JP2009265635A5 - - Google Patents
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Claims (9)
- 透光性基板上に設けられた第1の導電膜により形成されたゲート電極と、
前記第1の導電膜により形成され、一方向に延設されるデータ信号線と、
前記第1の導電膜上に設けられた第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に設けられた半導体膜と、
前記第1の絶縁膜及び前記半導体膜上に設けられた第2の導電膜により形成された、ソース電極及びドレイン電極と、
前記第2の導電膜により形成され、前記一方向と交差する方向に延設される走査信号線と、
前記第2の導電膜により形成され、前記一方向と交差する方向に延設される補助容量線と、
前記第2の導電膜上に設けられた第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に設けられた第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜上に設けられ、外周端部が前記データ信号線、前記走査信号線又は前記補助容量線と重なる画素電極とを有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方は、前記半導体膜及び前記データ信号線と電気的に接続され、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方は、前記半導体膜及び前記画素電極と電気的に接続され、
前記ゲート電極は、前記走査信号線と電気的に接続され、
前記補助容量線は、前記第2の絶縁膜を誘電体として、前記画素電極と容量を形成することを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
前記半導体膜の断面形状が凹状であることを特徴とする表示装置。 - 請求項2において、
前記凹状の半導体膜は第1の凸部及び第2の凸部を有し、前記第1の凸部及び第2の凸部上にそれぞれ、一導電型を付与する不純物元素が添加された第1の不純物半導体膜及び第2の不純物半導体膜が設けられており、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方は、前記第1の不純物半導体膜、前記半導体膜及び前記データ信号線と電気的に接続され、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方は、前記第2の不純物半導体膜、前記半導体膜及び前記画素電極と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 透光性基板上に設けられた第1の導電膜により形成されたゲート電極と、
前記第1の導電膜により形成され、一方向に延設されるデータ信号線と、
前記第1の導電膜上に設けられた第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に設けられた微結晶半導体膜と、
前記微結晶半導体膜上に設けられた、断面形状が凹状のバッファ層と、
前記凹状のバッファ層は第1の凸部及び第2の凸部を有し、前記第1の凸部及び第2の凸部上にそれぞれ設けられた、一導電型を付与する不純物元素が添加された第1の不純物半導体膜及び第2の不純物半導体膜と、
前記第1の絶縁膜、前記第1の不純物半導体膜及び前記第2の不純物半導体膜上に設けられた第2の導電膜により形成された、ソース電極及びドレイン電極と、
前記第2の導電膜により形成され、前記一方向と交差する方向に延設される走査信号線と、前記第2の導電膜により形成され、前記一方向と交差する方向に延設される補助容量線と、
前記第2の導電膜上に設けられた第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に設けられた第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜上に設けられ、外周端部が前記データ信号線、前記走査信号線又は前記補助容量線と重なる画素電極とを有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方は、前記第1の不純物半導体膜及び前記データ信号線と電気的に接続され、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方は、前記第2の不純物半導体膜及び前記画素電極と電気的に接続され、
前記ゲート電極は、前記走査信号線と電気的に接続され、
前記補助容量線は、前記第2の絶縁膜を誘電体として、前記画素電極と容量を形成することを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第3の絶縁膜が感光性の有機樹脂材料からなることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記データ信号線と前記補助容量線は前記第1の絶縁膜を介して交差していることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一に記載の表示装置を表示部に有することを特徴とする電子機器。
- 透光性基板上に第1の導電膜からなる、ゲート電極及びデータ信号線を形成し、
前記ゲート電極及び前記データ信号線上に第1の絶縁膜と半導体膜を順に積層して成膜し、
前記半導体膜をエッチングして、前記ゲート電極の上方に第2の半導体膜を形成し、
前記第1の絶縁膜をエッチングして、前記ゲート電極に達する第1の開口部と、前記データ信号線に達する第2の開口部を形成し、
前記第1の絶縁膜及び前記第2の半導体膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜をエッチングして、ソース電極及びドレイン電極、走査信号線並びに補助容量線を形成し、
前記走査信号線は前記第1の開口部を介して前記ゲート電極と電気的に接続し、前記ソース電極及びドレイン電極の一方は前記第2の開口部を介して前記データ信号線と電気的に接続し、
前記第1の絶縁膜、前記第2の半導体膜、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査信号線及び前記補助容量線上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に第3の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜をエッチングして、前記ドレイン電極に達する第3の開口部を形成し、
前記第3の絶縁膜をエッチングして、前記補助容量線の上方に形成された前記第2の絶縁膜を露出させる第4の開口部を形成し、
前記第3の絶縁膜上に画素電極を形成し、
前記画素電極は前記第3の開口部を介して前記ドレイン電極と電気的に接続し、且つ前記第4の開口部において前記第2の絶縁膜を誘電体として前記補助容量線と容量を構成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 透光性基板上に第1の導電膜からなる、ゲート電極及びデータ信号線を形成し、
前記ゲート電極及び前記データ信号線上に第1の絶縁膜と、半導体膜と、一導電型を付与する不純物元素が添加された不純物半導体膜とを順に積層して形成し、
多階調マスクを用いたフォトリソグラフィにより、前記不純物半導体膜上に第1のマスク層を形成し、前記第1のマスク層を用いて、前記第1の絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜をエッチングして、前記ゲート電極に達する第1の開口部及び前記データ信号線に達する第2の開口部を形成し、
前記第1のマスク層をアッシングして第2のマスク層を形成し、
前記第2のマスク層を用いて、前記半導体膜及び前記不純物半導体膜をエッチングし、第2の半導体膜及び第2の不純物半導体膜を形成し、
前記第1の絶縁膜及び前記第2の不純物半導体膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜上に第3のマスク層を形成し、
前記第3のマスク層を用いて、前記第2の導電膜及び前記第2の不純物半導体膜をエッチングして、ソース電極及びドレイン電極、走査信号線、補助容量線並びに第3の不純物半導体膜及び第4の不純物半導体膜を形成し、
前記走査信号線は前記第1の開口部を介して前記ゲート電極と電気的に接続し、前記ソース電極及びドレイン電極の一方は前記第2の開口部を介して前記データ信号線と電気的に接続し、
前記第1の絶縁膜、前記第2の半導体膜、前記第3の不純物半導体膜、前記第4の不純物半導体膜、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査信号線及び前記補助容量線上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に第3の絶縁膜を形成し、
多階調マスクを用いたフォトリソグラフィにより、前記第3の絶縁膜に前記第2の絶縁膜を露出させる第3の開口部及び、断面形状が凹状で前記第3の絶縁膜が残留した凹部を形成し、
前記第3の開口部において、前記第2の絶縁膜をエッチングして、前記ドレイン電極に達する第4の開口部を形成し、
前記凹部において、前記第3の絶縁膜をアッシングして、前記補助容量線の上方に形成された前記第2の絶縁膜を露出させる第5の開口部を形成し、
前記第3の絶縁膜上に画素電極を形成し、
前記画素電極は前記第4の開口部を介して前記ドレイン電極と電気的に接続し、且つ前記第5の開口部において前記第2の絶縁膜を誘電体として前記補助容量線と容量を構成することを特徴とする表示装置の作製方法。
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