CN104751155B - 光学装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种高性能的光学装置。光学装置(1)包括：第一透过部(141)，配置于第一基板(61)上的规定的区域的中央；受光部(20)，接收通过第一透过部(141)的光；N个发光部(10)(N为2以上的整数)，在规定的区域中配置于第一透过部(141)的周围；以及控制电路，控制发光部(10)，其中，控制电路被功能分割为从第一控制部至第N控制部的N个控制部，N个控制部的各个控制部在俯视观察中被配置于分别与N个发光部(10)的各个发光部重叠的区域。能够得到降低干扰光、S/N比高的光学装置，且使光学装置的灵敏度提高。

Description

光学装置
技术领域
本发明有关光学装置的技术领域。
背景技术
现有的装置为在生物体认证装置和图像扫描仪中，存在下述装置：发光部和受光部相对于置于读取区域之上的对象物(例如，生物体的一部分和原稿等)而被配置于同一侧，从发光部向对象物照射光，通过受光部接收该反射光而读取对象物的图像。例如，在专利文献1中记载了下述的生物体信息获取装置，即，通过形成于导光板的背面的多个反射面将来自光源的出射光(近红外光)照射至手指，通过具有多个像素的受光元件接收来自手指的反射光，从而拍摄手指的静脉图像。
但是，在专利文献1所记载的生物体信息获取装置中，存在难以拍摄清晰的图像的课题。即，根据情况不同，与应该读取信息的反射光(信号光)相比，光量大的出射光(干扰光)被导入到受光元件，信号光相对于干扰光的比例(S/N比：信噪比)下降。原因在于，在入射至各像素的反射光的光路上(从各像素沿垂直方向延伸的直线上)，存在对来自比反射光的光量大的光源的出射光进行导光的导光板，并且，来自光源的出射光的一部分透过形成于导光板的背面侧的低折射率层和反射层(半反射层)而漏出至受光元件侧。其结果是，存在受光元件无法精度良好地接收来自手指的反射光的课题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-172263号公报
发明内容
本发明为了解决前述课题的至少一部分而完成，能够通过以下的方式或者适用例而实现。
(适用例1)本适用例涉及的一种光学装置，其特征在于，包括：第一透过部，配置于第一基板上的规定的区域的中央；受光部，接收通过第一透过部的光；N个发光部(N为2以上的整数)，在规定的区域中配置于第一透过部的周围；以及控制电路，控制发光部，其中，控制电路被功能分割为第一控制部至第N控制部的N个控制部，N个控制部的各个控制部在俯视观察中配置于分别与N个发光部的各个发光部重叠的区域。
通过该构成，在光学装置的俯视观察中，能够使任意位置发光。因此，能够仅使适于拍摄的最佳位置发光，使其以外的位置熄灭，从而能够得到降低干扰光、S/N比高的光学装置。进一步，由于通过一个控制电路控制N个发光部，因此，与通过一个控制电路控制一个发光部的情况相比，能够减小控制电路的面积，其结果是，能够增加透过部的面积的比例。由于透过部的面积增加，因此，能够提高光学装置的灵敏度。
(适用例2)在上述适用例记载的构光学装置中，优选如下：受光部在第一基板的俯视观察中配置于与第一透过部重叠的区域，控制电路和受光部在第一基板上被配置于同一层。
通过该构成，由于将具有发光部的照明装置和具有受光部的测量装置形成于第一基板，因此，集成化增强，具体而言，能够得到更薄的光学装置。
(适用例3)在上述适用例1记载的构光学装置中，优选如下：第一基板为玻璃基板，受光部被配置于与第一基板不同的第二基板，在俯视观察中，以第一透过部和受光部重叠的方式，固定第一基板和第二基板。
通过该构成，由于将具有发光部的照明装置形成于第一基板，将具有受光部的测量装置形成于第二基板，因此，制造工序变得容易，并且，能够提高成品率。
(适用例4)本适用例涉及的一种光学装置，其特征在于，包括：第一透过部，配置于第一基板上的规定的区域的中央；第一受光部，接收通过第一透过部的光；发光部，配置于第一透过部的周围；以及控制电路，配置于与发光部不同的层，进行发光部的控制，其中，发光部具有：配置于第一区域的第一发光部、配置于第二区域的第二发光部、配置于第三区域的第三发光部以及配置于第四区域的第四发光部，第三区域为隔着第一透过部而与第二区域对称的区域，第四区域为隔着第一透过部而与第一区域对称的区域，控制电路具有：第一控制部、第二控制部、第三控制部以及第四控制部，在俯视观察第一基板的状态下，第一控制部配置于与第一区域重叠的位置，第二控制部配置于与第二区域重叠的位置，第三控制部配置于与第三区域重叠的位置，第四控制部配置于与第四区域重叠的位置。
通过该构成，在光学装置的俯视观察中，能够使任意位置发光。因此，能够仅使适于拍摄的最佳位置发光，使其以外的位置熄灭，从而能够得到降低干扰光、S/N比高的光学装置。进一步，由于通过一个控制电路控制四个发光部，因此，与通过一个控制电路控制一个发光部的情况相比，能够减小控制电路的面积，其结果是，能够增加透过部的面积的比例。由于透过部的面积增加，因此，能够提高光学装置的灵敏度。并且，在通过第一受光部进行测量时，由于能够使俯视观察包围第一受光部的第一发光部和第二发光部和第三发光部和第四发光部发光，因此，能够得到降低干扰光、S/N比高的光学装置。
(适用例5)在上述适用例4记载的构光学装置中，优选如下：第一控制部、第二控制部、第三控制部以及第四控制部分别具有不同的功能，第一发光部、第二发光部、第三发光部以及第四发光部通过控制电路而被控制。
通过该构成，即使控制电路为复杂的构成，通过功能分割为四个控制部，也能够在规定的区域内构成其控制电路。
(适用例6)在上述适用例4或者5记载的构光学装置中，优选如下：还具有：与第二区域及第四区域接触的第二透过部，以及接收透过第二透过部的光的第二受光部，在第二透过部的周围，具有隔着第二透过部而与第二区域对称的第五区域及与第四区域对称的第六区域，在俯视观察第一基板的状态下，在与第五区域重叠的位置具有与第三控制部同等功能的第五控制部，在与第六区域重叠的位置具有与第一控制部同等功能的第六控制部。
