JP6086333B2 - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 127
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 56
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 48
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 19
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 13
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000004397 blinking Effects 0.000 claims description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 2
- 208000002925 dental caries Diseases 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 21
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 15
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 10
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 4
- -1 polyphenylene vinylene Polymers 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- BDVZHDCXCXJPSO-UHFFFAOYSA-N indium(3+) oxygen(2-) titanium(4+) Chemical compound [O-2].[Ti+4].[In+3] BDVZHDCXCXJPSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
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- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
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- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/861—Repairing
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
実施の形態について説明する前に、本開示をするに至った知見について説明する。
図4は、本実施の形態に係る有機EL表示装置の断面概略図である。
次に、有機EL表示装置1の製造方法について説明する。
以上のように、本実施の形態において、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、下部電極、発光層を含む有機層および上部電極が積層されて構成される複数の画素と、前記複数の画素の間に設けられ、断面が順テーパー形状の隔壁とを具備し、前記複数の画素のうち少なくとも1つは常時点灯または点滅する輝点欠陥画素である有機エレクトロルミネッセンス表示装置を準備する工程と、前記輝点欠陥画素において、前記隔壁の下端によって囲まれる発光領域を前記上部電極に投影した領域の内側に、閉じた線形状となるように、かつ、前記領域の外周に沿って、レーザー光を照射していない領域が存在するように、前記レーザー光を照射する工程とを含み、前記レーザー光を照射する工程は、前記上部電極に前記レーザー光の焦点を当て、前記上部電極及び電子輸送層を変質させる工程を含み、前記上部電極及び電子輸送層を変質させる工程において、前記レーザー光の照射により、前記電子輸送層において変質された領域が拡大されて少なくとも前記隔壁の下端に達するようにする。
以上のように、本出願において開示する技術の例示として、上記した実施の形態を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。また、上記実施の形態で説明した各構成要素を組み合わせて、新たな実施の形態とすることも可能である。
1a、1b、1c 画素、輝点欠陥画素
2a、2b、2c、3a、3b、3c 画素
10、28 ガラス基板
11 TFT
12 反射陽極(下部電極)
13 隔壁
15 正孔注入層(有機層)
16 注入層(有機層)
17 発光層
20 電子輸送層(有機層)
21 透明陰極(上部電極)
26 封止樹脂
27a、27b、27c カラーフィルタ
27d ブラックマトリクス
31、41、51a、51b、51c、51d、51e 変質層
Claims (8)
- 下部電極、発光層を含む有機層および上部電極が積層されて構成される複数の画素と、前記複数の画素の間に設けられ、断面が順テーパー形状の隔壁とを具備し、前記複数の画素のうち少なくとも1つは常時点灯または点滅する輝点欠陥画素である有機エレクトロルミネッセンス表示装置を準備する工程と、
前記輝点欠陥画素において、前記隔壁の下端によって囲まれる発光領域を前記上部電極に投影した領域の内側に、閉じた線形状となるように、かつ、前記領域の外周に沿って、レーザー光を照射していない領域が存在するように、前記レーザー光を照射する工程とを含み、
前記レーザー光を照射する工程は、前記上部電極に前記レーザー光の焦点を当て、前記上部電極及び電子輸送層を変質させる工程を含み、
前記上部電極及び電子輸送層を変質させる工程において、
前記レーザー光の照射により、前記電子輸送層において変質された領域が拡大されて少なくとも前記隔壁の下端に達するようにする
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 前記レーザー光は、前記隔壁の端部に沿って前記発光領域側に照射され、ライン描画される
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 前記レーザー光の照射は、前記隔壁の端部に沿ったライン形状に開口されたマスクにより、結像光学系を通して行う
請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 前記レーザー光の照射は、前記隔壁の端部から前記発光領域側に、任意の閉じたライン形状に複数個描画される
請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 前記レーザー光は、超短パルスレーザーである
請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 前記レーザー光は、フェムト秒レーザーである
請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 前記上部電極および前記下部電極のうち少なくとも一方は、金属酸化物で構成されている
請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 下部電極、発光層を含む有機層および上部電極が積層されて構成される複数の画素と、
前記複数の画素間に設けられ、断面が順テーパー形状の隔壁と、
前記複数の画素のうち少なくとも1つの滅点化された輝点欠陥画素と、を備え、
滅点化された前記輝点欠陥画素は、前記隔壁の下端によって囲まれる発光領域を前記上部電極に投影した領域の内側において、閉じた線形状となるように、かつ、前記領域の外周に沿って、レーザー光を照射していない領域が存在するように、前記上部電極にレーザー光が照射されて前記上部電極および電子輸送層が変質され、
前記電子輸送層における変質された領域は、少なくとも前記隔壁の下端に達している
有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013109227 | 2013-05-23 | ||
JP2013109227 | 2013-05-23 | ||
PCT/JP2014/002611 WO2014188695A1 (ja) | 2013-05-23 | 2014-05-19 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014188695A1 JPWO2014188695A1 (ja) | 2017-02-23 |
JP6086333B2 true JP6086333B2 (ja) | 2017-03-01 |
Family
ID=51933262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015518072A Active JP6086333B2 (ja) | 2013-05-23 | 2014-05-19 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9853216B2 (ja) |
JP (1) | JP6086333B2 (ja) |
WO (1) | WO2014188695A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2014
- 2014-05-19 US US14/891,780 patent/US9853216B2/en active Active
- 2014-05-19 WO PCT/JP2014/002611 patent/WO2014188695A1/ja active Application Filing
- 2014-05-19 JP JP2015518072A patent/JP6086333B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160126458A1 (en) | 2016-05-05 |
JPWO2014188695A1 (ja) | 2017-02-23 |
WO2014188695A1 (ja) | 2014-11-27 |
US9853216B2 (en) | 2017-12-26 |
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