JP2010166038A5 - - Google Patents

Claims (2)

1. 透光性を有する基板上に遮光性を有するゲート電極層を形成し、
   前記ゲート電極層上に透光性を有するゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上に透光性を有する島状の第１の酸化物半導体層を形成し、
   前記島状の第１の酸化物半導体層上に透光性を有する絶縁層を形成し、
   前記絶縁層上にポジ型の感光性薄膜を形成し、
   前記感光性薄膜に対し、前記基板側の光源より光を照射して前記感光性薄膜の露光を行い、
   前記感光性薄膜の露光領域を現像により除去し、
   前記感光性薄膜の非露光領域をマスクとして、前記絶縁層をエッチングしてチャネル保護層を形成し、
   前記島状の第１の酸化物半導体層上に酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜及び前記導電膜をエッチングして、島状の第２の酸化物半導体層及び配線層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記島状の第２の酸化物半導体層の端部と、前記配線層の端部とは、互いに一致している部分を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。