通过该构成，在光学装置的俯视观察中，能够使任意位置发光。因此，能够仅使适于拍摄的最佳位置发光，使其以外的位置熄灭，从而能够得到降低干扰光、S/N比高的光学装置。进一步，由于通过一个控制电路控制四个发光部，因此，与通过一个控制电路控制一个发光部的情况相比，能够减小控制电路的面积，其结果是，能够增加透过部的面积的比例。由于透过部的面积增加，因此，能够提高光学装置的灵敏度。并且，由于第二控制部和第四控制部，在通过第一受光部接收光的情况下和通过第二受光部接收光的情况下得以兼用，因此，能够减小电路规模，增加透过部的面积的比例。由于透过部的面积增加，因此，能够提高光学装置的灵敏度。此外，由于第一受光部和第二受光部都是其周围发光，因此，能够使第一受光部和第二受光部的光学状态相同，而实现均一的拍摄。
(适用例7)在上述适用例6记载的构光学装置中，优选如下：规定的区域的形状为由第一透过部、第一区域、第二区域、第三区域以及第四区域所限定的形状，由第二透过部、第二区域、第四区域、第五区域以及第六区域所限定的区域的形状为与规定的区域的形状相同的形状。
通过该构成，在光学装置的俯视观察中，能够使任意位置发光。因此，能够仅使适于拍摄的最佳位置发光，使其以外的位置熄灭，从而能够得到降低干扰光、S/N比高的光学装置。进一步，由于通过一个控制电路控制四个发光部，因此，与通过一个控制电路控制一个发光部的情况相比，能够减小控制电路的面积，其结果是，能够增加透过部的面积的比例。由于透过部的面积增加，因此，能够提高光学装置的灵敏度。
(适用例8)在上述适用例6或者7记载的构光学装置中，优选如下：通过第一受光部接收光时，通过第一控制部、第二控制部、第三控制部以及第四控制部的控制，第一发光部、第二发光部、第三发光部以及第四发光部发光，通过第二受光部接收光时，通过第二控制部、第四控制部、第五控制部以及第六控制部的控制，第二发光部、第四发光部、第五发光部以及第六发光部发光。
通过该构成，由于第二控制部和第四控制部在通过第一受光部接收光时和通过第二受光部接收光时得以兼用，因此，能够减小电路规模，增加透过部的面积的比例。由于透过部的面积增加，因此，能够提高光学装置的灵敏度。此外，由于第一受光部和第二受光部都是其周围发光，因此，能够使第一受光部和第二受光部的光学状态相同，而实现均一的拍摄。
(适用例9)在上述适用例4至8任一项记载的构光学装置中，优选如下：还具有：与第三区域及第四区域接触的第三透过部，以及接收通过第三透过部的光的第三受光部，在第三透过部的周围，具有与第三区域对称的第七区域及与第四区域对称的第八区域，在俯视观察第一基板的状态下，在与第七区域重叠的位置具有与第二控制部同等功能的第七控制部，在与第八区域重叠的位置具有与第一控制部同等功能的第八控制部。
通过该构成，在光学装置的俯视观察中，能够使任意位置发光。因此，能够仅使适于拍摄的最佳位置发光，使其以外的位置熄灭，从而能够得到降低干扰光、S/N比高的光学装置。进一步，由于通过一个控制电路控制四个发光部，因此，与通过一个控制电路控制一个发光部的情况相比，能够减小控制电路的面积，其结果是，能够增加透过部的面积的比例。由于透过部的面积增加，因此，能够提高光学装置的灵敏度。并且，由于第三控制部和第四控制部，在通过第一受光部接收光的情况下和通过第三受光部接收光的情况下得以兼用，因此，能够减小电路规模，增加透过部的面积的比例。由于透过部的面积增加，因此，能够提高光学装置的灵敏度。此外，由于第一受光部和第三受光部都是其周围发光，因此，能够使第一受光部和第三受光部的光学状态相同，而实现均一的拍摄。
(适用例10)在上述适用例9记载的构光学装置中，优选如下：由第三透过部、第三区域、第四区域、第七区域以及第八区域所限定的区域的形状为与规定的区域的形状相同的形状。
通过该构成，在光学装置的俯视观察中，能够使任意位置发光。因此，能够仅使适于拍摄的最佳位置发光，使其以外的位置熄灭，从而能够得到降低干扰光、S/N比高的光学装置。进一步，由于通过一个控制电路控制四个发光部，因此，与通过一个控制电路控制一个发光部的情况相比，能够减小控制电路的面积，其结果是，能够增加透过部的面积的比例。由于透过部的面积增加，因此，能够提高光学装置的灵敏度。
(适用例11)在上述适用例9或者10记载的构光学装置中，优选如下：通过第三受光部接收光时，通过第三控制部、第四控制部、第七控制部以及第八控制部的控制，第三发光部、第四发光部、第七发光部以及第八发光部发光。
通过该构成，由于第三控制部和第四控制部，在通过第一受光部接收光的情况下和通过第三受光部接收光的情况下得以兼用，因此，能够减小电路规模，增加透过部的面积的比例。由于透过部的面积增加，因此，能够提高光学装置的灵敏度。此外，由于第一受光部和第三受光部都是其周围发光，因此，能够使第一受光部和第三受光部的光学状态相同，而实现均一的拍摄。
(适用例12)本适用例涉及的一种光学装置，其特征在于，包括：第一透过部，配置于第一基板上的规定的区域的中央；N个发光部(N为2以上的整数)，在规定的区域中配置于第一透过部的周围；以及控制电路，控制发光部，其中，控制电路被功能分割为从第一控制部至第N控制部的N个控制部，N个控制部的各个控制部在俯视观察中配置于分别与N个发光部的各个发光部重叠的区域。
通过该构成，将一个光学装置作为照明装置使用，能够使该照明装置的俯视观察中的任意位置发光。因此，能够仅使需要照明的位置发光，使其以外的位置熄灭，从而能够得到抑制耗电的照明装置。进一步，由于通过一个控制电路控制N个发光部，因此，与通过一个控制电路控制一个发光部的情况相比，能够减小控制电路的面积，其结果是，能够增加透过部的面积的比例。由于透过部的面积增加，因此，照明装置整体的透明度提高，能够得到明亮易见的前灯。
(适用例13)本适用例涉及的一种光学装置，其特征在于，包括：第一透过部，配置于第一基板上的规定的区域的中央；发光部，配置于第一透过部的周围；以及控制电路，配置于与发光部不同的层，进行发光部的控制，其中，发光部具有：配置于第一区域的第一发光部、配置于第二区域的第二发光部、配置于第三区域的第三发光部和设置于第四区域的第四发光部，第三区域为隔着第一透过部而与第二区域对称的区域，第四区域为隔着第一透过部而与第一区域对称的区域，控制电路具有：第一控制部、第二控制部、第三控制部和第四控制部，在俯视观察第一基板的状态下，第一控制部配置于与第一区域重叠的位置，第二控制部配置于与第二区域重叠的位置，第三控制部配置于与第三区域重叠的位置，第四控制部配置于与第四区域重叠的位置。
