KR101398692B1 - 표시 장치의 수리 장치 및 그 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 표시 장치의 수리 장치는 표시 장치가 탑재되는 스테이지, 상기 표시 장치에 점등 신호를 인가하는 점등기, 상기 표시 장치와 이격되어 위치하며 상기 점등 신호에 의해 상기 표시 장치의 화소 내부의 결함부에서 발생하는 광자 또는 열을 검출하는 검출기를 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 광학 현미경, 검출기 및 레이저 수리기를 광차단 박스 내부에 모두 설치함으로써, 화소 내부의 결함부의 정확한 위치를 파악하고 레이저 수리기를 이용하여 화소를 정상 화소로 수선하여 수율을 향상시킬 수 있다.

Description

표시 장치의 수리 장치 및 그 방법{REPAIRING APPARATUS OF DISPLAY DEVICE AND METHOD THEREOF}
본 발명은 표시 장치의 수리 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등의 표시 장치는 복수개의 박막과 배선을 적층하여 형성한다. 이러한 표시 장치는 제조 공정 중 박막 위에 형성된 불순물 또는 파티클이나 배선의 단락 등을 가지는 화소를 포함할 수 있다.
이러한 화소를 검출하기 위해 종래에는 상대적인 누설 전류의 크기를 이용하거나, 광학 현미경을 이용한 점등 검사기를 이용하였다. 즉, 광학 현미경으로 화소 내 불순물 또는 파티클이나 배선의 단락 등의 결함을 찾고 그 결함 부분을 수리하였다. 그러나 광학 현미경으로 보이지 않는 작은 크기의 불순물 또는 파티클이나 배선의 단락 등에 의한 결함이 발생할 경우 화소 내 정확한 수리 위치를 찾지 못하는 문제점을 가지고 있다.
본 발명은 전술한 배경 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 광학 현미경으로 확인할 수 없는 결함을 가진 화소를 정상 화소로 수리할 수 있는 표시 장치의 수리 장치 및 그 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 수리 장치는 표시 장치가 탑재되는 스테이지, 상기 표시 장치에 점등 신호를 인가하는 점등기, 상기 표시 장치와 이격되어 위치하며 상기 점등 신호에 의해 상기 표시 장치의 화소 내부의 결함부에서 발생하는 광자 또는 열을 검출하는 검출기를 포함할 수 있다.
상기 스테이지 및 검출기를 둘러싸고 있으며 표시 장치로 외부광이 유입되는 것을 차단하는 광차단 박스를 더 포함할 수 있다.
상기 점등 신호는 상기 화소 내부의 결함부에서 광자 또는 열을 방출하게하는 동시에, 상기 화소의 발광부에서 상기 결함부보다 적은 광자 또는 열을 방출하게 하는 신호 조건 또는 상기 발광부에서 미발광하게 하는 신호 조건을 가질 수 있다.
상기 검출기는 Si 물질의 수광 부품을 가지는 Si-검출기, InGaAs 물질, GaAs 물질 또는 InGaAsP 물질 중에서 선택된 물질의 수광 부품을 가지는 InGaAs-검출기, InSb 물질의 수광 부품을 가지는 InSb-검출기 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
상기 광차단 박스는 상기 검출기가 검출하는 상기 광자 또는 열의 파장 범위보다 넓은 파장 범위의 광을 차단할 수 있다.
상기 검출기는 상기 스테이지의 상방 또는 하방에 위치할 수 있다.
상기 점등기는 상기 표시 장치의 패드에 접촉하는 점등 프로브, 상기 점등 프로브에 인가하는 상기 점등 신호를 발생시키는 점등 신호 발생기를 포함할 수 있다.
상기 스테이지는 상기 표시 장치가 반송되는 반송부, 상기 반송부 내부에 형성되는 개구부에 설치되며 회전하는 회전부를 포함하고, 상기 표시 장치는 상기 회전부에 탑재될 수 있다.
상기 회전부는 상기 반송부와 상기 회전부를 연결하는 회전축을 중심으로 회전할 수 있다.
