JP2009135436A5 - - Google Patents

Claims (2)

1. 基板上に形成されたゲート電極及び第１の電極と、
   前記ゲート電極上及び前記第１の電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に形成され、ドナーとなる不純物元素の濃度がＳＩＭＳの検出限界より多く、且つ、アクセプターとなる元素を含む第１の微結晶半導体膜と、
   前記第１の微結晶半導体膜上に形成され、ドナーとなる不純物元素の濃度がＳＩＭＳの検出限界以下の第２の微結晶半導体膜と、
   前記第２の微結晶半導体膜上に形成され、ドナーとなる不純物元素の濃度がＳＩＭＳの検出限界以下の一対のアモルファス半導体膜と、
   前記一対のアモルファス半導体膜上の一対の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜と、
   前記一対の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜上に形成された一対の導電膜と、を形成する第１の工程と、
   前記一対の導電膜上及び前記ゲート絶縁膜上に保護絶縁膜を形成する第２の工程と、
   前記保護絶縁膜上に感光性の有機樹脂膜を形成する第３の工程と、
   前記感光性の有機樹脂膜を感光した後に露光を行うことによって、前記感光性の有機樹脂膜に、前記一対の導電膜の一方の上に形成され且つ前記保護絶縁膜に達する第１の凹部と、前記第１の電極上に形成され且つ前記保護絶縁膜に達しない第２の凹部と、を形成する第４の工程と、
   前記感光性の有機樹脂膜をエッチングしつつ、前記保護絶縁膜の一部を除去して、前記一対の導電膜の一方に達するコンタクトホールを形成する第５の工程と、
   前記感光性の有機樹脂膜をアッシングして、前記コンタクトホールの面積を広げるとともに、前記第２の凹部を加工して前記保護絶縁膜に達する第３の凹部を形成する第６の工程と、
   前記感光性の有機樹脂膜上、前記コンタクトホール内、及び前記第３の凹部内に第２の電極を形成する第７の工程と、を有し、
   前記第１の微結晶半導体膜は、前記ドナーとなる不純物元素の濃度が前記ゲート絶縁膜から前記第２の微結晶半導体膜に向かって減少する濃度分布を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記第１の微結晶半導体膜にアクセプターとなる元素が含まれていることを特徴とする表示装置の作製方法。