通过该构成，将一个光学装置作为照明装置使用，能够使该照明装置的俯视观察中的任意位置发光。因此，能够仅使需要照明的位置发光，使其以外的位置熄灭，从而能够得到抑制耗电的照明装置。进一步，由于通过一个控制电路控制四个发光部，因此，与通过一个控制电路控制一个发光部的情况相比，能够减小控制电路的面积，其结果是，能够增加透过部的面积的比例。由于透过部的面积增加，因此，照明装置整体的透明度提高，能够得到明亮易见的前灯。
附图说明
图1为实施方式1中的光学装置的截面图。
图2为说明光学装置的平面构成的图。
图3为说明照明装置的单位区域中的电路构成的图。
图4为说明照明装置的截面构造的一部分的图。
图5为实施方式2中的光学装置的截面图。
图6为说明实施方式5中的照明装置的单位区域中的电路构成的图。
符号说明
CP1第一控制部；CP2第二控制部；CP3第三控制部；CP4第四控制部；DL数据线；Drive TFT驱动晶体管；IL照射光；ML微透镜；OLED有机EL(Electro-Luminescence：电致发光)元件；RL反射光；RST TFT复位晶体管；SA1第一区域；SA2第二区域；SA3第三区域；SA4第四区域；SA5第五区域；SA6第六区域；SA7第七区域；SA8第八区域；SA9第九区域；SC存储电容元件；SEL选择信号线；SEL TFT选择晶体管；SL扫描线；UA单位区域；VCT阴极电源线；VEL阳极电源线；VST固定电位线；WRT TFT写入晶体管；1光学装置；10发光部；13选择部；14透过部；20受光部；30控制部；40存储部；50输出部；61第一基板；62第二基板；63第三基板；64第四基板；65第五基板；100照明装置；101第一发光部；102第二发光部；103第三发光部；104第四发光部；105第五发光部；106第六发光部；107第七发光部；108第八发光部；109第九发光部；141第一透过部；142第二透过部；143第三透过部；144第四透过部；200测量装置；201第一受光部；202第二受光部；203第三受光部；204第四受光部；300调光装置；400滤波装置；401遮光膜。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。此外，在以下各图中，为了使各层和各构件为能够识别程度的大小，使各层和各构件的大小与实际不同。此外，在本说明书中，间距表示某个物体和形状在空间中反复配置时的空间上周期的意思。
(实施方式1)
“光学装置的概要”
首先，参照图1说明光学装置1的概要。
图1为本实施方式的光学装置的截面图。在图1中作为一例而描绘出图2所示的俯视观察图A-A’截面的概要。光学装置1具备发光部10和受光部20，从发光部10向手指等对象物F照射照射光IL，由受光部20接收来自对象物F的反射光RL。发光部10及受光部20相对于对象物F设置于同一侧，发光部10相比受光部20更位于对象物F侧。也就是说，发光部10位于手指等对象物F和受光部20之间。发光部10形成于照明装置100，相比受光部20，设置于光学装置1的表面侧(设置对象物F侧的面)。这种配置的情况下，照明装置100有时被称为前灯。照明装置100具备多个发光部10，同时，多个发光部10的彼此之间为光的透过部14。因此，照明装置100也可以形成于具有透光性的基板。透过部14使来自对象物F的反射光RL透过。从而，当发光部10发光时，如图1所示，反射光RL透过透过部14而到达受光部20。受光部20形成于测量装置200。在本实施方式中，照明装置100形成于第一基板61，测量装置200形成于与第一基板61不同的第二基板62。在形成于第二基板62的受光部20中，具备测量反射光RL的光量的光传感器。该光传感器将其接收的光转换为对应于其光量的电信号。
如本实施方式所示，将具有发光部10的照明装置100形成于第一基板61，将具有受光部20的测量装置200形成于第二基板62，从而，制造工序变得容易。进一步，由于可以组合良品照明装置100和良品测量装置200，因此，成品率提高。
光学装置1除了发光部10和受光部20之外，还具备控制部30和存储部40及输出部50。存储部40，包括闪存、硬盘等的非易失性存储器，存储图像形成程序、认证程序等的各种程序、认证信息(例如，光学装置1作为静脉传感器使用的情况下，为预先录入的静脉图像和该特征点信息等)。存储部40可以具备只读存储器(ROM)，上述程序和各种信息的一部分或者全部可以存储于ROM。控制部30具备中央运算装置(CPU)和临时存储装置。临时存储装置为动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)等，临时地存储拍摄的对象物F的图像等。这种临时地存储图像的装置也被称为视频随机存取存储器(VRAM)。控制部30控制发光部10的点亮和熄灭，且从受光部20所具备的光传感器读出受光信号，基于读出的一帧(拍摄区域部分)的受光信号而生成对象物F的图像。并且，控制部30解析所拍摄的图像，与在存储部40录入的认证信息相比对，也能够进行生物体认证。例如，光学装置1作为静脉传感器使用的情况下，控制部30比较相比对的两个静脉图像(拍摄的静脉图像和录入的静脉图像)的特征点信息(例如，静脉的分支点的数量和位置关系等)，在相似度为预先设定的阈值以上的情况下，将对象物F的手指认证为录入存储部40的手指。输出部50为将认证信息和所拍摄的图像输出至外部的部位，例如，其为进行用于通过电信号而将认证信息输出至外部的装置(ATM等)和将图像显示于显示部的各种方式的输出的部位。此外，设置于控制部30的临时存储装置的VRAM，也可以设置于非易失性存储器的一部分。
光学装置1也可以进一步具备调光装置300和滤波装置400。调光装置300包括形成于第三基板63的微透镜ML，微透镜ML形成于第一基板61的对应于透过部14的位置。滤波装置400形成于第四基板64，除了相当于第二基板62的受光部20的位置(开口部)之外，第四基板64的其他表面被遮光膜401所覆盖。微透镜ML以将反射光RL引导至开口部的方式而形成。由于光学装置1具有调光装置300和滤波装置400，因此，能够抑制反射光RL以外的干扰光被导入至受光部20，S/N比提高。
第一基板61、第三基板63及第四基板64，可以使用对于照射光IL和反射光RL显示出高透光性的材料。例如为透明的玻璃和透明的塑料等。第二基板62使用适于形成光传感器的材料。在本实施方式中，由于使用薄膜元件形成光传感器，因此，可以使用适于薄膜元件形成的无碱玻璃和石英玻璃。除此之外，也可以使用例如硅基板等的半导体基板，通过半导体元件形成光传感器。
