JP3883396B2 - 誘導結合プラズマ着火方法 - Google Patents
誘導結合プラズマ着火方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3883396B2 JP3883396B2 JP2001150714A JP2001150714A JP3883396B2 JP 3883396 B2 JP3883396 B2 JP 3883396B2 JP 2001150714 A JP2001150714 A JP 2001150714A JP 2001150714 A JP2001150714 A JP 2001150714A JP 3883396 B2 JP3883396 B2 JP 3883396B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- low
- plasma
- plasma ignition
- flow rate
- inductively coupled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/3299—Feedback systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハやガラス基板等の被処理物に対し、誘導結合プラズマによるエッチング、アッシング、ＣＶＤ処理、イオン注入処理等を行うのに好適な誘導結合プラズマ着火方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高周波を印加することで発生するプラズマには容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Capacitively Coupled Plasma）と誘導結合型プラズマ（ＩＰＣ：Inductively Coupled Plasma）とがある。上記容量結合型プラズマは基板にダメージを与えるため、誘導結合型プラズマの方が好ましいことが判明しており、この誘導結合型プラズマを主に発生させるプラズマ処理装置として、コイル電極を用いたもの等が多く使われている。
【０００３】
被処理物を処理できる低エネルギー・高密度の誘導結合プラズマを発生させるにはプラズマ着火用チャンバー内の圧力を高くし、反応ガスは大流量、しかも高周波も高出力で電極に印加することが好ましい。
図２は、このような高圧力、高ガス流量および高出力のプラズマ着火条件を示すグラフである。図２において、例えば、チャンバー内圧力は８００ｍＴｏｒｒ、反応ガス流量は２，５００ｓｃｃｍおよび高周波出力は１，４５０Ｗである。
【０００４】
しかし上記のような条件では放電開始電圧が非常に高くなる。そのため、チャンバーの構造によっては、プラズマが着火する以前に高周波印加用の電極を固定している絶縁体が絶縁破壊を起こし、電圧が低下してプラズマが発生しないことがある。
【０００５】
また、チャンバー内の圧力を低く設定し、反応ガス流量を少なくした状態で高い高周波出力を印加してプラズマ着火させ、その後チャンバー内圧力および反応ガス流量を上昇させる方法も知られている。
【０００６】
図３は、このような低圧力および低ガス流量で高出力の高周波を電極に印加して、プラズマ着火後にチャンバー内圧力および反応ガス流量を上昇させるプラズマ着火条件を示すグラフである。この図において、例えば、初期のチャンバー内圧力を２００ｍＴｏｒｒ、反応ガス流量を１５０ｓｃｃｍ、高周波出力を１，４５０Ｗとし、プラズマ着火後にチャンバー内圧力を８００ｍＴｏｒｒ、反応ガス流量を２，５００ｓｃｃｍにまで上昇させる。
しかし、このような条件では高い高周波出力を印加した瞬間に高エネルギー・高密度のプラズマが発生し、ウェーハにチャージアップダメージを与える危険性がある。
【０００７】
一方、特開平１０−１６２９９３号公報には、プラズマ着火が容易な反応ガスを使用してプラズマを発生させ、チャンバー内に送り込む反応ガスの種類を順次切り替えて、最終的に所望の反応ガスのプラズマを得る方法が開示されている。しかし、この方法ではプラズマ着火が容易な反応ガスとしてヘリウムやアルゴン等、設備面でのコストが大幅に嵩むガスを使用しなければならない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、絶縁破壊による電流のリークを生じず、また、プラズマによって被処理物がチャージアップダメージを被ることのない誘導結合プラズマ着火方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の誘導結合プラズマ着火方法は、高周波出力、反応ガス流量およびチャンバー内圧力が共に低い状態で低エネルギー・低密度のプラズマを着火させ、プラズマ着火確認後に、高周波出力、反応ガス流量およびチャンバー内圧力を共に漸次増加させ、最終的に被処理物を処理できる低エネルギー・高密度のプラズマを発生させる誘導結合プラズマ着火方法において、プラズマ着火当初の前記反応ガス流量を最終到達流量の２〜１５％に設定するようにした。
【００１０】
前記低エネルギー・低密度のプラズマ着火時の高周波出力、およびチャンバー内圧力が、前記低エネルギー・高密度のプラズマを発生させる高周波最終到達出力、およびチャンバー内最終到達圧力の、それぞれ１０〜３０％、および１０〜３０％であることが好ましい。
【００１１】
また、前記低エネルギー・低密度のプラズマ着火確認時から前記低エネルギー・高密度のプラズマ発生に達するまでの高周波出力、反応ガス流量およびチャンバー内圧力の増加は、たとえば２〜１０秒の間で徐々（ソフトスタート）に行う。
【００１２】
