JP2013186448A5 - - Google Patents

Description

本技術による一実施の形態に係る表示装置の概略構成図である。 図１の画素の回路構成の一例を表す図である。 図２のアノード電極および配線のレイアウトの一例を表す図である。 図３のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表す図である。 図３のＢ−Ｂ矢視方向の断面構成の一例を表す図である。 図２のアノード電極および配線と、遮光層との関係の一例を表す図である。 図２のアノード電極および配線と、遮光層との関係の他の例を表す図である。 図１の画素が滅点不良となっている様子の一例を表す図である。 配線が切断されている様子の一例を表す図である。 配線に対してレーザ光を照射している様子の一例を表す図である。 図３のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の他の例を表す図である。 図１１に示した配線の製造方法の一例について説明するための平面図である。 図１２に続く工程について説明するための断面図である。 図１３に続く工程について説明するための断面図である。 図１４に続く工程について説明するための断面図である。 上記各実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。

表示パネル１０は、さらに、例えば、ソース電極３２Ｅの直上に対応する箇所に開口が設けられた平坦化層３４を有している。平坦化層３４は、有機ＥＬ素子１３を形成する際に必要となる平坦面を上面に有している。表示パネル１０は、例えば、平坦化層３４の平坦面と、平坦化層３４の開口内に露出しているソース電極３２Ｅの上面とに接するようにして設けられた導電層３５と、導電層３５の上面の一部が露出する開口が設けられた埋込層３６とを有している。導電層３５は、上述の第１導電層３５Ａおよび第２導電層３５Ｂで構成されたものである。導電層３５のうち、埋込層３６の開口内に露出している部分が、有機ＥＬ素子１３のアノード電極１３Ａに対応している。導電層３５のうち、アノード電極１３Ａに対応する部分を除いた部分が、配線１４に対応している。導電層３５のうちソース電極３２Ｅの上面に接する部分（接続部Ｘ）が、各配線１４が互いに接続されると共に画素回路１２に接続されている箇所に対応している。表示パネル１０は、さらに、例えば、埋込層３６の開口内に露出している導電層３５の上面に接する有機層１３Ｃと、埋込層３６および有機層１３Ｃの上面全体に接するカソード電極１３Ｂと、カソード電極１３Ｂを保護する保護層３７とを有している。

次に、レジスト層Ｒをマスクとして、導電層１３５を選択的に除去する。具体的には、レジスト層Ｒをマスクとして、ドライエッチングを行うことにより、第１導電層１３５Ａおよび第２導電層１３５Ｂの双方を選択的に除去する。その結果、図１４（Ａ），（Ｂ）に示したように、第１導電層１３５Ａおよび第２導電層１３５Ｂは、レジスト層Ｒの直下の部分にだけ残る。続いて、レジスト層Ｒをマスクとして、第１導電層１３５Ａの一部を選択的に除去する。具体的には、レジスト層Ｒをマスクとして、ウエットエッチングを行うことにより、第１導電層１３５Ａのうち幅の狭い部分を選択的に除去する。その結果、図１５（Ａ），（Ｂ）に示したように、配線１４に相当する部分だけ第１導電層１３５Ａが除去され、アノード電極１３Ａに相当する部分については第１導電層１３５Ａが残る。その後、レジスト層Ｒを除去する。このようにして、積層構造のアノード電極１３Ａと、単層構造の配線１４を同時に形成することができる。

次に、導電層３５の上面の一部が露出する開口を有する埋込層３６を形成する。続いて、埋込層３６の開口内に露出している導電層３５の上面に接する有機層１３Ｃと、埋込層３６および有機層１３Ｃの上面全体に接するカソード電極１３Ｂと、カソード電極１３Ｂを保護する保護層３７とを形成する。このようにして、本変形例に係る表示パネル１０を形成することができる。