JP5182993B2 - 表示装置及びその作製方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、薄膜トランジスタ(以下、TFTと呼ぶ)を有する表示装置及びその作製工程について、図1乃至図4を用いて説明する。
本実施の形態は、実施の形態1において、薄膜トランジスタの形状が異なる例である。従って、他は実施の形態1と同様に行うことができ、実施の形態1と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程の繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、実施の形態2において微結晶半導体膜にレーザ光を照射する作製工程例を説明する。
次に、開示する発明の表示装置の一形態である表示パネルの構成について、以下に示す。本実施の形態の表示装置は液晶表示素子を有する液晶表示装置の一形態である液晶表示パネルの例を示す。
本発明により得られる表示装置は、表示モジュールに用いることができる。即ち、それらを表示部に組み込んだ電子機器全てに本発明を実施できる。
101 走査信号線
102 データ信号線
103 補助容量線
104 ゲート電極
105 半導体膜
106a ドレイン電極
107 開口部
108 開口部
109 開口部
110 画素電極
111 ゲート絶縁膜
112a 一導電型を付与する不純物元素が添加された不純物半導体膜
113 パッシベーション膜
114 平坦化膜
115 開口部
200 透光性基板
201 データ信号線
202 ゲート電極
203 ゲート絶縁膜
204 半導体膜
205 一導電型を付与する不純物元素が添加された不純物半導体膜
206a マスク層
207 開口部
208 マスク層
209 半導体膜
210 一導電型を付与する不純物元素が添加された不純物半導体膜
210a 一導電型を付与する不純物元素が添加された不純物半導体膜
211 第2の導電膜
212a マスク層
213a ドレイン電極
213b ドレイン電極
214 補助容量線
215 パッシベーション膜
216 平坦化膜
217 開口部
218 開口部
219 画素電極
220 開口部
221 凹部
222 開口部
Claims (9)
- 透光性基板上に設けられた第1の導電膜により形成されたゲート電極と、
前記第1の導電膜により形成され、一方向に延設されるデータ信号線と、
前記第1の導電膜上に設けられた第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に設けられた半導体膜と、
前記第1の絶縁膜及び前記半導体膜上に設けられた第2の導電膜により形成された、ソース電極及びドレイン電極と、
前記第2の導電膜により形成され、前記一方向と交差する方向に延設される走査信号線と、
前記第2の導電膜により形成され、前記一方向と交差する方向に延設される補助容量線と、
前記第2の導電膜上に設けられた第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に設けられた第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜上に設けられ、外周端部が前記データ信号線、前記走査信号線又は前記補助容量線と重なる画素電極とを有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方は、前記半導体膜及び前記データ信号線と電気的に接続され、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方は、前記半導体膜及び前記画素電極と電気的に接続され、
前記ゲート電極は、前記走査信号線と電気的に接続され、
前記補助容量線は、前記第2の絶縁膜を誘電体として、前記画素電極と容量を形成することを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
前記半導体膜の断面形状が凹状であることを特徴とする表示装置。 - 請求項2において、
前記凹状の半導体膜は第1の凸部及び第2の凸部を有し、前記第1の凸部及び第2の凸部上にそれぞれ、一導電型を付与する不純物元素が添加された第1の不純物半導体膜及び第2の不純物半導体膜が設けられており、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方は、前記第1の不純物半導体膜、前記半導体膜及び前記データ信号線と電気的に接続され、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方は、前記第2の不純物半導体膜、前記半導体膜及び前記画素電極と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 透光性基板上に設けられた第1の導電膜により形成されたゲート電極と、
前記第1の導電膜により形成され、一方向に延設されるデータ信号線と、
前記第1の導電膜上に設けられた第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に設けられた微結晶半導体膜と、
前記微結晶半導体膜上に設けられた、断面形状が凹状のバッファ層と、
前記凹状のバッファ層は第1の凸部及び第2の凸部を有し、前記第1の凸部及び第2の凸部上にそれぞれ設けられた、一導電型を付与する不純物元素が添加された第1の不純物半導体膜及び第2の不純物半導体膜と、
前記第1の絶縁膜、前記第1の不純物半導体膜及び前記第2の不純物半導体膜上に設けられた第2の導電膜により形成された、ソース電極及びドレイン電極と、
前記第2の導電膜により形成され、前記一方向と交差する方向に延設される走査信号線と、前記第2の導電膜により形成され、前記一方向と交差する方向に延設される補助容量線と、