さらに、前記低エネルギー・低密度のプラズマ着火確認は、プラズマ着火操作後３〜１０秒経過したときに発光モニターで行い、未着火の場合は、直ちに高周波出力の印加を停止することが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の態様】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。ここで図１は本発明に係る誘導結合プラズマの着火条件の一例を示すグラフである。本図に示すように、プラズマ着火時はプラズマが着火し易いようにチャンバー内の圧力は低く、反応ガス流量は低く抑え、高周波出力も低く設定する。本例では反応ガスとして酸素を使用しているが、このガスの種類は被処理物の材質等を考慮して決定することができ、他に窒素、空気、６フッ化エチレン、プロパン、ブタン等を使用することができる。
【００１４】
本例ではチャンバー内の圧力を当初２００ｍＴｏｒｒに設定している。この値は最終到達圧力８００ｍＴｏｒｒの２５％に当たる。当初の圧力は最終到達圧力の１０〜３０％が好ましい。この値が１０％未満ではプラズマは着火し易くなるが高エネルギー・高密度のプラズマの発生を防止することが困難となり、３０％を超えると高エネルギー・高密度のプラズマの発生は防止し易くなるが、プラズマが着火し難くなることがある。また、反応ガスである酸素の当初の流量は１５０ｓｃｃｍに設定した。この値は最終到達流量２，５００ｓｃｃｍの６％に当たる。当初のガス流量は最終到達流量の２〜１５％であることが好ましく、この値が２％未満ではプラズマ着火時の圧力コントロールが難しくなり、１５％を超えるとプラズマが着火し難くなることがある。
【００１５】
チャンバー内圧力を上記の２００ｍＴｏｒｒ、反応ガス流量を上記の１５０ｓｃｃｍに設定した状態で、チャンバーに巻回した電極に高周波を印加する。このときの高周波出力を本例では２５０Ｗとした。この値は最終到達出力１，４５０Ｗの約１７％に当たる。当初印加する高周波の出力は最終到達出力の１０〜３０％であることが好ましく、この値が１０％未満ではプラズマが着火し難くなり、３０％を超えると高エネルギー・高密度プラズマが発生し易くなることがある。
【００１６】
このような低出力、低流量および低圧力の状態で着火するプラズマはその放電開始圧力が低く、低エネルギー・低密度であるため、プラズマ発生装置が絶縁破壊による高周波出力のリークを起こしたり、被処理物がプラズマによってチャージアップダメージを被ることがない。上記プラズマの着火は、チャンバー内のプラズマ炎を観測できる発光モニターを使用して、着火操作後３〜１０秒経過したときに確認・判定することが好ましい。本例では着火操作後３秒目に確認を行っている。
【００１７】
上記確認によりもしプラズマ未着火と判定された場合は、インターロック等により直ちに高周波出力の印加を停止する。こうすることにより、電極への高周波の印加は最小限の電圧で済ますことができるため、仮にプラズマが着火しなくても、電極固定用の絶縁体が絶縁破壊を起こしたり、その他の装置部品を破損したりすることを未然に防止できる。
【００１８】
上記発光モニターによりプラズマの着火が確認されたときは、２〜１０秒をかけて、高周波出力、反応ガス流量およびチャンバー内圧力を共に漸次増加させ、最終的に被処理物を処理できる低エネルギー・高密度のプラズマを発生させる。本例では着火と判定開始時から３秒間かけて徐々に目的の高周波出力（１，４５０Ｗ）、反応ガス流量（２，５００ｓｃｃｍ）およびチャンバー内圧力（８００ｍＴｏｒｒ）に到達させている。
【００１９】
ここで、上記着火時のプラズマはＣＣＰ（容量結合型プラズマ）からＩＣＰ（誘導結合型プラズマ）へモードチェンジした直後の不安定なものであるが、最終的に発生させる低エネルギー・高密度のプラズマは、ほぼ完全な誘導結合型プラズマ状態で安定しているため、ウェーハ等の処理を確実に行うことができる。
【００２０】
【発明の効果】
本発明の誘導結合プラズマ着火方法は、誘導結合プラズマ高周波出力、反応ガス流量およびチャンバー内圧力が共に低い状態で低エネルギー・低密度のプラズマを着火させ、プラズマ着火確認後に、高周波出力、反応ガス流量およびチャンバー内圧力を共に漸次増加させるため、プラズマ発生装置が絶縁破壊による高周波出力のリークを生じたり、被処理物がプラズマによってチャージアップダメージを被ることがない。
【００２１】
また、最終的に発生する低エネルギー・高密度のプラズマは、完全な誘導結合型プラズマ状態で安定しているため、ウェーハ等の処理を確実に行うことができる。
なお、前記低エネルギー・低密度のプラズマ着火確認は発光モニターで行い、未着火の場合は、直ちに高周波出力の印加を停止するため、電極への高周波の印加は最小限の電圧で済ますことができ、仮にプラズマが着火しなくても、電極固定用の絶縁体が絶縁破壊を起こしたり、その他の装置部品を破損したりすることを未然に防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る誘導結合プラズマの着火条件の一例を示すグラフ
【図２】従来の、高圧力、高ガス流量および高出力のプラズマ着火条件を示すグラフ
【図３】従来の低圧力および低ガス流量で高出力の高周波を印加し、プラズマ着火後にチャンバー内圧力および反応ガス流量を上昇させるプラズマ着火条件を示すグラフ
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハやガラス基板等の被処理物に対し、誘導結合プラズマによるエッチング、アッシング、ＣＶＤ処理、イオン注入処理等を行うのに好適な誘導結合プラズマ着火方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高周波を印加することで発生するプラズマには容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Capacitively Coupled Plasma）と誘導結合型プラズマ（ＩＰＣ：Inductively Coupled Plasma）とがある。上記容量結合型プラズマは基板にダメージを与えるため、誘導結合型プラズマの方が好ましいことが判明しており、この誘導結合型プラズマを主に発生させるプラズマ処理装置として、コイル電極を用いたもの等が多く使われている。