“光学装置的平面构成”
下面，参照图2说明光学装置1的平面构成。
图2为说明光学装置的平面构成的图。如图2所示，光学装置1具有俯视观察为四边形的单位区域UA。在本实施方式中，单位区域UA为正方形，正方形的单位区域UA，在一方向(X方向、左右方向)和与一方向交叉的另一方向(Y方向、上下方向)上重复配置而构成光学装置1。也就是说，光学装置1在俯视观察中为单位区域UA呈阵列状配置。
在第一基板61上的一单位区域UA(称为规定的区域)的中央，配置透过部14(第一透过部141)。在单位区域UA中，除此之外，分别在单位区域UA的各边，分别包括第一透过部141的二分之一大小的透过部14，以及，在单位区域UA的各角部分别包括第一透过部141的四分之一大小的透过部14。因此，一个单位区域UA包括第一透过部141的大小的四倍大小的透过部14。单位区域UA在透过部14以外的区域，进一步包括N个辅助区域。N为2以上的整数。在本实施方式中，示出N＝4的情况下的一个方式。四个辅助区域在第一透过部141的周边以大致相等面积配置。具体而言，如图2所示，在规定的区域中，在第一透过部141的周围配置第一区域SA1(第一辅助区域)和第二区域SA2(第二辅助区域)和第三区域SA3(第三辅助区域)和第四区域SA4(第四辅助区域)。第三区域SA3为隔着第一透过部141而与第二区域SA2呈对称的区域，第四区域SA4为第一透过部141而与第一区域SA1呈对称的区域。
由于单位区域UA在X方向上重复，因此，在第一基板61上，进一步形成有与第二区域SA2及第四区域SA4接触的第二透过部142。在第二透过部142的周围，除了第二区域SA2和第四区域SA4之外，隔着第二透过部142而形成有与第二区域SA2呈对称的第五区域SA5及与第四区域SA4呈对称的第六区域SA6。同样地，由于单位区域UA在Y方向上也重复，因此，在第一基板61上，进一步形成有与第三区域SA3及第四区域SA4接触的第三透过部143。在第三透过部143的周围，除了第三区域SA3和第四区域SA4之外，形成有与第三区域SA3呈对称的第七区域SA7及与第四区域SA4呈对称的第八区域SA8。此外，在第一基板61上，形成有与第四区域SA4和第五区域SA5和第七区域SA7接触的第四透过部144。在第四透过部144的周围，除了第四区域SA4和第五区域SA5和第七区域SA7之外，形成有与第四区域SA4呈对称的第九区域SA9。
规定的区域(包括第一透过部141的单位区域UA)的形状为由第一透过部141的大小的四倍大小的透过部14和第一区域SA1和第二区域SA2和第三区域SA3和第四区域SA4所限定的形状。由于辅助区域的俯视观察的形状全部相同，并且透过部14的俯视观察的形状也全部相同，因此，由第二透过部142的大小的四倍大小的透过部14和第二区域SA2和第四区域SA4和第五区域SA5和第六区域SA6所限定的形状为与规定的区域相同的形状。同样地，由第三透过部143的大小的四倍大小的透过部14和第三区域SA3和第四区域SA4和第七区域SA7和第八区域SA8所限定的形状为与规定的区域相同的形状。进一步，由第四透过部144的大小的四倍大小的透过部14和第四区域SA4和第五区域SA5和第七区域SA7和第九区域SA9所限定的形状为与规定的区域相同的形状。
在各透过部14的中央附近形成有接收通过该透过部14的光的受光部20。也就是说，第一基板61和第二基板62，以通过透过部14的光被引导至受光部20的方式而固定，受光部20在第一基板61的俯视观察中配置于与透过部14重叠的区域。例如，第一透过部141上形成有接收通过第一透过部141的光的第一受光部201，第二透过部142上形成有接收通过第二透过部142的光的第二受光部202，第三透过部143上形成有接收通过第三透过部143的光的第受光部203，第四透过部144上形成有接收通过第四透过部144的光的第受光部204。由于各受光部20上配置有光传感器，因此，在光学装置1的俯视观察中，光传感器呈阵列状配置。如图1所示，在各受光部20的法线上，多个微透镜ML配置于透过部14的下部(第一基板61和第二基板62之间)，以与受光部20的配置相匹配的方式而呈阵列状设置。如此，微透镜ML配列的间距与受光部20配列的间距相等，各微透镜ML将来自对象物F的反射光RL在位于其正下方的受光部20的受光面上成像。
照明装置100的单位区域UA内的N个辅助区域中分别设有发光部10。从而，第一基板61的一个单位区域UA中形成有N个发光部10。例如，在照明装置100的规定的区域中，在第一透过部141的周围配置有N个发光部10。在本实施方式中，第一基板61的第一区域SA1中配置有第一发光部101，第一基板61的第二区域SA2中配置有第二发光部102，第一基板61的第三区域SA3中配置有第三发光部103，第一基板61的第四区域SA4中配置有第四发光部104。同样地，第一基板61的第五区域SA5中配置有第五发光部105，第一基板61的第六区域SA6中配置有第六发光部106，第一基板61的第七区域SA7中配置有第七发光部107，第一基板61的第八区域SA8中配置有第八发光部108，第一基板61的第九区域SA9中配置有第九发光部109。各发光部10发出适合所拍摄的对象物F的波长的照射光IL。例如，所拍摄的对象物F为手指的静脉的情况下，照射光IL为波长在750nm至3000nm(更优选为800nm至900nm)范围内的近红外光。在静脉中流动的还原血红蛋白具有吸收近红外光的性质。因此，使用近红外光拍摄手指时，手指皮下的静脉部分与周边组织相比拍摄得较暗，该明暗差产生的纹路图案成为静脉图像而被拍摄。
在照明装置100的单位区域UA内，包括控制电路(参照图3)，所述控制电路控制存在于单位区域UA内的N个发光部10的发光。控制电路被功能分割为第一控制部至第N控制部的N个控制部，N个控制部的各个控制部在俯视观察中，在第一基板61上，配置于分别与N个发光部10的各个发光部重叠的区域。在本实施方式中，由于N＝4，因此，控制电路具有第一控制部和第二控制部和第三控制部和第四控制部。在俯视观察第一基板61的状态下，第一控制部配置于与第一区域SA1重叠的位置，第二控制部配置于与第二区域SA2重叠的位置，第三控制部配置于与第三区域SA3重叠的位置，第四控制部配置于与第四区域SA4重叠的位置。并且，在与第五区域SA5重叠的位置，配置有具有与第三控制部相同功能的第五控制部。同样地，在与第六区域SA6重叠的位置，配置有具有与第一控制部相同功能的第六控制部。并且，在与第七区域SA7重叠的位置，配置有具有与第二控制部相同功能的第七控制部。在与第八区域SA8重叠的位置，配置有具有与第一控制部相同功能的第八控制部。进一步，在与第九区域SA9重叠的位置，配置有具有与第一控制部相同功能的第九控制部。其结果是，各单位区域UA包括：一个透过部14的大小的四倍大小的透过部14、四个发光部10、控制该四个发光部10的控制电路，控制电路被功能分割为四个控制部，各控制部与发光部10重叠。
