TWI516831B - 顯示裝置之修復設備及其修復方法 - Google Patents

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TWI516831B
TWI516831B TW102122313A TW102122313A TWI516831B TW I516831 B TWI516831 B TW I516831B TW 102122313 A TW102122313 A TW 102122313A TW 102122313 A TW102122313 A TW 102122313A TW I516831 B TWI516831 B TW I516831B
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朴英吉
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三星顯示器有限公司
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Description

顯示裝置之修復設備及其修復方法
所描述的技術大致係關於顯示裝置之修復設備及其修復方法。
一般而言，如液晶顯示器(LCD)、有機發光二極體(OLED)顯示器、及其相似物之顯示裝置係藉由層疊複數個薄膜與導線形成。此顯示裝置可能包含含有於製造製程期間形成於薄膜上之雜質或顆粒之像素或具有短路於導線中。
揭露於背景章節之上述資訊係僅用來加強對所述技術之背景的理解，可能因此包含未構成國內技術領域具有通常知識者已知的先前技術之資訊。
所述技術致力於提供可修復具無法以光學顯微鏡判定之缺陷之像素為正常像素之顯示裝置的修復設備，及其修復方法。
根據例示性實施例之顯示裝置之修復設備包含：顯示裝置安裝於其上之座台；施加發光訊號至顯示裝置之發光裝置；以及設置距顯示裝置一距離且偵測從顯示裝置之像素之缺陷部產生的光或熱之偵測器。
修復設備可更包含：圍繞座台及偵測器，並阻擋外部光進入顯示裝置之光阻擋箱。
發光訊號可具有造成從顯示裝置之像素之缺陷部發射光或熱，並同時造成光或熱之發射小於像素之發光單元之訊號條件或造成發光單元不發光之訊號條件。
偵測器可選自具有以矽材料形成之光接收部之矽-偵測器、具有以砷化鎵銦材料、砷化鎵材料、或銦鉫砷磷材料形成之光接收部之砷化鎵銦-偵測器、以及具有以銻化銦材料形成之光接收部之銻化銦-偵測器之一。
光阻擋箱可阻擋較由偵測器偵測之光或熱之波長範圍寬的波長範圍之光。
偵測器可設置於座台之上側或下側。
發光裝置可包含接觸顯示裝置之墊片之發光探針以及產生施加於發光探針之發光訊號之發光訊號產生器。
座台可包含：運送顯示裝置之運送單元；以及提供於形成於運送單元之開口中並旋轉之旋轉單元，顯示裝置係安裝於旋轉單元中。
旋轉單元可相對於連接運送單元及旋轉單元之旋轉軸而轉動。
發光探針可更包含設置於座台之上側之上探針以及設置於座台之下側之下探針。
修復設備可更包含：設置於距顯示裝置一距離，並藉由雷射光束修復像素之雷射修復裝置。
修復設備可更包含：設置於座台之上側或下側，並對顯示裝置之像素執行光學測試之光學顯微鏡。
根據另一例示性實施例之修復顯示裝置之方法，其包含：藉由使用光學顯微鏡於安裝於座台之顯示裝置執行光學測試以偵測於像素中之缺陷部；當於像素中的缺陷部無法使用光學顯微鏡偵測時，藉由使發光裝置接觸顯示裝置而施加發光訊號至該像素而使自該像素之缺陷部發出光或熱；藉由使用偵測器偵測光或熱而判定於像素中的缺陷部；以及藉由照射雷射光束至像素中的缺陷部而修復像素。
顯示裝置與偵測器可提供於阻擋外部光進入之光阻擋箱中。
發光訊號可具有造成自顯示裝置之像素之缺陷部發射光或熱，並同時造成自該像素之發光單元發射小於缺陷部之光或熱之訊號條件或造成發光單元不發光之訊號條件。
