WO2016084408A1 - 表示装置および表示装置の製造方法 - Google Patents

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WO2016084408A1
WO2016084408A1 PCT/JP2015/065169 JP2015065169W WO2016084408A1 WO 2016084408 A1 WO2016084408 A1 WO 2016084408A1 JP 2015065169 W JP2015065169 W JP 2015065169W WO 2016084408 A1 WO2016084408 A1 WO 2016084408A1
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conductive film
electrode
display device
forming
layer
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PCT/JP2015/065169
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忠克 中平
寿樹 松元
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株式会社Ｊｏｌｅｄ
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Definitions

  • the present disclosure relates to a display device such as an organic EL (EL) display device and a method for manufacturing such a display device.
  • a display device such as an organic EL (EL) display device and a method for manufacturing such a display device.
  • EL organic EL
  • organic EL display devices that use current-driven optical elements, such as organic EL elements, whose light emission luminance varies according to the value of a flowing current as light emitting elements.
  • the light emitting element is a self light emitting element, and it is not necessary to provide a separate light source (backlight). Therefore, the organic EL display device has features such as higher image visibility, lower power consumption, and faster element response speed than a liquid crystal display device that requires a light source.
  • Such a display device has a structure in which a light emitting layer (organic electroluminescent layer) is sandwiched between electrodes (between an anode and a cathode), and this is caused by foreign matters mixed in the organic layer during the manufacturing process. As a result, a short path occurs between the electrodes, and a display defect called a so-called dark spot occurs. Therefore, a repair method for cutting the short path has been proposed (for example, Patent Document 1).
  • a reverse bias is applied between the electrodes, and the electrode material is ablated by heat generated by the reverse bias current.
  • the location where the short path is generated can be destroyed or insulated, and the lost location can be repaired.
  • the electrode is a thick film for reducing resistance. This is because deterioration of display image quality due to so-called voltage drop can be suppressed.
  • the electrode is a thick film, it is difficult to repair the dark spot by applying the reverse bias as described above.
  • a first display device includes a first electrode, an organic layer including a light emitting layer, and a second electrode in this order on a substrate.
  • the second electrode includes, in order from the organic layer side, a first conductive film that includes insulating or missing local portions and has transparency, a high-resistance layer having a higher electrical resistance than the first conductive film, and a high-resistance layer And a second conductive film formed thereon.
  • the first conductive film having transparency in the second electrode includes a local portion that is insulated or missing, and this local portion causes a foreign matter.
  • the short path to be cut is electrically disconnected.
  • the resistance of the second electrode can be reduced without increasing the thickness of the first conductive film, and the voltage drop is reduced. It is easy to suppress.
  • the presence of the high resistance layer suppresses the occurrence of re-short circuit that may occur when the second conductive film is stacked adjacent to the first conductive film. While suppressing a voltage drop in the second electrode, short paths caused by foreign substances are reduced, and the influence on display image quality due to so-called dark spots is reduced.
  • the manufacturing method of the 1st display which is one embodiment of this indication forms the 1st electrode, the organic layer containing a light emitting layer, and the 2nd electrode in this order on a substrate.
  • the second electrode after forming the first conductive film having transparency, by applying a reverse bias between the first electrode and the first conductive film to repair the dark spot, A high resistance layer having a higher electrical resistance than the first conductive film is formed on the first conductive film after repairing the dark spot, and a second conductive film is formed on the high resistance layer.
  • the first conductive film having transparency is formed, and then the first electrode and the first conductive film are formed.
  • a reverse bias in the middle heat is generated by the reverse bias current in the vicinity of the foreign matter in the first conductive film, and is locally insulated or partially blown out (deleted). The dark spot is restored.
  • the resistance of the second electrode can be reduced without increasing the thickness of the first conductive film, and the voltage drop is reduced. Easy to suppress.
  • the high resistance layer by interposing the high resistance layer, the occurrence of re-shorting in the vicinity of the foreign matter that may occur when the second conductive film is stacked adjacent to the first conductive film is suppressed. While suppressing a voltage drop in the second electrode, short paths caused by foreign substances are reduced, and the influence on display image quality due to so-called dark spots is reduced.
  • a second display device includes a first electrode, an organic layer including a light emitting layer, and a second electrode in this order on a substrate.
  • the second electrode includes, in order from the organic layer side, a first conductive film including a local portion that is insulated or missing and having transparency, and a wiring layer provided on the first conductive film.
  • the first conductive film having transparency in the second electrode includes a local portion that is insulated or missing, and this local portion causes a foreign matter.
  • the short path to be cut is electrically disconnected.
  • a first electrode, an organic layer including a light emitting layer, and a second electrode are formed in this order on a substrate.
  • a reverse bias between the first electrode and the first conductive film is formed.
  • the first conductive film having transparency is formed, and then the first electrode and the first conductive film are formed.
  • a reverse bias in the middle heat is generated by the reverse bias current in the vicinity of the foreign matter in the first conductive film, and is locally insulated or partially blown out (deleted).
  • the dark spot is restored.
  • a wiring layer on the first conductive film it is possible to reduce the resistance of the second electrode without increasing the thickness of the first conductive film, and to easily suppress a voltage drop. While suppressing a voltage drop in the second electrode, short paths caused by foreign substances are reduced, and the influence on display image quality due to so-called dark spots is reduced.
  • a first electrode, an organic layer including a light emitting layer, and a second electrode are formed in this order on a substrate.
  • the second electrode after forming the third conductive film having translucency, the first conductive film having transparency is formed, and one or both of before and after forming the first conductive film.
  • the dark spot is repaired by applying a reverse bias between the first electrode and the third conductive film or the first conductive film, and a protective film is formed on the second electrode after the second electrode is formed. After forming the dark spot, it is repaired by irradiating a laser beam.
  • the first electrode and the third conductivity are formed before or after the formation of the first conductive film, or both.
  • a reverse bias is applied between the film and the first conductive film.
  • heat is generated by the reverse bias current, and it is locally insulated or partially blown away (deleted) and destroyed. The point is repaired. Further, the dark spot repair is performed again by irradiating laser light after the formation of the second electrode and the protective film.
  • the second electrode forming the first conductive film on the third conductive film is advantageous for lowering the resistance compared to the case where the first conductive film or the third conductive film is used as a single layer, and suppresses the voltage drop. Leads to. While suppressing a voltage drop in the second electrode, short paths caused by foreign substances are reduced, and the influence on display image quality due to so-called dark spots is reduced.
  • the second electrode includes an insulating or missing local portion on the transparent first conductive film. Since the second conductive film is provided via the high resistance layer, the second electrode can be reduced in resistance, and short paths caused by foreign matters can be reduced. In addition, the occurrence of re-short circuit can be suppressed by the interposition of the high resistance layer. While suppressing the voltage drop at the second electrode, it is possible to reduce the influence on the display image quality due to the dark spot. Therefore, it is possible to suppress deterioration in display image quality.
  • the second electrode includes an insulating or missing local portion on the transparent first conductive film. Since the wiring layer is provided, it is possible to reduce the influence on the display image quality due to the dark spot while suppressing the voltage drop in the second electrode. Therefore, it is possible to suppress deterioration in display image quality.
  • the first conductive film is stacked on the third conductive film, and a predetermined reverse bias is applied.
  • the dark spot repair is performed, and the dark spot repair is performed again after the second electrode is formed.
  • FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an example of a pixel drive circuit illustrated in FIG. 1. It is sectional drawing showing the structure of the display apparatus shown in FIG. It is sectional drawing showing the principal part structure of the organic EL element shown in FIG. It is a cross-sectional schematic diagram showing the structure of the foreign material vicinity of the organic EL element shown in FIG. 4 is a flowchart for explaining a method of manufacturing the display device shown in FIG. 3. It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the formation process of the 2nd electrode shown in FIG. 4 and FIG. It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the process following FIG. 7A.
  • FIG. 9 is an enlarged view of a region close to a foreign object in the image shown in FIG. 8. It is an enlarged view of the area
  • FIG. 12 is a flowchart for explaining a method of manufacturing the display device shown in FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a main configuration of a display device according to a third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. FIG. 14 is a schematic plan view for explaining the configuration of the high resistance layer shown in FIG. 13.
  • FIG. 14 is a schematic plan view for explaining the configuration of the high resistance layer shown in FIG. 13. It is sectional drawing showing the principal part structure of the display apparatus which concerns on 4th Embodiment of this indication.
  • 16 is a flowchart for explaining an example of a method for manufacturing the display device shown in FIG. 15 (second electrode formation method).
  • 16 is a flowchart for explaining another example of the method for manufacturing the display device shown in FIG. 15 (method for forming a second electrode).
  • FIG. 16 is a flowchart for explaining another example of the method for manufacturing the display device shown in FIG. 15 (method for forming a second electrode). It is sectional drawing showing the principal part structure of the display apparatus which concerns on 5th Embodiment of this indication.
  • FIG. 20 is a schematic plan view for explaining the configuration of the wiring layer shown in FIG. 19.
  • FIG. 20 is a schematic plan view for explaining the configuration of the wiring layer shown in FIG. 19.
  • FIG. 20 is a flowchart for explaining a method for manufacturing the display device shown in FIG. 19 (second electrode formation method). It is sectional drawing showing the principal part structure of the display apparatus which concerns on 6th Embodiment of this indication.
  • 23 is a flowchart for explaining a method for manufacturing the display device shown in FIG.
  • First Embodiment Example of Display Device in which Second Electrode has Laminated Structure of First Conductive Film / High Resistance Layer / Second Conductive Film
  • Second Embodiment Example of Display Device in which Second Electrode has Laminated Structure of Fourth Conductive Film / First Conductive Film / High Resistance Layer / Second Conductive Film
  • Third Embodiment Example in which high resistance layer is patterned
  • Fourth Embodiment Example of Display Device in which Second Electrode has Laminated Structure of Fourth Conductive Film / First Conductive Film
  • FIG. 1 illustrates a configuration of a display device (display device 1) according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the display device 1 is, for example, an organic EL display device, and a plurality of pixels (subpixels) PXLC are arranged in a display area 110 on the substrate 11 in a matrix, for example.
  • Each pixel PXLC includes an organic EL element 10A, for example, red light LR (wavelength 620 nm to 750 nm), green light LG (wavelength 495 nm to 570 nm), blue light LB (wavelength 450 nm to 495 nm), or white light LW. Is generated.
  • a signal line driver circuit 120 and a scanning line driver circuit 130 are provided around the display area 110.
  • an active drive circuit (pixel drive circuit 140) is provided in the display area 110.
  • the pixel driving circuit 140 includes a driving transistor Tr1 and a writing transistor Tr2, and a capacitor Cs is provided between the transistors Tr1 and Tr2.
  • the organic EL element 10A is connected in series with the transistor Tr1 between the first power supply line (Vcc) and the second power supply line (GND).
  • the signal line driver circuit 120 supplies an image signal to the source electrode of the transistor Tr2 through a plurality of signal lines 120A arranged in the column direction.
  • the scanning line driving circuit 130 sequentially supplies a scanning signal to the gate electrode of the transistor Tr2 through a plurality of scanning lines 130A arranged in the row direction.
  • FIG. 3 shows a cross-sectional configuration of the display device shown in FIG. Note that FIG. 3 shows a region corresponding to the four-color pixel PXLC.
  • the display device 1 is a so-called top emission type (top emission type) organic EL display device in which, for example, light generated in the organic EL element 10 ⁇ / b> A is extracted above the sealing substrate 20.
  • the organic EL element 10A has an element structure that emits white light, and the white light emitted from each organic EL element 10A passes through the color filter 19 (19R, 19G, 19B, 19W).
  • the light LR, LG, LB, LW is emitted.
  • the organic EL element 10 ⁇ / b> A is provided between the drive substrate 10 and the sealing substrate 20.
  • a pixel driving circuit 140 (only the TFT 12 corresponding to the transistor Tr1 is shown in FIG. 3) for driving each organic EL element 10A is formed on the substrate 11, and the surface is flat. It is covered with the chemical layer 13.
  • a first electrode 14 as an anode is provided on the planarization layer 13, for example. The first electrode 14 is electrically connected to the TFT 12 provided on the drive substrate 10.
  • a first electrode 14, a bank (inter-pixel insulating film) 15, an organic layer 16 including a light emitting layer, and a second electrode 17 as a cathode, for example, are stacked in this order from the drive substrate 10 side.
  • a protective film 18 is formed on the second electrode 17.
  • a sealing substrate 20 is bonded onto the protective film 18 with an adhesive layer 21 therebetween.
  • a color filter layer 19 including color filters 19R, 19G, 19B, 19W and a black matrix layer BM is formed on the sealing substrate 20, a color filter layer 19 including color filters 19R, 19G, 19B, 19W and a black matrix layer BM is formed.
  • the black matrix layer BM is formed in a lattice shape, and the color filters 19R, 19G, 19B, and 19W are formed in the lattice-like openings of the black matrix layer BM.