상기 점등 프로브는 상기 스테이지의 상부에 위치하는 상부 프로브, 상기 스테이지의 하부에 위치하는 하부 프로브를 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치와 이격되어 위치하며 상기 화소에 레이저를 조사하여 상기 화소를 수리하는 레이저 수리기를 더 포함할 수 있다.
상기 스테이지의 상방 또는 하방에 위치하며, 상기 표시 장치의 화소에 대한 광학 검사를 진행하는 광학 현미경을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 수리 방법은 광학 현미경을 이용하여 스테이지에 탑재된 표시 장치에 광학 검사를 진행하여 화소 내부의 결함부를 검출하는 단계, 상기 광학 현미경으로 상기 화소 내부의 결함부가 검출되지 않는 경우에는 상기 표시 장치에 점등기를 접촉시켜 상기 화소에 점등 신호를 인가하여 상기 화소 내부의 결함부에서 광자 또는 열을 발생시키는 단계, 검출기를 이용하여 상기 광자 또는 열을 검출하여 상기 화소 내부의 결함부를 확인하는 단계, 상기 화소 내부의 결함부에 레이저를 조사하여 상기 화소를 수리하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 표시 장치 및 상기 검출기는 외부광이 유입되는 것을 차단하는 광차단 박스 내부에 설치될 수 있다.
상기 점등 신호는 상기 화소 내부의 결함부에서 광자 또는 열을 방출하게하는 동시에, 상기 화소의 발광부에서 상기 결함부보다 적은 광자 또는 열을 방출하게 하는 신호 조건 또는 상기 발광부에서 미발광하게 하는 신호 조건을 가질 수 있다.
상기 검출기는 Si 물질의 수광 부품을 가지는 Si-검출기, InGaAs 물질, GaAs 물질 또는 InGaAsP 물질 중에서 선택된 물질의 수광 부품을 가지는 InGaAs-검출기, InSb 물질의 수광 부품을 가지는 InSb-검출기 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
상기 표시 장치를 180도 회전시켜 상기 표시 장치의 배면에서 발생하는 미세광자를 검출하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 화소를 수리한 후 상기 점등기를 이용하여 정상 화소 여부를 판단하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 광학 현미경으로 상기 화소 내부의 결함부가 검출되는 경우에는 즉시 상기 화소 내부의 결함부에 레이저를 조사하여 상기 화소를 수리할 수 있다.
본 발명에 따르면, 광학 현미경, 검출기 및 레이저 수리기를 광차단 박스 내부에 모두 설치함으로써, 광학 현미경에 의해 보이지 않은 화소 내부의 결함부를 검출기를 이용하여 검출하고, 레이저 수리기를 이용하여 화소를 정상 화소로 수선하여 수율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 불량의 유형과 관련없이 명점, 암점, 선불량 결함을 가진 화소를 정상 화소로 수리할 수 있으며, 수리 후 점등기로 정상 화소가 되었는 지 여부를 즉시 확인할 수 있어 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 수리 장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 수리 장치의 스테이지의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 수리 장치의 검출기로 사용되는 Si-검출기의 파장에 따른 광자 효율 곡선(a) 및 InGaAs-검출기의 파장에 따른 광자 효율 곡선(b)에 대한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 수리 장치의 검출기로 사용되는 InSb-검출기의 파장에 따른 광자 효율 곡선(c)에 대한 그래프이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 수리 방법의 순서도이다.
도 6은 광학 현미경을 이용하여 화소 내부에 광학 검사를 진행한 사진이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 검출기를 이용하여 화소 내부의 결함부를 확인한 사진이다.
도 8은 유기 발광 표시 장치에 블랙 점등 신호를 인가하였을 때의 전압 관계를 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 수리 방법에 따라 점등 신호를 인가하였을 때의 전압 관계를 도시한 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
그러면 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 수리 장치에 대하여 도 1 및 도 2를 참고로 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 수리 장치의 개략도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 수리 장치의 스테이지의 평면도이다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 수리 장치는 표시 장치(100)가 탑재되는 스테이지(10), 표시 장치(100)에 점등 신호를 인가하는 점등기(20), 표시 장치(100)와 이격되어 위치하며 점등기(20)에서 발생한 점등 신호에 의해 표시 장치(100)의 화소 내부의 결함부에서 발생하는 광자 또는 열을 검출하는 검출기(30), 스테이지(10) 및 검출기(30)를 둘러싸고 있으며 표시 장치(100)로 외부광이 유입되는 것을 차단하는 광차단 박스(40)를 포함한다.
