JP2009246352A5 - 薄膜トランジスタの作製方法 - Google Patents
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- 第1の導電膜、絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜を順に積層して形成し、
前記第2の導電膜上に凹部を有し、且つ前記第2の導電膜を加工して形成される配線の領域において前記第1の導電膜を加工して形成される隣り合う配線間に少なくとも一の開口部を有する第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第2の導電膜に第1のエッチングを行って前記第1の導電膜の少なくとも表面を露出させ、
前記第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第1のレジストマスクを後退させることで前記第1のレジストマスクの凹部と重畳する前記第2の導電膜を露出させつつ第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第3のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域層並びに半導体層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 第1の導電膜、絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜を順に積層して形成し、
前記第2の導電膜上に凹部を有し、且つ前記第2の導電膜を加工して形成される配線の領域において前記第1の導電膜を加工して形成される隣り合う配線間に少なくとも一の開口部を有する第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第2の導電膜に第1のエッチングを行って前記第1の導電膜の少なくとも表面を露出させ、
前記第1のレジストマスクを後退させることで前記第1のレジストマスクの凹部と重畳する前記第2の導電膜を露出させつつ第2のレジストマスクを形成し、
前記第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第3のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域層並びに半導体層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 第1の導電膜、絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜を順に積層して形成し、
前記第2の導電膜上に凹部を有し、且つ前記第2の導電膜を加工して形成される配線の領域において前記第1の導電膜を加工して形成される隣り合う配線間に少なくとも一の開口部を有する第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記第1の導電膜、前記絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第2の導電膜に第1のエッチングを行い、
前記第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第1のレジストマスクを後退させることで前記第1のレジストマスクの凹部と重畳する前記第2の導電膜を露出させつつ第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第3のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域層並びに半導体層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 第1の導電膜、絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜を順に積層して形成し、
前記第2の導電膜上に凹部を有し、且つ前記第2の導電膜を加工して形成される配線の領域において前記第1の導電膜を加工して形成される隣り合う配線間に少なくとも一の開口部を有する第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記第1の導電膜、前記絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第2の導電膜に第1のエッチングを行い、
前記第1のレジストマスクを後退させることで前記第1のレジストマスクの凹部と重畳する前記第2の導電膜を露出させつつ第2のレジストマスクを形成し、
前記第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第3のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域層並びに半導体層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、
前記開口部は、前記第2の導電膜を加工して形成される配線の領域上であって、前記第1の導電膜を加工して形成される前記配線と前記第2の導電膜を加工して形成される前記配線の交差部で前記第1の導電膜を加工して形成される前記配線を挟んで設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
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