  • the substrate 11 is made of, for example, glass, silicon (Si) or resin.
  • the TFT 12 is, for example, a bottom gate type thin film transistor (TFT: Thin Film Transistor), and is composed of, for example, a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Semiconductor Field Effect Transistor).
  • TFT Thin Film Transistor
  • MOSFET Metal Oxide Semiconductor Semiconductor Field Effect Transistor
  • a gate electrode 121 patterned through an insulating film, a gate insulating film 122, a semiconductor thin film 123 forming a channel, and an interlayer insulating film 124 are stacked in this order on the substrate 11. Yes.
  • a source electrode 125a and a drain electrode 125b are formed on both ends of the semiconductor thin film 123, and the first electrode 14 is electrically connected to the drain electrode 125b.
  • the transistor 12 is not limited to such a bottom gate type but may be a top gate type.
  • the transistor 12 may be made of crystalline silicon, amorphous silicon, or the like, or may be made of an oxide semiconductor
  • the planarizing layer 13 is for planarizing the surface of the drive substrate 10 and forming the thickness of each layer of the organic EL element 10A uniformly.
  • the constituent material of the planarizing layer 13 include organic materials such as polyimide resin, acrylic resin, and novolac resin, or inorganic materials such as silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN x ), and silicon oxynitride (SiON). Is mentioned.
  • the first electrode 14 is electrically separated for each pixel and has, for example, light reflectivity. It is desirable to have as high reflectivity as possible in order to increase the light emission efficiency. In addition, since the first electrode 14 is used as an anode, it is preferable that the first electrode 14 is made of a material having a high hole injection property.
  • the constituent materials of the first electrode 14 include chromium (Cr), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), molybdenum (Mo), tungsten (W), titanium (Ti), Examples include simple elements or alloys of metal elements such as tantalum (Ta) or silver (Ag).
  • the bank 15 is for electrically isolating the first electrode 14 for each pixel and ensuring insulation between the first electrode 14 and the second electrode 17.
  • the bank 15 has an opening in a selective region facing each first electrode 14, and forms each light emitting region of the organic EL element 10A.
  • the bank 15 is made of an insulating material such as silicon oxide, polyimide, or photosensitive resin.
  • the organic layer 16 includes a light emitting layer (organic electroluminescent layer).
  • the organic layer 16 is a white light emitting layer common to each organic EL element 10A.
  • the organic layer 16 includes, for example, a hole transport layer (HTL: Hole Transport Layer), a hole injection layer (HIL: Hole Injection Layer), an electron transport layer (ETL: Electron Transport Layer) in addition to the light emitting layer. May be included.
  • an electron injection layer EIL: Electron Injection Layer
  • LiF an electron injection layer
  • the second electrode 17 is light transmissive and is formed over the entire display area in common with each organic EL element 10A here.
  • the second electrode 17 includes a transparent conductive film (transparent conductive film) or a translucent conductive film.
  • FIG. 4 is an enlarged view of the element structure of the organic EL element 10A.
  • the second electrode 17 has a multilayer structure including the transparent conductive film as described above. Specifically, the second electrode 17 is formed by laminating a first conductive film 17A, a high resistance layer 17B, and a second conductive film 17C in order from the organic layer 16 side.
  • the first conductive film 17A and the second conductive film 17C are both composed of the transparent conductive film as described above.
  • the first conductive film 17A and the second conductive film 17C are made of the same material (for example, IZO). ).
  • the first conductive film 17A is formed before a repair process described later, and is configured by a transparent conductive film.
  • the transmittance of the first conductive film 17A is 80% or more (average value) at a wavelength of 400 to 700 nm, and the electrical resistivity is, for example, 10 ⁇ 3 ⁇ ⁇ cm to 10 ⁇ 4 ⁇ ⁇ cm.
  • the thickness of the first electrode 17A is desirably a thickness that can be sufficiently insulated by applying a reverse bias in a repair process described later, for example, 1 nm to 100 nm.
  • the transparent conductive film material include indium zinc oxide (IZO).
  • the first conductive film 17A can be formed, for example, by sputtering.
  • the high resistance layer 17B is formed after a repair process described later, and is made of, for example, niobium oxide (NbO x ) or zinc oxide.
  • the transmittance of the high resistance layer 17B is 80% or more (average value) at a wavelength of 400 to 700 nm, and the electrical resistivity is, for example, 10 4 ⁇ ⁇ cm to 10 6 ⁇ ⁇ cm.
  • the thickness of the high resistance layer 17B is, for example, not less than 1 nm and not more than 2000 nm.
  • the thickness of the high resistance layer 17B is such that in the first conductive film 17A after application of the reverse bias, a gap in the vicinity of the foreign material is filled and no short circuit occurs between the second conductive film 17C and the first conductive film 17A. It is desirable to set the thickness.
  • the second conductive film 17C is made of the same material (for example, IZO) as the first conductive film 17A.
  • the thickness of the second conductive film 17C is not particularly limited, but is desirably larger than the first conductive film 17A, for example, 100 nm or more and 2000 nm or less in order to reduce resistance. This is because a desired resistance value can be obtained.
  • FIG. 5 schematically shows the element structure of the organic EL element 10A (in the vicinity of the foreign matter X).
  • the first conductive film 17A has a portion (local portion 17a1) that is insulated (or blown away) in the vicinity of the foreign matter X (first portion 17a1). 1) A part of the conductive film 17A is locally insulated or missing.
  • the local portion 17a1 is formed by applying a reverse bias in a repair process to be described later, and serves to electrically cut a short path caused by the foreign matter X between the first electrode 14 and the first conductive film 17A. have.
  • the local portions 17 a 1 are scattered at a plurality of locations corresponding to the locations where the foreign matter X exists in the plane of the second electrode 17.
  • the protective film 18 is made of, for example, silicon nitride, silicon oxide, or metal oxide.
  • An adhesive layer 21 made of, for example, a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin is formed between the protective film 18 and the sealing substrate 20.
  • the sealing substrate 20 is made of a transparent material (for example, glass).
  • the color filter layer 19 may be provided on either the light incident side (element side) or the light emission side of the sealing substrate 20.
  • the color filter layer 19 is provided on the light incident side surface.
  • the color filters 19R, 19G, 19B, and 19W are provided to face the organic EL element 10A, respectively.
  • the color filters 19R, 19G, and 19B selectively transmit red light, green light, and blue light.
  • the color filter 19W is, for example, for obtaining desired whiteness, and is a filter for adjusting chromaticity or luminance. Note that the color filter 19W may not be particularly provided.
  • FIG. 6 shows the flow of the manufacturing process of the display device 1 as described above.
  • the drive substrate 10 is formed (step S1).
  • the pixel driving circuit 140 including the above-described transistors Tr1 and Tr2, the capacitor Cs, and the like is formed on the substrate 11 by, for example, a low-temperature polysilicon process.
  • the planarization layer 13 is formed on the entire surface of the substrate 11, a contact hole or the like is formed by patterning.
  • the first electrode 14 is formed on the planarization layer 13 of the drive substrate 10 (step S2). Specifically, for example, the first electrode 14 made of the above-described material is formed on the planarizing layer 13 by, for example, a sputtering method, and then patterned by, for example, etching using a photolithography method.
  • step S3 the bank 15 is formed. Specifically, after forming the insulating material described above, an opening is formed in a region facing the first electrode 14 by patterning.
  • the organic layer 16 is formed (step S4).
  • a white light emitting layer made of the above-described material or the like is formed by, for example, a vacuum evaporation method.
  • a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and the like may be continuously formed by an integrated vacuum process.
  • the second electrode 17 is formed (step S5).
  • 7A to 7C schematically show a part of the process of forming the second electrode 17. Specifically, first, as shown in FIG. 7A, the first conductive film 17A made of the above-described material or the like is formed on the organic layer 16 by, eg, sputtering (step S51).
  • a reverse bias is applied between the formed first conductive film 17A and the first electrode 14, for example, in the range of DC voltage ⁇ 1V to ⁇ 60V for 1 second or longer, preferably Apply at DC voltage -40V for 15 minutes.
  • the reverse bias is not limited to a DC voltage, but may be an AC voltage.
  • the reverse bias may be applied in an oxygen atmosphere.
  • the first conductive film 17A is insulated or blown away to be lost (a local portion 17a1 is formed), the short path caused by the foreign matter X is electrically cut, and the dark spot is repaired (removed).
  • Step S52 Thereafter, as shown in FIG.
  • the high resistance layer 17 is formed by, for example, sputtering so as to fill a gap in the vicinity of the foreign matter X in the organic layer 16 in FIG. 7B. At this time, it is desirable that the high resistance layer 17 is formed so as not to cause an electrical short circuit between the first transparent conductive film 17A and the second conductive film 17C formed thereafter.
  • FIG. 8 shows a cross-sectional STEM image of the element after applying a reverse bias.
  • an organic layer 16 a transparent conductive film 17A (cathode) made of IZO, and a protective film 18 (SiN) are stacked on the first electrode 14 (anode).
  • a tungsten layer for cross-sectional STEM analysis was formed on the protective film 18.
  • Foreign matter X is observed in the SiN film of the protective film 18.
  • a reverse bias ⁇ 40 V, 15 minutes
  • FIG. 9A shows an enlarged view of area a1 in FIG. 8, and FIG. 9B shows an enlarged view of area a2 in FIG.
  • the thickness of the IZO is increased compared to the region a2.
  • IZO is connected in a layered manner, whereas in the region a1, it is presumed that the IZO aggregates into particles due to application of a reverse bias, thereby insulating.
  • the second conductive film 17C made of the above-described material and thickness is formed, for example, by sputtering or the like (step S53). In this way, the second electrode 17 is formed.
  • a protective film 18 is formed on the second electrode 17 by, for example, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method (Step S6). Finally, the sealing substrate 20 on which the color filter layer 19 is formed is bonded (step S7). Thereby, the display device 1 shown in FIG. 3 is completed.
  • CVD Chemical Vapor Deposition
  • a scanning signal is supplied from the scanning line driving circuit 130 to the gate of the transistor Tr2 of each pixel, and the signal line driving circuit 120
  • the image signal is supplied to the holding capacitor Cs via the transistor Tr2 and held.
  • the transistor Tr1 is on / off controlled in accordance with the signal held in the holding capacitor Cs, whereby a drive current (drain current Ids) is injected into the organic EL element 10A.
  • a drive current drain current Ids
  • this driving current is injected into the light emitting layer of the organic layer 16 through the first electrode 14 and the second electrode 17, light emission occurs in the organic layer 16 due to recombination of holes and electrons.
  • white light is generated from the organic layer 16 of each organic EL element 10A.
  • each organic EL element 10A When white light is generated from each organic EL element 10A, the white light is transmitted through the second electrode 17, the color filter layer 19 (any one of 19R, 19G, 19B, and 19W) and the sealing substrate 20 to display the display device. 1 is emitted upward. Thus, image display is performed in which a set of organic EL elements 10A that emit light of R, G, B, and W colors is used as one pixel.
  • the transparent first conductive film 17 ⁇ / b> A includes an insulating or missing local portion (local portion 17 a 1 in FIG. 5).
  • the local portion 17a1 is formed by applying a reverse bias in the manufacturing process, and the local portion 17a1 electrically cuts a short path caused by a foreign substance.
  • the second conductive film 17C is laminated on the first conductive film 17A via the high resistance layer 17B, thereby reducing the resistance of the second electrode 17 without increasing the thickness of the first conductive film 17A. It is easy to suppress voltage drop.
  • the thick transparent conductive film 17 ⁇ / b> C is directly (adjacently adjacent) on the transparent conductive film 17 ⁇ / b> A after the dark spot repair is performed by applying the reverse bias. ) If formed, a re-short may occur.
  • the second conductive film 17C is formed on the first conductive film 17A via the high resistance layer 17B as in the present embodiment, the occurrence of such a re-short circuit can be suppressed. Therefore, it is possible to reduce the short path caused by the foreign matter while reducing the resistance of the second electrode 17 to suppress the voltage drop, and to reduce the influence on the display image quality due to the dark spot.
  • the second electrode 17 includes the insulating or missing local portion 17a1 and the second conductive layer on the transparent first conductive film 17A via the high resistance layer 17B. Since the film 17C is provided, it is possible to reduce the short path caused by the foreign matter while reducing the resistance of the second electrode 17. In addition, the occurrence of re-short circuit can be suppressed by the interposition of the high resistance layer 17B. While suppressing the voltage drop at the second electrode 17, the influence on the display image quality due to the dark spot can be reduced. Therefore, it is possible to suppress deterioration in display image quality.
  • FIG. 11 illustrates a main configuration of a display device according to the second embodiment of the present disclosure.
  • This embodiment differs from the first embodiment in that a third conductive film 17D is further formed between the first conductive film 17A and the organic layer 16 in the second electrode 17.