【０００３】
被処理物を処理できる低エネルギー・高密度の誘導結合プラズマを発生させるにはプラズマ着火用チャンバー内の圧力を高くし、反応ガスは大流量、しかも高周波も高出力で電極に印加することが好ましい。
図２は、このような高圧力、高ガス流量および高出力のプラズマ着火条件を示すグラフである。図２において、例えば、チャンバー内圧力は８００ｍＴｏｒｒ、反応ガス流量は２，５００ｓｃｃｍおよび高周波出力は１，４５０Ｗである。
【０００４】
しかし上記のような条件では放電開始電圧が非常に高くなる。そのため、チャンバーの構造によっては、プラズマが着火する以前に高周波印加用の電極を固定している絶縁体が絶縁破壊を起こし、電圧が低下してプラズマが発生しないことがある。
【０００５】
また、チャンバー内の圧力を低く設定し、反応ガス流量を少なくした状態で高い高周波出力を印加してプラズマ着火させ、その後チャンバー内圧力および反応ガス流量を上昇させる方法も知られている。
【０００６】
図３は、このような低圧力および低ガス流量で高出力の高周波を電極に印加して、プラズマ着火後にチャンバー内圧力および反応ガス流量を上昇させるプラズマ着火条件を示すグラフである。この図において、例えば、初期のチャンバー内圧力を２００ｍＴｏｒｒ、反応ガス流量を１５０ｓｃｃｍ、高周波出力を１，４５０Ｗとし、プラズマ着火後にチャンバー内圧力を８００ｍＴｏｒｒ、反応ガス流量を２，５００ｓｃｃｍにまで上昇させる。
しかし、このような条件では高い高周波出力を印加した瞬間に高エネルギー・高密度のプラズマが発生し、ウェーハにチャージアップダメージを与える危険性がある。
【０００７】
一方、特開平１０−１６２９９３号公報には、プラズマ着火が容易な反応ガスを使用してプラズマを発生させ、チャンバー内に送り込む反応ガスの種類を順次切り替えて、最終的に所望の反応ガスのプラズマを得る方法が開示されている。しかし、この方法ではプラズマ着火が容易な反応ガスとしてヘリウムやアルゴン等、設備面でのコストが大幅に嵩むガスを使用しなければならない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、絶縁破壊による電流のリークを生じず、また、プラズマによって被処理物がチャージアップダメージを被ることのない誘導結合プラズマ着火方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の誘導結合プラズマ着火方法は、高周波出力、反応ガス流量およびチャンバー内圧力が共に低い状態で低エネルギー・低密度のプラズマを着火させ、プラズマ着火確認後に、高周波出力、反応ガス流量およびチャンバー内圧力を共に漸次増加させ、最終的に被処理物を処理できる低エネルギー・高密度のプラズマを発生させる誘導結合プラズマ着火方法において、プラズマ着火当初の前記反応ガス流量を最終到達流量の２〜１５％に設定するようにした。
【００１０】
前記低エネルギー・低密度のプラズマ着火時の高周波出力、およびチャンバー内圧力が、前記低エネルギー・高密度のプラズマを発生させる高周波最終到達出力、およびチャンバー内最終到達圧力の、それぞれ１０〜３０％、および１０〜３０％であることが好ましい。
【００１１】
また、前記低エネルギー・低密度のプラズマ着火確認時から前記低エネルギー・高密度のプラズマ発生に達するまでの高周波出力、反応ガス流量およびチャンバー内圧力の増加は、たとえば２〜１０秒の間で徐々（ソフトスタート）に行う。
【００１２】
さらに、前記低エネルギー・低密度のプラズマ着火確認は、プラズマ着火操作後３〜１０秒経過したときに発光モニターで行い、未着火の場合は、直ちに高周波出力の印加を停止することが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の態様】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。ここで図１は本発明に係る誘導結合プラズマの着火条件の一例を示すグラフである。本図に示すように、プラズマ着火時はプラズマが着火し易いようにチャンバー内の圧力は低く、反応ガス流量は低く抑え、高周波出力も低く設定する。本例では反応ガスとして酸素を使用しているが、このガスの種類は被処理物の材質等を考慮して決定することができ、他に窒素、空気、６フッ化エチレン、プロパン、ブタン等を使用することができる。
【００１４】
本例ではチャンバー内の圧力を当初２００ｍＴｏｒｒに設定している。この値は最終到達圧力８００ｍＴｏｒｒの２５％に当たる。当初の圧力は最終到達圧力の１０〜３０％が好ましい。この値が１０％未満ではプラズマは着火し易くなるが高エネルギー・高密度のプラズマの発生を防止することが困難となり、３０％を超えると高エネルギー・高密度のプラズマの発生は防止し易くなるが、プラズマが着火し難くなることがある。また、反応ガスである酸素の当初の流量は１５０ｓｃｃｍに設定した。この値は最終到達流量２，５００ｓｃｃｍの６％に当たる。当初のガス流量は最終到達流量の２〜１５％であることが好ましく、この値が２％未満ではプラズマ着火時の圧力コントロールが難しくなり、１５％を超えるとプラズマが着火し難くなることがある。
【００１５】
チャンバー内圧力を上記の２００ｍＴｏｒｒ、反応ガス流量を上記の１５０ｓｃｃｍに設定した状態で、チャンバーに巻回した電極に高周波を印加する。このときの高周波出力を本例では２５０Ｗとした。この値は最終到達出力１，４５０Ｗの約１７％に当たる。当初印加する高周波の出力は最終到達出力の１０〜３０％であることが好ましく、この値が１０％未満ではプラズマが着火し難くなり、３０％を超えると高エネルギー・高密度プラズマが発生し易くなることがある。