偵測器可選自具有以矽材料形成之光接收部之矽-偵測器、具有以砷化鎵銦材料、砷化鎵材料、或銦鉫砷磷材料形成之光接收部之砷化鎵銦-偵測器、以及具有以銻化銦材料形成之光接收部之銻化銦-偵測器之一。
修復顯示裝置之方法可更包含藉由旋轉顯示裝置180度而偵測從顯示裝置之底側產生之光或熱。
修復顯示裝置之方法可更包含修復像素且而後使用發光裝置判定修復之像素是否正常。
當於像素中之缺陷部係使用光學顯微鏡而被偵測時，像素可藉由 照射雷射光束至像素中之缺陷部而修復。
根據本發明，光學顯微鏡、偵測器以及雷射修復裝置係提供於光阻擋箱中，使無法用光學顯微鏡偵測之缺陷部可使用偵測器偵測，且像素可使用雷射修復裝置修復成正常像素，因此可改進良率。
此外，包含如亮點、暗點、壞線及其相似物之缺陷之像素不論缺陷種類皆可修復成正常像素，且於修復後，修復之像素可藉由使用發光裝置判定是否正常，從而改進產率。
10‧‧‧座台
11‧‧‧運送單元
11a‧‧‧開口
12‧‧‧旋轉單元
13‧‧‧旋轉軸
20‧‧‧發光裝置
30‧‧‧偵測器
40‧‧‧光阻擋箱
50‧‧‧光學顯微鏡
60‧‧‧雷射修復裝置
21‧‧‧發光探針
22‧‧‧發光訊號產生器
100‧‧‧顯示裝置
110‧‧‧墊片
211‧‧‧上探針
212‧‧‧下探針
C1‧‧‧儲存電容
C2‧‧‧升壓電容
T1‧‧‧驅動薄膜電晶體
T2‧‧‧開關薄膜電晶體
T3‧‧‧補償薄膜電晶體
T4‧‧‧初始化薄膜電晶體
T5‧‧‧第一發光控制薄膜電晶體
T6‧‧‧第二發光控制薄膜電晶體
P‧‧‧缺陷部
Vinit‧‧‧初始化電壓線
data‧‧‧資料線
Scan[n]‧‧‧掃描線
Scan[n-1]‧‧‧前掃描線
em[n]‧‧‧發光訊號控制線
OLED‧‧‧有機發光二極體
VDD‧‧‧驅動電壓線
VSS‧‧‧共同電壓線
S100~S700‧‧‧步驟
A1~A3、B1~B3‧‧‧發光訊號
(a)、(b)、(c)‧‧‧光效率曲線
本發明之更完整應用及其許多優點將變得顯而易見，同時藉由參考下列詳細說明並結合附圖而變的更好理解，其中相似參考符號表示相同或相似元件，其中：第1圖係根據例示性實施例之顯示裝置之修復設備之示意圖。
第2圖係根據例示性實施例之顯示裝置之修復設備之座台之俯視圖。
第3圖係描繪根據依據例示性實施例用作為顯示裝置之修復設備之偵測器之矽-偵測器之波長之光效率曲線(a)及砷化鎵銦-偵測器之波長之光效率曲線(b)之圖。
第4圖係根據依據例示性實施例用作為顯示裝置之修復設備之偵測器之銻化銦-偵測器之光效率曲線(c)之圖。
第5圖係根據例示性實施例之顯示裝置之修復方法之流程圖。
第6圖係說明用光學顯微鏡於像素中執行之光學測試的照片。
第7圖係使用根據例示性實施例之偵測器偵測像素中之缺陷部的照片。
第8圖呈現施加黑發光訊號至有機發光二極體(OLED)顯示器之電壓關係。
第9圖呈現根據例示性實施例之當依顯示裝置之修復方法施加發光訊號時的電壓關係。
本發明將參考顯示本發明例示性實施例之附圖而於下文更完整說明。技術領域具通常知識者將理解的是，所述實施例可以多種不同方式修改而不脫離本發明之精神與範疇。
圖式與說明本質上為說明而非限制性。全說明書中相似參考數碼表示相似元件。於圖式中，層與區域之尺寸與相對大小可為了清晰而誇大。
可以理解的是，當一元件或層被說明為”在上(on)”、”連接至(connect to)”或耦接至(coupled to)”另一元件或層時，其可以是直接在上、連接至或耦接至另一元件或層，或是可存在中介元件或層。相反地，當一元件或層被說明為”直接在上(directly on)”、”直接連接至(directly connect to)”或”直接耦接至(directly coupled to)”另一元件或層時，則不存在中介元件或層，通篇說明書中，相同或相似之符號代表相同或相似之元件，如同在文中所述，”及/或(and/or)”包括了一或多個相關表列物件之任何及所有的組合。