스테이지(10)는 표시 장치(100)가 반송되는 반송부(11), 반송부(11) 내부에 형성되는 개구부(11a)에 설치되며 회전하는 회전부(12)를 포함한다.
표시 장치(100)는 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등의 평판 표시 장치일 수 있으며, 표시 장치(100)는 회전부(12)에 탑재되며, 회전부(12)는 반송부(11)와 회전부(12)를 연결하는 회전축(13)을 중심으로 회전하므로, 표시 장치(100)는 회전부(12)의 회전에 의해 상하 반전될 수 있다.
점등기(20)는 표시 장치(100)의 패드(110)에 접촉하는 점등 프로브(21), 점등 프로브(21)에 인가하는 점등 신호를 발생시키는 점등 신호 발생기(22)를 포함한다. 점등 프로브(21)는 스테이지(10)의 상부에 위치하는 상부 프로브(211), 스테이지(10)의 하부에 위치하는 하부 프로브(212)를 포함한다. 상부 프로브(211)는 표시 장치(100)의 패드(110)가 검출기(30)가 위치하는 상방을 향하고 있을 때 표시 장치(100)의 패드(110)에 접촉하는 점등 프로브이고, 하부 프로브(212)는 표시 장치(100)가 회전부(12)에 의해 반전되어 표시 장치(100)의 패드(110)가 하방을 향하고 있을 때 표시 장치(100)의 패드(110)에 접촉하는 점등 프로브이다.
표시 장치(100)의 전면에서 광자가 검출되지 않는 경우, 표시 장치(100)를 180도 회전시키고 하부 프로브(212)를 이용하여 점등 신호를 인가함으로써 검출기(30)가 표시 장치(100)의 배면에서 광자 또는 열을 검출할 수 있다.
점등 프로브(21)를 통해 표시 장치(100)에 인가되는 점등 신호는 표시 장치(100)의 화소 내부의 결함부에 전류 등의 에너지를 주입한다. 이때 결함부에서는 주입된 에너지중 일부가 손실되며, 손실된 에너지는 광자(Photon) 또는 열 에너지(thermal energy) 등의 형태로 외부로 방출될 수 있다.
검출기(30)는 방출된 광자 또는 열 에너지를 검출하여 화소 내부의 결함부의 위치를 찾을 수 있다. 즉, 검출기(30)는 방출된 광자 또는 열 에너지를 흡수하여 전류로 변환하는 포토 다이오드(photo diode) 등의 수광 소자를 포함한다. 이러한 검출기(30)는 외부의 광이 없을때도 포토 다이오드 자체에서 발생하는 전류값인 암 전류(dark current)가 1x10-15A 내지 1x10-19A 정도로 종래의 검출기보다 낮으므로 보다 미약한 방출 에너지를 검출할 수 있다.
이러한 검출기(30)는 방출된 광자 또는 열의 수신율을 높이기 위해 소정 파장대의 에너지를 선택적으로 검출할 수 있는 다양한 검출기를 포함할 수 있다. 즉, 검출기(30)는 대략 100nm 내지 1200nm 파장의 광자를 검출할 수 있는 Si-검출기, 대략 800nm 내지 1800nm 파장의 광자를 검출할 수 있는 InGaAs-검출기, 대략 3.3㎛ 내지 5.7㎛ 파장의 광자 또는 열을 검출할 수 있는 InSb-검출기 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
Si-검출기는 Si 물질의 수광 부품을 가지는 검출기이고, InGaAs-검출기는 InGaAs 물질, GaAs 물질, InGaAsP 물질의 수광 부품을 가지는 검출기이고, InSb-검출기는 InSb 물질의 수광 부품을 가지는 검출기이다.
