JP2014202838A5 - - Google Patents
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Description
本発明に係るＴＦＴアレイ基板の製造方法の第１の態様は、（ａ）基板上に遮光膜および共通配線を形成する工程と、（ｂ）前記遮光膜および共通配線を覆う絶縁膜を形成する工程と、（ｃ）前記遮光膜の上方にＴＦＴ素子の半導体層を形成し、前記半導体層上に前記ＴＦＴ素子のソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、（ｄ）前記工程（ｃ）の後に、前記基板の上面全体にゲート絶縁膜を形成する工程と、（ｅ）前記工程（ｄ）の後に、前記基板の上面全体に感光性の有機樹脂材料を塗布し、ハーフトーン法で露光して現像することで、前記ドレイン電極上および前記共通配線上の前記有機樹脂材料を除去すると共に、前記ＴＦＴ素子の形成領域上に薄い有機樹脂材料を形成する工程と、（ｆ）前記有機樹脂材料をマスクにして、前記ドレイン電極上および共通配線上の前記絶縁膜および前記ゲート絶縁膜を除去してコンタクトホールを形成する工程と、（ｇ）アッシングにより前記有機樹脂材料を薄くすることで前記薄い有機樹脂材料を除去した後、前記有機樹脂材料上に透明導電膜および金属膜を順番に成膜する工程と、（ｈ）前記金属膜上にフォトレジストを塗布し、ハーフトーン法で露光して現像することで、前記ＴＦＴ素子のゲート電極、引き出し配線および共通電極のパターンを有するレジストを形成すると共に、前記コンタクトホール内を除く前記共通電極の領域に薄いレジストを形成する工程と、（ｉ）前記レジストをマスクにして前記金属膜および前記透明導電膜をエッチングすることで前記ゲート電極、前記引き出し配線、前記共通電極を同時に形成する工程と、（ｊ）アッシングにより前記レジストを薄くして前記薄いレジストを除去した後、前記金属膜をエッチングすることで、前記コンタクトホール内を除く前記共通電極上の前記金属膜を除去する工程と、を備えるものである。
Claims (2)
- （ａ）基板上に遮光膜および共通配線を形成する工程と、
（ｂ）前記遮光膜および共通配線を覆う絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記遮光膜の上方にＴＦＴ素子の半導体層を形成し、前記半導体層上に前記ＴＦＴ素子のソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後に、前記基板の上面全体にゲート絶縁膜を形成する工程と、
（ｅ）前記工程（ｄ）の後に、前記基板の上面全体に感光性の有機樹脂材料を塗布し、ハーフトーン法で露光して現像することで、前記ドレイン電極上および前記共通配線上の前記有機樹脂材料を除去すると共に、前記ＴＦＴ素子の形成領域上に薄い有機樹脂材料を形成する工程と、
（ｆ）前記有機樹脂材料をマスクにして、前記ドレイン電極上および共通配線上の前記絶縁膜および前記ゲート絶縁膜を除去してコンタクトホールを形成する工程と、
（ｇ）アッシングにより前記有機樹脂材料を薄くすることで前記薄い有機樹脂材料を除去した後、前記有機樹脂材料上に透明導電膜および金属膜を順番に成膜する工程と、
（ｈ）前記金属膜上にフォトレジストを塗布し、ハーフトーン法で露光して現像することで、前記ＴＦＴ素子のゲート電極、引き出し配線および共通電極のパターンを有するレジストを形成すると共に、前記コンタクトホール内を除く前記共通電極の領域に薄いレジストを形成する工程と、
（ｉ）前記レジストをマスクにして前記金属膜および前記透明導電膜をエッチングすることで前記ゲート電極、前記引き出し配線、前記共通電極を同時に形成する工程と、
（ｊ）アッシングにより前記レジストを薄くして前記薄いレジストを除去した後、前記金属膜をエッチングすることで、前記コンタクトホール内を除く前記共通電極上の前記金属膜を除去する工程と、を備える
ことを特徴とするＴＦＴアレイ基板の製造方法。 - （ｅ）前記工程（ｄ）の後に、前記基板の上面全体にゲート絶縁膜を形成する工程と、
（ｆ）前記工程（ｅ）の後に、前記基板の上面全体に感光性の有機樹脂材料を塗布し、ハーフトーン法で露光して現像することで、前記ドレイン電極上および前記共通配線上の前記有機樹脂材料を除去すると共に、前記ＴＦＴ素子の形成領域上に薄い有機樹脂材料を形成する工程と、
（ｇ）前記有機樹脂材料をマスクにして、前記ドレイン電極上および共通配線上の前記ゲート絶縁膜を除去してコンタクトホールを形成する工程と、
（ｈ）アッシングにより前記有機樹脂材料を薄くすることで前記薄い有機樹脂材料を除去した後、前記有機樹脂材料上に透明導電膜および第２金属膜を順番に成膜する工程と、
（ｉ）前記第２金属膜上にフォトレジストを塗布し、ハーフトーン法で露光して現像することで、前記ＴＦＴ素子のゲート電極、引き出し配線および共通電極のパターンを有するレジストを形成すると共に、前記コンタクトホール内を除く前記共通電極の領域に薄いレジストを形成する工程と、
（ｊ）前記レジストをマスクにして前記第２金属膜および前記透明導電膜をエッチングすることで前記ゲート電極、前記引き出し配線、前記共通電極を同時に形成する工程と、
（ｋ）アッシングにより前記レジストを薄くして前記薄いレジストを除去した後、前記第２金属膜をエッチングすることで、前記コンタクトホール内を除く前記共通電極上の前記第２金属膜を除去する工程と、をさらに備える
請求項５記載のＴＦＴアレイ基板の製造方法。
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