可以理解的是，雖然在文中使用了”第一”、”第二”、”第三 ”等等以表示不同的元件(element)、構件(component)、區域(region)、層(layer)、圖樣及/或段部(section)，這些元件、構件、區域、層、圖樣及/或段部並不被這些詞彙所限定，這些詞彙僅係用以區別一元件、構件、區域、層、圖樣及/或段部與另一區域、層、圖樣及/或段部。因此，以下討論之第一元件、構件、區域、層或段部亦可被稱為第二元件、構件、區域、或段部，而不脫離例示性實施例之教示。
空間相對詞彙，如”下面(beneath)”、”於下(below)”、”低於(lower)”、”於上(above)”、”高於(upper)”和類似詞彙等，可用於本文中以使說明如圖式所示之一元件或特徵相對於另一元件或特徵時之描述較為容易。可以理解的是，除了如圖所示之方位外，空間相對詞彙意圖包含裝置在使用或操作中的不同方位。舉例來說，假設將圖式中之元件被上下顛倒時，原被描述為”於下”或”朝下”於另一元件或特徵之元件將會轉向為”於上”於另一元件或特徵。因此，範例詞彙”在下”可以包含上和下兩個方位。裝置可以轉向不同的方位(旋轉90度或其他方向)，本文中所使用之空間相對描述據此解釋。
在本文中使用之詞語(terminology)係僅用以描述特定範例實施例而不意圖限制本發明。如用於本文中，除非文中清楚的為相反表示，單數的形式”一(a)”、”一(an)”和”此(the)”意圖亦包含複數的形式。可以更了解的是，當說明書中使用”包含(comprises)”及/或”包含(comprising)”時，係用以說明特徵狀態(stated feature)、整體(integer)、步驟(step)、操作(operation)、元件及/或構件之存在，但不排除存在有或增加一 或更多其他之特徵、整體、步驟、操作、元件、構件及/或群組(group)。
範例實施例藉參照為本發明概念之說明性理想化範例實施例(及中間結構)之概要繪示之剖面繪示圖描述於本文中。因此，例如製造技術及/或容許誤差(tolerance)導致之繪示之形狀的變化係可預期的。因此，範例實施例不應被解釋為受到文中描繪之區域之特殊外型限制，而應該包括例如製造時導致之外型上的改變。圖式中繪示之區域本質上為概要性的，且其形狀不意圖描繪裝置之區域的真實形狀且不意圖限制本發明概念之範圍。
除非另外定義，此處使用的所有詞彙(包含技術與科學詞彙)具有與本發明概念所屬技術領域中具通常知識者一般理解相同之意義。將進一步理解的是，於一般所使用的字典所定義的那些詞語應被理解為具有與相關領域的內容一致的意思，且除非明顯地定義於此，否則將不以理想化或過度正式的意思理解。
通常，利用漏電流之相對尺寸或使用光學顯微鏡之發光測試以偵測此種像素。亦即，光學顯微鏡係用於尋找缺陷如於像素中之雜質或顆粒或導線中之短路，並修復缺陷部份。然而，當雜質或顆粒太小以致無法透過光學顯微鏡發現或於導線中發生短路時，像素中之缺陷部之精確位置無法被偵測，因此像素無法被適當地修復。
根據例示性實施例之顯示裝置之修復設備將參考第1圖及第2圖而更加詳細地說明。
第1圖係根據例示性實施例之顯示裝置之修復設備之示意圖，且 第2圖係根據例示性實施例之顯示裝置之修復設備之座台之俯視圖。
如第1圖及第2圖所示，根據例示性實施例之顯示裝置之修復設備包含顯示裝置100可安置於其中之座台10、施加發光訊號至顯示裝置100之發光裝置20、設置於距顯示裝置100一距離並藉由產生於發光裝置20之發光訊號偵測產生自顯示裝置100之像素之缺陷部的光或熱之偵測器30、以及圍繞座台10及偵測器30且並阻擋外部光進入顯示裝置100之光阻擋箱40。