따라서, 검출기(30)는 명점, 암점, 선불량 등과 같은 결함을 나타내는 화소 내부의 결함부의 위치를 정확하게 파악할 수 있다.
또한, 검출기(30)의 검출한도(수x10-18 ~ 수x10-19 A) 보다 높은 신호를 얻기 위해 결함부에 에너지를 주입하는 점등 조건을 강화 할 수 있다. 이때 화소의 결함부 외의 영역에서의 에너지 방출을 막기 위해 일반적인 구동과 다른 점등 조건을 사용 할 수 있다.
본 실시예에서는 검출기(30)가 스테이지(10)의 상방에 위치하나, 스테이지(10)의 하방에 위치할 수 있으며, 표시 장치(100)의 화소에 대한 광학 검사를 진행하는 광학 현미경(50)도 스테이지(10)의 상방 또는 하방에 위치할 수 있다.
본 실시예에서는 화소에 레이저를 조사하여 화소를 수리하는 레이저 수리기(60)가 스테이지(10)의 상방에 위치하나, 스테이지(10)의 하방에 위치할 수도 있다. 레이저 수리기(60)는 검출기(30)에 의해 정확한 위치가 검출된 화소 내부의 결함부에 레이저를 직접 조사하여 화소를 수리할 수 있다.
검출기(30), 광학 현미경(50) 및 레이저 수리기(60)는 스테이지(10)의 상방 또는 하방에 각각 또는 모두 형성될 수 있으며, 서로 인접하여 설치될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 수리 장치의 검출기로 사용되는 Si-검출기의 파장에 따른 광자 효율 곡선(a) 및 InGaAs-검출기의 파장에 따른 광자 효율 곡선(b)에 대한 그래프이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 수리 장치의 검출기로 사용되는 InSb-검출기의 파장에 따른 광자 효율 곡선(c)에 대한 그래프이다.
도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, Si-검출기는 100nm 내지 1200nm 파장의 광자를 검출할 수 있고, InGaAs-검출기는 800nm 내지 1800nm 파장의 광자를 검출할 수 있으며, InSb-검출기는 3.3㎛ 내지 5.7㎛ 파장의 광자 또는 열을 검출할 수 있다.
검출기(30)가 결함부에서 발생하는 미약한 신호를 수신하기 위해 광차단 박스(40)는 검출기(30)가 검출하는 광자 또는 열의 파장 범위보다 넓은 파장 범위의 광을 차단할 수 있다. 즉, 광차단 박스(40)는 100nm 내지 6㎛의 파장 범위의 광을 차단하는 물질인 철판 등으로 제조할 수 있다. 또한, 광차단 박스(40)는 결함부에서 발생하는 광자 또는 열의 파장 범위와 검출기(30)의 검출 파장 범위를 고려하여 특정 파장만을 차단할 수도 있다.
따라서, 검출기(30)는 결함부에서 발생하는 미약한 광자 또는 열을 외부광의 간섭없이 용이하게 단시간에 검출할 수 있다.
이와 같이, 광학 현미경, 검출기 및 레이저 수리기를 광차단 박스 내부에 모두 설치함으로써, 화소 내부의 결함부의 정확한 위치를 파악하고 레이저 수리기를 이용하여 화소를 정상 화소로 수선하여 수율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 불량의 유형과 관련없이 명점, 암점, 선불량 결함을 가진 화소를 정상 화소로 수리할 수 있으며, 수리 후 점등기로 정상 화소가 되었는 지 여부를 즉시 확인할 수 있어 생산성을 향상시킬 수 있다.
다음으로, 도 1 및 도 2에 도시한 표시 장치의 수리 장치를 이용한 표시 장치의 수리 방법에 대하여 도 5 내지 도 6을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 수리 방법의 순서도이고, 도 6은 광학 현미경을 이용하여 화소 내부에 광학 검사를 진행한 사진이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 검출기를 이용하여 화소 내부의 결함부를 확인한 사진이다.
우선, 도 5에 도시한 바와 같이, 광학 현미경(50)을 이용하여 스테이지(10)에 탑재된 표시 장치(100)에 광학 검사를 진행하여 화소 내부의 결함부를 검출한다(S100).
