JP2013114749A - 有機el素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機エレクトロルミネッセンス素子1の製造方法は、陽極11、発光層13を含む有機層30、透明材料からなる陰極16の順に積層され、短絡欠陥部を有する有機EL素子1Aを準備する準備ステップと、強度分布を有するレーザー光のうち、陰極16を透過して有機層30を変性させ、かつ陰極16を変性させない強度成分を特定する特定ステップと、特定された当該強度成分が除去されたレーザー光を、短絡欠陥部の陰極16の領域及び当該領域の周囲のうち少なくとも一方に照射して、短絡欠陥部に起因する不良を解消する照射ステップとを含む。
【選択図】図6
Description
図1は、本発明の実施の形態に係る有機EL素子1の断面概略図である。同図に示した有機EL素子1は、陽極、陰極、及び当該両極で挟まれた発光層を含む有機層を有する有機機能デバイスである。
次に、有機EL素子1の製造方法について説明する。
図13は、本発明の実施の形態の第1の変形例に係る有機EL素子の断面概略図である。本変形例に係る有機EL素子50は、上述した実施の形態に係る有機EL素子1と比較して、レーザー照射する領域のみが異なり、素子の積層構造及び異物の発生状態は同じである。以下、上記実施の形態と同じ点は説明を省略し、異なる点のみ説明する。上記実施の形態では、陰極16を透過して電子注入層15及び発光層13を変性させ、かつ、陰極16を変性させない強度成分が除去されたレーザー光を、異物20を囲むように正方形の角周状に照射したが、本変形例では、異物20を含む方形領域全体にレーザーが照射される。
次に、本発明の実施の形態の第2の変形例について説明する。本変形例に係る有機EL素子60が上記した実施の形態に係る有機EL素子1と異なる点は、画素52において、陽極と陰極とが導電性異物を介さずに直接接触して短絡しており、当該短絡した部分のリペアを行う点である。
2、52 画素
9 透明ガラス
10 平坦化膜
11 陽極
12 正孔注入層
13 発光層
14 隔壁
15 電子注入層
16 陰極
16a、116a 陰極の一部
17 薄膜封止層
18 透明ガラス
19 封止用樹脂層
20 異物
30 有機層
101 レーザー発振器
102 スリット
103 ステージ
125 レーザー
Claims (7)
- 下部電極層、発光層を含む有機層、上部電極層の順に積層され、前記下部電極層及び前記上部電極層のうち少なくとも一方が透明材料からなり、欠陥部を有する有機EL素子を準備する準備ステップと、
強度分布を有するレーザー光のうち、前記透明材料からなる前記下部電極層または前記上部電極層を透過して前記有機層を変性させ、かつ、前記透明材料からなる前記下部電極層または前記上部電極層を変性させない強度成分を特定する特定ステップと、
前記特定ステップで特定された前記強度成分が除去されたレーザー光を、前記欠陥部及び前記欠陥部の周囲のうち少なくとも一方に照射して、前記欠陥部に起因する不良を解消する照射ステップとを含む
有機EL素子の製造方法。 - 前記照射ステップでは、
前記強度分布を有するレーザー光を、レーザー光を発する光源と前記有機EL素子との間に配置された、前記光源からのレーザー光のビーム径よりも小さなスリット幅を有するスリットを通過させることにより得られた前記強度成分が除去されたレーザー光を照射する
請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記特定ステップでは、
ガウス分布状の前記強度分布を有するレーザー光のうち、前記強度成分を特定する
請求項2に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記照射ステップでは、前記レーザー光を、前記欠陥部のうちの前記透明材料からなる前記下部電極層または前記上部電極層の領域及び当該領域の同一層内における周囲のうち少なくとも一方に照射する
請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記レーザー光は、超短パルスレーザーである
請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記透明材料は、金属酸化物である
請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記照射ステップでは、
前記強度成分が除去されたレーザー光が、前記欠陥部のうちの前記透明材料からなる前記下部電極層または前記上部電極層の領域及び当該領域の同一層内における周囲のうち少なくとも一方に多光子吸収されることにより、当該少なくとも一方が高抵抗化される
請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
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