座台10包含運送顯示裝置100之運送單元11以及提供於形成於運送單元11之開口11a並旋轉之旋轉單元12。
顯示裝置100可為平板顯示裝置，如液晶顯示器(LCD)、有機發光二極體(OLED)顯示器、及其相似物，且顯示裝置100可安裝於旋轉單元12。旋轉單元12相對於連接運送單元11與旋轉單元12之旋轉軸13轉動。
發光裝置20包含接觸顯示裝置100之墊片110之發光探針21與產生施加至發光探針21之發光訊號之發光訊號產生器22。發光探針21包含提供於座台10上側之上探針211及提供於座台10下側之下探針212。當顯示裝置100之墊片110向上面對可提供之偵測器30時，上探針211可為接觸顯示裝置100之墊片110之發光探針，且當顯示裝置100之墊片110係藉由旋轉單元12反轉而因此面對朝下時，下探針212可為接觸顯示裝置100之墊片110之發光探針。
當顯示裝置100之前側沒有偵測到光時，顯示裝置100可旋轉180度，且可使用下探針212施加發光訊號，使偵測器30於顯示裝置 100之底側可偵測光或熱。
施加至顯示裝置100之發光訊號透過發光探針21注入像是電流之能量至顯示裝置之像素之缺陷部。於此例中，注入之能量可於缺陷部部分損失，損失的能量可作為光或熱能發射至外部。
偵測器30可藉由偵測發出的光或熱能而偵測像素中缺陷部之位置。亦即，偵測器30包含如光電二極體之光接收元件。光接收元件吸收發出的光或熱能並將吸收的能量轉換成電流。當沒有外部光時，因為暗電流，即從光電二極體自身產生之電流，可介於1x10-15A至1x10-19A，其小於傳統偵測器之暗電流，偵測器30可偵測微量發射能量。
偵測器30可為可選擇性偵測預定波長範圍之能量以增加發射的光或熱之接收速率之各種偵測器。亦即，偵測器30可選自可偵測波長約100nm至1200nm的光之矽-偵測器、可偵測波長約800nm至1800nm的光之砷化鎵銦-偵測器、及可偵測波長約3.3μm至5.7μm的光或熱之銻化銦-偵測器。
矽-偵測器可為具有以矽材料形成之光接收部之偵測器，砷化鎵銦-偵測器可為具有以砷化鎵銦材料、砷化鎵、或銦鉫砷磷材料形成之光接收部之偵測器，銻化銦-偵測器可為具有以銻化銦材料形成之光接收部之偵測器。
因此，偵測器30可偵測包含如亮點、暗點、壞線及其相似物之像素之缺陷部之精確位置。
此外，用以注入能量至缺陷部之發光條件可被強化以取得較偵測限制(即某數x10-19A至某數x10-18A)高的訊號。於此例中， 可不同於標準發光條件之發光條件可使用以預防除像素之缺陷部外之其他區域發射能量。
雖然於本例示性實施例中偵測器30可提供於座台10之上側，但偵測器30可提供於座台10之下側，且對顯示裝置100之像素進行光學偵測之光學顯微鏡50可提供於座台10之上側或下側。
於本例示性實施例中，藉由照射雷射光束修復像素之雷射修復裝置60可提供於座台10之上側，但雷射修復裝置60可提供於座台10之下側。當缺陷部之精確位置可藉由偵測器30偵測時，雷射修復裝置60可藉由直接照射雷射光束至像素中之缺陷部而修復像素。
偵測器30、光學顯微鏡50、及雷射修復裝置60可全部提供於座台10之上側或下側，且可彼此相鄰設置。
第3圖係根據依據例示性實施例用作為顯示裝置之修復設備之偵測器之矽-偵測器之波長之光效率曲線(a)及砷化鎵銦-偵測器之波長之光效率曲線(b)之圖，且第4圖係根據例示性實施例之根據依據用作為顯示裝置之修復設備之偵測器之銻化銦-偵測器之光效率曲線(c)之圖。
如第3圖與第4圖所示，矽-偵測器可偵測100nm至1200nm之波長之光，砷化鎵銦-偵測器可偵測800nm至1800nm之波長之光，而銻化銦-偵測器可偵測3.3μm至5.7μm之波長之光。