다음으로, 광학 현미경(50)으로 화소 내부의 결함부가 검출되는 경우에는 즉시 화소 내부의 결함부에 레이저를 조사하여 화소를 수리한다(S200). 그리고, 화소를 수리한 후 점등기(20)를 이용하여 정상 화소 여부를 판단한다(S300).
다음으로, 도 6에 도시한 바와 같이, 광학 현미경(50)으로 화소 내부의 결함부가 검출되지 않는 경우에는 표시 장치(100)에 점등기(20)의 상부 프로브(211)를 접촉시켜 화소에 점등 신호를 인가한다(S400). 점등 신호는 화소 내부의 결함부에서 광자 또는 열을 방출하게 하고, 화소의 발광부에서는 결함부보다 적은 광자 또는 열을 방출하게 하는 신호 조건 또는 발광부에서 미발광하게 하는 신호 조건을 가진다. .
도 8은 유기 발광 표시 장치에 블랙 점등 신호를 인가하였을 때의 전압 관계를 도시한 도면이고, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 수리 방법에 따라 점등 신호를 인가하였을 때의 전압 관계를 도시한 도면이다.
도 8에 도시한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소는 복수의 신호선(Scan[n], Scan[n-1], Vinit, em[n], data, VDD), 복수의 신호선에 연결되어 있는 복수개의 박막 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6), 캐패시터(C1, C2) 및 발광부 즉, 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)를 포함한다.
박막 트랜지스터는 구동 박막 트랜지스터(driving thin film transistor)(T1), 스위칭 박막 트랜지스터(switching thin film transistor)(T2), 보상 박막 트랜지스터(T3), 초기화 박막 트랜지스터(T4), 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5) 및 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)를 포함하며, 캐패시터(Cst, Cb)는 스토리지 캐패시터(storage capacitor)(Cst) 및 부스팅 캐패시터(boosting capacitor)(Cb)를 포함한다. 신호선은 스캔 신호를 전달하는 스캔선(Scan[n]), 초기화 박막 트랜지스터(T4)에 이전 스캔 신호를 전달하는 이전 스캔선(Scan[n-1]), 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5) 및 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)에 발광 제어 신호를 전달하는 발광 제어선(em[n]), 스캔선과 교차하며 데이터 신호를 전달하는 데이터선(data), 구동 전압을 전달하며 데이터선과 거의 평행하게 형성되어 있는 구동 전압선(VDD), 구동 박막 트랜지스터(T1)를 초기화하는 초기화 전압을 전달하는 초기화 전압선(Vinit)을 포함한다. 스위칭 박막 트랜지스터(T2)는 스캔선(121)을 통해 전달받은 스캔 신호에 따라 스위칭 동작을 수행한다. 구동 박막 트랜지스터(T1)는 스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터 신호를 전달받아 유기 발광 다이오드(OLED)에 구동 전류를 공급한다.
구동 박막 트랜지스터(T1)의 드레인 전극은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드(anode)와 전기적으로 연결된다. 그리고 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드(cathode)는 공통 전압(ELVSS)과 연결되어 있다. 이에, 유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 박막 트랜지스터(T1)로부터 구동 전류를 전달받아 발광함으로써 영상을 표시한다.
화소 내부의 결함부를 검출하기 위해서는 화소의 발광부에서는 결함부보다 적은 광자를 방출하게 하는 신호 조건 또는 발광부에서 미발광하게 하는 신호 조건에 해당하는 점등 신호를 표시 장치(100)의 데이터선(data) 또는 구동 전압선(VDD) 등에 인가하고, 화소 내부의 결함부에서는 광자를 방출하게 하는 신호 조건에 해당하는 점등 신호를 표시 장치(100)의 데이터선(data) 또는 구동 전압선(VDD) 등에 인가한다.
즉, 도 8에 도시한 바와 같이, 화소의 발광부에서 미발광하게만 하는 신호 조건에 해당하는 점등 신호(A1, A2, A3)를 표시 장치(100)의 데이터선(data) 또는 구동 전압선(VDD) 등에 인가한 경우에는 화소 내부의 결함부에서는 광자를 방출하지 않는다.