【００１６】
このような低出力、低流量および低圧力の状態で着火するプラズマはその放電開始圧力が低く、低エネルギー・低密度であるため、プラズマ発生装置が絶縁破壊による高周波出力のリークを起こしたり、被処理物がプラズマによってチャージアップダメージを被ることがない。上記プラズマの着火は、チャンバー内のプラズマ炎を観測できる発光モニターを使用して、着火操作後３〜１０秒経過したときに確認・判定することが好ましい。本例では着火操作後３秒目に確認を行っている。
【００１７】
上記確認によりもしプラズマ未着火と判定された場合は、インターロック等により直ちに高周波出力の印加を停止する。こうすることにより、電極への高周波の印加は最小限の電圧で済ますことができるため、仮にプラズマが着火しなくても、電極固定用の絶縁体が絶縁破壊を起こしたり、その他の装置部品を破損したりすることを未然に防止できる。
【００１８】
上記発光モニターによりプラズマの着火が確認されたときは、２〜１０秒をかけて、高周波出力、反応ガス流量およびチャンバー内圧力を共に漸次増加させ、最終的に被処理物を処理できる低エネルギー・高密度のプラズマを発生させる。本例では着火と判定開始時から３秒間かけて徐々に目的の高周波出力（１，４５０Ｗ）、反応ガス流量（２，５００ｓｃｃｍ）およびチャンバー内圧力（８００ｍＴｏｒｒ）に到達させている。
【００１９】
ここで、上記着火時のプラズマはＣＣＰ（容量結合型プラズマ）からＩＣＰ（誘導結合型プラズマ）へモードチェンジした直後の不安定なものであるが、最終的に発生させる低エネルギー・高密度のプラズマは、ほぼ完全な誘導結合型プラズマ状態で安定しているため、ウェーハ等の処理を確実に行うことができる。
【００２０】
【発明の効果】
本発明の誘導結合プラズマ着火方法は、誘導結合プラズマ高周波出力、反応ガス流量およびチャンバー内圧力が共に低い状態で低エネルギー・低密度のプラズマを着火させ、プラズマ着火確認後に、高周波出力、反応ガス流量およびチャンバー内圧力を共に漸次増加させるため、プラズマ発生装置が絶縁破壊による高周波出力のリークを生じたり、被処理物がプラズマによってチャージアップダメージを被ることがない。
【００２１】
また、最終的に発生する低エネルギー・高密度のプラズマは、完全な誘導結合型プラズマ状態で安定しているため、ウェーハ等の処理を確実に行うことができる。
なお、前記低エネルギー・低密度のプラズマ着火確認は発光モニターで行い、未着火の場合は、直ちに高周波出力の印加を停止するため、電極への高周波の印加は最小限の電圧で済ますことができ、仮にプラズマが着火しなくても、電極固定用の絶縁体が絶縁破壊を起こしたり、その他の装置部品を破損したりすることを未然に防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る誘導結合プラズマの着火条件の一例を示すグラフ
【図２】従来の、高圧力、高ガス流量および高出力のプラズマ着火条件を示すグラフ
【図３】従来の低圧力および低ガス流量で高出力の高周波を印加し、プラズマ着火後にチャンバー内圧力および反応ガス流量を上昇させるプラズマ着火条件を示すグラフ
Claims (4)
- 高周波出力、反応ガス流量およびチャンバー内圧力が共に低い状態で低エネルギー・低密度のプラズマを着火させ、プラズマ着火確認後に、高周波出力、反応ガス流量およびチャンバー内圧力を共に漸次増加させ、最終的に被処理物を処理できる低エネルギー・高密度のプラズマを発生させる誘導結合プラズマ着火方法において、反応ガスとして酸素ガスを用い、プラズマ着火当初の前記反応ガス流量を最終到達流量の２〜１５％に設定することを特徴とする誘導結合プラズマ着火方法。
- 前記低エネルギー・低密度のプラズマ着火当時の高周波出力、およびチャンバー内圧力が、前記低エネルギー・高密度のプラズマを発生させる高周波最終到達出力、およびチャンバー内最終到達圧力の、それぞれ１０〜３０％、および１０〜３０％である請求項１に記載の誘導結合プラズマ着火方法。
- 前記低エネルギー・低密度のプラズマ着火確認時から前記低エネルギー・高密度のプラズマ発生に達するまでの高周波出力、反応ガス流量およびチャンバー内圧力の増加を、２〜１０秒の間で行う請求項１または請求項２のいずれかに記載の誘導結合プラズマ着火方法。
- 前記低エネルギー・低密度のプラズマ着火確認は、プラズマ着火操作後３〜１０秒経過したときに発光モニターで行い、未着火の場合は、直ちに高周波出力の印加を停止する請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の誘導結合プラズマ着火方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001150714A JP3883396B2 (ja) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 誘導結合プラズマ着火方法 |
| TW091110416A TWI272879B (en) | 2001-05-21 | 2002-05-17 | Inductive coupling plasma igniting method |
| KR1020020027705A KR100881990B1 (ko) | 2001-05-21 | 2002-05-20 | 유도결합 플라즈마 착화방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001150714A JP3883396B2 (ja) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 誘導結合プラズマ着火方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002343600A JP2002343600A (ja) | 2002-11-29 |