為了接收從缺陷部產生之微弱訊號，偵測器30可阻擋較由偵測器30偵測之光或熱之波長範圍寬之波長範圍。亦即，光阻擋箱40可用可為阻擋100nm至6μm波長範圍之光的材料之不銹鋼板製成。此外，考量從缺陷部產生之光或熱之波長範圍及偵測器30之偵測 波長範圍，光阻擋箱40可阻擋特定波長的光。
因此，偵測器30可於短時間週期內輕易偵測從缺陷部產生之微量光或熱而不受外部光影響。
如上所述，光學顯微鏡，偵測器，及雷射修復裝置係提供於光阻擋箱中，使無法由光學顯微鏡偵測之缺陷部可使用偵測器偵測，且像素可使用雷射修復裝置修復成正常像素，因此可改進良率。
此外，包含如亮點、暗點、壞線及其相似物之缺陷之像素，不論缺陷種類皆可修復成正常像素，於修復後，修復之像素可藉由使用發光裝置被判定是否正常，從而改進產率。
接著，使用示於第1圖與第2圖之顯示裝置之修復設備以修復顯示裝置之方法將參考第5圖及第6圖而更進一步說明。
第5圖係根據例示性實施例之顯示裝置之修復方法之流程圖，第6圖係是用光學顯微鏡於像素中執行之光學測試之照片，以及第7圖係根據例示性實施例之使用偵測器判定像素中之缺陷部的照片。
首先，如第5圖所示，可使用光學顯微鏡50於安裝於座台10之顯示裝置100中執行光學測試以偵測於像素中之缺陷部(S100)。
接著，當缺陷部係使用光學顯微鏡50於像素中偵測時，像素可藉由照射雷射光束至於像素中之缺陷部而修復(S200)。此外，像素可被修復，且而後可使用發光裝置20判定像素是否正常(S300)。
接著，如第6圖所示，當缺陷部不藉由光學顯微鏡50於像素中偵 測時，藉由使發光裝置20之上探針211接觸顯示裝置100可施加發光訊號至像素(S400)。像素之缺陷部藉由發光訊號發出光或熱，且像素之發光單元具有造成發出較缺陷部少的光之訊號條件或造成發光單元不發光之訊號條件。
第8圖呈現於施加黑發光訊號至有機發光二極體(OLED)顯示器之電壓關係，且第9圖呈現根據例示性實施例之當依據用於修復顯示裝置之方法施加發光訊號時的電壓關係。
如第8圖所示，有機發光二極體顯示器的一個像素包含複數條訊號線Sacn[n]、Scan[n-1]、Vinit、em[n]、data、及VDD；分別連接至複數條訊號線之複數個薄膜電晶體T1、T2、T3、T4、T5及T6；電容C1及C2、發光單元以及有機發光二極體(OLED)。
薄膜電晶體包含驅動薄膜電晶體T1、開關薄膜電晶體T2、補償薄膜電晶體T3、初始化薄膜電晶體T4、第一發光控制薄膜電晶體T5及第二發光控制薄膜電晶體T6，且電容C1及C2包含儲存電容C1及升壓電容C2。訊號線包含傳輸掃描訊號之掃描線Scan[n]、傳輸前掃描訊號之前掃描線Scan[n-1]、傳輸發光控制訊號至第一發光控制薄膜電晶體T5與第二發光控制薄膜電晶體T6之發光訊號控制線em[n]、與掃描線相交並傳輸資料訊號之資料線data、幾乎與資料線平行形成並傳輸資料電壓之驅動電壓線VDD、以及傳輸用以初始化驅動薄膜電晶體T1之初始化電壓之初始化電壓線Vinit。開關薄膜電晶體T2根據透過掃描線Scan[n]傳輸之掃描訊號而執行開關作動。驅動薄膜電晶體T1根據開關薄膜電晶體T2之開關作動接收資料訊號並施加驅動電流至有機發光二極體OLED。
驅動薄膜電晶體T1之汲極電極可電性連接至有機發光二極體OLED之陽極。此外，有機發光二極體OLED之陰極可連接至共同電壓線VSS。因此，有機發光二極體OLED藉由從驅動薄膜電晶體T1接收驅動電流而發光，從而顯示影像。
為了偵測像素中的缺陷部，像素之發光單元施加發光訊號，其對應至造成發出較缺陷部少的光之訊號條件或造成發光單元不發光之訊號條件，至顯示裝置100之資料線data或驅動電壓線VDD，及施加發光訊號，其對應至造成從像素中之缺陷部發光的訊號條件，至顯示裝置100之資料線data或驅動電壓線VDD。
亦即，如第8圖所示，當對應至造成像素之發光單元不發光之訊號條件之發光訊號A1、A2及A3被施加至顯示裝置100之資料線data或驅動電壓線VDD時，像素中之缺陷部不發光。
然而，如第9圖所示，對應至造成像素之發光單元不發光之訊號條件，且同時對應至造成像素之缺陷部發光之訊號條件之發光訊號B1、B2及B3被施加至顯示裝置100之資料線data或驅動電壓線VDD。
接著，如第7圖所示，像素之缺陷部P之精確位置可藉由使用設置於顯示裝置100之上側之偵測器30偵測光或熱而判定(S500)。於此例中，顯示裝置100及偵測器30可提供於阻擋外部光進入之光阻擋箱40中，從而偵側微弱的光或熱，且光學顯微鏡50、雷射修復裝置60、座台10及發光裝置20可提供於光阻擋箱40中。
於此例中，當於顯示裝置100之前側未偵測到光或熱時，顯示裝置100可旋轉180度，且可藉由使用用於偵測器30之下探針212而 施加發光訊號至顯示裝置100，以於顯示裝置100之底側偵測光或熱。
接著，像素可藉由照射雷射光束於像素之缺陷部而修復(S600)。
接著，於像素修復後，可使用發光裝置20判定像素是否正常(S700)。
如前所述，當像素中之缺陷部之位置可使用光學顯微鏡50而偵測時，像素可藉由使用雷射修復裝置60而修復。當像素中之缺陷部之位置無法使用光學顯微鏡50而偵測時，可控制缺陷部發出光與熱，且像素之發光單元自發光單元流出具有造成發出的光與熱小於缺陷部之訊號條件或造成發光單元不發光之訊號條件的發光訊號至用以發出光與熱之缺陷部。而後，像素中之缺陷部之位置可接由使用偵測器30而被偵測，且像素可使用雷射修復裝置60修復。
雖然本揭露已結合當前考量的實際例示性實施例而說明，要理解的是，本發明不受限於所揭露之實施例，而相反的，其意圖涵蓋各種修改與等效置換於以下申請專利範圍之精神與範疇中。
10‧‧‧座台
11‧‧‧運送單元
11a‧‧‧開口
12‧‧‧旋轉單元
13‧‧‧旋轉軸
20‧‧‧發光裝置
30‧‧‧偵測器
40‧‧‧光阻擋箱
50‧‧‧光學顯微鏡
60‧‧‧雷射修復裝置
21‧‧‧發光探針
22‧‧‧發光訊號產生器
100‧‧‧顯示裝置
110‧‧‧墊片
211‧‧‧上探針
212‧‧‧下探針

Claims (17)

  1. 一種顯示裝置之修復設備，其包含：一座台，一顯示裝置安裝於其上，該座台包含：一運送單元，係運送該顯示裝置；以及一旋轉單元，係提供於形成於該運送單元之一開口中並旋轉，該顯示裝置係安裝於該旋轉單元中；一發光裝置，係施加一發光訊號至該顯示裝置；一偵測器，係設置距該顯示裝置一距離且偵測從該顯示裝置之一像素中之一缺陷部產生的光或熱；以及一雷射修復裝置，設置於距該顯示裝置一距離，並藉由雷射光束修復該像素。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之修復設備，更包含：一光阻擋箱，圍繞該座台及該偵測器，並阻擋外部光進入該顯示裝置。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之修復設備，其中該發光訊號具有造成從該顯示裝置之該像素之該缺陷部發射光或熱，並同時造成該像素之一發光單元發射小於該缺陷部的光或熱之一訊號條件或造成該發光單元不發光之一訊號條件。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之修復設備，其中該偵測器係選自具有以矽材料形成之一光接收部之一矽-偵測器、具有以砷化鎵銦材料、砷化鎵材料或銦鉫砷磷材料形成之一光接收部之一砷化鎵銦-偵測器、以及具有以銻化銦材料形成之一光接收部之一銻化 銦-偵測器的其中之一。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之修復設備，其中該光阻擋箱阻擋較由該偵測器偵測之光或熱之波長範圍寬的波長範圍之光。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之修復設備，其中該偵測器係設置於該座台之一上側或一下側。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之修復設備，其中該發光裝置包含接觸該顯示裝置之一墊片之一發光探針以及產生施加於該發光探針之該發光訊號之一發光訊號產生器。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之修復設備，其中該旋轉單元相對於連接該運送單元及該旋轉單元之一旋轉軸而轉動。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之修復設備，其中該發光探針更包含設置於該座台之一上側之一上探針以及設置於該座台之一下側之一下探針。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之修復設備，更包含：一光學顯微鏡，係設置於該座台之一上側或一下側，並對該顯示裝置之該像素執行一光學測試。
  11. 一種修復顯示裝置之方法，其包含：藉由使用一光學顯微鏡於安裝於一座台之一顯示裝置執行一光學測試以偵測於一像素中之一缺陷部；當於該像素中的該缺陷部無法使用該光學顯微鏡偵測時，藉由使一發光裝置接觸該顯示裝置而施加一發光訊號至該像素而使自該像素之該缺陷部發出光或熱；藉由使用一偵測器偵測光或熱而判定於該像素中的該缺陷部；以及藉由照射雷射光束至該像素中的該缺陷部而修復該像素； 其中該座台包含：一運送單元，係運送該顯示裝置；以及一旋轉單元，係提供於形成於該運送單元之一開口中並旋轉，該顯示裝置係安裝於該旋轉單元中。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之用於修復顯示裝置之方法，其中該顯示裝置與該偵測器係提供於阻擋外部光進入之一光阻擋箱中。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之修復顯示裝置之方法，其中該發光訊號具有造成自該顯示裝置之該像素之該缺陷部發射光或熱，並同時造成自該像素之一發光單元發射小於缺陷部之光或熱之一訊號條件或造成該發光單元不發光之一訊號條件。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之修復顯示裝置之方法，其中該偵測器係選自具有以矽材料形成之一光接收部之一矽-偵測器、具有以砷化鎵銦材料、砷化鎵材料、或銦鉫砷磷材料形成之一光接收部之一砷化鎵銦-偵測器、以及具有以銻化銦材料形成之一光接收部之一銻化銦-偵測器的其中之一。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之修復顯示裝置之方法，更包含藉由旋轉該顯示裝置180度而偵測從該顯示裝置之一底側產生之光或熱。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之修復顯示裝置之方法，更包含修復該像素且而後使用該發光裝置判定該修復之像素是否正常。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之修復顯示裝置之方法，其中當於該像素中之該缺陷部係使用該光學顯微鏡而被偵測時，該像素係藉由照射雷射光束至該像素中之該缺陷部而修復。
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