그러나, 도 9에 도시한 바와 같이, 화소의 발광부에서 미발광하게 하는 신호 조건에 해당하는 동시에 화소 내부의 결함부에서는 광자를 방출하게 하는 신호 조건에 해당하는 점등 신호(B1, B2, B3)를 표시 장치(100)의 데이터선(data) 또는 구동 전압선(VDD) 등에 인가한다.
다음으로, 도 7에 나타난 바와 같이, 표시 장치(100)의 상방에 위치한 검출기(30)를 이용하여 광자 또는 열을 검출하여 화소 내부의 결함부(P)의 정확한 위치를 확인한다(S500). 이 때, 표시 장치(100) 및 검출기(30)는 미약한 광자 또는 열을 검출할 수 있도록 외부광이 유입되는 것을 차단하는 광차단 박스(40) 내부에 설치될 수 있으며, 광학 현미경(50), 레이저 수리기(60), 스테이지(10) 및 점등기(20)도 광차단 박스(40) 내부에 설치될 수 있다.
이 때, 표시 장치(100)의 전면에서 광자 또는 열이 검출되지 않는 경우, 표시 장치(100)를 180도 회전시키고 하부 프로브(212)를 이용하여 점등 신호를 인가함으로써 검출기(30)가 표시 장치(100)의 배면에서 광자 또는 열을 검출할 수 있다.
다음으로, 화소 내부의 결함부에 레이저를 조사하여 화소를 수리한다(S600).
다음으로, 화소를 수리한 후 점등기(20)를 이용하여 정상 화소 여부를 판단한다(S700).
이와 같이, 광학 현미경(50)을 이용하여 화소 내부의 결함부의 위치가 보이는 경우에는 즉시 레이저 수리기(60)를 이용하여 화소를 수리하고, 광학 현미경(50)을 이용하여도 화소 내부의 결함부의 위치가 보이지 않는 경우에는 화소 내부의 결함부에서 광자 또는 열을 방출하게 하고, 화소의 발광부에서는 결함부보다 적은 광자 또는 열을 방출하게 하는 신호 조건 또는 발광부에서 미발광하게 하는 신호 조건을 가지는 점등 신호를 결함부에 흘려 광자 또는 열을 발생시키고 검출기(30)를 이용하여 화소 내부의 결함부의 위치를 파악하고 레이저 수리기(60)를 이용하여 화소를 수리할 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
10: 스테이지 20: 점등기
30: 검출기 40: 광차단 박스
50: 광학 현미경 60: 레이저 수리기

Claims (20)

  1. 표시 장치가 탑재되는 스테이지,
    상기 표시 장치에 점등 신호를 인가하는 점등기,
    상기 표시 장치와 이격되어 위치하며 상기 점등 신호에 의해 상기 표시 장치의 화소 내부의 결함부에서 발생하는 광자 또는 열을 검출하는 검출기
    를 포함하고,
    상기 점등 신호는 상기 화소 내부의 결함부에서 광자 또는 열 방출하게 하는 동시에, 상기 화소의 발광부에서 상기 결함부보다 적은 광자 또는 열을 방출하게 하는 신호 조건 또는 상기 발광부에서 미발광하게 하는 신호 조건을 가지는 표시 장치의 수리 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 스테이지 및 검출기를 둘러싸고 있으며 표시 장치로 외부광이 유입되는 것을 차단하는 광차단 박스를 더 포함하는 표시 장치의 수리 장치.