照明装置100由于进行与现有已知的有机EL显示装置相同的动作(使任意处发光等)，因此，单位区域UA中的控制电路的规模，与有机EL显示装置的像素电路同等程度。另一方面，透光性优异的照明装置100中，由于需要在同一基板上排列发光部10和透过部14而配置，因此，不能将第一基板61的表面的大小的比例作为发光部10而使用。进一步，由于人类的眼睛视认100微米(μm)以上的物体，因此，单纯地放大发光部10和透过部14的面积而配置是不优选的。原因在于，发光部10的面积大的话则阻碍透光性，透过部14的面积大的话则有坏点显示。总之，控制电路的配置要求在与现有的有机EL显示装置的像素电路相同程度的面积内收纳。
因此，在本实施方式中，使单位区域UA的面积为40000平方微米(μm2)(200微米(μm)×200微米(μm)左右)至250000平方微米(μm2)(500微米(μm)×500微米(μm)左右)的范围，其中，五成以上为透过部14，剩余为发光部10。进一步，通过N分割的一个控制电路使N个发光部10发光。由于透过部14的面积比例(称为“开口率”)越大，则光的取入量越增加，因此，照明装置100的透光性提高，作为前灯是优选的。一个发光部10的面积，从瞳孔的视认性出发，10000平方微米(μm2)(100微米(μm)×100微米(μm)左右)以下是优选的。因此，单位区域UA中的发光部10的总面积优选为40000平方微米(μm2)以下。并且，例如，单位区域UA为500微米(μm)×500微米(μm)左右的正方形(单位区域UA的面积为250000平方微米(μm2)左右)的话，则优选使一个发光部10的面积为10000平方微米(μm2)(100微米(μm)×100微米(μm)左右)，使单位区域UA中的发光部10的总面积为40000平方微米(μm2)以下，使剩余的210000平方微米(μm2)左右以上为透光部。
在本实施方式中，使单位区域UA的尺寸为200微米(μm)×200微米(μm)，使单位区域UA中的五成左右为透过部14，使剩余的五成左右为发光部10。如此，配置透过部14的间距和配置发光部10的间距能够确保为100微米(μm)，从而，在维持看上去没有坏点的状态的同时，照明装置100能够作为前灯而发挥作用。并且，由于也不需要减小构成控制电路的晶体管和存储电容元件SC(参照图3)的尺寸，因此，能够按照通常的布局规则进行设计。这样，照明装置100成为进行与有机EL显示装置同等的动作的前灯，如本实施方式所示，在将照明装置100安装于检测光的测量装置200的情况下，可以在掌握整体图像之后，仅使必要的部分局部地发光，能够得到更详细的信息。这是由于抑制了进入测量装置200的干扰光，仅对于需要的信息以高精度地得到。
“照明装置的电路构成”
下面，参照图3说明照明装置100的单位区域UA中的电路构成。
图3为说明照明装置的单位区域中的电路构成的图。在图3中，作为一例，单位区域UA为包括第一发光部101、第二发光部102、第三发光部103和第四发光部104的规定的区域。
在各单位区域UA中配线有扫描线SL和数据线DL，在上述的交叉部形成有单位区域UA。单位区域UA中进一步配线有阳极电源线VEL、阴极电源线VCT和固定电位线VST。单位区域UA中形成有控制电路。控制电路包括写入晶体管WRT TFT、存储电容元件SC、驱动晶体管DriveTFT、复位晶体管RST TFT和有机EL元件OLED。在本实施方式中，写入晶体管WRT TFT和复位晶体管RST TFT为N型薄膜晶体管，驱动晶体管Drive TFT为P型薄膜晶体管。
构成控制电路的第一控制部、第二控制部、第三控制部和第四控制部分别具有不同的功能，第一发光部101、第二发光部102、第三发光部103和第四发光部104分别通过控制电路控制。作为具体的一例，控制电路中的第一控制部包括驱动晶体管Drive TFT的一部分，控制电路中的第二控制部包括存储电容元件SC。而且，控制电路中的第三控制部包括驱动晶体管Drive TFT的剩余部分和复位晶体管RST TFT。驱动晶体管Drive TFT的一部分形成于第一控制部，剩余部分形成于第三控制部。控制电路中的第四控制部包括写入晶体管WRT TFT。并且，有机EL元件OLED构成第一发光部101、第二发光部102、第三发光部103和第四发光部104。如图3所示，通过该构成，即使控制电路为复杂的构成，通过功能分割为四个控制部，也能够在单位区域UA(规定的区域)内构成所述控制电路。
写入晶体管WRT TFT的栅极与扫描线SL电连接，源漏极的一方与数据线DL电连接，另一方与存储电容元件SC的一方的电极和驱动晶体管Drive TFT的栅极和复位晶体管RSTTFT的栅极电连接。存储电容元件SC的另一方的电极与固定电位线VST电连接。驱动晶体管Drive TFT的源漏极的一方(在本实施方式中为P型薄膜晶体管的源极)与阳极电源线VEL电连接，另一方与有机EL元件OLED的阳极和复位晶体管RST TFT的源漏极的一方(在本实施方式中为N型薄膜晶体管的漏极)电连接。复位晶体管RST TFT的源漏极的另一方(在本实施方式中为N型薄膜晶体管的源极)与固定电位线VST电连接。有机EL元件OLED的阴极与阴极电源线VCT电连接。在写入晶体管WRT TFT和复位晶体管RST TFT和驱动晶体管Drive TFT中，为了抑制从晶体管产生电流泄漏，使用串联地电连接有晶体管的双晶体管。而且，在驱动晶体管Drive TFT中，为了确保电流量，并列地配置有双晶体管。
