JP2022103223A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. 第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の導電膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第３の導電膜と、
   前記第１の絶縁膜上の第２の酸化物半導体膜と、
   前記第２の導電膜上、前記第３の導電膜上及び前記第２の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の導電膜上、前記第３の導電膜上及び前記第２の酸化物半導体膜上の第３の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜を介して、前記第２の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第４の導電膜と、
   を有し、
   前記第１の導電膜は、トランジスタのゲートとして機能する領域を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜は、前記トランジスタのチャネル形成領域として機能する領域を有し、
   前記第２の導電膜は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
   前記第３の導電膜は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
   前記第３の絶縁膜は、前記第３の導電膜上に第１の開口部を有し、
   前記第３の絶縁膜は、前記第２の酸化物半導体膜上に第２の開口部を有し、
   前記第２の絶縁膜は、前記第３の導電膜上に第３の開口部を有し、
   前記第４の導電膜は、前記第１の開口部及び前記第３の開口部を介して、前記第３の導電膜と電気的に接続され、
   前記第４の導電膜は、画素電極として機能する領域を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜は、容量素子の一方の電極として機能する領域を有し、
   前記第４の導電膜は、前記容量素子の他方の電極として機能する領域を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜は、前記第１の絶縁膜を介して前記第１の導電膜と重なる第１の領域を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜は、前記第２の絶縁膜を介して前記第４の導電膜と重なり、且つ前記第２の開口部と重なる第２の領域を有し、
   前記第２の領域は、前記第１の領域よりも膜厚が小さい領域を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜の各々は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）と、を有する半導体装置。
2. 第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の導電膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第３の導電膜と、
   前記第１の絶縁膜上の第２の酸化物半導体膜と、
   前記第２の導電膜上、前記第３の導電膜上及び前記第２の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の導電膜上、前記第３の導電膜上及び前記第２の酸化物半導体膜上の第３の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜を介して、前記第２の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第４の導電膜と、
   を有し、
   前記第１の導電膜は、トランジスタのゲートとして機能する領域を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜は、前記トランジスタのチャネル形成領域として機能する領域を有し、
   前記第２の導電膜は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
   前記第３の導電膜は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
   前記第３の絶縁膜は、前記第３の導電膜上に第１の開口部を有し、
   前記第３の絶縁膜は、前記第２の酸化物半導体膜上に第２の開口部を有し、
   前記第２の絶縁膜は、前記第３の導電膜上に第３の開口部を有し、
   前記第４の導電膜は、前記第１の開口部及び前記第３の開口部を介して、前記第３の導電膜と電気的に接続され、
   前記第４の導電膜は、画素電極として機能する領域を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜は、容量素子の一方の電極として機能する領域を有し、
   前記第４の導電膜は、前記容量素子の他方の電極として機能する領域を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜は、前記第１の絶縁膜を介して前記第１の導電膜と重なる第１の領域を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜は、前記第２の絶縁膜を介して前記第４の導電膜と重なり、且つ前記第２の開口部と重なる第２の領域を有し、
   前記第２の領域は、前記第１の領域よりも膜厚が小さい領域を有し、
   前記第２の領域は、前記第１の領域よりも低い抵抗率を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜の各々は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）と、を有する半導体装置。
3. 第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の導電膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第３の導電膜と、
   前記第１の絶縁膜上の第２の酸化物半導体膜と、
   前記第２の導電膜上、前記第３の導電膜上及び前記第２の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の導電膜上、前記第３の導電膜上及び前記第２の酸化物半導体膜上の第３の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜を介して、前記第２の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第４の導電膜と、
   を有し、
   前記第１の導電膜は、トランジスタのゲートとして機能する領域を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜は、前記トランジスタのチャネル形成領域として機能する領域を有し、
   前記第２の導電膜は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
   前記第３の導電膜は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
   前記第３の絶縁膜は、前記第３の導電膜上に第１の開口部を有し、
   前記第３の絶縁膜は、前記第２の酸化物半導体膜上に第２の開口部を有し、
   前記第２の絶縁膜は、前記第３の導電膜上に第３の開口部を有し、
   前記第４の導電膜は、前記第１の開口部及び前記第３の開口部を介して、前記第３の導電膜と電気的に接続され、
   前記第４の導電膜は、画素電極として機能する領域を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜は、容量素子の一方の電極として機能する領域を有し、
   前記第４の導電膜は、前記容量素子の他方の電極として機能する領域を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜は、前記第１の絶縁膜を介して前記第１の導電膜と重なる第１の領域を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜は、前記第２の絶縁膜を介して前記第４の導電膜と重なり、且つ前記第２の開口部と重なる第２の領域を有し、
   前記第２の領域は、前記第１の領域よりも膜厚が小さい領域を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜の各々は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）と、を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜は、ナノビーム電子線回折パターンにより、円周状に複数のスポットが観察される領域を有する半導体装置。
4. 第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の導電膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第３の導電膜と、
   前記第１の絶縁膜上の第２の酸化物半導体膜と、
   前記第２の導電膜上、前記第３の導電膜上及び前記第２の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の導電膜上、前記第３の導電膜上及び前記第２の酸化物半導体膜上の第３の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜を介して、前記第２の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第４の導電膜と、
   を有し、
   前記第１の導電膜は、トランジスタのゲートとして機能する領域を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜は、前記トランジスタのチャネル形成領域として機能する領域を有し、
   前記第２の導電膜は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
   前記第３の導電膜は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
   前記第３の絶縁膜は、前記第３の導電膜上に第１の開口部を有し、
   前記第３の絶縁膜は、前記第２の酸化物半導体膜上に第２の開口部を有し、
   前記第２の絶縁膜は、前記第３の導電膜上に第３の開口部を有し、
   前記第４の導電膜は、前記第１の開口部及び前記第３の開口部を介して、前記第３の導電膜と電気的に接続され、
   前記第４の導電膜は、画素電極として機能する領域を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜は、容量素子の一方の電極として機能する領域を有し、
   前記第４の導電膜は、前記容量素子の他方の電極として機能する領域を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜は、前記第１の絶縁膜を介して前記第１の導電膜と重なる第１の領域を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜は、前記第２の絶縁膜を介して前記第４の導電膜と重なり、且つ前記第２の開口部と重なる第２の領域を有し、
   前記第２の領域は、前記第１の領域よりも膜厚が小さい領域を有し、
   前記第２の領域は、前記第１の領域よりも低い抵抗率を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜の各々は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）と、を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜は、ナノビーム電子線回折パターンにより、円周状に複数のスポットが観察される領域を有する半導体装置。