  3. 삭제
  4. 제2항에서,
    상기 검출기는 Si 물질의 수광 부품을 가지는 Si-검출기, InGaAs 물질, GaAs 물질 또는 InGaAsP 물질 중에서 선택된 물질의 수광 부품을 가지는 InGaAs-검출기, InSb 물질의 수광 부품을 가지는 InSb-검출기 중에서 선택된 어느 하나인 표시 장치의 수리 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 광차단 박스는 상기 검출기가 검출하는 상기 광자 또는 열의 파장 범위보다 넓은 파장 범위의 광을 차단하는 표시 장치의 수리 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 검출기는 상기 스테이지의 상방 또는 하방에 위치하는 표시 장치의 수리 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 점등기는
    상기 표시 장치의 패드에 접촉하는 점등 프로브,
    상기 점등 프로브에 인가하는 상기 점등 신호를 발생시키는 점등 신호 발생기를 포함하는 표시 장치의 수리 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 스테이지는
    상기 표시 장치가 반송되는 반송부,
    상기 반송부 내부에 형성되는 개구부에 설치되며 회전하는 회전부
    를 포함하고, 상기 표시 장치는 상기 회전부에 탑재되는 표시 장치의 수리 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 회전부는 상기 반송부와 상기 회전부를 연결하는 회전축을 중심으로 회전하는 표시 장치의 수리 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 점등 프로브는 상기 스테이지의 상부에 위치하는 상부 프로브,
    상기 스테이지의 하부에 위치하는 하부 프로브를 포함하는 표시 장치의 수리 장치.
  11. 제1항 또는 제2항에서,
    상기 표시 장치와 이격되어 위치하며 상기 화소에 레이저를 조사하여 상기 화소를 수리하는 레이저 수리기를 더 포함하는 표시 장치의 수리 장치.
  12. 제1항에서,
    상기 스테이지의 상방 또는 하방에 위치하며, 상기 표시 장치의 화소에 대한 광학 검사를 진행하는 광학 현미경을 더 포함하는 표시 장치의 수리 장치.
  13. 제11항에서,
    상기 스테이지의 상방 또는 하방에 위치하며, 상기 표시 장치의 화소에 대한 광학 검사를 진행하는 광학 현미경을 더 포함하는 표시 장치의 수리 장치.
  14. 광학 현미경을 이용하여 스테이지에 탑재된 표시 장치에 광학 검사를 진행하여 화소 내부의 결함부를 검출하는 단계,
    상기 광학 현미경으로 상기 화소 내부의 결함부가 검출되지 않는 경우에는 상기 표시 장치에 점등기를 접촉시켜 상기 화소에 점등 신호를 인가하여 상기 화소 내부의 결함부에서 광자 또는 열을 발생시키는 단계,
    검출기를 이용하여 상기 광자 또는 열을 검출하여 상기 화소 내부의 결함부를 확인하는 단계,
    상기 화소 내부의 결함부에 레이저를 조사하여 상기 화소를 수리하는 단계
    를 포함하고,
    상기 점등 신호는 상기 화소 내부의 결함부에서 광자 또는 열을 방출하게하는 동시에, 상기 화소의 발광부에서 상기 결함부보다 적은 광자 또는 열을 방출하게 하는 신호 조건 또는 상기 발광부에서 미발광하게 하는 신호 조건을 가지는 표시 장치의 수리 방법.
  15. 제14항에서,
    상기 표시 장치 및 상기 검출기는 외부광이 유입되는 것을 차단하는 광차단 박스 내부에 설치되는 표시 장치의 수리 방법.
  16. 삭제
  17. 제15항에서,
    상기 검출기는 Si 물질의 수광 부품을 가지는 Si-검출기, InGaAs 물질, GaAs 물질 또는 InGaAsP 물질 중에서 선택된 물질의 수광 부품을 가지는 InGaAs-검출기, InSb 물질의 수광 부품을 가지는 InSb-검출기 중에서 선택된 어느 하나인 표시 장치의 수리 방법.
  18. 제17항에서,
    상기 표시 장치를 180도 회전시켜 상기 표시 장치의 배면에서 발생하는 미세광자 또는 열을 검출하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 수리 방법.
  19. 제18항에서,
    상기 화소를 수리한 후 상기 점등기를 이용하여 정상 화소 여부를 판단하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 수리 방법.
  20. 제19항에서,
    상기 광학 현미경으로 상기 화소 내부의 결함부가 검출되는 경우에는 즉시 상기 화소 내부의 결함부에 레이저를 조사하여 상기 화소를 수리하는 표시 장치의 수리 방법.
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