、
前記第３の導電膜は、前記第２の領域と電気的に接続され、
前記金属酸化物膜及び前記第１の導電膜の各々は、前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第１の導電膜は、ゲート電極としての機能を有する、トランジスタ。 - 酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上の第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第２の導電膜及び第３の導電膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間のチャネル形成領域と、を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の領域と電気的に接続され、
前記第３の導電膜は、前記第２の領域と電気的に接続され、
前記金属酸化物膜及び前記第１の導電膜の各々は、前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第１の導電膜は、ゲート電極としての機能を有し、
前記第１の絶縁膜は窒化物絶縁膜であり、
前記第１の絶縁膜は、前記第１の導電膜の上面と接する領域と、前記第１の導電膜の側面と接する領域と、前記金属酸化物膜の側面と接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面と接する領域と、を有し、
前記第１の領域の上面は、前記第１の絶縁膜と接する領域を有し、
前記第２の領域の上面は、前記第１の絶縁膜と接する領域を有する、トランジスタ。 - 酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上の第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第２の導電膜及び第３の導電膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間のチャネル形成領域と、を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の領域と電気的に接続され、
前記第３の導電膜は、前記第２の領域と電気的に接続され、
前記金属酸化物膜及び前記第１の導電膜の各々は、前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第１の導電膜は、ゲート電極としての機能を有し、
前記ゲート絶縁膜は酸化物絶縁膜であり、
前記第１の絶縁膜は窒化物絶縁膜であり、
前記第１の絶縁膜は、前記第１の導電膜の上面と接する領域と、前記第１の導電膜の側面と接する領域と、前記金属酸化物膜の側面と接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面と接する領域と、を有し、
前記第１の領域の上面は、前記第１の絶縁膜と接する領域を有し、
前記第２の領域の上面は、前記第１の絶縁膜と接する領域を有する、トランジスタ。 - 第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上の第２の導電膜と、
前記第２の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第３の導電膜及び第４の導電膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間のチャネル形成領域と、を有し、
前記第３の導電膜は、前記第１の領域と電気的に接続され、
前記第４の導電膜は、前記第２の領域と電気的に接続され、
前記第１の導電膜は、前記第１のゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記金属酸化物膜及び前記第２の導電膜の各々は、前記第２のゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜の各々は、ゲート電極としての機能を有する、トランジスタ。 - 第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上の第２の導電膜と、
前記第２の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第３の導電膜及び第４の導電膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間のチャネル形成領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜及び前記金属酸化物膜の一方又は双方は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有し、
前記第３の導電膜は、前記第１の領域と電気的に接続され、
前記第４の導電膜は、前記第２の領域と電気的に接続され、
前記第１の導電膜は、前記第１のゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記金属酸化物膜及び前記第２の導電膜の各々は、前記第２のゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜の各々は、ゲート電極としての機能を有する、トランジスタ。 - 第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上の第２の導電膜と、
前記第２の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第３の導電膜及び第４の導電膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間のチャネル形成領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜及び前記金属酸化物膜は、Ｉｎ、Ｍ、及びＺｎを有し（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、又はＳｎ）、且つ金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍであり、
前記第３の導電膜は、前記第１の領域と電気的に接続され、
前記第４の導電膜は、前記第２の領域と電気的に接続され、
前記第１の導電膜は、前記第１のゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記金属酸化物膜及び前記第２の導電膜の各々は、前記第２のゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜の各々は、ゲート電極としての機能を有する、トランジスタ。 - 第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上の第２の導電膜と、
前記第２の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第３の導電膜及び第４の導電膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間のチャネル形成領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜及び前記金属酸化物膜の一方又は双方は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有し、
前記酸化物半導体膜及び前記金属酸化物膜の一方又は双方は、ｃ軸配向した結晶部を有し、
前記第３の導電膜は、前記第１の領域と電気的に接続され、
前記第４の導電膜は、前記第２の領域と電気的に接続され、
前記第１の導電膜は、前記第１のゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記金属酸化物膜及び前記第２の導電膜の各々は、前記第２のゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜の各々は、ゲート電極としての機能を有する、トランジスタ。 - 第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上の第２の導電膜と、
前記第２の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第３の導電膜及び第４の導電膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間のチャネル形成領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜及び前記金属酸化物膜の一方又は双方は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有し、
前記酸化物半導体膜及び前記金属酸化物膜の一方又は双方は、ナノビーム電子線回折パターンによりリング状に複数のスポットが観察される結晶部を有し、
前記第３の導電膜は、前記第１の領域と電気的に接続され、
前記第４の導電膜は、前記第２の領域と電気的に接続され、
前記第１の導電膜は、前記第１のゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記金属酸化物膜及び前記第２の導電膜の各々は、前記第２のゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜の各々は、ゲート電極としての機能を有する、トランジスタ。 - 第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上の第２の導電膜と、
前記第２の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第３の導電膜及び第４の導電膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間のチャネル形成領域と、を有し、
前記第３の導電膜は、前記第１の領域と電気的に接続され、
前記第４の導電膜は、前記第２の領域と電気的に接続され、
前記第１の導電膜は、前記第１のゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記金属酸化物膜及び前記第２の導電膜の各々は、前記第２のゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜の各々は、ゲート電極としての機能を有し、
前記第１の絶縁膜は窒化物絶縁膜であり、
前記第１の絶縁膜は、前記第１の導電膜の上面と接する領域と、前記第１の導電膜の側面と接する領域と、前記金属酸化物膜の側面と接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面と接する領域と、を有し、
前記第１の領域の上面は、前記第１の絶縁膜と接する領域を有し、
前記第２の領域の上面は、前記第１の絶縁膜と接する領域を有する、トランジスタ。 - 第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上の第２の導電膜と、
前記第２の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第３の導電膜及び第４の導電膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間のチャネル形成領域と、を有し、
前記第３の導電膜は、前記第１の領域と電気的に接続され、
前記第４の導電膜は、前記第２の領域と電気的に接続され、
前記第１の導電膜は、前記第１のゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記金属酸化物膜及び前記第２の導電膜の各々は、前記第２のゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜の各々は、ゲート電極としての機能を有し、
前記第１のゲート絶縁膜及び前記第２のゲート絶縁膜の各々は、酸化物絶縁膜であり、
前記第１の絶縁膜は窒化物絶縁膜であり、
前記第１の絶縁膜は、前記第１の導電膜の上面と接する領域と、前記第１の導電膜の側面と接する領域と、前記金属酸化物膜の側面と接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面と接する領域と、を有し、
前記第１の領域の上面は、前記第１の絶縁膜と接する領域を有し、
前記第２の領域の上面は、前記第１の絶縁膜と接する領域を有する、トランジスタ。 - 第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上の第２の導電膜と、
前記第２の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第３の導電膜及び第４の導電膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間のチャネル形成領域と、を有し、
前記第３の導電膜は、前記第１の領域と電気的に接続され、
前記第４の導電膜は、前記第２の領域と電気的に接続され、
前記第１の導電膜は、前記第１のゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記金属酸化物膜及び前記第２の導電膜の各々は、前記第２のゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜の各々は、ゲート電極としての機能を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜と電気的に接続されている、トランジスタ。
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