  • the second electrode 17 of the present embodiment includes a third conductive film 17D, a first conductive film 17A, a high resistance layer 17B, and a second conductive film 17C in this order from the organic layer 16 side. Yes.
  • the third conductive film 17D functions as a cathode and is provided for the purpose of optical adjustment.
  • the third conductive film 17D also has a role of absorbing laser light when repairing a dark spot by laser irradiation described later.
  • the third conductive film 17D is made of a semi-transparent conductive film such as an alloy of magnesium (Mg) and silver (Ag) (MgAg: magnesium silver).
  • the thickness of the third conductive film 17D is, for example, not less than 1 nm and not more than 20 nm. Considering the viewing angle characteristics, it is desirable that the thickness is 5 nm or more and 10 nm or less.
  • FIG. 12 shows the flow of the manufacturing method of the display device of the present embodiment.
  • the procedure for forming the laminated structure in the step of forming the second electrode 17 step S8 and the dark spot repair (dark spot repair) again after the sealing substrate 20 is bonded.
  • This is different from the first embodiment in that it is performed.
  • the steps from the formation of the driving substrate 10 to the formation of the organic layer 16 steps S1 to S4), the formation of the protective film 18 (step S6), and the adhesion of the sealing substrate 20 (step S7) are described above. This is the same as the embodiment.
  • the second electrode 17 is formed as follows (step S8). Specifically, first, the third conductive film 17D made of the above-described material or the like is formed by, for example, vapor deposition or sputtering (step S81). Thereafter, the first conductive film 17A made of the above-described material or the like is formed in the same manner as in the first embodiment (step S82). Subsequently, a reverse bias is applied between the first conductive film 17A and the first electrode 14 in the same manner as in the first embodiment.
  • the first conductive film 17A is insulated or blown away to be lost, and the short path caused by the foreign matter X can be electrically disconnected to repair (remove) the location that becomes a dark spot (step S83).
  • the high resistance layer 17 is formed in the same manner as in the first embodiment (step S84).
  • a second conductive film 17C is formed on the high resistance layer 17 in the same manner as in the first embodiment (step S85). In this way, the second electrode 17 is formed.
  • the dark spot repair (dark spot repair) is performed again by irradiating the laser beam (step S9).
  • a YAG laser having a wavelength of 1064 nm is used to blow off a short portion (only the third conductive film 17D or both the third conductive film 17D and the first conductive film 17A) around the foreign matter.
  • the short path by a foreign material is electrically cut
  • the dark spot repair by laser irradiation is performed after sealing, the second dark spot repair may be performed after the protective film 18 is formed and before the sealing substrate 20 is bonded.
  • the second conductive film 17C is formed through the high resistance layer 17B.
  • An effect equivalent to that of the embodiment can be obtained.
  • optical adjustment can be performed and the dark spot repair can be performed twice. it can.
  • FIG. 13 illustrates a main configuration of a display device according to the third embodiment of the present disclosure.
  • the high resistance layer 17B is patterned, and the high resistance layer 17B has a portion (part S1 (first portion)) selectively removed. This is different from the first embodiment.
  • the high resistance layer 17B according to the present embodiment is selectively removed (high resistance) at least at a part (between pixels) excluding the pixel opening H1 (opening portion of the bank 15), for example. A portion S1 where the layer 17B is not formed).
  • the high resistance layer 17B is selectively removed in the strike-type portion S1 along the row direction or the column direction of the pixel opening H1.
  • a high resistance layer 17B can be formed by using a predetermined mask at the time of film formation, for example.
  • the same effect as that of the first embodiment can be obtained by the laminated structure of the first conductive film 17A, the high resistance layer 17B, and the second conductive film 17C. Further, since the high resistance layer 17B has the portion S1 from which the high resistance layer 17B has been selectively removed, the first conductive film 17A and the second conductive film 17C can be electrically connected in the portion S1. Thereby, the voltage drop in the 2nd electrode 17 can be suppressed more effectively.
  • FIG. 15 illustrates a main configuration of a display device according to the fourth embodiment of the present disclosure.
  • the present embodiment is different from the first embodiment in that the second electrode 17 is configured by a laminated film of a third conductive film 17D and a first conductive film 17A.
  • a third conductive film 17D and a first conductive film 17A are stacked in this order from the organic layer 16 side, and are protected on the first conductive film 17A.
  • a film 18 is formed.
  • FIG. 16 shows the flow of the manufacturing method of the display device of this embodiment (method of forming the second electrode 17).
  • the process before the formation of the second electrode 17 (steps S1 to S4) and the process after the formation of the second electrode 17 (steps S6 and S7) are the same as those in the first embodiment.
  • a dark spot repairing step (step S9) by laser irradiation is performed in the same manner as in the second embodiment.
  • the second electrode 17 is formed as follows.
  • the third conductive film 17D made of the above-described material or the like is formed in the same manner as in the second embodiment (step S10).
  • the first conductive film 17A is formed in the same manner as in the first embodiment (step S11).
  • a reverse bias is applied between the first conductive film 17A and the first electrode 14 under the same conditions as in the first embodiment (step S12).
  • the short path by a foreign material is electrically cut
  • a reverse bias is applied between the first electrode 14 and the first conductive film 17A after the formation of the third conductive film 17D and the first conductive film 17A.
  • the timing is not limited to this.
  • the third conductive film 17D is formed (step S13), and then a reverse bias is applied between the first electrode 14 and the third conductive film 17D (step S14).
  • the applied voltage and the application time are the same as the reverse bias application conditions in the first embodiment. Thereby, the short path
  • the first conductive film 17A is formed on the third conductive film 17D by, for example, sputtering (step S15). In this way, the second electrode 17 can be formed.
  • a reverse bias may be applied after the second electrode 17 is formed.
  • the third conductive film 17D is formed (step S16), and then a reverse bias is applied between the first electrode 14 and the third conductive film 17D (step S17).
  • the first conductive film 17A is formed (step S18), and a reverse bias is applied again between the formed first conductive film 17A and the first electrode 14 (step S19).
  • the applied voltage, the application time, and the like are the same as the reverse bias application conditions in the first embodiment. Thereby, the short path
  • the repair process when the repair process by laser irradiation after the subsequent sealing is also combined, the repair process is performed three times in total.
  • the timing of the dark spot repair is not particularly limited, and can be performed once or a plurality of times.
  • the first conductive film 17A is formed on the third conductive film 17D, so that the resistance of the second electrode 17 is reduced compared to the case where the first conductive film 17A is used as a single layer. It is easy and is advantageous for voltage drop suppression.
  • a dark spot is repaired by laser irradiation after sealing, a point where insulation is insufficient due to a single dark spot repair (recovered dark spot by applying a reverse bias) occurs. This can be removed in the second spot repair.
  • FIG. 19 illustrates a main configuration of a display device according to the fifth embodiment of the present disclosure.
  • the second electrode 17 is different from the first embodiment in that the second electrode 17 is composed of a laminated film of a third conductive film 17D, a first conductive film 17A, and a wiring layer 17E. ing.
  • a third conductive film 17D, a first conductive film 17A, and a wiring layer 17E are stacked in this order from the organic layer 16 side.
  • a protective film 18 is formed.
  • the wiring layer 17E is patterned on the first conductive film 17A. Specifically, the wiring layer 17E is formed to extend to a selective region (between pixels) excluding the pixel opening H1 (opening portion of the bank 15), for example. As an example, as shown in FIG. 20A, in a plan view, the pixel openings H1 are formed in a streak shape along the row direction or the column direction, or as shown in FIG. It is formed in a matrix form.
  • FIG. 21 shows the flow of the manufacturing method of the display device of this embodiment (method of forming the second electrode 17).
  • the process before the formation of the second electrode 17 (steps S1 to S4) and the process after the formation of the second electrode 17 (steps S6 and S7) are the same as those in the first embodiment.
  • a dark spot repairing step (step S9) by laser irradiation is performed in the same manner as in the second embodiment.
  • the second electrode 17 is formed as follows.
  • the third conductive film 17D made of the above-described material or the like is formed in the same manner as in the second embodiment (step S20).
  • the first conductive film 17A is formed in the same manner as in the first embodiment (step S21).
  • a reverse bias is applied between the first conductive film 17A and the first electrode 14 under the same conditions as in the first embodiment (step S22). Thereby, the short path by a foreign material is electrically cut
  • the wiring layer 17E is formed on the first conductive film 17A so as to have, for example, a stripe shape or a matrix shape in plan view.
  • a wiring layer 17E is formed by using, for example, a high-definition mask, molybdenum (Mo), IZO, or the like, for example, by sputtering.
  • Mo molybdenum
  • IZO IZO
  • aluminum (Al), silver, or the like may be formed, for example, by a vapor deposition method using a high-definition mask.
  • a low nano-ink conductive material containing any of silver, aluminum, tin (Sn), zinc (Zn), copper (Cu), and gold (Au) is printed using a printing method (for example, reverse printing, offset printing). , Spray coating, ink jet printing, stripe coating, screen printing, etc.).
  • the resistance of the second electrode 17 can be reduced without increasing the thickness of the first conductive film 17A. It is easy to suppress the descent. Therefore, it is possible to reduce a short path caused by a foreign substance while suppressing a voltage drop in the second electrode 17 and obtain substantially the same effect as in the first and second embodiments.
  • FIG. 22 illustrates a main configuration of a display device according to the sixth embodiment of the present disclosure.
  • the present embodiment is different from the first embodiment in that the second electrode 17 is configured by a laminated film of the first conductive film 17A and the wiring layer 17E.
  • the first conductive film 17A and the wiring layer 17E are laminated in this order from the organic layer 16 side, and the protective film 18 is formed on the wiring layer 17E.
  • the constituent material and planar layout of the wiring layer 17E are the same as those described in the fifth embodiment.
  • FIG. 23 shows the flow of the method for manufacturing the display device according to the present embodiment (method for forming the second electrode 17).
  • the process before the formation of the second electrode 17 (steps S1 to S4) and the process after the formation of the second electrode 17 (steps S6 and S7) are the same as those in the first embodiment.
  • a dark spot repairing step (step S9) by laser irradiation is performed in the same manner as in the second embodiment.
  • the second electrode 17 is formed as follows.
  • the first conductive film 17A made of the above-described material or the like is formed in the same manner as in the first embodiment (step S24). Thereafter, a reverse bias is applied between the first conductive film 17A and the first electrode 14 under the same conditions as in the first embodiment (step S25). Thereby, the short path by a foreign material is electrically cut
  • the resistance of the second electrode 17 can be reduced without increasing the thickness of the first conductive film 17A. Therefore, substantially the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
  • the 2nd electrode in the display apparatus of this indication can take various structures besides the laminated structure of the 2nd electrode 17 quoted by said each embodiment.
  • the stacked structure may include at least the first conductive film 17A among the first conductive film 17A, the high resistance layer 17B, the second conductive film 17C, the third conductive film 17D, and the wiring layer 17E.
  • the structure using the high resistance layer 17B as in the first and second embodiments is desirable.
  • the configuration using the high resistance layer 17B can be the configuration shown in FIGS. 24A to 24C. Specifically, in the example of FIG.
  • the second electrode 17 includes a first conductive film 17A, a high resistance layer 17B, and a wiring layer 17E in this order from the organic layer 16 side.
  • the second electrode 17 includes, in order from the organic layer 16 side, a first conductive film 17A, a high resistance layer 17B, a wiring layer 17E, and a second conductive film 17C. Yes.
  • the second electrode 17 includes a third conductive film 17D, a first conductive film 17A, a high resistance layer 17B, and a wiring layer 17E in this order from the organic layer 16 side. Yes.
  • the second conductive film 17B may be further formed on the wiring layer 17E.
  • the display devices described in the above embodiments and modifications can be used for electronic devices in various fields that display a video signal input from the outside or a video signal generated inside as a video. An example is shown below.
  • the smartphone 220 includes, for example, a display unit 221 and an operation unit 222 on the front side, a camera 223 on the back side, and the display unit 221 includes the display device of the above embodiment.
  • FIG. 26 shows the appearance of the tablet personal computer 240.
  • the tablet personal computer 240 includes, for example, a touch panel unit 241 and a housing 242, and the display device of the above embodiment is mounted on the touch panel unit 241.
  • FIG. 27 shows the appearance of the television apparatus 250.
  • the television apparatus 250 includes a main body 251 and a stand 252.
  • the display device of the above embodiment is mounted on the main body portion 251.
  • FIG. 28A and 28B show the appearance of the mobile phone 290.
  • FIG. The cellular phone 290 is formed by, for example, connecting an upper housing 291 and a lower housing 292 with a connecting portion (hinge portion) 293, and includes a display 294, a sub display 295, a picture light 296, and a camera 297. ing.
  • the display device of the above embodiment is mounted on the display 294 or the sub display 295.
  • FIG. 29A and FIG. 29B show the appearance of the digital single-lens reflex camera 410.
  • the digital single lens reflex camera 410 includes, for example, a main body 411, a lens 412, a grip 413, a display unit 414, a viewfinder 415, and the like.