由于写入晶体管WRT TFT在被选择时写入数据，因此，第四控制部具有选择时改写数据的功能。由于存储电容元件SC维持写入的数据，因此，第二控制部具有维持数据的功能。驱动晶体管Drive TFT在数据显示“发光”时(在本实施方式中，数据为低电位信号时)，将电流供给至有机EL元件OLED，在数据显示“非发光”时(在本实施方式中，数据为高电位信号时)，关闭流向有机EL元件OLED的电流。另一方面，复位晶体管RST TFT在数据显示“发光”时(在本实施方式中，数据为低电位信号时)，从固定电位线VST关闭有机EL元件OLED的阳极，在数据显示“非发光”时(在本实施方式中，数据为高电位信号时)，将有机EL元件OLED的阳极复位为固定电位。从而，第三控制部具有控制有机EL元件OLED发光和非发光的功能。第一控制部也具有控制有机EL元件OLED发光和非发光的功能。
供给至数据线DL的信号为高电位信号(例如15V)和低电位信号(例如0V)。此外，供给至阳极电源线VEL的阳极电位为10V至13V的值，比高电位信号低，可以根据使用状态而变化。通过使阳极电位比数据的高电位信号低，当数据为高电位信号时，能够确保驱动晶体管Drive TFT确实地为关闭状态，能够确实地使有机EL元件OLED熄灭。供给至固定电位线VST的固定电位为与低电位信号相同的固定电位。供给至阴极电源线VCT的阴极电位为-2V至0V的值，比低电位信号低，可以根据使用状态而变化。通过使阴极电位比低电位信号低，当有机EL元件OLED为“非发光”时，能够确实地使有机EL元件OLED熄灭。
如此，能够使照明装置100的俯视观察中的任意位置(单位区域UA)发光。因此，能够仅使需要照明的位置发光，使其以外的位置熄灭，从而能够得到抑制耗电的照明装置100。进一步，由于通过一个控制电路控制N个发光部10，因此，与通过一个控制电路控制一个发光部10的情况相比，能够减小控制电路的面积，其结果是，能够增加透过部14的面积的比例。由于透过部14的面积增加，因此，照明装置100整体的透明度提高，能够得到明亮易见的前灯。从而，能够仅使适于拍摄的最佳位置发光，使其以外的位置熄灭，从而能够得到降低干扰光、S/N比高的光学装置1。进一步，由于通过一个控制电路控制N个发光部10，因此，与通过一个控制电路控制一个发光部10的情况相比，能够减小控制电路的面积，其结果是，能够增加透过部14的面积的比例。由于透过部14的面积增加，因此，能够提高光学装置1的灵敏度。
“照明装置的截面构造”
下面，参照图4说明照明装置100的截面构造。
图4为说明照明装置的截面构造的一部分的图。此外，在图4中为了简易地说明，适当地改变了纵横的比例尺的比例。例如，发光部10几乎扩展至各辅助区域的全部区域，但为了简易地说明，在图4中缩窄水平方向的长度而描绘。并且，作为控制电路的一部分，描绘了驱动晶体管DriveTFT的一部分。
如图4所示，控制电路配置于与发光部10不同的层。也就是说，发光部10以将驱动晶体管Drive TFT等的控制电路埋入的形式而形成于其上层。另一方面，控制电路未形成于透过部14，透过部14由透明材料构成。
“测量方法”
下面，参照图2说明光学装置1的测量方法。
使用光学装置1测量对象物F时，优选首先掌握整体图像，然后仅使必要的部分局部地发光而得到更详细的信息。最初掌握整体图像时，使照明装置100的全部的发光部10发光，通过测量装置200获取整体图像。然后，在获取S/N比高的高品质图像时，使照明装置100局部地发光，使用其反射光RL而获取详细的图像。
在使用局部发光的测量中，例如，在通过第一受光部201接收光的情况下，通过第一控制部、第二控制部、第三控制部和第四控制部的控制，使第一发光部101、第二发光部102、第三发光部103和第四发光部104发光。也就是说，通过第一受光部201进行测量时，由于能够使俯视观察包围第一受光部201的第一发光部101、第二发光部102、第三发光部103和第四发光部104发光，因此，能够得到降低干扰光、S/N比高的光学装置1。
“电子设备”
上述的光学装置1能够适用于静脉传感器和指纹传感器等各种生物体认证传感器。当静脉传感器具备上述光学装置1时，S/N比高，能够得到更清晰的静脉图像。此外，当指纹传感器具备上述光学装置1时，S/N比高，能够得到更清晰的指纹图像。除此之外，也能够将本实施方式涉及的光学装置1适用于数字照相机、图像传感器、扫描仪等电子设备。在将光学装置1适用于静脉传感器和指纹传感器的情况下，可以在光学装置1中设置接触传感器，当对象物接触光学装置1时，光学装置1自动地动作。
(实施方式2)
“照明装置和测量装置形成于同一基板的方式”
图5为本实施方式的光学装置的截面图。在图5中作为一例而描绘出图2所示的俯视观察图A-A’截面的概要。下面，参照图5，说明本实施方式涉及的光学装置。此外，对于与实施方式1相同的构成部位，付与相同符号而省略重复的说明。在实施方式1中，照明装置100形成于第一基板61，测量装置200形成于第二基板62。与此对比，在本实施方式中，在照明装置100及测量装置200都形成于第五基板65这点上，与实施方式1不同。除此之外与实施方式1相同。
控制电路使用薄膜晶体管等的薄膜元件而形成。受光部20也能够通过光电二极管和薄膜晶体管等而形成，因此，可以将具有控制电路的发光部10和受光部20都通过薄膜元件而形成于第五基板65。也就是说，控制电路和受光部20可以配置于同一层。如此，由于具有发光部10的照明装置100和具有受光部20的测量装置200都形成于第五基板65，因此，集成化增强，具体而言，能够得到更薄的光学装置1。
(实施方式3)
“能够重组的控制电路的方式”
下面，对于本实施方式涉及的光学装置进行说明。此外，对于与实施方式1及2相同的构成部位，付与相同符号而省略重复的说明。在实施方式1中，单位区域UA固定。与此对比，在本实施方式中，在单位区域UA可变这点上与实施方式1不同。
在本实施方式中，控制电路可以重组。因此，例如，在通过第二受光部202接收光的情况下，通过第二控制部、第四控制部、第五控制部和第六控制部构成控制电路，通过该控制电路的控制，能够使第二发光部102、第四发光部104、第五发光部105和第六发光部106发光。如此，由于第二控制部和第四控制部，在通过第一受光部201接收光的情况下和通过第二受光部202接收光的情况下得以兼用，因此，能够减小电路规模，增加透过部14的面积的比例。由于透过部14的面积增加，因此，能够提高光学装置1的灵敏度。此外，由于第一受光部201和第二受光部202都是其周围发光，因此，能够使第一受光部201和第二受光部202的光学状态相同，而实现均一的拍摄。