| JP3883396B2 true JP3883396B2 (ja) | 2007-02-21 |
Family
ID=18995687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001150714A Expired - Fee Related JP3883396B2 (ja) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 誘導結合プラズマ着火方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3883396B2 (ja) |
| KR (1) | KR100881990B1 (ja) |
| TW (1) | TWI272879B (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6872909B2 (en) * | 2003-04-16 | 2005-03-29 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas and plasma source having a dielectric vacuum vessel |
| KR100853388B1 (ko) | 2003-06-27 | 2008-08-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 클리닝 방법 및 기판 처리 방법 |
| JP4558284B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2010-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ発生方法、クリーニング方法、基板処理方法、およびプラズマ発生装置 |
| JP4777717B2 (ja) * | 2005-08-10 | 2011-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、プラズマ処理装置および記録媒体 |
| JP2008202107A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| US8012862B2 (en) * | 2007-11-22 | 2011-09-06 | Panasonic Corporation | Method for manufacturing semiconductor device using plasma doping |
| JP6359011B2 (ja) * | 2013-05-24 | 2018-07-18 | 株式会社Ｆｕｊｉ | 大気圧プラズマ発生装置、およびプラズマ発生方法 |
| JP6195528B2 (ja) * | 2014-02-19 | 2017-09-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びその運転方法 |
| JP7307696B2 (ja) * | 2020-03-26 | 2023-07-12 | 株式会社ダイヘン | プラズマ源の状態を検出する方法およびプラズマ源 |
| JP7307697B2 (ja) * | 2020-03-26 | 2023-07-12 | 株式会社ダイヘン | プラズマ源の状態を検出する方法およびプラズマ源 |
| JP7307695B2 (ja) * | 2020-03-26 | 2023-07-12 | 株式会社ダイヘン | プラズマ源の状態を検出する方法およびプラズマ源 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100549901B1 (ko) * | 1997-08-22 | 2006-02-06 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리 장치의 제어 방법 |
| US6633017B1 (en) * | 1997-10-14 | 2003-10-14 | Advanced Energy Industries, Inc. | System for plasma ignition by fast voltage rise |
| JPH11152568A (ja) * | 1997-11-20 | 1999-06-08 | Citizen Watch Co Ltd | 円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法 |
-
2001
- 2001-05-21 JP JP2001150714A patent/JP3883396B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-05-17 TW TW091110416A patent/TWI272879B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-05-20 KR KR1020020027705A patent/KR100881990B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020089173A (ko) | 2002-11-29 |
| TWI272879B (en) | 2007-02-01 |
| JP2002343600A (ja) | 2002-11-29 |
| KR100881990B1 (ko) | 2009-02-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4657473B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3883396B2 (ja) | 誘導結合プラズマ着火方法 | |
