JP2010028103A5 - 薄膜トランジスタの作製方法及び表示装置の作製方法 - Google Patents
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- 第1の導電膜、絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜を順に積層して形成し、
前記第2の導電膜上に第1の領域、該第1の領域より厚い第2の領域、及び該第2の領域より厚い第3の領域を有する第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第2の導電膜に第1のエッチングを行って前記第1の導電膜の少なくとも表面を露出させ、
前記第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第1のレジストマスクを後退させ、前記第1のレジストマスクの前記第1の領域を除去し、第4の領域と、該第4の領域より厚い第5の領域を有する第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて、前記絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第2の導電膜に第3のエッチングを行い、
前記第2のレジストマスクを後退させ、前記第2のレジストマスクの前記第4の領域を除去して第3のレジストマスクを形成し、
前記第3のレジストマスクを用いて、前記半導体膜の一部、前記不純物半導体膜及び前記第2の導電膜に第4のエッチングを行い、ソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域並びに半導体層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 第1の導電膜、絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜を順に積層して形成し、
前記第2の導電膜上に第1の領域、該第1の領域より厚い第2の領域、及び該第2の領域より厚い第3の領域を有する第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第2の導電膜に第1のエッチングを行って前記第1の導電膜の少なくとも表面を露出させ、
前記第1のレジストマスクを後退させ、前記第1のレジストマスクの前記第1の領域を除去し、第4の領域と、該第4の領域より厚い第5の領域を有する第2のレジストマスクを形成し、
前記第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて、前記絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第2の導電膜に第3のエッチングを行い、
前記第2のレジストマスクを後退させ、前記第2のレジストマスクの前記第4の領域を除去して第3のレジストマスクを形成し、
前記第3のレジストマスクを用いて、前記半導体膜の一部、前記不純物半導体膜及び前記第2の導電膜に第4のエッチングを行い、ソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域並びに半導体層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第1のレジストマスクは、4階調のフォトマスクを用いて形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第1のレジストマスクは、3階調のフォトマスクとレーザを用いて形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第1のエッチング、前記第3のエッチング及び前記第4のエッチングにはドライエッチングを用いて、前記第2のエッチングにはウエットエッチングを用いることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記第1のエッチングによって素子領域を形成し、
前記第2のエッチングによって前記素子領域の側面から概ね等しい距離だけ内側に前記ゲート電極層の側面を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 第1の導電膜、第1の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜を順に積層して形成し、
前記第2の導電膜上に第1の領域、該第1の領域より厚い第2の領域、及び該第2の領域より厚い第3の領域を有する第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記第1の絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第2の導電膜に第1のエッチングを行って前記第1の導電膜の少なくとも表面を露出させ、
前記第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第1のレジストマスクを後退させ、前記第1のレジストマスクの前記第1の領域を除去し、第4の領域と、該第4の領域より厚い第5の領域を有する第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて、前記第1の絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第2の導電膜に第3のエッチングを行い、
前記第2のレジストマスクを後退させ、前記第2のレジストマスクの前記第4の領域を除去して第3のレジストマスクを形成し、
前記第3のレジストマスクを用いて、前記半導体膜の一部、前記不純物半導体膜及び前記第2の導電膜に第4のエッチングを行い、ソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域並びに半導体層を形成することで薄膜トランジスタを形成し、
前記第3のレジストマスクを除去し、
前記薄膜トランジスタを覆って第2の絶縁膜を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極層の一部を露出するように前記第2の絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部及び前記第2の絶縁膜上に画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 第1の導電膜、第1の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜を順に積層して形成し、
前記第2の導電膜上に第1の領域、該第1の領域より厚い第2の領域、及び該第2の領域より厚い第3の領域を有する第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記第1の絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第2の導電膜に第1のエッチングを行って前記第1の導電膜の少なくとも表面を露出させ、
前記第1のレジストマスクを後退させ、前記第1のレジストマスクの前記第1の領域を除去し、第4の領域と、該第4の領域より厚い第5の領域を有する第2のレジストマスクを形成し、
前記第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて、前記第1の絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第2の導電膜に第3のエッチングを行い、
前記第2のレジストマスクを後退させ、前記第2のレジストマスクの前記第4の領域を除去して第3のレジストマスクを形成し、
前記第3のレジストマスクを用いて、前記半導体膜の一部、前記不純物半導体膜及び前記第2の導電膜に第4のエッチングを行い、ソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域並びに半導体層を形成することで薄膜トランジスタを形成し、
前記第3のレジストマスクを除去し、
前記薄膜トランジスタを覆って第2の絶縁膜を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極層の一部を露出するように前記第2の絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部及び前記第2の絶縁膜上に画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項7又は請求項8において、
前記第1のレジストマスクは、4階調のフォトマスクを用いて形成されることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項7又は請求項8において、
前記第1のレジストマスクは、3階調のフォトマスクとレーザを用いて形成されることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項7乃至請求項10のいずれか一において、
前記第1のエッチング、前記第3のエッチング及び前記第4のエッチングにはドライエッチングを用いて、前記第2のエッチングにはウエットエッチングを用いることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項7乃至請求項11のいずれか一において、
前記第1のエッチングによって素子領域を形成し、
前記第2のエッチングによって前記素子領域の側面から概ね等しい距離だけ内側に前記ゲート電極層の側面を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項7乃至請求項12のいずれか一において、
前記第2の絶縁膜は、CVD法又はスパッタリング法により形成した絶縁膜と、スピンコート法により形成した絶縁膜と、を積層して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項7乃至請求項13のいずれか一において、
前記画素電極は、フォトリソグラフィ法により形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
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