或者，在通过第三受光部203接收光的情况下，通过第三控制部、第四控制部、第七控制部和第八控制部的控制而构成控制电路，通过该控制电路的控制，第三发光部103、第四发光部104、第七发光部107和第八发光部108能够发光。如此，由于第三控制部和第四控制部，在通过第一受光部201接收光的情况下和通过第三受光部203接收光的情况下得以兼用，因此，能够减小电路规模，增加透过部14的面积的比例。由于透过部14的面积增加，因此，能够提高光学装置1的灵敏度。此外，由于第一受光部201和第三受光部203都是其周围发光，因此，能够使第一受光部201和第三受光部203的光学状态相同，而实现均一的拍摄。
(实施方式4)
“兼用控制部的方式”
下面，参照图2，对于本实施方式涉及的光学装置进行说明。此外，对于与实施方式1至3相同的构成部位，付与相同符号而省略重复的说明。在实施方式1中，被功能分割的各控制部形成一个控制电路的一部分。与此对比，在本实施方式中，在一部分的控制部通过多个控制电路兼用这点上与实施方式1不同。除此之外与实施方式1相同。
使用第一受光部201和第二受光部202拍摄的情况下，使包围第一受光部201的第一发光部101、第二发光部102、第三发光部103和第四发光部104发光，且使包围第二受光部202的第二发光部102、第四发光部104、第五发光部105和第六发光部106发光。此时，第一发光部101、第二发光部102、第三发光部103和第四发光部104通过由第一控制部、第二控制部、第三控制部和第四控制部构成的控制电路而发光，第二发光部102、第四发光部104、第五发光部105和第六发光部106，通过由第二控制部、第四控制部、第五控制部和第六控制部构成的控制电路而发光。此时，第二控制部和第四控制部通过两个控制电路兼用。
此外，使用第一受光部201和第三受光部203拍摄的情况下，使包围第一受光部201的第一发光部101、第二发光部102、第三发光部103和第四发光部104发光，且使包围第三受光部203的第三发光部103、第四发光部104、第七发光部107和第八发光部108发光。此时，第一发光部101、第二发光部102、第三发光部103和第四发光部104通过由第一控制部、第二控制部、第三控制部和第四控制部构成的控制电路而发光，第三发光部103、第四发光部104、第七发光部107和第八发光部108，通过由第三控制部、第四控制部、第七控制部和第八控制部构成的控制电路而发光。此时，第三控制部和第四控制部通过两个控制电路兼用。
此外，使用第一受光部201、第二受光部202和第三受光部203拍摄的情况下，使包围第一受光部201的第一发光部101、第二发光部102、第三发光部103和第四发光部104发光，且使包围第二受光部202的第二发光部102、第四发光部104、第五发光部105和第六发光部106发光，并且，使包围第三受光部203的第三发光部103、第四发光部104、第七发光部107和第八发光部108发光。此时，第一发光部101、第二发光部102、第三发光部103和第四发光部104通过由第一控制部、第二控制部、第三控制部和第四控制部构成的控制电路而发光，第二发光部102、第四发光部104、第五发光部105和第六发光部106，通过由第二控制部、第四控制部、第五控制部和第六控制部构成的控制电路而发光，第三发光部103、第四发光部104、第七发光部107和第八发光部108，通过由第三控制部、第四控制部、第七控制部和第八控制部构成的控制电路而发光。此时，第四控制部通过三个控制电路兼用。
此外，使用第一受光部201、第二受光部202、第三受光部203和第四受光部204拍摄的情况下，使包围第一受光部201的第一发光部101、第二发光部102、第三发光部103和第四发光部104发光，且使包围第二受光部202的第二发光部102、第四发光部104、第五发光部105和第六发光部106发光，使包围第三受光部203的第三发光部103、第四发光部104、第七发光部107和第八发光部108发光，并且，使包围第四受光部204的第四发光部104、第五发光部105、第七发光部107和第九发光部109发光。此时，第一发光部101、第二发光部102、第三发光部103和第四发光部104通过由第一控制部、第二控制部、第三控制部和第四控制部构成的控制电路而发光，第二发光部102、第四发光部104、第五发光部105和第六发光部106通过由第二控制部、第四控制部、第五控制部和第六控制部构成的控制电路而发光，第三发光部103、第四发光部104、第七发光部107和第八发光部108通过由第三控制部、第四控制部、第七控制部和第八控制部构成的控制电路而发光，第四发光部104、第五发光部105、第七发光部107和第九发光部109通过由第四控制部、第五控制部、第七控制部和第九控制部构成的控制电路而发光。此时，第四控制部通过四个控制电路兼用。
(实施方式5)
“个别控制发光部的方式”
图6为说明本实施方式中的照明装置的单位区域中的电路构成的图。下面，参照图6说明本实施方式涉及的光学装置。此外，对于与实施方式至4相同的构成部位，付与相同符号而省略重复的说明。在实施方式1至4中，第一发光部101和第二发光部102和第三发光部103和第四发光部104被一起控制。与此对比，在本实施方式中，在对于每个发光部10的发光和非发光进行个别地控制这点上，与实施方式1至4不同。除此之外与实施方式1至4相同。
在图6中，作为一例，单位区域UA为包括第一发光部101、第二发光部102、第三发光部103和第四发光部104的规定的区域。
在各单位区域UA中配线有扫描线SL和数据线DL，在上述的交叉部形成有单位区域UA。单位区域UA中进一步配线有阳极电源线VEL和阴极电源线VCT和固定电位线VST和选择信号线SEL。单位区域UA中形成有控制电路。控制电路包括写入晶体管WRT TFT和存储电容元件SC和驱动晶体管Drive TFT和复位晶体管RST TFT和选择部13和选择晶体管SEL TFT和有机EL元件OLED。在本实施方式中，写入晶体管WRT TFT和复位晶体管RST TFT和选择晶体管SEL TFT为N型薄膜晶体管，驱动晶体管Drive TFT为P型薄膜晶体管。