| EP0847231B1 (en) | Apparatus and method for generation of a plasma torch | |
| JP6670692B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| US5639519A (en) | Method for igniting low pressure inductively coupled plasma | |
| JP5221403B2 (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置および記憶媒体 | |
| US7449414B2 (en) | Method of treating a mask layer prior to performing an etching process | |
| WO2005001920A1 (ja) | プラズマ発生方法、クリーニング方法および基板処理方法 | |
| JP2009004750A (ja) | プラズマ工程装置及びその方法 | |
| US7572386B2 (en) | Method of treating a mask layer prior to performing an etching process | |
| JP2002083799A (ja) | 半導体エッチング装置およびこれを利用した半導体素子のエッチング方法 | |
| US7642193B2 (en) | Method of treating a mask layer prior to performing an etching process | |
| JP4256064B2 (ja) | プラズマ処理装置の制御方法 | |
| JPH11195641A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2005532694A (ja) | 非常に高い出力の誘導結合プラズマを用いた基板エッチングの方法および装置 | |
| TWI244675B (en) | Plasma-processing apparatus and method | |
| JP4680333B2 (ja) | プラズマ処理方法、エッチング方法、プラズマ処理装置及びエッチング装置 | |
| JPH07263408A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JP2005082887A (ja) | 炭素系薄膜用成膜装置，成膜装置，及び成膜方法 | |
| TWI726678B (zh) | 電源產生器的點火方法 | |
| CN113053745A (zh) | 蚀刻方法和蚀刻装置 | |
| JP4480012B2 (ja) | エッチング方法およびエッチング装置 | |
| JP3523460B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0812857B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2779000B2 (ja) | 誘導プラズマ発生装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040622 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050418 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050524 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050722 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060822 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061020 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20061026 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061114 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061114 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091124 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101124 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101124 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111124 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111124 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121124 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121124 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131124 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |