CN103680366B - 显示装置的修复设备及其修复方法 - Google Patents

显示装置的修复设备及其修复方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103680366B
CN103680366B CN201310305735.0A CN201310305735A CN103680366B CN 103680366 B CN103680366 B CN 103680366B CN 201310305735 A CN201310305735 A CN 201310305735A CN 103680366 B CN103680366 B CN 103680366B
Authority
CN
China
Prior art keywords
display device
detector
pixel
light
photon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310305735.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103680366A (zh
Inventor
朴英吉
李在�
李在一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN103680366A publication Critical patent/CN103680366A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103680366B publication Critical patent/CN103680366B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306—Details
    • G02F1/1309—Repairing; Testing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/08—Fault-tolerant or redundant circuits, or circuits in which repair of defects is prepared
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/861—Repairing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49004—Electrical device making including measuring or testing of device or component part
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/51—Plural diverse manufacturing apparatus including means for metal shaping or assembling

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Abstract

本发明公开显示装置的修复设备及其修复方法。显示装置的该修复设备包括：载物台，该载物台安装有显示装置；点燃装置，用于向显示装置施加点燃信号；以及探测器，探测器被布置在距显示装置一定距离处，并且用于探测从显示装置的像素中的缺陷部分中产生的光子或热量。该修复设备可以进一步包括光学显微镜和激光修复装置。光学显微镜、探测器和激光修复装置被提供在光屏蔽盒中，使得光学显微镜无法探测到的缺陷部分能够使用探测器探测到，并且能够使用该激光修复装置将该像素修复为正常像素，因此能够提高产量。

Description

显示装置的修复设备及其修复方法
技术领域
所描述的技术一般涉及显示装置的修复设备及其修复方法。
背景技术
一般而言，诸如液晶显示器（LCD）、有机发光二极管（OLED）显示器等之类的显示装置通过层叠多个薄膜和布线而形成。这种显示装置可能包括含有在制造工艺期间形成于薄膜上的杂质或粒子或者在布线中具有短路的像素。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对所描述技术的背景的理解，因此它可能包含并不构成本国内对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
所描述的技术致力于提供一种显示装置的修复设备及其修复方法，该修复设备能够将具有光学显微镜无法确定的缺陷的像素修复为正常像素。
根据示例性实施例的一种显示装置的修复设备，包括：载物台，所述载物台安装有显示装置；点燃装置，用于向所述显示装置施加点燃信号；以及探测器，所述探测器被布置在距所述显示装置一定距离处，并且用于探测从所述显示装置的像素中的缺陷部分产生的光子或热量。
所述修复设备可以进一步包括环绕所述载物台和所述探测器并且屏蔽外部光引入所述显示装置内的光屏蔽盒。
所述点燃信号可以具有使从所述像素的缺陷部分发射光子或热量的信号条件，并且同时具有使所述像素的发光单元发射比所述缺陷部分少的光子或热量或者使所述发光单元不发光的信号条件。
所述探测器可以是从Si探测器、InGaAs探测器和InSb探测器中选择出的一种，所述Si探测器具有由Si材料形成的光接收部分，所述InGaAs探测器具有由InGaAs材料、GaAs材料或InGaAsP材料形成的光接收部分，并且所述InSb探测器具有由InSb材料形成的光接收部分。
所述光屏蔽盒可以屏蔽具有比所述探测器所探测的光子或热量的波长范围宽的波长范围的光。
所述探测器可以被布置在所述载物台的上侧或下侧。
所述点燃装置可以包括与所述显示装置的焊盘相接触的点燃探针以及生成向所述点燃探针施加的点燃信号的点燃信号发生器。
所述载物台可以包括：承载所述显示装置的承载单元；以及提供在形成于所述承载单元中的开口中并且进行旋转的旋转单元，而且所述显示装置可以被安装在所述旋转单元中。
所述旋转单元可以相对用于连接所述承载单元和所述旋转单元的旋转轴进行旋转。
所述点燃探针可以进一步包括布置在所述载物台的上侧的上探针和布置在所述载物台的下侧的下探针。
所述修复设备可以进一步包括：布置在距所述显示装置一定距离处并且通过照射激光束来修复所述像素的激光修复装置。
所述修复设备可以进一步包括：布置在所述载物台的上侧或下侧并且针对所述显示装置的像素执行光学测试的光学显微镜。
根据另一示例性实施例的一种用于修复显示装置的方法，包括：通过使用光学显微镜对安装在载物台中的显示装置执行光学测试来探测像素中的缺陷部分；当通过使用所述光学显微镜没有探测到所述像素中的所述缺陷部分时，通过使点燃装置与所述显示装置相接触向所述像素施加点燃信号，用于从所述像素中的缺陷部分发射光子或热量；通过使用探测器探测所述光子或热量来确定所述像素中的缺陷部分；以及通过向所述像素中的缺陷部分照射激光束来修复所述像素。
所述显示装置和所述探测器可以被提供在用于屏蔽外部光进入的光屏蔽盒中。
所述点燃信号可以具有使从所述像素中的缺陷部分发射光子或热量的信号条件，并且同时具有使所述像素的发光单元发射比所述缺陷部分少的光子或热量或者使所述发光单元不发光的信号条件。
所述探测器可以是从Si探测器、InGaAs探测器和InSb探测器中选择出的一种，所述Si探测器具有由Si材料形成的光接收部分，所述InGaAs探测器具有由InGaAs材料、GaAs材料或InGaAsP材料形成的光接收部分，并且所述InSb探测器具有由InSb材料形成的光接收部分。
所述用于修复显示装置的方法可以进一步包括通过使所述显示装置旋转180度来探测从所述显示装置的底侧产生的光子或热量。
所述用于修复显示装置的方法可以进一步包括修复所述像素，然后使用所述点燃装置来确定修复后的像素是否正常。
当使用所述光学显微镜探测到所述像素中的缺陷部分时，可以通过向所述像素中的缺陷部分照射激光束来修复所述像素。
根据本发明，所述光学显微镜、所述探测器和所述激光修复装置被提供在所述光屏蔽盒中，使得光学显微镜无法探测到的缺陷部分能够使用探测器探测到，并且能够使用所述激光修复装置将像素修复为正常像素，因此能够提高产量。
另外，包括诸如亮斑、暗斑和线路故障之类的缺陷的像素，能够被修复为正常像素，而与缺陷类型无关，并且修复后的像素能够在修复之后通过使用点燃装置来确定是否正常，从而提高产率。
附图说明
由于通过参考以下详细描述在结合附图考虑时，本发明变得更好理解，因此本发明的更完整了解及其伴随的诸多优点会更容易明白，在附图中相同的附图标记是指相同或相似的组件，附图中：
图1是根据一示例性实施例的显示装置的修复设备的示意图。
图2是根据该示例性实施例的显示装置的修复设备的载物台的俯视平面图。
图3是例示根据Si探测器的波形的光子效率曲线（a）和根据InGaAs探测器的波形的光子效率曲线（b）的曲线图，其中Si探测器和InGaAs探测器用作根据该示例性实施例的显示装置的修复设备的探测器。
图4是例示根据InSb探测器的波形的光子效率曲线（c）的曲线图，其中InSb探测器用作根据该示例性实施例的显示装置的修复设备的探测器。
图5是根据该示例性实施例的显示装置的修复方法的流程图。
图6是例示使用光学显微镜在像素中执行的光学测试的照片。
图7是根据示例性实施例使用探测器探测到像素中的缺陷部分的照片。
图8示出向有机发光二极管（OLED）显示器施加黑色点燃信号时的电压关系。
图9示出依照根据该示例性实施例的显示装置的修复方法施加点燃信号时的电压关系。
具体实施方式
以下将参照附图更充分地描述本发明，附图中示出本发明的示例性实施例。本领域技术人员将会意识到，可以以各种不同的方式对所描述的实施例进行修改，完全不脱离本发明的精神或范围。
附图和描述被认为在本质上是例示性的，而不是限制性的。相同的附图标记在整个说明书中指示相同的元件。在附图中，为了清晰起见，可能放大层和区域的尺寸和相对尺寸。
可以理解，当提及一元件或层位于另一元件或层“上”或者“连接至”或“联接至”另一元件或层时，该元件或层可以直接位于另一元件或层上或者直接连接至或联接至另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当提及一元件“直接位于”另一元件或层“上”或者“直接连接至”或“直接联接至”另一元件或层时，不存在中间元件或层。相同或相似的附图标记始终是指相同或相似的元件。这里所使用的词语“和/或”包括所列出的相关联项目中的一个或多个的任意组合和所有组合。
可以理解，尽管这里可以使用词语第一、第二、第三等来描述各种元件、组件、区域、层、图案和/或部分，但这些元件、组件、区域、层、图案和/或部分不应当受限于这些词语。这些词语仅用于将一个元件、组件、区域、层、图案或部分与另一元件、组件、区域、层、图案或部分区分开来。因此，以下所讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被命名为第二元件、组件、区域、层或部分，而不超出示例实施例的教导。
为了易于描述，这里可以使用空间上相对的词语，例如“下面”、“下方”、“下”、“上方”和“上”等，以描述如图中例示的一个元件或特征与另一元件或特征（或多个元件或特征）的关系。可以理解，空间上相对的词语意在除图中描绘的定向之外还包含处于使用中或操作中的装置的不同定向。例如，如果图中的装置翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件就会被定向为位于其它元件或特征“上方”。因此，示例性词语“下方”可以包含上方和下方的定向。装置可以以其它方式定向（旋转90度或以其它定向），并且可以对这里使用的空间上相对的描述语言进行相应的解释。
这里所使用的术语的目的仅在于描述特定的示例实施例，并不意在限制本发明。这里所使用的单数形式同样意在包括复数形式，除非上下文清楚地给出其它指示。进一步可以理解，词语“包括”和/或“包含”在本说明书中使用时指明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或组件，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或附加。
这里将参照剖视图描述示例性实施例，该剖视图是本发明构思在示图上理想的示例性实施例（及中间结构）的示意性图示。因此，由于例如制造技术和/或制造容限而导致的图示形状的改变是可以预期的。所以，示例性实施例不应当被解释为限于这里所图示的区域的特定形状，而是包括由于例如制造而导致的形状的偏差。图中例示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状并不意在例示出装置的区域的实际形状，也不意在限制本发明构思的范围。
除非有其它限定，这里所使用的所有词语（包括科技术语）具有与本发明构思所属领域的普通技术人员通常的理解相同的含义。进一步可以理解，诸如那些在常用词典中所限定的词语，应当被解释为具有与其在相关领域的意义上相一致的含义，而不应以理想化的或完全形式的意义来解释，除非这里明确进行了这种限定。
通常，利用泄漏电流的相对大小或利用使用光学显微镜的点燃测试仪来探测这种像素。也就是说，利用光学显微镜来找出像素中的诸如杂质或粒子或者布线中的短路之类的缺陷，并且对缺陷部分进行修复。然而，当杂质或粒子太小以至于无法通过光学显微镜发现，或者布线中的短路无法通过光学显微镜发现时，无法探测到像素中缺陷部分的准确位置，因此无法正确地修复像素。
将参照图1和图2进一步详细地描述根据示例性实施例的显示装置的修复设备。
图1是根据示例性实施例的显示装置的修复设备的示意图，并且图2是根据该示例性实施例的显示装置的修复设备的载物台的俯视平面图。
如图1和图2所示，根据示例性实施例的显示装置的修复设备包括：在其上可以安装显示装置100的载物台10、向显示装置100施加点燃信号的点燃装置20、布置在距显示装置100一定距离处并且通过点燃装置20中生成的点燃信号探测从显示装置100的像素中的缺陷部分产生的光子或热量的探测器30，以及环绕载物台10和探测器30并且屏蔽外部光进入显示装置100内的光屏蔽盒40。根据实施例，该修复设备可以进一步包括光学显微镜50和激光修复装置60。
载物台10包括承载显示装置100的承载单元11以及提供在形成于承载单元11中的开口11a中并且进行旋转的旋转单元12。
显示装置100可以是诸如液晶显示器（LCD）、有机发光二极管（OLED）显示器之类的平板显示装置，并且显示装置100可以安装在旋转单元12中。旋转单元12相对用于连接承载单元11和旋转单元12的旋转轴13进行旋转。
点燃装置20包括接触显示装置100的焊盘110的点燃探针21以及生成向点燃探针21施加的点燃信号的点燃信号发生器22。点燃探针21包括提供在载物台10上部的上探针211以及提供在载物台10下部的下探针212。当显示装置100的焊盘110面向可以提供探测器30的上方时，上探针211可以是接触显示装置100的焊盘110的点燃探针，而且当显示装置100的焊盘110被旋转单元12反转因此面向下方时，下探针212可以是接触显示装置100的焊盘110的点燃探针。
当在显示装置100的正面中没有探测到光子时，显示装置100可以旋转180度，并且可以使用下探针212来施加点燃信号，使得探测器30可以探测显示装置100底面中的光子或热量。
通过点燃探针21向显示装置100施加的点燃信号，给显示装置的像素中的缺陷部分注入如同电流那样的能量。在此情形下，所注入的能量可能在缺陷部分中被部分损耗，并且所损耗的能量可以作为光子或热能向外发射。
探测器30可以通过探测所发射的光子或热能来探测像素中缺陷部分的位置。也就是说，探测器30包括光接收部分，例如光电二极管。光接收部分吸收所发射的光子或热能，并且将所吸收的光子或热能转换为电流。在没有外部光时，由于暗电流，即从光电二极管本身产生的电流，可能在1×10-15A到1×10-19A之间，其小于传统探测器的电流，因此探测器30能够探测到微弱的能量发射。
探测器30可以包括能够选择性地探测预定波长带的能量的各种探测器，以便提高所发射的光子或热量的接收率。也就是说，探测器30可以是从能够探测大约100nm到1200nm波长的光子的Si探测器、能够探测大约800nm到1800nm波长的光子的InGaAs探测器以及能够探测大约3.3μm到5.7μm的波长的光子或热量的InSb探测器中选择出的一种。
Si探测器可以是具有由Si材料形成的光接收部分的探测器，InGaAs探测器可以是具有由InGaAs材料、GaAs材料或InGaAsP材料形成的光接收部分的探测器，而且InSb探测器可以是具有由InSb材料形成的光接收部分的探测器。
因此，探测器30能够探测像素中包括诸如亮斑、暗斑和线路故障之类之类缺陷的缺陷部分的准确位置。
另外，可以增强向缺陷部分注入能量的点燃条件，以获得比探测极限（即，几个×10-18A到几个×10-19A）高的信号。在此情形下，可以利用可能与典型的点燃条件不同的点燃条件来防止除像素中的缺陷部分以外的其它区域中的能量发射。
虽然在本示例性实施例中探测器30可以提供在载物台10的上部，但是探测器30也可以提供在载物台10的下部，并且针对显示装置100的像素执行光学检查的光学显微镜50可以提供在载物台10的上部或下部。
在本示例性实施例中，通过照射激光束来修复像素的激光修复装置60可以提供在载物台10的上部，但是激光修复装置60也可以提供在载物台10的下部。当像素中的缺陷部分的准确位置可以通过探测器30探测到时，激光修复装置60可以通过直接向该缺陷部分照射激光束来修复该像素。
探测器30、光学显微镜50和激光修复装置60可以都提供在载物台10的上部或下部，并且可以彼此相邻地提供。
图3是例示出根据Si探测器的波形的光子效率曲线（a）和根据InGaAs探测器的波形的光子效率曲线（b）的曲线图，其中Si探测器和InGaAs探测器用作根据示例性实施例的显示装置的修复设备的探测器，并且图4是例示出根据InSb探测器的波形的光子效率曲线（c）的曲线图，其中InSb探测器用作根据示例性实施例的显示装置的修复设备的探测器。
如图3和图4所示，Si探测器能够探测100nm到1200nm波长的光子，InGaAs探测器能够探测800nm到1800nm波长的光子，并且InSb探测器能够探测3.3μm到5.7μm波长的光子。
为了接收从缺陷部分产生的微弱信号，探测器30可以屏蔽波长范围比探测器30所探测的光子或热量的波长范围宽的光。也就是说，光屏蔽盒40可以由钢板制成，钢板可以是屏蔽100nm到6μm波长范围的光的材料。另外，考虑到从缺陷部分产生的光子或热量的波长范围以及探测器30的探测波长范围，光屏蔽盒40可以屏蔽特定波长的光。
因此，探测器30可以在不受外部光干扰的情况下在短时间段内简单地探测从缺陷部分产生的微弱光子或热量。
如上所述，光学显微镜、探测器和激光修复装置被提供在光屏蔽盒中，使得通过光学显微镜无法探测到的缺陷部分能够使用探测器探测到，并且能够使用激光修复装置将像素修复为正常像素，因此能够提高产量。
另外，包括诸如亮斑、暗斑和线路故障之类的缺陷的像素能够被修复为正常像素，而与缺陷类型无关，并且修复后的像素能够在修复之后通过使用点燃装置来确定是否正常，从而提高产率。
接下来，将参照图5和图6进一步详细地描述使用图1和图2中所示的显示装置的修复设备来修复显示装置的方法。
图5是根据该示例性实施例的显示装置的修复方法的流程图，图6是使用光学显微镜在像素中执行的光学测试的照片，并且图7是根据该示例性实施例使用探测器确定像素中的缺陷部分的照片。
首先，如图5所示，可以使用光学显微镜50对安装在载物台10中的显示装置100执行光学测试，以探测像素中的缺陷部分（S100）。
接着，当使用光学显微镜50在像素中探测到缺陷部分时，可以通过向像素中的缺陷部分照射激光束来修复像素（S200）。另外，可以对像素进行修复，然后可以使用点燃装置20来确定该像素是否正常（S300）。
接着，如图6所示，当通过光学显微镜50在像素中未探测到缺陷部分时，可以通过使点燃装置20的上探针211与显示装置100相接触，向该像素施加点燃信号（S400）。像素中的缺陷部分通过点燃信号发射光子或热量，并且点燃信号具有使该像素的发光单元发射比缺陷部分少的光子或热量的信号条件，或者具有使发光单元不发光的信号条件。
图8示出向OLED显示器施加黑色点燃信号时的电压关系，并且图9示出依照根据该示例性实施例的用于修复显示装置的方法施加点燃信号时的电压关系。
如图8所示，OLED显示器的一个像素包括多条信号线Scan[n]、Scan[n-1]、Vinit、em[n]、data和VDD、电容器C1和C2、发光单元（即有机发光二极管（OLED））以及分别连接至多条信号线的多个薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5和T6。
薄膜晶体管包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、初始化薄膜晶体管T4、第一发光控制薄膜晶体管T5和第二发光控制薄膜晶体管T6，并且电容器C1和C2包括存储电容器C1和升压电容器C2。信号线包括传输扫描信号的扫描线Scan[n]、传输前一扫描信号的前一扫描线Scan[n-1]、向第一发光控制薄膜晶体管T5和第二发光控制薄膜晶体管T6传输发光控制信号的发光控制线em[n]、与扫描线交叉并且传输数据信号的数据线data、与数据线几乎平行形成并且传输数据电压的驱动电压线VDD，以及传输用于初始化驱动薄膜晶体管T1的初始化电压的初始化电压线Vinit。开关薄膜晶体管T2根据通过扫描线Scan[n]传输的扫描信号执行开关操作。驱动薄膜晶体管T1根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号，并向有机发光二极管（OLED）供应驱动电流。
驱动薄膜晶体管T1的漏电极可以与有机发光二极管（OLED）的阳极电连接。另外，有机发光二极管（OLED）的阴极可以与公共电压VSS连接。相应地，有机发光二极管（OLED）通过接收来自驱动薄膜晶体管T1的驱动电流而发光，从而显示图像。
为了探测像素中的缺陷部分，点燃装置向显示装置100的数据线data或驱动电压线VDD施加与使从该像素的发光单元发射的光子少于缺陷部分的信号条件或者使发光单元不发光的信号条件相对应的点燃信号，并且向显示装置100的数据线data或驱动电压线VDD施加与使从像素中的缺陷部分发射光子的信号条件相对应的点燃信号。
也就是说，如图8所示，当向显示装置100的数据线data或驱动电压线VDD施加与使像素的发光单元不发光的信号条件相对应的点燃信号A1、A2和A3时，像素中的缺陷部分不发射光子。
然而，如图9所示，向显示装置100的数据线data或驱动电压线VDD施加与使像素的发光单元不发光的信号条件相对应、同时与使像素中的缺陷部分发射光子的信号条件相对应的点燃信号B1、B2和B3。
接下来，如图7所示，可以通过使用布置在显示装置100上部的探测器30探测光子或热量来确定像素中缺陷部分P的准确位置（S500）。在此情形下，显示装置100和探测器30可以提供在用于屏蔽外部光进入的光屏蔽盒40中，从而探测微弱的光子或热量，并且光学显微镜50、激光修复装置60、载物台10和点燃装置20可以提供在光屏蔽盒40中。
在此情形下，当在显示装置100的正面中没有探测到光子或热量时，显示装置100可以旋转180度，并且可以通过使用下探针212向显示装置100施加点燃信号，供探测器30探测显示装置100底面中的光子或热量。
接着，可以通过向像素中的缺陷部分照射激光束来修复像素（S600）。
接着，在修复像素之后，可以使用点燃装置20来确定该像素是否正常（S700）。
如上所述，当能够使用光学显微镜50探测到像素中的缺陷部分的位置时，可以通过使用激光修复装置60来修复该像素。当像素中的缺陷部分的位置无法通过使用光学显微镜50探测到时，可以将缺陷部分控制为发射光子或热量，并且点燃装置向发射光子或热量的缺陷部分施加具有使从像素的发光单元发射的光子或热量少于缺陷部分的信号条件或者使发光单元不发光的信号条件的点燃信号。然后，可以通过使用探测器30来探测像素中的缺陷部分的位置，并且能够使用激光修复装置60来修复像素。
尽管结合目前认为可行的示例性实施例描述了本公开内容，但是应当理解，本发明不限于所公开的实施例，而是相反，旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同配置。

Claims (16)

1.一种显示装置的修复设备，包括：
载物台，所述载物台安装有显示装置；
点燃装置，用于向所述显示装置施加点燃信号；
探测器，所述探测器被布置在距所述显示装置一定距离处，并且用于探测从所述显示装置的像素中的缺陷部分产生的光子或热量；以及
布置在距所述显示装置一定距离处并且通过照射激光束来修复所述像素的激光修复装置；
其中所述载物台包括：
承载所述显示装置的承载单元；以及
提供在形成于所述承载单元中的开口中并且进行旋转的旋转单元，所述显示装置被安装在所述旋转单元中。
2.根据权利要求1所述的修复设备，进一步包括：
环绕所述载物台和所述探测器并且屏蔽外部光引入到所述显示装置内的光屏蔽盒。
3.根据权利要求2所述的修复设备，其中所述点燃信号具有使从所述像素的缺陷部分发射光子或热量的信号条件，并且同时具有使所述像素的发光单元发射比所述缺陷部分少的光子或热量或者使所述发光单元不发光的信号条件。
4.根据权利要求3所述的修复设备，其中所述探测器是从Si探测器、InGaAs探测器和InSb探测器中选择出的一种，所述Si探测器具有由Si材料形成的光接收部分，所述InGaAs探测器具有由InGaAs材料、GaAs材料或InGaAsP材料形成的光接收部分，并且所述InSb探测器具有由InSb材料形成的光接收部分。
5.根据权利要求4所述的修复设备，其中所述光屏蔽盒屏蔽具有比所述探测器探测的光子或热量的波长范围宽的波长范围的光。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的修复设备，其中所述探测器被布置在所述载物台的上侧或下侧。
7.根据权利要求1所述的修复设备，其中所述点燃装置包括与所述显示装置的焊盘相接触的点燃探针，以及生成向所述点燃探针施加的点燃信号的点燃信号发生器。
8.根据权利要求1所述的修复设备，其中所述旋转单元相对用于连接所述承载单元和所述旋转单元的旋转轴进行旋转。
9.根据权利要求7所述的修复设备，其中所述点燃探针进一步包括布置在所述载物台的上侧的上探针和布置在所述载物台的下侧的下探针。
10.根据权利要求1所述的修复设备，进一步包括：
布置在所述载物台的上侧或下侧并且针对所述显示装置的像素执行光学测试的光学显微镜。
11.一种用于修复显示装置的方法，包括：
通过使用光学显微镜对安装在载物台中的显示装置执行光学测试来探测像素中的缺陷部分；
在通过使用所述光学显微镜未探测到所述像素中的缺陷部分时，通过使点燃装置与所述显示装置相接触向所述像素施加点燃信号，用于从所述像素中的缺陷部分发射光子或热量；
通过使用探测器探测所述光子或热量来确定所述像素中的缺陷部分；以及
通过向所述像素中的缺陷部分照射激光束来修复所述像素；
进一步包括通过使所述显示装置旋转180度来探测从所述显示装置的底面产生的微光子或热量。
12.根据权利要求11所述的用于修复显示装置的方法，其中所述显示装置和所述探测器被提供在用于屏蔽外部光进入的光屏蔽盒中。
13.根据权利要求12所述的用于修复显示装置的方法，其中所述点燃信号具有使从所述像素中的缺陷部分发射光子或热量的信号条件，并且同时具有使所述像素的发光单元发射比所述缺陷部分少的光子或热量或者使所述发光单元不发光的信号条件。
14.根据权利要求13所述的用于修复显示装置的方法，其中所述探测器是从Si探测器、InGaAs探测器和InSb探测器中选择出的一种，所述Si探测器具有由Si材料形成的光接收部分，所述InGaAs探测器具有由InGaAs材料、GaAs材料或InGaAsP材料形成的光接收部分，并且所述InSb探测器具有由InSb材料形成的光接收部分。
15.根据权利要求11所述的用于修复显示装置的方法，进一步包括修复所述像素，然后使用所述点燃装置来确定修复后的像素是否正常。
16.根据权利要求11所述的用于修复显示装置的方法，其中在使用所述光学显微镜探测到所述像素中的缺陷部分时，通过向所述像素中的缺陷部分照射激光束来修复所述像素。
CN201310305735.0A 2012-09-11 2013-07-19 显示装置的修复设备及其修复方法 Active CN103680366B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120100444A KR101398692B1 (ko) 2012-09-11 2012-09-11 표시 장치의 수리 장치 및 그 방법
KR10-2012-0100444 2012-09-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103680366A CN103680366A (zh) 2014-03-26
CN103680366B true CN103680366B (zh) 2016-08-31

Family

ID=48949011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310305735.0A Active CN103680366B (zh) 2012-09-11 2013-07-19 显示装置的修复设备及其修复方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20140068925A1 (zh)
EP (1) EP2706523A3 (zh)
JP (1) JP5645988B2 (zh)
KR (1) KR101398692B1 (zh)
CN (1) CN103680366B (zh)
TW (1) TWI516831B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6086333B2 (ja) * 2013-05-23 2017-03-01 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR102221120B1 (ko) * 2014-03-12 2021-02-26 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN104568965B (zh) * 2014-12-20 2019-02-26 佛山市多谱光电科技有限公司 一种led光源芯片缺陷检测方法及其装置
KR102319315B1 (ko) * 2015-05-14 2021-10-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20170055064A (ko) 2015-11-10 2017-05-19 삼성전자주식회사 기판 제조 방법
KR102409881B1 (ko) 2016-03-21 2022-06-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 쇼트 검사 방법
CN105869553B (zh) * 2016-04-05 2018-12-11 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示装置的检测装置
US10678076B2 (en) * 2017-01-30 2020-06-09 Facebook Technologies, Llc Treating display panel using laser
CN110286508B (zh) * 2019-06-29 2022-03-04 苏州精濑光电有限公司 一种检测机构及检测方法
KR102456972B1 (ko) * 2021-01-08 2022-10-20 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치의 검사 방법 및 디스플레이 장치의 검사 장치
CN114495776A (zh) * 2021-12-28 2022-05-13 深圳市艾比森光电股份有限公司 采集显示屏发光数据的设备及方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0798348A (ja) * 1993-09-29 1995-04-11 Sharp Corp 液晶表示装置の検査装置
TW200610962A (en) * 2004-09-30 2006-04-01 Ritdisplay Corp Detection and repair system and method
JP2006323032A (ja) * 2005-05-17 2006-11-30 Sony Corp フラットパネルディスプレイディバイスの欠陥画素リペア装置及びその欠陥画素リペア方法
CN102169918A (zh) * 2010-05-26 2011-08-31 中国科学院半导体研究所 一种低偏置电压下具有增益的硅光电探测器及其制备方法
CN102428378A (zh) * 2009-06-29 2012-04-25 夏普株式会社 有源矩阵基板的制造装置和制造方法以及显示面板的制造装置和制造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0721529B2 (ja) * 1987-11-30 1995-03-08 日置電機株式会社 部品実装回路基板の不良部品表示装置
JP3150324B2 (ja) * 1990-07-13 2001-03-26 株式会社日立製作所 薄膜トランジスタ基板の検査方法および薄膜トランジスタ基板の配線修正方法
JPH0735645A (ja) * 1993-07-23 1995-02-07 Sony Corp 液晶パネルの検査装置
CN1144278C (zh) * 1998-09-01 2004-03-31 松下电器产业株式会社 压点焊接的判定装置与方法及半导体部件制造装置与方法
JP2002260857A (ja) * 2000-12-28 2002-09-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法および薄膜形成装置
KR100487429B1 (ko) * 2001-11-15 2005-05-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자의 결함수리방법 및 액정표시소자
JP2004075281A (ja) * 2002-08-19 2004-03-11 Toppan Printing Co Ltd ウエブ状製品の不良箇所の検出とその除去システム
TW577136B (en) * 2002-10-25 2004-02-21 Ritdisplay Corp Detecting repairing system and method
JP2004199970A (ja) * 2002-12-18 2004-07-15 Sony Corp Ｅｌ表示装置の補修方法及びｅｌ表示装置の補修装置
JP2005241370A (ja) * 2004-02-25 2005-09-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 外観検査方法
JP2006113127A (ja) * 2004-10-12 2006-04-27 Sharp Corp 修正装置
CN101180549A (zh) * 2005-04-11 2008-05-14 株式会社爱德万测试 电子器件的处理设备
JP2007317384A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置、その製造方法、リペア方法及びリペア装置
KR101051730B1 (ko) * 2006-08-01 2011-07-25 가부시키가이샤 시마쓰세사쿠쇼 기판 검사 및 수정 장치와 기판 평가 시스템
JP2009121894A (ja) * 2007-11-14 2009-06-04 Fujitsu Ltd 導電体パターンの欠陥検査方法及び欠陥検査装置
KR100928700B1 (ko) * 2008-06-11 2009-11-27 한국전자통신연구원 디스플레이 패널의 특성 측정 장치
WO2011013493A1 (en) * 2009-07-28 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Inspection method and manufacturing method of light-emitting device
WO2011080968A1 (ja) * 2009-12-28 2011-07-07 シャープ株式会社 液晶パネルの製造方法
JP2012146529A (ja) * 2011-01-12 2012-08-02 Hitachi High-Technologies Corp 薄膜表示素子の検査修正方法及び検査修正装置
KR20130021029A (ko) * 2011-08-22 2013-03-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널의 리페어 방법 및 이를 수행하기 위한 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0798348A (ja) * 1993-09-29 1995-04-11 Sharp Corp 液晶表示装置の検査装置
TW200610962A (en) * 2004-09-30 2006-04-01 Ritdisplay Corp Detection and repair system and method
JP2006323032A (ja) * 2005-05-17 2006-11-30 Sony Corp フラットパネルディスプレイディバイスの欠陥画素リペア装置及びその欠陥画素リペア方法
CN102428378A (zh) * 2009-06-29 2012-04-25 夏普株式会社 有源矩阵基板的制造装置和制造方法以及显示面板的制造装置和制造方法
CN102169918A (zh) * 2010-05-26 2011-08-31 中国科学院半导体研究所 一种低偏置电压下具有增益的硅光电探测器及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103680366A (zh) 2014-03-26
EP2706523A3 (en) 2015-07-08
TWI516831B (zh) 2016-01-11
JP2014056230A (ja) 2014-03-27
JP5645988B2 (ja) 2014-12-24
KR20140033913A (ko) 2014-03-19
EP2706523A2 (en) 2014-03-12
TW201411229A (zh) 2014-03-16
US20140068925A1 (en) 2014-03-13
KR101398692B1 (ko) 2014-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103680366B (zh) 显示装置的修复设备及其修复方法
US10720468B2 (en) Redundancy in inorganic light emitting diode displays
CN104751155B (zh) 光学装置
CN102037371B (zh) 使用前侧照射增强显示面板的缺陷检测
CN108257886A (zh) 检查设备和使用其的检查方法
CN102169094A (zh) 有机el显示器基板的点灯检查设备及其方法
CN1959395B (zh) 非破坏检查装置和非破坏检查方法
KR102047002B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 수리 방법
CN101501516A (zh) 根据光电导通的晶体管阵列电子测试
CN103380366B (zh) 缺陷检查方法、缺陷检查装置以及基板的制造方法
US11799421B2 (en) Inspection system for concentrating photovoltaic apparatus and inspection method for light receiving part
CN108253898A (zh) 检测设备及使用该检测设备的检测方法
CN102947926A (zh) 半导体集成电路装置的检查方法及半导体集成电路装置
CN102593378A (zh) 薄膜显示元件的检查修正方法以及检查修正装置
Gabor et al. Uv fluorescence for defect detection in residential solar panel systems
JP6041087B2 (ja) 表示パネルの製造方法、その検査装置及び検査方法
CN105869553B (zh) 一种有机电致发光显示装置的检测装置
US11699690B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
JP2003046102A (ja) 光起電力モジュールの特性検査方法及び装置
JP2013196896A (ja) 表示パネルの製造方法、その検査装置及び検査方法
Yang et al. Fault localization and failure modes in microsystems-enabled photovoltaic devices
JP2003309277A (ja) 光起電力モジュールの特性検査方法及び装置
KR20120120096A (ko) 유기 ｅｌ 디스플레이 패널 수정 설비 및 수정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant