JP4777717B2 - 成膜方法、プラズマ処理装置および記録媒体 - Google Patents
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Description
電子結合エネルギーと等価の内部エネルギーを単原子分子ガスが包含していればよい。
(マイクロ波プラズマ処理装置の構成)
まず,本発明の第1実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置について,図1を参照しながら説明する。図1は,マイクロ波プラズマ処理装置100をx軸方向およびz軸方向に平行な面で切断した縦断面図である。マイクロ波プラズマ処理装置100は,プラズマ処理装置の一例である。本実施形態では,マイクロ波プラズマ処理装置100により実行される処理プロセスとして,Arガス,SiH4ガス,NH3ガスからシリコン窒化膜を生成するプロセスを挙げて説明する。
Molecular Pump)19cが設けられている。ドライポンプ19aは,処理容器10内が所定の減圧状態になるまで,排気口10aからガスを排気する。
つぎに,制御装置の構成および動作について説明する。図3に示したように,マイクロ波プラズマ処理装置100の外部には,マイクロ波発生器28,処理ガス供給源31および冷却水供給源33の他に,制御装置40およびUV光発生源41が設けられている。制御装置40は,マイクロ波プラズマ処理装置100を制御する。UV光発生源41は,発生させたUV光をマイクロ波プラズマ処理装置100に照射する。また,マイクロ波プラズマ処理装置100には,圧力センサ42(バラトロンやコンベクトロンなどの真空ゲージ),圧力センサ43(バラトロンやコンベクトロンなどの真空ゲージ),温度センサ44およびフォトセンサ45が取り付けられている。
図7(a)には,従来の方法にて混合ガスをマイクロ波プラズマ処理装置100に供給した場合のプラズマ観察結果が示されている。また,図7(b)には,上記シーケンスに基づいてガスをマイクロ波プラズマ処理装置100に供給した場合のプラズマ観察結果が示されている。
第2実施形態にかかる制御装置40は,処理容器内の電子の衝突頻度や分子がその内部に蓄える内部エネルギーを高めるようにプロセスの条件を制御する点で,そのような制御をしない第1実施形態にかかる制御装置40と動作上異なる。したがって,この相異点を中心に本実施形態の制御装置40の動作について,図8および図9を参照しながら説明する。なお,制御装置40により制御されるマイクロ波プラズマ処理装置100の構成は同じである。
図8は,本実施形態にかかるガス供給処理ルーチン(制御プログラム)を示したフローチャートである。図9は,各パラメータを制御するタイミングを示したタイムチャートである。
11 サセプタ
18 バッフル板
19a ドライポンプ
19b APC(自動圧力調整器)
19c TMP(ターボモレキュラポンプ)
28 マイクロ波発生器
29 ガス導入管
30 ガス噴射口
31 処理ガス供給源
31a4 Arガス供給源
31b4 SiH4ガス供給源
31b8 NH3ガス供給源
33 冷却水供給源
40 制御装置
41 UV光発生源
42 圧力センサ
43 圧力センサ
44 温度センサ
45 フォトセンサ
100 マイクロ波プラズマ処理装置
Claims (9)
- 処理容器内に入射されたマイクロ波により処理ガスをプラズマ化させて,被処理体にシリコン窒化膜を成膜する成膜方法であって:
単原子分子ガスを前記処理容器内に供給させながら,マイクロ波を前記処理容器内に入射させる第1の工程と;
前記第1の工程により前記単原子分子ガスがプラズマ着火した後,SiH4ガス及びNH3ガスを前記処理容器内に供給させる第2の工程と、を有することを特徴とする成膜方法。 - さらに,プラズマ着火前に,前記処理容器内の電子の衝突頻度を高めるようにプロセスの条件を制御することを特徴とする請求項1に記載されたプラズマ成膜方法。
- 前記プロセスの条件は,圧力,温度,マイクロ波のパワーまたは光のパワーの少なくともいずれかであることを特徴とする請求項2に記載された成膜方法。
- 前記第1の工程において,
前記マイクロ波は、スロットを通して誘電体に伝播させて前記処理容器内に入射され、
前記誘電体は,複数枚の誘電体パーツにより形成され、
前記複数枚の誘電体パーツは、金属の支持部材により支持されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載された成膜方法。 - 前記誘電体は,前記マイクロ波の表面波が伝播する誘電体の表面に凹部または凸部の少なくともいずれかが形成されることを特徴とする請求項4に記載された成膜方法。
- 前記第1の工程の後に、前記複数枚の誘電体パーツ下部のすべてにおいてプラズマが着火したか否かを判定する第3の工程を更に有し、前記第3の工程は前記第2の工程の前に行われることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載された成膜方法。
- 前記処理容器内にてガスがプラズマ化したときに生じる光の波長に応じた値を検出することにより,前記単原子分子ガスがプラズマ着火したか否かを判定することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載された成膜方法。
- 処理容器内に入射されたマイクロ波により処理ガスをプラズマ化させて,被処理体にシリコン窒化膜を成膜するプラズマ処理装置であって:
マイクロ波を発生するマイクロ波発生手段と,
単原子分子ガスを供給する第1のガス供給源と,
SiH4ガスを供給する第2のガス供給源と,
NH3ガスを供給する第3のガス供給源と,
前記発生されたマイクロ波により前記供給された単原子分子ガスがプラズマ着火した後,前記SiH4ガス及びNH3ガスを供給するように制御する制御装置と;を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 処理容器内に入射されたマイクロ波により処理ガスをプラズマ化させて,被処理体にシリコン窒化膜を成膜するプラズマ処理装置に利用する制御プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって:
前記処理容器内に単原子分子ガスを供給させながら,前記マイクロ波を処理容器内に入射させる処理と;
前記マイクロ波により前記単原子分子ガスがプラズマ着火した後,SiH4ガス及びNH3ガスを前記処理容器内に供給させる処理と;をコンピュータに実行させる制御プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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