  • the display device of the above embodiment is mounted on the display unit 414 or the viewfinder 415.
  • FIG. 30 shows the appearance of the head mounted display 420.
  • the head mounted display 420 includes a glasses-type display unit 421 and a support unit 422, for example.
  • the display device of the above embodiment is mounted on the display portion 421.
  • the digital still camera 520 includes, for example, a flash light emitting unit 521, a display unit 522, a menu switch 523, and a shutter button 524.
  • the display device of the above embodiment is mounted on the display portion 522.
  • FIG. 32 shows the appearance of the notebook personal computer 530.
  • the notebook personal computer 530 includes, for example, a main body 531, a keyboard 532 for inputting characters and the like, and a display unit 533 for displaying an image.
  • the display device of the above embodiment is mounted on the display portion 533.
  • FIG. 33 shows the appearance of the video camera 540.
  • the video camera 540 includes, for example, a main body 541, a subject shooting lens 542 provided on the front side surface of the main body 610, a start / stop switch 543 during shooting, and a display 544.
  • the display device of the above embodiment is mounted on the display portion 544.
  • the reverse bias voltage may be applied only to a selective region that is a dark spot target, or the reverse bias voltage may be applied to a wide area including the dark spot portion. Also good. According to the latter method, the time required for the repair operation can be shortened, which is advantageous for mass production. A reverse bias voltage is also applied to the normal part, but only the improvement effect of the repair rate can be enjoyed by appropriately controlling the application conditions.
  • the second electrode 17 has a two-layer or three-layer structure is illustrated, but a multilayer film including four or more layers including other films may be used.
  • each layer described in the above embodiment and the like are not limited to those listed, and may be other materials and thicknesses.
  • the display device does not have to include all the layers described above, or may include other layers in addition to the layers described above.
  • the effect demonstrated in the said embodiment etc. is an example, The other effect may be sufficient and the other effect may be included.
  • the present disclosure may be configured as follows. (1) On the substrate, a first electrode, an organic layer including a light emitting layer, and a second electrode are provided in this order, The second electrode is sequentially from the organic layer side. A first conductive film that includes insulating or missing local portions and is transparent; A high resistance layer having a higher electrical resistance than the first conductive film; A display device comprising: a second conductive film formed on the high resistance layer. (2) The display device according to (1), wherein the second conductive film includes a transparent conductive film having a thickness larger than that of the first conductive film. (3) The display device according to (1) or (2), wherein the second electrode includes a third conductive film having translucency between the organic layer and the first conductive film.
  • the thickness of the first conductive film is not less than 1 nm and not more than 100 nm.
  • a first electrode, an organic layer including a light emitting layer, and a second electrode are formed in this order, When forming the second electrode, After forming the first conductive film having transparency, the reverse spot is repaired by applying a reverse bias between the first electrode and the first conductive film, Forming a high resistance layer having a higher electrical resistance than the first conductive film on the first conductive film after repairing the dark spot, A method for manufacturing a display device, comprising forming a second conductive film on the high-resistance layer. (12) The method for manufacturing a display device according to (11), wherein the second conductive film includes a transparent conductive film having a thickness larger than that of the first conductive film.
  • (16) A plurality of pixels arranged two-dimensionally; The display device according to (15), wherein the wiring layer is formed extending in a region between the pixels and has a stripe shape or a lattice shape in plan view.
  • (17) The display device according to (15) or (16), wherein the second electrode includes a third conductive film having translucency between the organic layer and the first conductive film.
  • a first electrode, an organic layer including a light emitting layer, and a second electrode are formed in this order,
  • the reverse spot is repaired by applying a reverse bias between the first electrode and the first conductive film,
  • a method for manufacturing a display device comprising forming a wiring layer after repairing the dark spot.
  • a first electrode, an organic layer including a light emitting layer, and a second electrode are formed in this order, When forming the second electrode, After forming the third conductive film having translucency, forming the first conductive film having transparency, By applying a reverse bias between the first electrode and the third conductive film or the first conductive film in one or both of before and after forming the first conductive film, Repair, A method for manufacturing a display device, comprising: forming a protective film on the second electrode after forming the second electrode; and repairing the dark spot by irradiating a laser beam.

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Abstract

　表示装置は、基板上に、第１電極と、発光層を含む有機層と、第２電極とをこの順に備える。第２電極は、有機層の側から順に、絶縁化または欠損した局所部分を含むと共に透明性を有する第１導電膜と、第１導電膜よりも電気抵抗の高い高抵抗層と、高抵抗層上に形成された第２導電膜とを有する。

Description

表示装置および表示装置の製造方法
　本開示は、例えば有機ＥＬ（ＥＬ：Electroluminescence）表示装置などの表示装置およびそのような表示装置の製造方法に関する。
　近年、画像表示を行う表示装置の分野では、発光素子として、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の光学素子、例えば有機ＥＬ素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）が開発され、商品化が進められている。発光素子は、液晶素子などと異なり自発光素子であり、別に光源（バックライト）を設ける必要がない。そのため、有機ＥＬ表示装置は、光源を必要とする液晶表示装置と比べて画像の視認性が高く、消費電力が低く、かつ素子の応答速度が速いなどの特徴を有する。
　このような表示装置では、電極間（アノードおよびカソード間）に発光層（有機電界発光層）を挟んだ構造を有するが、製造プロセス過程において、有機層内に異物が混入すると、これに起因して電極間にショートパスが生じ、いわゆる滅点とよばれる表示不良が生じる。そこで、このショートパスを切断する修復手法が提案されている（例えば、特許文献１）。
特開２００５－３４０１４９号公報
　上記特許文献１の手法では、電極間に逆方向バイアスを印加し、逆バイアス電流による発熱によって電極材料をアブレーションさせる。これにより、ショートパスの生じている箇所を破壊または絶縁化し、滅点箇所を修復することができる。ここで、電極として透明性を有する導電膜を用いた場合、低抵抗化のために厚膜であることが望ましい。いわゆる電圧降下に起因する表示画質の劣化を抑制できるためである。しかしながら、電極が厚膜である場合、上記のような逆バイアス印加による滅点の修復を行うことは困難である。
　このように、電極の低抵抗化による電圧降下の抑制と、異物などに起因する滅点修復との両方を実現し、表示画質の劣化を抑制することが可能な表示装置の実現が望まれている。
　したがって、表示画質の劣化を抑制することが可能な表示装置およびその製造方法を提供することが望ましい。
　本開示の一実施形態である第１の表示装置は、基板上に、第１電極と、発光層を含む有機層と、第２電極とをこの順に備える。第２電極は、有機層の側から順に、絶縁化または欠損した局所部分を含むと共に透明性を有する第１導電膜と、第１導電膜よりも電気抵抗の高い高抵抗層と、高抵抗層上に形成された第２導電膜とを有するものである。
　本開示の一実施形態である第１の表示装置では、第２電極において、透明性を有する第１導電膜が、絶縁化または欠損した局所部分を含むことで、この局所部分により、異物に起因するショートパスが電気的に切断される。この第１導電膜上に、高抵抗層を介して第２導電膜が積層されることにより、第１導電膜を厚膜化せずに第２電極を低抵抗化することができ、電圧降下を抑制し易い。また、高抵抗層の介在により、第１導電膜に隣接して第２導電膜を積層した場合に生じ得る再ショートの発生が抑制される。第２電極における電圧降下を抑制しつつ、異物に起因するショートパスが削減され、いわゆる滅点による表示画質への影響が軽減される。
　本開示の一実施形態である第１の表示装置の製造方法は、基板上に、第１電極と、発光層を含む有機層と、第２電極とをこの順に形成するものである。第２電極を形成する際には、透明性を有する第１導電膜を形成した後、第１電極と第１導電膜との間に逆方向バイアスを印加することにより滅点箇所を修復し、滅点箇所を修復後の第１導電膜上に、第１導電膜よりも電気抵抗の高い高抵抗層を形成し、高抵抗層上に第２導電膜を形成する。
　本開示の一実施形態である第１の表示装置の製造方法では、第２電極を形成する際に、透明性を有する第１導電膜を形成した後、第１電極と第１導電膜との間に逆方向バイアスを印加することにより、第１導電膜のうちの異物付近では、逆バイアス電流によって発熱が生じ、局所的に絶縁化されるか、または一部が吹き飛ばされ（欠損し）、滅点箇所が修復される。この第１導電膜上に、高抵抗層を介して第２導電膜を形成することにより、第１導電膜を厚膜化せずに第２電極を低抵抗化することができ、電圧降下を抑制し易い。また、高抵抗層を介在させることにより、第１導電膜に隣接して第２導電膜を積層した場合に生じ得る異物付近での再ショートの発生が抑制される。第２電極における電圧降下を抑制しつつ、異物に起因するショートパスが削減され、いわゆる滅点による表示画質への影響が軽減される。
　本開示の一実施形態である第２の表示装置は、基板上に、第１電極と、発光層を含む有機層と、第２電極とをこの順に備える。第２電極は、有機層の側から順に、絶縁化または欠損した局所部分を含むと共に透明性を有する第１導電膜と、第１導電膜上に設けられた配線層とを有するものである。
　本開示の一実施形態である第２の表示装置では、第２電極において、透明性を有する第１導電膜が、絶縁化または欠損した局所部分を含むことで、この局所部分により、異物に起因するショートパスが電気的に切断される。この第１導電膜上に、配線層が積層されることにより、第１導電膜を厚膜化せずに第２電極を低抵抗化することができ、電圧降下を抑制し易い。第２電極における電圧降下を抑制しつつ、異物に起因するショートパスが削減され、いわゆる滅点による表示画質への影響が軽減される。
　本開示の一実施形態である第２の表示装置の製造方法は、基板上に、第１電極と、発光層を含む有機層と、第２電極とをこの順に形成するものである。第２電極を形成する際には、透明性を有する第１導電膜を形成した後、第１電極と第１導電膜との間に逆方向バイアスを印加することにより滅点箇所を修復し、滅点箇所を修復後に、配線層を形成する。
　本開示の一実施形態である第２の表示装置の製造方法では、第２電極を形成する際に、透明性を有する第１導電膜を形成した後、第１電極と第１導電膜との間に逆方向バイアスを印加することにより、第１導電膜のうちの異物付近では、逆バイアス電流によって発熱が生じ、局所的に絶縁化されるか、または一部が吹き飛ばされ（欠損し）、滅点箇所が修復される。この第１導電膜上に、配線層を形成することにより、第１導電膜を厚膜化せずに第２電極を低抵抗化することができ、電圧降下を抑制し易い。第２電極における電圧降下を抑制しつつ、異物に起因するショートパスが削減され、いわゆる滅点による表示画質への影響が軽減される。
　本開示の一実施形態である第３の表示装置の製造方法は、基板上に、第１電極と、発光層を含む有機層と、第２電極とをこの順に形成するものである。第２電極を形成する際には、半透明性を有する第３導電膜を形成した後、透明性を有する第１導電膜を形成し、第１導電膜を形成する前後のうちの一方または両方において、第１電極と、第３導電膜または第１導電膜との間に逆方向バイアスを印加することにより滅点箇所を修復し、第２電極の形成後において、第２電極上に保護膜を形成した後、レーザー光を照射することにより滅点箇所を修復する。
　本開示の一実施形態である第３の表示装置の製造方法では、第２電極を形成する際に、第１導電膜の形成前または形成後、あるいはその両方において、第１電極と第３導電膜または第１導電膜との間に、逆方向バイアスを印加する。これにより、第３導電膜（または第１導電膜）のうちの異物付近では、逆バイアス電流によって発熱が生じ、局所的に絶縁化されるか、または一部が吹き飛ばされ（欠損し）、滅点箇所が修復される。更に、第２電極および保護膜の形成後にレーザー光を照射することで、再度滅点修復を行う。２回の滅点修復により、１回目の修復（逆方向バイアス印加による滅点修復）において局所部分の絶縁化が不十分な箇所があった場合にも、そのような箇所を２回目の修復において修復することができ、より確実に滅点箇所が修復される。また、第２電極において、第３導電膜上に第１導電膜を形成することで、第１導電膜あるいは第３導電膜を単層で用いる場合に比べ、低抵抗化に有利となり電圧降下抑制につながる。第２電極における電圧降下を抑制しつつ、異物に起因するショートパスが削減され、いわゆる滅点による表示画質への影響が軽減される。
　本開示の一実施形態である第１の表示装置および第１の表示装置の製造方法では、第２電極において、絶縁化または欠損した局所部分を含むと共に透明性を有する第１導電膜の上に、高抵抗層を介して第２導電膜を設けるようにしたので、第２電極を低抵抗化しつつ、異物に起因するショートパスを削減することができる。また、高抵抗層の介在により、再ショートの発生を抑制できる。第２電極における電圧降下を抑制しつつ、滅点による表示画質への影響を軽減することができる。よって、表示画質の劣化を抑制することが可能となる。
　本開示の一実施形態である第２の表示装置および第２の表示装置の製造方法では、第２電極において、絶縁化または欠損した局所部分を含むと共に透明性を有する第１導電膜の上に配線層を設けるようにしたので、第２電極における電圧降下を抑制しつつ、滅点による表示画質への影響を軽減することができる。よって、表示画質の劣化を抑制することが可能となる。
　本開示の一実施形態である第３の表示装置の製造方法では、第２電極の形時において、第３導電膜上に第１導電膜を積層させると共に、所定の逆方向バイアスを印加して滅点修復を行い、第２電極形成後において再度滅点修復を行う。これにより、第２電極における電圧降下を抑制しつつ、滅点による表示画質への影響を軽減することができる。よって、表示画質の劣化を抑制することが可能となる。
　尚、上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は、上述したものに限らず、他の異なる効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 図１に示した画素駆動回路の一例を表す回路図である。 図１に示した表示装置の構成を表す断面図である。 図３に示した有機ＥＬ素子の要部構成を表す断面図である。 図４に示した有機ＥＬ素子の異物付近の構成を表す断面模式図である。 図３に示した表示装置の製造方法を説明するための流れ図である。 図４および図５に示した第２電極の形成工程を説明するための断面模式図である。 図７Ａに続く工程を説明するための断面模式図である。 図７Ｂに続く工程を説明するための断面模式図である。 異物付近の断面のＳＴＥＭ（Scanning Transmission Electron Microscope：走査型透過電子顕微鏡）による撮影画像である。 図８に示した画像における異物に近接した領域の拡大図である。 図８に示した画像における異物から離れた領域の拡大図である。 比較例に係る表示装置の要部構成を表す断面模式図である。 本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の要部構成を表す断面図である。 図１１に示した表示装置の製造方法を説明するための流れ図である。 本開示の第３の実施の形態に係る表示装置の要部構成を表す断面図である。 図１３に示した高抵抗層の構成を説明するための平面模式図である。 図１３に示した高抵抗層の構成を説明するための平面模式図である。 本開示の第４の実施の形態に係る表示装置の要部構成を表す断面図である。 図１５に示した表示装置の製造方法（第２電極の形成方法）の一例を説明するための流れ図である。 図１５に示した表示装置の製造方法（第２電極の形成方法）の他の例を説明するための流れ図である。 図１５に示した表示装置の製造方法（第２電極の形成方法）の他の例を説明するための流れ図である。 本開示の第５の実施の形態に係る表示装置の要部構成を表す断面図である。 図１９に示した配線層の構成を説明するための平面模式図である。 図１９に示した配線層の構成を説明するための平面模式図である。 図１９に示した表示装置の製造方法（第２電極の形成方法）を説明するための流れ図である。 本開示の第６の実施の形態に係る表示装置の要部構成を表す断面図である。 図２２に示した表示装置の製造方法（第２電極の形成方法）を説明するための流れ図である。 変形例に係る表示装置の要部構成を表す断面図である。 変形例に係る表示装置の要部構成を表す断面図である。 変形例に係る表示装置の要部構成を表す断面図である。 スマートフォンの構成を表す斜視図である。 スマートフォンの構成を表す斜視図である。 タブレット型パーソナルコンピュータの構成を表す斜視図である。 テレビジョン装置の構成を表す斜視図である。 携帯電話機の構成を表す平面図である。 携帯電話機の構成を表す平面図である。 デジタル一眼レフカメラの構成を表す正面図である。 デジタル一眼レフカメラの構成を表す背面図である。 ヘッドマウントディスプレイの構成を表す斜視図である。 デジタルスチルカメラの構成を表す正面図である。 デジタルスチルカメラの構成を表す背面図である。 ノート型パーソナルコンピュータの構成を表す斜視図である。 ビデオカメラの構成を表す斜視図である。
　以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（第２電極が、第１導電膜／高抵抗層／第２導電膜の積層構造を有する表示装置の例）
２．第２の実施の形態（第２電極が、第４導電膜／第１導電膜／高抵抗層／第２導電膜の積層構造を有する表示装置の例）
３．第３の実施の形態（高抵抗層がパターニングされている場合の例）
４．第４の実施の形態（第２電極が、第４導電膜／第１導電膜の積層構造を有する表示装置の例）
５．第５の実施の形態（第２電極が、第４導電膜／第１導電膜／配線層の積層構造を有する表示装置の例）
６．第６の実施の形態（第２電極が、第１導電膜／配線層の積層構造を有する表示装置の例）
７．変形例（第２電極の他の積層例）
８．適用例（電子機器の例）
＜第１の実施の形態＞
［構成］
　図１は、本開示の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の構成を表すものである。この表示装置１は、例えば有機ＥＬ表示装置であり、基板１１上の表示領域１１０には、複数の画素（サブピクセル）ＰＸＬＣが、例えばマトリクス状に配置されている。各画素ＰＸＬＣは、有機ＥＬ素子１０Ａを含み、例えば赤色の光ＬＲ（波長６２０ｎｍ～７５０ｎｍ），緑色の光ＬＧ（波長４９５ｎｍ～５７０ｎｍ），青色の光ＬＢ（波長４５０ｎｍ～４９５ｎｍ）または白色の光ＬＷを発生する。ここでは、これら４種の画素ＰＸＬＣ（Ｒ画素，Ｇ画素，Ｂ画素，Ｗ画素）の組により１つのピクセルが構成される場合を例に挙げて説明する。表示領域１１０の周辺には、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。
　表示領域１１０内には、例えばアクティブ型の駆動回路（画素駆動回路１４０）が設けられている。画素駆動回路１４０は、図２に示したように駆動用のトランジスタＴｒ１および書き込み用のトランジスタＴｒ２を有し、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間にはキャパシタＣｓが設けられている。第１の電源ライン（Ｖｃｃ）と第２の電源ライン（ＧＮＤ）との間において、有機ＥＬ素子１０ＡがトランジスタＴｒ１に直列に接続されている。信号線駆動回路１２０は、列方向に配置された複数の信号線１２０Ａを通じてトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号を供給する。走査線駆動回路１３０は、行方向に配置された複数の走査線１３０Ａを通じてトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号を順次供給する。
　図３は、図１に示した表示装置の断面構成を表すものである。尚、図３では、上記４色の画素ＰＸＬＣに対応する領域について示している。表示装置１は、例えば有機ＥＬ素子１０Ａで発生した光が封止基板２０の上方へ取り出される、いわゆるトップエミッション方式（上面発光方式）の有機ＥＬ表示装置である。また、有機ＥＬ素子１０Ａが白光の光を発する素子構造を有しており、各有機ＥＬ素子１０Ａから発せられた白色の光が、カラーフィルタ１９（１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂ，１９Ｗ）を通過することにより、上記光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢ，ＬＷを出射するようになっている。
　有機ＥＬ素子１０Ａは、駆動基板１０および封止基板２０間に設けられている。駆動基板１０では、基板１１上に、各有機ＥＬ素子１０Ａを駆動するための画素駆動回路１４０（図３には、上記トランジスタＴｒ１に相当するＴＦＴ１２のみを示す）が形成されており、表面が平坦化層１３によって覆われている。この平坦化層１３上に、例えば陽極としての第１電極１４が設けられている。第１電極１４は、駆動基板１０に設けられたＴＦＴ１２と電気的に接続されている。
　この有機ＥＬ素子１０Ａでは、駆動基板１０側から順に、第１電極１４と、バンク（画素間絶縁膜）１５と、発光層を含む有機層１６と、例えば陰極としての第２電極１７とが積層されている。第２電極１７上に保護膜１８が形成されている。保護膜１８上に、接着層２１を間にして封止基板２０が貼り合わされている。封止基板２０には、カラーフィルタ１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂ，１９Ｗおよびブラックマトリクス層ＢＭからなるカラーフィルタ層１９が形成されている。カラーフィルタ層１９では、ブラックマトリクス層ＢＭが格子状に形成され、カラーフィルタ１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂ，１９Ｗは、そのブラックマトリクス層ＢＭの格子状の開口に形成されている。
　以下、表示装置１の各部の構成について説明する。
　基板１１は、例えばガラス、シリコン（Ｓｉ）あるいは樹脂などにより構成されている。
　ＴＦＴ１２は、例えばボトムゲート型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）であり、例えばＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）により構成されている。このＴＦＴ１２では、基板１１上に、例えば絶縁膜を介してパターン形成されたゲート電極１２１と、ゲート絶縁膜１２２と、チャネルを形成する半導体薄膜１２３と、層間絶縁膜１２４とがこの順に積層されている。半導体薄膜１２３の両端側に、ソース電極１２５ａおよびドレイン電極１２５ｂが形成されており、ドレイン電極１２５ｂには、第１電極１４が電気的に接続されている。尚、トランジスタ１２は、このようなボトムゲート型に限らず、トップゲート型のものであってもよい。また、トランジスタ１２は、結晶性シリコンおよびアモルファスシリコンなどから構成されていてもよいし、酸化物半導体から構成されていてもよい。
　平坦化層１３は、駆動基板１０の表面を平坦化し、有機ＥＬ素子１０Ａの各層の膜厚を均一に形成するためのものである。平坦化層１３の構成材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂およびノボラック樹脂などの有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2），窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料が挙げられる。
　第１電極１４は、画素毎に電気的に分離して設けられると共に、例えば光反射性を有しており、できるだけ高い反射率を有することが発光効率を高める上では望ましい。また、第１電極１４は陽極として用いられることから、正孔注入性の高い材料により構成されていることが望ましい。第１電極１４の構成材料としては、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。
　バンク１５は、第１電極１４を画素毎に電気的に分離すると共に、第１電極１４と第２電極１７との間の絶縁性を確保するためのものである。バンク１５は、各第１電極１４に対向する選択的な領域に開口部を有しており、有機ＥＬ素子１０Ａの各発光領域を形成するものである。このバンク１５は、例えば酸化シリコン、ポリイミドあるいは感光性樹脂などの絶縁材料により構成されている。
　有機層１６は、発光層（有機電界発光層）を含むものである。ここでは、有機層１６が、各有機ＥＬ素子１０Ａに共通の白色発光層となっている。但し、有機層１６は、発光層の他にも例えば正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transport Layer）、正孔注入層（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）および電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）などを含んでいてもよい。また、有機層１６と第２電極１７との間には、例えばＬｉＦなどの電子注入層（ＥＩＬ：Electron Injection Layer）が設けられていてもよい。
　第２電極１７は、光透過性を有し、ここでは各有機ＥＬ素子１０Ａに共通して、表示領域の全面にわたって形成されている。第２電極１７は、透明性を有する導電膜（透明導電膜）あるいは半透明な導電膜を含んで構成されている。
　図４は、有機ＥＬ素子１０Ａの素子構造を拡大して表したものである。本実施の形態では、第２電極１７が、上記のような透明導電膜を含む多層構造を有している。具体的には、第２電極１７は、有機層１６の側から順に、第１導電膜１７Ａ、高抵抗層１７Ｂおよび第２導電膜１７Ｃを積層したものである。第１導電膜１７Ａおよび第２導電膜１７Ｃはいずれも上述したような透明導電膜から構成されており、ここでは、第１導電膜１７Ａおよび第２導電膜１７Ｃが、互いに同一の材料（例えばＩＺＯ）から構成されている。
　第１導電膜１７Ａは、後述の修復工程前に形成され、透明導電膜により構成さている。この第１導電膜１７Ａの透過率は、波長４００～７００ｎｍにおいて８０％以上（平均値）であり、電気抵抗率は、例えば１０－３Ω・ｃｍ以上１０－４Ω・ｃｍ以下である。また、第１電極１７Ａの厚みは、後述の修復工程における逆方向バイアスの印加によって、十分に絶縁化が可能な程度の厚み、例えば１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが望ましい。透明導電膜材料としては、例えばインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）が挙げられる。但し、この他にも、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミナドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウム酸化物ドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、あるいはインジウムチタン酸化物（ＩＴｉＯ）などであってもよい。この第１導電膜１７Ａは、例えばスパッタ法により形成可能である。
　高抵抗層１７Ｂは、後述の修復工程後に形成され、例えば酸化ニオブ（ＮｂＯＸ）、あるいは酸化亜鉛などから構成されている。この高抵抗層１７Ｂの透過率は、波長４００～７００ｎｍにおいて８０％以上（平均値）であり、電気抵抗率は、例えば１０４Ω・ｃｍ以上１０６Ω・ｃｍ以下である。高抵抗層１７Ｂの厚みは、例えば１ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である。この高抵抗層１７Ｂの厚みは、逆方向バイアス印加後の第１導電膜１７Ａにおいて、異物付近の隙間を埋め、第２導電膜１７Ｃと第１導電膜１７Ａとの間でショートが発生しない程度の厚みに設定されることが望ましい。
　第２導電膜１７Ｃは、第１導電膜１７Ａと同一の材料（例えばＩＺＯ）から構成されている。この第２導電膜１７Ｃの厚みは、特に限定されるものではないが、低抵抗化のためには第１導電膜１７Ａよりも大きな厚み、例えば１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることが望ましい。所望の抵抗値が得られるためである。
　図５は、有機ＥＬ素子１０Ａの素子構造（異物Ｘ付近）を模式的に表したものである。このように、有機層１６などに異物Ｘが混入している場合、第１導電膜１７Ａは、異物Ｘの付近において、絶縁化（または吹き飛んで欠損）した部分（局所部分１７ａ１）を有する（第１導電膜１７Ａの一部が局所的に絶縁化または欠損している）。この局所部分１７ａ１は、後述の修復工程において逆方向バイアスを印加することにより形成されるものであり、第１電極１４および第１導電膜１７Ａ間の異物Ｘによるショートパスを電気的に切断する役割を有している。局所部分１７ａ１は、例えば第２電極１７の面内において、異物Ｘの存在箇所に対応した複数箇所に点在する。
　保護膜１８は、例えば窒化シリコン、酸化シリコンまたは金属酸化物などからなる。尚、この保護膜１８と封止基板２０との間に、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂からなる接着層２１が形成されている。
　封止基板２０は、透明な材料（例えばガラス）により構成されている。カラーフィルタ層１９は、封止基板２０の光入射側（素子側）および光出射側のどちらの面に設けられてもよいが、例えば光入射側の面に設けられている。カラーフィルタ１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂ，１９Ｗはそれぞれ、有機ＥＬ素子１０Ａに対向して設けられている。カラーフィルタ１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂは、赤色光，緑色光，青色光を選択的に透過するものである。カラーフィルタ１９Ｗは、例えば所望の白色度を得るためのものであり、色度あるいは輝度を調整するフィルタである。尚、カラーフィルタ１９Ｗについては、特に設けられていなくともよい。
［製造方法］
　図６は、上記のような表示装置１の製造工程の流れを表したものである。このように、まず、駆動基板１０を形成する（ステップＳ１）。具体的には、基板１１上に、例えば低温ポリシリコンプロセスにより、上述したトラジスタＴｒ１，Ｔｒ２、キャパシタＣｓ等を含む画素駆動回路１４０を形成する。この後、平坦化層１３を基板１１の全面に成膜した後、パターニングすることによりコンタクトホール等を形成する。
　この後、駆動基板１０の平坦化層１３上に、第１電極１４を形成する（ステップＳ２）。具体的には、例えば、平坦化層１３上に、上述した材料よりなる第１電極１４を、例えばスパッタ法により成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、パターニングする。
　続いて、バンク１５を形成する（ステップＳ３）。具体的には、上述した絶縁材料を成膜した後、パターニングすることにより、第１電極１４に対向する領域に開口部を形成する。
　この後、有機層１６を形成する（ステップＳ４）。具体的には、上述した材料等よりなる白色発光層を、例えば真空蒸着法により成膜する。このとき、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層などを、真空一貫プロセスにより連続成膜してもよい。
　次に、第２電極１７を形成する（ステップＳ５）。図７Ａ～図７Ｃは、第２電極１７の形成工程の一部を模式的に示したものである。具体的には、まず、図７Ａに示したように、上述した材料等よりなる第１導電膜１７Ａを、例えばスパッタ法等により有機層１６上に形成する（ステップＳ５１）。
　この後、図７Ｂに示したように、形成した第１導電膜１７Ａと第１電極１４との間に、逆方向バイアスを、例えば直流電圧－１Ｖ～－６０Ｖの範囲で１秒以上、望ましくは直流電圧－４０Ｖで１５分、印加する。尚、逆方向バイアスは、直流電圧に限らず、交流電圧であってもよい。また、この逆方向バイアスの印加は、酸素雰囲気で行うようにしてもよい。これにより、第１導電膜１７Ａが絶縁化または吹き飛ばされて欠損し（局所部分１７ａ１が形成され）、異物Ｘによるショートパスを電気的に切断し、滅点となる箇所の修復（除去）を行うことができる（ステップＳ５２）。この後、図７Ｃに示したように、高抵抗層１７を、例えばスパッタ法等により、図７Ｂの有機層１６における異物Ｘ近傍の隙間を埋めるように成膜する。この際、高抵抗層１７の厚みは、第１透明導電膜１７Ａと、この後に形成される第２導電膜１７Ｃとが、電気的にショートしない程度の厚みに形成することが望ましい。
　ここで、一例として、図８に、逆方向バイアスを印加後の素子の断面ＳＴＥＭ画像を示す。この例では、第１電極１４（アノード）上に、有機層１６、ＩＺＯよりなる透明導電膜１７Ａ（カソード）および保護膜１８（ＳｉＮ）が積層されている。尚、保護膜１８状には、断面ＳＴＥＭ解析用のタングステン層を形成した。保護膜１８のＳｉＮ膜内に異物Ｘが認められる。このような積層構造に対し、第１電極１４と第１導電膜１７Ａとの間に、逆方向バイアス（－４０Ｖ，１５分）を印加すると、異物Ｘ付近の約４μｍの範囲において、第１導電膜１７ＡのＩＺＯの粒子化が観察された。図９Ａに、図８の領域ａ１を、図９Ｂに図８の領域ａ２をそれぞれ拡大したものを示す。領域ａ１では、領域ａ２に比べ、ＩＺＯの厚みが増している。また、領域ａ２ではＩＺＯが層状に連なっているのに対し、領域ａ１では逆方向バイアスの印加によってＩＺＯが凝集して粒子状となり、これによって絶縁化したと推測される。
　続いて、上述した材料および厚みよりなる第２導電膜１７Ｃを、例えばスパッタ法等により形成する（ステップＳ５３）。このようにして、第２電極１７を形成する。
　次に、第２電極１７上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により保護膜１８を形成する（ステップＳ６）。最後に、カラーフィルタ層１９が形成された封止基板２０を貼り合わせる（ステップＳ７）。これにより、図３に示した表示装置１を完成する。
［作用，効果］
　本実施の形態の表示装置１では、図１および図２に示したように、走査線駆動回路１３０から各画素のトランジスタＴｒ２のゲートに走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０からは画像信号が、トランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに供給され、保持される。この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じてトランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これによって、有機ＥＬ素子１０Ａに駆動電流（ドレイン電流Ｉds）が注入される。この駆動電流が、第１電極１４および第２電極１７を通じて有機層１６の発光層に注入されることにより、有機層１６では、正孔と電子との再結合により、発光が起こる。ここでは、各有機ＥＬ素子１０Ａの有機層１６から白色光が発生する。
　各有機ＥＬ素子１０Ａから白色光が発生すると、この白色光は、第２電極１７、カラーフィルタ層１９（１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂ，１９Ｗのいずれか）および封止基板２０を透過して、表示装置１の上方へ出射する。これにより、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗの各色光を発する有機ＥＬ素子１０Ａの組を１つのピクセルとした画像表示が行われる。
　ここで、本実施の形態では、第２電極１７において、透明性を有する第１導電膜１７Ａが、絶縁化または欠損した局所部分（図５中の局所部分１７ａ１）を含む。この局所部分１７ａ１は、製造プロセスにおいて、逆方向バイアスを印加することによって形成され、局所部分１７ａ１により、異物に起因するショートパスが電気的に切断される。この第１導電膜１７Ａ上に、高抵抗層１７Ｂを介して第２導電膜１７Ｃが積層されることにより、第１導電膜１７Ａを厚膜化せずに第２電極１７を低抵抗化することができ、電圧降下を抑制し易い。
　また、高抵抗層１７Ｂの介在により、次のようなメリットがある。ここで、仮に、図１０に示したように、逆方向バイアスを印加して滅点修復を行った後の透明導電膜１７Ａの上に、厚膜の透明導電膜１７Ｃを直に（隣接して）形成すると、再ショートが生じることがある。これに対し、本実施の形態のように第１導電膜１７Ａ上に高抵抗層１７Ｂを介して第２導電膜１７Ｃを形成することで、そのような再ショートの発生を抑制することができる。よって、第２電極１７を低抵抗化して電圧降下を抑制しつつ、異物に起因するショートパスを削減することができ、滅点による表示画質への影響を軽減することができる。
　以上のように本実施の形態では、第２電極１７において、絶縁化または欠損した局所部分１７ａ１を含むと共に透明性を有する第１導電膜１７Ａの上に、高抵抗層１７Ｂを介して第２導電膜１７Ｃを設けるようにしたので、第２電極１７を低抵抗化しつつ、異物に起因するショートパスを削減することができる。また、高抵抗層１７Ｂの介在により、再ショートの発生を抑制できる。第２電極１７における電圧降下を抑制しつつ、滅点による表示画質への影響を軽減することができる。よって、表示画質の劣化を抑制することが可能となる。
　次に、本開示の他の実施の形態および変形例について説明する。以下では、上記第１の実施の形態と同様の構成要素については、同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
＜第２の実施の形態＞
　図１１は、本開示の第２の実施の形態の表示装置の要部構成を表したものである。本実施の形態では、第２電極１７において、第１導電膜１７Ａと有機層１６との間に、更に第３導電膜１７Ｄが形成されている点において、上記第１の実施の形態と異なっている。具体的には、本実施の形態の第２電極１７は、有機層１６の側から順に、第３導電膜１７Ｄ、第１導電膜１７Ａ、高抵抗層１７Ｂおよび第２導電膜１７Ｃを有している。
　第３導電膜１７Ｄは、カソードとして機能すると共に、光学調整の目的で設けられている。この第３導電膜１７Ｄは、また、後述のレーザー照射による滅点修復の際にレーザー光を吸収する役割も持っている。第３導電膜１７Ｄは、例えばマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金（ＭｇＡｇ：マグネシウム銀）などの半透明性を有する導電膜から構成されている。この第３導電膜１７Ｄの厚みは、例えば１ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。視野角特性を考慮すると、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが望ましい。
　図１２は、本実施の形態の表示装置の製造方法の流れを表したものである。本実施の形態の表示装置の製造方法では、第２電極１７の形成工程（ステップＳ８）における積層構造の形成手順と、封止基板２０の接着後において再度の滅点修復（滅点リペア）を行う点において、上記第１の実施の形態と異なっている。駆動基板１０の形成から有機層１６の形成までの工程（ステップＳ１～Ｓ４）と、保護膜１８の形成（ステップＳ６）と、封止基板２０の接着（ステップＳ７）とについては、上記第１の実施の形態と同様である。
　本実施の形態では、第２電極１７を次のようにして形成する（ステップＳ８）。具体的には、まず、上述した材料等よりなる第３導電膜１７Ｄを、例えば蒸着法またはスパッタ法により成膜する（ステップＳ８１）。この後、上述した材料等よりなる第１導電膜１７Ａを、上記第１の実施の形態と同様にして形成する（ステップＳ８２）。続いて、上記第１の実施の形態と同様にして、第１導電膜１７Ａと第１電極１４との間に、逆方向バイアスを印加する。これにより、第１導電膜１７Ａが絶縁化または吹き飛ばされて欠損し、異物Ｘによるショートパスを電気的に切断し、滅点となる箇所の修復（除去）を行うことができる（ステップＳ８３）。この後、高抵抗層１７を、上記第１の実施の形態と同様にして成膜する（ステップＳ８４）。高抵抗層１７の上に、第２導電膜１７Ｃを上記第１の実施の形態と同様にして形成する（ステップＳ８５）。このようにして、第２電極１７を形成する。
　また、封止基板２０の接着後において、レーザー光を照射することにより、再度の滅点修復（滅点リペア）を行う（ステップＳ９）。具体的には、例えば波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザー等を用いて、異物周辺のショート箇所（第３導電膜１７Ｄのみ、あるいは第３導電膜１７Ｄと第１導電膜１７Ａとの両方）を吹き飛ばす。これにより、異物によるショートパスを電気的に切断する。尚、ここでは、封止後にレーザー照射による滅点修復を行ったが、この２回目の滅点修復は、保護膜１８の形成後、封止基板２０の接着前に行うようにしてもよい。
　本実施の形態では、第１導電膜１７Ａにおいて逆方向バイアスの印加により滅点修復がなされた後、高抵抗層１７Ｂを介して第２導電膜１７Ｃが形成されることで、上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。加えて、第２電極１７において、有機層１６と第１導電膜１７Ａとの間に第３導電膜１７Ｄを設けることにより、光学調整が可能となると共に、２回の滅点修復を行うことができる。これにより、１回目の修復（逆方向バイアス印加による滅点修復）において異物付近の絶縁化が不十分な箇所があった場合にも、そのような箇所を２回目の修復において修復することができ、より確実に滅点箇所を修復することができる。
＜第３の実施の形態＞
　図１３は、本開示の第３の実施の形態の表示装置の要部構成を表したものである。本実施の形態では、第２電極１７において、高抵抗層１７Ｂがパターニングされ、高抵抗層１７Ｂが選択的に除去された部分（部分Ｓ１（第１部分））を有している点において、上記第１の実施の形態と異なっている。具体的には、本実施の形態の高抵抗層１７Ｂは、例えば画素開口Ｈ１（バンク１５の開口部分）を除いた（画素間の）少なくとも一部において、選択的に除去されている（高抵抗層１７Ｂが形成されていない部分Ｓ１を有する）。一例としては、図１４Ａおよび図１４Ｂに示したように、画素開口Ｈ１の行方向または列方向に沿ったストタイプ状の部分Ｓ１において、高抵抗層１７Ｂが選択的に除去されている。このような高抵抗層１７Ｂは、例えば成膜の際に、所定のマスクを用いることで形成することができる。
　本実施の形態では、第１導電膜１７Ａ、高抵抗層１７Ｂおよび第２導電膜１７Ｃの積層構造により、上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。また、高抵抗層１７Ｂが選択的に除去された部分Ｓ１を有することにより、この部分Ｓ１において、第１導電膜１７Ａと第２導電膜１７Ｃとを、電気的に接続することができる。これにより、第２電極１７における電圧降下をより効果的に抑制することができる。
＜第４の実施の形態＞
　図１５は、本開示の第４の実施の形態の表示装置の要部構成を表したものである。本実施の形態では、第２電極１７が、第３導電膜１７Ｄと第１導電膜１７Ａとの積層膜により構成されている点において、上記第１の実施の形態と異なっている。具体的には、本実施の形態の第２電極１７は、有機層１６の側から順に、第３導電膜１７Ｄおよび第１導電膜１７Ａがこの順に積層され、第１導電膜１７Ａの上に保護膜１８が形成されている。
　図１６は、本実施の形態の表示装置の製造方法（第２電極１７の形成方法）の流れを表したものである。尚、第２電極１７の形成前の工程（ステップＳ１～Ｓ４）と、第２電極１７の形成後の工程（ステップＳ６，Ｓ７）とについては、上記第１の実施の形態と同様である。また、封止基板２０の接着後、上記第２の実施の形態と同様にして、レーザー照射による滅点修復工程（ステップＳ９）を行う。但し、本実施の形態では、第２電極１７を、次のようにして形成する。
　即ち、まず、上述した材料等よりなる第３導電膜１７Ｄを、上記第２の実施の形態と同様にして形成する（ステップＳ１０）。続いて、第１導電膜１７Ａを、上記第１の実施の形態と同様にして形成する（ステップＳ１１）。この後、第１導電膜１７Ａと、第１電極１４との間に、逆方向バイアスを、上記第１の実施の形態と同様の条件を用いて印加する（ステップＳ１２）。これにより、異物によるショートパスを電気的に切断し、滅点となる箇所の修復を行う。このようにして第２電極１７を形成する。
　図１７および図１８は、本実施の形態の第２電極１７の形成方法の他の例を表したものである。上記図１６の例では、第３導電膜１７Ｄおよび第１導電膜１７Ａの形成後において、第１電極１４と第１導電膜１７Ａとの間に逆方向バイアスを印加したが、逆方向バイアスの印加タイミングはこれに限定されるものではない。例えば、図１７に示したように、第３導電膜１７Ｄの形成し（ステップＳ１３）、この後、第１電極１４と第３導電膜１７Ｄとの間に逆方向バイアスを印加する（ステップＳ１４）。印加電圧および印加時間などは、上記第１の実施の形態における逆方向バイアス印加の条件と同様である。これにより、異物によるショートパスを電気的に切断し、滅点となる箇所の除去を行うことができる。この後、第３導電膜１７Ｄの上に、例えばスパッタ法等により、第１導電膜１７Ａを形成する（ステップＳ１５）。このようにして、第２電極１７を形成することができる。
　また、図１８に示したように、更に第２電極１７の形成後に、逆方向バイアスを印加してもよい。この場合、第３導電膜１７Ｄを形成し（ステップＳ１６）、この後、第１電極１４と第３導電膜１７Ｄとの間に逆方向バイアスを印加する（ステップＳ１７）。続いて、第１導電膜１７Ａを形成し（ステップＳ１８）、形成した第１導電膜１７Ａと第１電極１４との間に、再び逆方向バイアスを印加する（ステップＳ１９）。印加電圧および印加時間などは、上記第１の実施の形態における逆方向バイアスの印加条件と同様である。これにより、異物によるショートパスを電気的に切断し、滅点となる箇所の除去を行うことができる。なお、この例では、後の封止後のレーザー照射による修復工程も合わせると、計３回の修復工程を行うこととなる。このように、滅点修復のタイミングは特に限定されず、また、１回または複数回にわたって行うことができる。
　このように本実施の形態では、第３導電膜１７Ｄ上に第１導電膜１７Ａが形成されることで、第１導電膜１７Ａを単層で用いる場合よりも、第２電極１７を低抵抗化し易く、電圧降下抑制に有利である。また、封止後にレーザー照射による滅点修復を行うことで、１回の滅点修復（逆方向バイアスの印加による滅点修復）によって絶縁化が不十分な箇所が生じた場合にも、そのような箇所を２回目の滅点修復において除去することができる。
＜第５の実施の形態＞
　図１９は、本開示の第５の実施の形態の表示装置の要部構成を表したものである。本実施の形態では、第２電極１７が、第３導電膜１７Ｄと、第１導電膜１７Ａと、配線層１７Ｅとの積層膜により構成されている点において、上記第１の実施の形態と異なっている。具体的には、本実施の形態の第２電極１７は、有機層１６の側から順に、第３導電膜１７Ｄ、第１導電膜１７Ａおよび配線層１７Ｅがこの順に積層され、配線層１７Ｅの上に保護膜１８が形成されている。
　本実施の形態の第２電極１７では、第１導電膜１７Ａ上に配線層１７Ｅがパターン形成されている。具体的には、配線層１７Ｅは、例えば画素開口Ｈ１（バンク１５の開口部分）を除いた（画素間の）選択的な領域に延在して形成されている。一例としては、図２０Ａに示したように、平面視的に、画素開口Ｈ１の行方向または列方向に沿ったストタイプ状に形成されるか、あるいは図２０Ｂに示したように、格子状（マトリクス状）に形成されている。
　図２１は、本実施の形態の表示装置の製造方法（第２電極１７の形成方法）の流れを表したものである。尚、第２電極１７の形成前の工程（ステップＳ１～Ｓ４）と、第２電極１７の形成後の工程（ステップＳ６，Ｓ７）とについては、上記第１の実施の形態と同様である。また、封止基板２０の接着後、上記第２の実施の形態と同様にして、レーザー照射による滅点修復工程（ステップＳ９）を行う。但し、本実施の形態では、第２電極１７を、次のようにして形成する。
　即ち、まず、上述した材料等よりなる第３導電膜１７Ｄを、上記第２の実施の形態と同様にして形成する（ステップＳ２０）。続いて、第１導電膜１７Ａを、上記第１の実施の形態と同様にして形成する（ステップＳ２１）。この後、第１導電膜１７Ａと、第１電極１４との間に、逆方向バイアスを、上記第１の実施の形態と同様の条件を用いて印加する（ステップＳ２２）。これにより、異物によるショートパスを電気的に切断し、滅点となる箇所の修復を行う。
　続いて、第１導電膜１７Ａ上に、平面視的に例えばストライプ状またはマトリクス状となるように配線層１７Ｅを形成する。このような配線層１７Ｅは、例えば高精細マスクを用いて、モリブデン（Ｍｏ）またはＩＺＯ等を、例えばスパッタ法により形成する。あるいは、高精細マスクを用いて、アルミニウム（Ａｌ）または銀等を、例えば蒸着法で形成してもよい。また、例えば銀，アルミニウム，錫（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ），銅（Ｃｕ）および金（Ａｕ）のうちのいずれかを含む低ナノインク導電性材料を、印刷法（例えば、反転印刷、オフセット印刷、スプレーコート、インクジェット印刷、ストライプコートあるいはスクリーン印刷等）により、形成することもできる。
　本実施の形態では、第１導電膜１７Ａ上に、配線層１７Ｅが形成されることにより、第１導電膜１７Ａを厚膜化せずに第２電極１７を低抵抗化することができ、電圧降下を抑制し易い。よって、第２電極１７における電圧降下を抑制しつつ、異物に起因するショートパスを削減することができ、上記第１および第２の実施の形態とほぼ同等の効果を得ることができる。
＜第６の実施の形態＞
　図２２は、本開示の第６の実施の形態の表示装置の要部構成を表したものである。本実施の形態では、第２電極１７が、第１導電膜１７Ａと配線層１７Ｅとの積層膜により構成されている点において、上記第１の実施の形態と異なっている。具体的には、本実施の形態の第２電極１７は、有機層１６の側から順に、第１導電膜１７Ａおよび配線層１７Ｅがこの順に積層され、配線層１７Ｅの上に保護膜１８が形成されている。配線層１７Ｅの構成材料および平面レイアウトなどは、上記第５の実施の形態で説明したものと同様である。
　図２３は、本実施の形態の表示装置の製造方法（第２電極１７の形成方法）の流れを表したものである。尚、第２電極１７の形成前の工程（ステップＳ１～Ｓ４）と、第２電極１７の形成後の工程（ステップＳ６，Ｓ７）とについては、上記第１の実施の形態と同様である。また、封止基板２０の接着後、上記第２の実施の形態と同様にして、レーザー照射による滅点修復工程（ステップＳ９）を行う。但し、本実施の形態では、第２電極１７を、次のようにして形成する。
　即ち、まず、上述した材料等よりなる第１導電膜１７Ａを、上記第１の実施の形態と同様にして形成する（ステップＳ２４）。この後、第１導電膜１７Ａと、第１電極１４との間に、逆方向バイアスを、上記第１の実施の形態と同様の条件を用いて印加する（ステップＳ２５）。これにより、異物によるショートパスを電気的に切断し、滅点となる箇所の修復を行う。続いて、上記第５の実施の形態と同様にして、第１導電膜１７Ａ上に、配線層１７Ｅを形成する。
　本実施の形態においても、第１導電膜１７Ａ上に配線層１７Ｅが形成されることで、第１導電膜１７Ａを厚膜化することなく、第２電極１７を低抵抗化することができる。よって、上記第１の実施の形態とほぼ同等の効果を得ることができる。
＜変形例＞　尚、本開示の表示装置における第２電極は、上記の各実施の形態で挙げた第２電極１７の積層構造の他にも様々な構造を取り得る。例えば、上述した、第１導電膜１７Ａ、高抵抗層１７Ｂ、第２導電膜１７Ｃ、第３導電膜１７Ｄおよび配線層１７Ｅのうちの少なくとも第１導電膜１７Ａを有する積層構造であればよい。但し、上記第１および第２の実施の形態のように高抵抗層１７Ｂを用いた構造であることが望ましい。高抵抗層１７Ｂを用いた構成としては、上記の他にも、図２４Ａ～図２４Ｃに示したような構成とすることができる。具体的には、図２４Ａの例では、第２電極１７が、有機層１６の側から順に、第１導電膜１７Ａと、高抵抗層１７Ｂと、配線層１７Ｅと有している。また、図２４Ｂの例では、第２電極１７が、有機層１６の側から順に、第１導電膜１７Ａと、高抵抗層１７Ｂと、配線層１７Ｅと、第２導電膜１７Ｃとを有している。更に、図２４Ｃの例では、第２電極１７が、有機層１６の側から順に、第３導電膜１７Ｄと、第１導電膜１７Ａと、高抵抗層１７Ｂと、配線層１７Ｅとを有している。また、図２４Ｃの例において、更に配線層１７Ｅの上に第２導電膜１７Ｂが形成されてもよい。
＜適用例＞
　上記実施の形態および変形例において説明した表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、映像として表示するあらゆる分野の電子機器に用いることができる。以下にその一例を示す。
　図２５Ａおよび図２５Ｂは、スマートフォン２２０の外観を表したものである。このスマートフォン２２０は、例えば、表側に表示部２２１および操作部２２２を有し、裏側にカメラ２２３を有しており、表示部２２１に上記実施の形態の表示装置が搭載されている。
　図２６は、タブレット型パーソナルコンピュータ２４０の外観を表したものである。このタブレット型パーソナルコンピュータ２４０は、例えば、タッチパネル部２４１および筐体２４２を有しており、タッチパネル部２４１に上記実施の形態の表示装置が搭載されている。
　図２７は、テレビジョン装置２５０の外観を表したものである。このテレビジョン装置２５０は、例えば、本体部２５１とスタンド２５２とを有している。本体部２５１に、上記実施の形態の表示装置が搭載されている。
　図２８Ａおよび図２８Ｂは、携帯電話機２９０の外観を表したものである。この携帯電話機２９０は、例えば、上側筐体２９１と下側筐体２９２とを連結部（ヒンジ部）２９３で連結したものであり、ディスプレイ２９４，サブディスプレイ２９５，ピクチャーライト２９６およびカメラ２９７を有している。ディスプレイ２９４またはサブディスプレイ２９５に、上記実施の形態の表示装置が搭載されている。
　図２９Ａおよび図２９Ｂは、デジタル一眼レフカメラ４１０の外観を表したものである。このデジタル一眼レフカメラ４１０は、例えば本体部４１１，レンズ４１２，グリップ４１３，表示部４１４およびビューファインダ４１５などを有している。表示部４１４またはビューファインダ４１５に、上記実施の形態の表示装置が搭載されている。
　図３０は、ヘッドマウントディスプレイ４２０の外観を表したものである。ヘッドマウントディスプレイ４２０は、例えば眼鏡型の表示部４２１および支持部４２２を有している。表示部４２１に、上記実施の形態の表示装置が搭載されている。
　図３１Ａおよび図３１Ｂは、デジタルスチルカメラ５２０の外観を表したものである。このデジタルスチルカメラ５２０は、例えば、フラッシュ用の発光部５２１、表示部５２２、メニュースイッチ５２３およびシャッターボタン５２４を有している。表示部５２２に、上記実施の形態の表示装置が搭載されている。
　図３２は、ノート型パーソナルコンピュータ５３０の外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータ５３０は、例えば、本体５３１，文字等の入力操作のためのキーボード５３２および画像を表示する表示部５３３を有している。表示部５３３に、上記実施の形態の表示装置が搭載されている。
　図３３は、ビデオカメラ５４０の外観を表したものである。このビデオカメラ５４０は、例えば、本体部５４１，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ５４２，撮影時のスタート／ストップスイッチ５４３および表示部５４４を有している。表示部５４４に、上記実施の形態の表示装置が搭載されている。
　以上、実施の形態および変形例を挙げて説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、修復動作時には、滅点対象となる選択的な領域にのみ逆バイアス電圧を印加してもよいし、これに限らず、滅点部分を含む広い範囲の領域に逆バイアス電圧を印加してもよい。後者の手法によれば、修復動作に要する時間を短縮でき、量産化に有利である。尚、正常部分にも逆バイアス電圧が印加されることになるが、印加条件を適切に制御することにより、修復率の改善効果だけを享受することができる。
　また、上記実施の形態等では、第２電極１７が２層または３層の構造である場合を例示したが、更に他の膜を含む４層以上の多層膜であってもよい。
　更に、上記実施の形態等に記載した各層の材料および厚みは列挙したものに限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよい。また、表示装置では、上述した全ての層を備えている必要はなく、あるいは上述した各層に加えて更に他の層を備えていてもよい。また、上記実施の形態等において説明した効果は一例であり、他の効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
　尚、本開示は以下のような構成であってもよい。
（１）
　基板上に、第１電極と、発光層を含む有機層と、第２電極とをこの順に備え、
　前記第２電極は、前記有機層の側から順に、
　絶縁化または欠損した局所部分を含むと共に透明性を有する第１導電膜と、
　前記第１導電膜よりも電気抵抗の高い高抵抗層と、
　前記高抵抗層上に形成された第２導電膜と
　を有する
　表示装置。
（２）
　前記第２導電膜は、前記第１導電膜よりも厚みが大きい透明導電膜を含む
　上記（１）に記載の表示装置。
（３）
　前記第２電極は、前記有機層と前記第１導電膜との間に、半透明性を有する第３導電膜を有する
　上記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）
　２次元配置された複数の画素を備え、
　前記高抵抗層では、前記画素間の領域のうちの少なくとも一部に相当する第１部分が選択的に除去されており、
　前記第１部分を通じて前記第１導電膜と前記第２導電膜とが電気的に接続されている
　上記（１）～（３）のいずれかに記載の表示装置。
（５）
　前記高抵抗層の電気抵抗率は、１．０×１０４Ω・ｃｍ以上１．０×１０６Ω・ｃｍ以下である
　上記（１）～（４）のいずれかに記載の表示装置。
（６）
　前記第１導電膜の厚みは、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である
　上記（１）～（５）のいずれかに記載の表示装置。
（７）
　前記第２導電膜の厚みは、１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である
　上記（２）に記載の表示装置。
（８）
　前記第３導電膜の厚みは、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下である
　上記（３）に記載の表示装置。
（９）
　２次元配置された複数の画素を備え、
　前記第２導電膜は、前記画素間の領域に延在して形成されると共に、平面視的にストライプ状または格子状を成す配線層を含む
　上記（２）または（７）のいずれかに記載の表示装置。
（１０）
　前記第２電極上に保護膜を更に備えた
　上記（２），（７）または（９）に記載の表示装置。
（１１）
　基板上に、第１電極と、発光層を含む有機層と、第２電極とをこの順に形成し、
　前記第２電極を形成する際に、
　透明性を有する第１導電膜を形成した後、前記第１電極と前記第１導電膜との間に逆方向バイアスを印加することにより滅点箇所を修復し、
　前記滅点箇所を修復後の第１導電膜上に、前記第１導電膜よりも電気抵抗の高い高抵抗層を形成し、
　前記高抵抗層上に第２導電膜を形成する
　表示装置の製造方法。
（１２）
　前記第２導電膜は、前記第１導電膜よりも厚みが大きい透明導電膜を含む
　上記（１１）に記載の表示装置の製造方法。
（１３）
　前記第２電極を形成する際に、前記第１導電膜を形成するよりも前に、半透明性を有する第３導電膜を形成し、
　前記第２電極の形成後において、前記第２電極上に保護膜を形成した後、レーザー光を照射することにより滅点箇所を修復する
　上記（１１）または（１２）に記載の表示装置の製造方法。
（１４）
　２次元配置された複数の画素を備え、
　前記第２導電膜は、前記画素間の領域に延在して形成されると共に、平面視的にストライプ状または格子状を成す配線層を含む
　上記（１１）～（１３）のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
（１５）
　基板上に、第１電極と、発光層を含む有機層と、第２電極とをこの順に備え、
　前記第２電極は、前記有機層の側から順に、
　絶縁化または欠損した局所部分を含むと共に透明性を有する第１導電膜と、
　前記第１導電膜上に設けられた配線層と
　を有する
　表示装置。
（１６）
　２次元配置された複数の画素を備え、
　前記配線層は、前記画素間の領域に延在して形成されると共に、平面視的にストライプ状または格子状を成す
　上記（１５）に記載の表示装置。
（１７）
　前記第２電極は、前記有機層と前記第１導電膜との間に、半透明性を有する第３導電膜を有する
　上記（１５）または（１６）に記載の表示装置。
（１８）
　基板上に、第１電極と、発光層を含む有機層と、第２電極とをこの順に形成し、
　前記第２電極を形成する際に、
　透明性を有する第１導電膜を形成した後、前記第１電極と前記第１導電膜との間に逆方向バイアスを印加することにより滅点箇所を修復し、
　前記滅点箇所を修復後に、配線層を形成する
　表示装置の製造方法。
（１９）
　前記第２電極を形成する際に、前記第１導電膜を形成するよりも前に、半透明性を有する第３導電膜を形成し、
　前記第２電極の形成後において、前記第２電極上に保護膜を形成した後、レーザー光を照射することにより滅点箇所を修復する
　上記（１８）に記載の表示装置の製造方法。
（２０）
　基板上に、第１電極と、発光層を含む有機層と、第２電極とをこの順に形成し、
　前記第２電極を形成する際に、
　半透明性を有する第３導電膜を形成した後、透明性を有する第１導電膜を形成し、
　前記第１導電膜を形成する前後のうちの一方または両方において、前記第１電極と、前記第３導電膜または前記第１導電膜との間に逆方向バイアスを印加することにより滅点箇所を修復し、
　前記第２電極を形成後において、前記第２電極上に保護膜を形成した後、レーザー光を照射することにより滅点箇所を修復する
　表示装置の製造方法。
　本出願は、日本国特許庁において２０１４年１１月２７日に出願された日本特許出願番号第２０１４－２４０１０７号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願のすべての内容を参照によって本出願に援用する。
　当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (20)

  1. 　基板上に、第１電極と、発光層を含む有機層と、第２電極とをこの順に備え、
    　前記第２電極は、前記有機層の側から順に、
    　絶縁化または欠損した局所部分を含むと共に透明性を有する第１導電膜と、
    　前記第１導電膜よりも電気抵抗の高い高抵抗層と、
    　前記高抵抗層上に形成された第２導電膜と
    　を有する
    　表示装置。
  2. 　前記第２導電膜は、前記第１導電膜よりも厚みが大きい透明導電膜を含む
    　請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記第２電極は、前記有機層と前記第１導電膜との間に、半透明性を有する第３導電膜を有する
    　請求項１に記載の表示装置。
  4. 　２次元配置された複数の画素を備え、
    　前記高抵抗層では、前記画素間の領域のうちの少なくとも一部に相当する第１部分が選択的に除去されており、
    　前記第１部分を通じて前記第１導電膜と前記第２導電膜とが電気的に接続されている
    　請求項１に記載の表示装置。
  5. 　前記高抵抗層の電気抵抗率は、１．０×１０４Ω・ｃｍ以上１．０×１０６Ω・ｃｍ以下である
    　請求項１に記載の表示装置。
  6. 　前記第１導電膜の厚みは、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である
    　請求項１に記載の表示装置。
  7. 　前記第２導電膜の厚みは、１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である
    　請求項２に記載の表示装置。
  8. 　前記第３導電膜の厚みは、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下である
    　請求項３に記載の表示装置。
  9. 　２次元配置された複数の画素を備え、
    　前記第２導電膜は、前記画素間の領域に延在して形成されると共に、平面視的にストライプ状または格子状を成す配線層を含む
    　請求項１に記載の表示装置。
  10. 　前記第２電極上に保護膜を更に備えた
    　請求項１に記載の表示装置。
  11. 　基板上に、第１電極と、発光層を含む有機層と、第２電極とをこの順に形成し、
    　前記第２電極を形成する際に、
    　透明性を有する第１導電膜を形成した後、前記第１電極と前記第１導電膜との間に逆方向バイアスを印加することにより滅点箇所を修復し、
    　前記滅点箇所を修復後の第１導電膜上に、前記第１導電膜よりも電気抵抗の高い高抵抗層を形成し、
    　前記高抵抗層上に第２導電膜を形成する
    　表示装置の製造方法。
  12. 　前記第２導電膜は、前記第１導電膜よりも厚みが大きい透明導電膜を含む
    　請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
  13. 　前記第２電極を形成する際に、前記第１導電膜を形成するよりも前に、半透明性を有する第３導電膜を形成し、
    　前記第２電極の形成後において、前記第２電極上に保護膜を形成した後、レーザー光を照射することにより滅点箇所を修復する
    　請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
  14. 　２次元配置された複数の画素を備え、
    　前記第２導電膜は、前記画素間の領域に延在して形成されると共に、平面視的にストライプ状または格子状を成す配線層を含む
    　請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
  15. 　基板上に、第１電極と、発光層を含む有機層と、第２電極とをこの順に備え、
    　前記第２電極は、前記有機層の側から順に、
    　絶縁化または欠損した局所部分を含むと共に透明性を有する第１導電膜と、
    　前記第１導電膜上に設けられた配線層と
    　を有する
    　表示装置。
  16. 　２次元配置された複数の画素を備え、
    　前記配線層は、前記画素間の領域に延在して形成されると共に、平面視的にストライプ状または格子状を成す
    　請求項１５に記載の表示装置。
  17. 　前記第２電極は、前記有機層と前記第１導電膜との間に、半透明性を有する第３導電膜を有する
    　請求項１５に記載の表示装置。
  18. 　基板上に、第１電極と、発光層を含む有機層と、第２電極とをこの順に形成し、
    　前記第２電極を形成する際に、
    　透明性を有する第１導電膜を形成した後、前記第１電極と前記第１導電膜との間に逆方向バイアスを印加することにより滅点箇所を修復し、
    　前記滅点箇所を修復後に、配線層を形成する
    　表示装置の製造方法。
  19. 　前記第２電極を形成する際に、前記第１導電膜を形成するよりも前に、半透明性を有する第３導電膜を形成し、
    　前記第２電極の形成後において、前記第２電極上に保護膜を形成した後、レーザー光を照射することにより滅点箇所を修復する
    　請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
  20. 　基板上に、第１電極と、発光層を含む有機層と、第２電極とをこの順に形成し、
    　前記第２電極を形成する際に、
    　半透明性を有する第３導電膜を形成した後、透明性を有する第１導電膜を形成し、
    　前記第１導電膜を形成する前後のうちの一方または両方において、前記第１電極と、前記第３導電膜または前記第１導電膜との間に逆方向バイアスを印加することにより滅点箇所を修復し、
    　前記第２電極を形成後において、前記第２電極上に保護膜を形成した後、レーザー光を照射することにより滅点箇所を修復する
    　表示装置の製造方法。
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