前記第2の導電膜上に設けられた第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に設けられた第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜上に設けられ、外周端部が前記データ信号線、前記走査信号線又は前記補助容量線と重なる画素電極とを有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方は、前記第1の不純物半導体膜及び前記データ信号線と電気的に接続され、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方は、前記第2の不純物半導体膜及び前記画素電極と電気的に接続され、
前記ゲート電極は、前記走査信号線と電気的に接続され、
前記補助容量線は、前記第2の絶縁膜を誘電体として、前記画素電極と容量を形成することを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第3の絶縁膜が感光性の有機樹脂材料からなることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記データ信号線と前記補助容量線は前記第1の絶縁膜を介して交差していることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一に記載の表示装置を表示部に有することを特徴とする電子機器。
- 透光性基板上に第1の導電膜からなる、ゲート電極及びデータ信号線を形成し、
前記ゲート電極及び前記データ信号線上に第1の絶縁膜と半導体膜を順に積層して成膜し、
前記半導体膜をエッチングして、前記ゲート電極の上方に第2の半導体膜を形成し、
前記第1の絶縁膜をエッチングして、前記ゲート電極に達する第1の開口部と、前記データ信号線に達する第2の開口部を形成し、
前記第1の絶縁膜及び前記第2の半導体膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜をエッチングして、ソース電極及びドレイン電極、走査信号線並びに補助容量線を形成し、
前記走査信号線は前記第1の開口部を介して前記ゲート電極と電気的に接続し、前記ソース電極及びドレイン電極の一方は前記第2の開口部を介して前記データ信号線と電気的に接続し、
前記第1の絶縁膜、前記第2の半導体膜、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査信号線及び前記補助容量線上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に第3の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜をエッチングして、前記ドレイン電極に達する第3の開口部を形成し、
前記第3の絶縁膜をエッチングして、前記補助容量線の上方に形成された前記第2の絶縁膜を露出させる第4の開口部を形成し、
前記第3の絶縁膜上に画素電極を形成し、
前記画素電極は前記第3の開口部を介して前記ドレイン電極と電気的に接続し、且つ前記第4の開口部において前記第2の絶縁膜を誘電体として前記補助容量線と容量を構成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 透光性基板上に第1の導電膜からなる、ゲート電極及びデータ信号線を形成し、
前記ゲート電極及び前記データ信号線上に第1の絶縁膜と、半導体膜と、一導電型を付与する不純物元素が添加された不純物半導体膜とを順に積層して形成し、
多階調マスクを用いたフォトリソグラフィにより、前記不純物半導体膜上に第1のマスク層を形成し、前記第1のマスク層を用いて、前記第1の絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜をエッチングして、前記ゲート電極に達する第1の開口部及び前記データ信号線に達する第2の開口部を形成し、
前記第1のマスク層をアッシングして第2のマスク層を形成し、
前記第2のマスク層を用いて、前記半導体膜及び前記不純物半導体膜をエッチングし、第2の半導体膜及び第2の不純物半導体膜を形成し、
前記第1の絶縁膜及び前記第2の不純物半導体膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜上に第3のマスク層を形成し、
前記第3のマスク層を用いて、前記第2の導電膜及び前記第2の不純物半導体膜をエッチングして、ソース電極及びドレイン電極、走査信号線、補助容量線並びに第3の不純物半導体膜及び第4の不純物半導体膜を形成し、
前記走査信号線は前記第1の開口部を介して前記ゲート電極と電気的に接続し、前記ソース電極及びドレイン電極の一方は前記第2の開口部を介して前記データ信号線と電気的に接続し、
前記第1の絶縁膜、前記第2の半導体膜、前記第3の不純物半導体膜、前記第4の不純物半導体膜、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査信号線及び前記補助容量線上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に第3の絶縁膜を形成し、
多階調マスクを用いたフォトリソグラフィにより、前記第3の絶縁膜に前記第2の絶縁膜を露出させる第3の開口部及び、断面形状が凹状で前記第3の絶縁膜が残留した凹部を形成し、
前記第3の開口部において、前記第2の絶縁膜をエッチングして、前記ドレイン電極に達する第4の開口部を形成し、
前記凹部において、前記第3の絶縁膜をアッシングして、前記補助容量線の上方に形成された前記第2の絶縁膜を露出させる第5の開口部を形成し、
前記第3の絶縁膜上に画素電極を形成し、
前記画素電極は前記第4の開口部を介して前記ドレイン電極と電気的に接続し、且つ前記第5の開口部において前記第2の絶縁膜を誘電体として前記補助容量線と容量を構成することを特徴とする表示装置の作製方法。
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