JP2009158940A5

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Publication number: JP2009158940A5
Application number: JP2008303733A
Authority: JP
Filing date: 2008-11-28
Publication date: 2012-01-12
Anticipated expiration: 2028-11-28

Claims

絶縁表面上に導電層を形成し、
前記導電層上にレジスト膜を形成し、
多階調マスクを用いて前記レジスト膜の露光を行い、
露光した前記レジスト膜を現像することにより、第１のレジストマスクと、前記第１のレジストマスクよりも両側面のテーパ角が大きい第２のレジストマスクを形成し、
前記第１及び第２のレジストマスクをマスクとして前記導電層をエッチングすることにより、第１の配線層と、前記第１の配線層よりも両側面のテーパ角が大きい第２の配線層を形成し、
前記第１及び第２のレジストマスクを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
絶縁表面上に導電層を形成し、
前記導電層上にレジスト膜を形成し、
多階調マスクを用いて前記レジスト膜の露光を行い、
露光した前記レジスト膜を現像することにより、第１のレジストマスクと、前記第１のレジストマスクよりも両側面のテーパ角が大きい第２及び第３のレジストマスクを形成し、
前記第１乃至第３のレジストマスクをマスクとして前記導電層をエッチングすることにより、第１の配線層と、前記第１の配線層よりも両側面のテーパ角が大きい第２及び第３の配線層を形成し、
前記第１乃至第３のレジストマスクを除去し、
前記第１乃至第３の配線層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上の前記第１の配線層と重なる領域に半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
絶縁表面上に第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に第１のレジスト膜を形成し、
第１の多階調マスクを用いて前記第１のレジスト膜の露光を行い、
露光した前記第１のレジスト膜を現像することにより、第１のレジストマスクと、前記第１のレジストマスクよりも両側面のテーパ角が大きい第２及び第３のレジストマスクを形成し、
前記第１乃至第３のレジストマスクをマスクとして前記第１の導電層をエッチングすることにより、第１の配線層と、前記第１の配線層よりも両側面のテーパ角が大きい第２及び第３の配線層を形成し、
前記第１乃至第３のレジストマスクを除去し、
前記第１乃至第３の配線層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上の前記第１の配線層と重なる領域に半導体膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上及び前記半導体膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成し、
前記第２及び第３の絶縁膜に第１の開口を、前記第１乃至第３の絶縁膜に第２の開口を、それぞれ形成し、
前記第３の絶縁膜上に第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上に第２のレジスト膜を形成し、
第２の多階調マスクを用いて前記第２のレジスト膜の露光を行い、
露光した前記第２のレジスト膜を現像することにより、一方の側面のテーパ角が他方の側面のテーパ角よりも小さい第４のレジストマスクと、前記第４のレジストマスクの前記他方の側面のテーパ角よりも両側面のテーパ角が小さい第５のレジストマスクを形成し、
前記第４及び第５のレジストマスクをマスクとして前記第２の導電層をエッチングすることにより、一方の側面のテーパ角が他方の側面のテーパ角よりも小さく、且つ前記第１の開口を介して前記半導体膜と電気的に接続された第４の配線層と、前記第４の配線層の前記他方の側面のテーパ角よりも両側面のテーパ角が小さく、且つ前記第２の開口を介して前記第２又は第３の配線層と電気的に接続された第５の配線層を形成し、
前記第４及び第５のレジストマスクを除去し、
前記第４の配線層の前記一方の側面と重なる領域に第１の電極を、前記第５の配線層と重なる領域に第２の電極を、それぞれ形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項３において、
前記第１乃至第３の配線層の形成と同一の工程において、前記絶縁表面上に第６の配線層を形成し、
前記第１及び第２の開口の形成と同一の工程において、前記第３の絶縁膜の前記第６の配線層と重なる領域に、前記第１の開口よりも浅い第３の開口を第３の多階調マスクを用いて形成し、
前記第２の絶縁膜の表面が露呈されるまで前記第３の開口を拡大させ、
拡大させた前記第３の開口に前記第１の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１又は２において、
前記多階調マスクとして、グレートーン露光用マスク又はハーフトーン露光用マスクを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項３又は４において、
前記第１及び第２の多階調マスクとして、グレートーン露光用マスク又はハーフトーン露光用マスクを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項３、４、６のいずれか一項において、
前記第４の配線層の前記一方の側面のテーパ角は、１０°以上５０°以下であり、
前記第４の配線層の前記他方の側面のテーパ角は、６０°以上９０°以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記第１の配線層の両側面のテーパ角は１０°以上５０°以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
絶縁表面上に設けられた第１の配線層と、
前記絶縁表面上に設けられた、前記第１の配線層よりも両側面のテーパ角が大きい第２の配線層と、を有することを特徴とする半導体装置。
絶縁表面上に設けられた第１の配線層と、
前記絶縁表面上に設けられた、前記第１の配線層よりも両側面のテーパ角が大きい第２及び第３の配線層と、
前記第１乃至第３の配線層上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上の前記第１の配線層と重なる領域に設けられた半導体膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
絶縁表面上に設けられた第１の配線層と、
前記絶縁表面上に設けられた、前記第１の配線層よりも両側面のテーパ角が大きい第２及び第３の配線層と、
前記第１乃至第３の配線層上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の前記第１の配線層と重なる領域に設けられた半導体膜と、
前記第１の絶縁膜上及び前記半導体膜上に設けられ、第１及び第２の開口が形成された第２及び第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に設けられた、一方の側面のテーパ角が他方の側面のテーパ角よりも小さく、且つ前記第１の開口を介して前記半導体膜と電気的に接続された第４の配線層と、
前記第３の絶縁膜上に設けられた、前記第４の配線層の他方の側面のテーパ角よりも両側面のテーパ角が小さく、且つ前記第２の開口を介して前記第２又は第３の配線層と電気的に接続された第５の配線層と、
前記第４の配線層の前記一方の側面と重なる領域に設けられた第１の電極と、
前記第５の配線層と重なる領域に設けられた第２の電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
請求項８において、
前記絶縁表面上に第６の配線層を有し、
前記第３の絶縁膜の前記第６の配線層と重なる領域に、前記第２の絶縁膜の表面が露呈するように第３の開口が形成されており、
前記第３の開口に前記第１の電極が設けられていることを特徴とする半導体装置。
請求項１１又は１２において、
前記第４の配線層の前記一方の側面のテーパ角は、１０°以上５０°以下であり、
前記第４の配線層の前記他方の側面のテーパ角は、６０°以上９０°以下であることを特徴とする半導体装置。
請求項９乃至１３のいずれか一項において、
前記第１の配線層の両側面のテーパ角は１０°以上５０°以下であることを特徴とする半導体装置。