构成控制电路的第一控制部CP1、第二控制部CP2、第三控制部CP3和第四控制部CP4分别具有不同的功能，第一发光部101、第二发光部102、第三发光部103和第四发光部104分别通过控制电路个别地控制。作为具体的一例，控制电路中的第一控制部CP1包括驱动晶体管Drive TFT的一部分和选择晶体管SEL TFT的一部分，控制电路中的第二控制部CP2包括存储电容元件SC。进一步，控制电路中的第三控制部CP3包括驱动晶体管Drive TFT的剩余部分和选择晶体管SEL TFT的剩余部分。驱动晶体管Drive TFT和选择晶体管SELTFT，其一部分形成于第一控制部CP1，剩余部分形成于第三控制部CP3。控制电路中的第四控制部CP4包括写入晶体管WRT TFT和选择晶体管SEL TFT和选择部13。并且，有机EL元件OLED构成第一发光部101、第二发光部102、第三发光部103和第四发光部104。如图6所示，即使控制电路为复杂的构成，通过功能分割为四个控制部，也能够在单位区域UA(规定的区域)内构成其控制电路。
写入晶体管WRT TFT的栅极与扫描线SL电连接，源漏极的一方与数据线DL电连接，另一方与存储电容元件SC的一方的电极和驱动晶体管Drive TFT的栅极和复位晶体管RSTTFT的栅极和选择部13的输入电连接。存储电容元件SC的另一方的电极与固定电位线VST电连接。驱动晶体管Drive TFT的源漏极的一方(在本实施方式中为P型薄膜晶体管的源极)与阳极电源线VEL电连接，另一方与选择晶体管SEL TFT的源漏极的一方(在本实施方式中为N型薄膜晶体管的漏极)和复位晶体管RSTTFT的源漏极的一方(在本实施方式中为N型薄膜晶体管的漏极)电连接。复位晶体管RST TFT的源漏极的另一方(在本实施方式中为N型薄膜晶体管的源极)与固定电位线VST电连接。选择晶体管SEL TFT的源漏极的另一方(在本实施方式中，为N型薄膜晶体管的源极)与有机EL元件OLED的阳极电连接，有机EL元件OLED的阴极与阴极电源线VCT电连接。选择信号线SEL和写入晶体管WRT TFT的输出电连接于选择部13的输入，来自选择部13的四个输出分别电连接于选择晶体管SEL TFT的栅极。在写入晶体管WRT TFT和复位晶体管RST TFT和驱动晶体管DriveTFT中，为了抑制从晶体管产生电流泄漏，使用串联地电连接有晶体管的双晶体管。进一步，在驱动晶体管Drive TFT中，为了确保电流量，并列地配置有双晶体管。
选择部13根据经由写入晶体管WRT TFT而供给的数据和供给至选择信号线SEL的选择信号，个别地控制四个选择晶体管SEL TFT。如此，四个发光部10被个别地控制。
此外，本发明不限于上述的实施方式，也能够在上述的实施方式中加入各种变更和改良等。变形例如下所述。
(变形例1)
“发光波长不同的方式”
在实施方式1至5中，第一发光部101、第二发光部102、第三发光部103和第四发光部104中发光波长相同，也可以对于每个发光部10改变发光波长。例如，在第一发光部101中发出红色光，在第二发光部102中发出绿色光，在第三发光部103中发出蓝色光，在第四发光部104中发出白色光等。
(变形例2)
“N不同的方式”
在实施方式1至4中N＝4，但N只要是2以上的整数，可以为任意值。例如，可以使单位区域UA为六边形，N＝6。
(变形例3)
“通过前灯单体使用的方式”
在实施方式1至5中，照明装置100形成光学装置1的一部分，也可以以单体将照明装置100作为前灯使用。或者，也可以使用照明装置和调光装置而作为前灯。这种情况下，可以使用平板透镜代替微透镜ML。前灯可以用于手机和游戏机、电纸书、摄像机、数码相机、导航装置等的显示装置。

Claims (13)

1.一种光学装置，其特征在于，
包括：
第一透过部，配置于第一基板上的规定的区域的中央；
受光部，接收通过所述第一透过部的光；
N个发光部，在所述规定的区域中配置于所述第一透过部的周围，其中N为2以上的整数；以及
控制电路，控制所述发光部，
其中，
所述控制电路被功能分割为从第一控制部至第N控制部的N个控制部，
所述N个控制部中的各个控制部在俯视观察中配置于分别与所述N个发光部中的各个发光部重叠的区域。
2.根据权利要求1所述的光学装置，其特征在于，
所述受光部在所述第一基板的俯视观察中配置于与所述第一透过部重叠的区域，
所述控制电路和所述受光部在所述第一基板上被配置于同一层。
3.根据权利要求1所述的光学装置，其特征在于，
所述第一基板为玻璃基板，
所述受光部被配置于与所述第一基板不同的第二基板，
所述第一基板和所述第二基板以在俯视观察中所述第一透过部和所述受光部重叠的方式被固定。
4.一种光学装置，其特征在于，
包括：
第一透过部，配置于第一基板上的规定的区域的中央；
第一受光部，接收通过所述第一透过部的光；
发光部，配置于所述第一透过部的周围；以及
控制电路，配置于与所述发光部不同的层，进行所述发光部的控制，
其中，
所述发光部具有：配置于第一区域的第一发光部、配置于第二区域的第二发光部、配置于第三区域的第三发光部以及配置于第四区域的第四发光部，
所述第三区域为隔着所述第一透过部而与所述第二区域对称的区域，
所述第四区域为隔着所述第一透过部而与所述第一区域对称的区域，
所述控制电路具有：第一控制部、第二控制部、第三控制部以及第四控制部，
在俯视观察所述第一基板的状态下，所述第一控制部配置于与所述第一区域重叠的位置，所述第二控制部配置于与所述第二区域重叠的位置，所述第三控制部配置于与所述第三区域重叠的位置，所述第四控制部配置于与所述第四区域重叠的位置。
5.根据权利要求4所述的光学装置，其特征在于，
所述第一控制部、所述第二控制部、所述第三控制部以及所述第四控制部分别具有不同的功能，
所述第一发光部、所述第二发光部、所述第三发光部以及所述第四发光部各自被所述控制电路控制。
6.根据权利要求4或5所述的光学装置，其特征在于，
还具有：与所述第二区域及所述第四区域接触的第二透过部、以及接收透过所述第二透过部的光的第二受光部，
在所述第二透过部的周围，具有隔着所述第二透过部而与所述第二区域对称的第五区域及与所述第四区域对称的第六区域，
在俯视观察所述第一基板的状态下，在与所述第五区域重叠的位置具有与所述第三控制部同等功能的第五控制部，在与所述第六区域重叠的位置具有与所述第一控制部同等功能的第六控制部。
7.根据权利要求6所述的光学装置，其特征在于，
所述规定的区域的形状为由所述第一透过部、所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域以及所述第四区域所限定的形状，
由所述第二透过部、所述第二区域、所述第四区域、所述第五区域以及所述第六区域所限定的区域的形状为与所述规定的区域的形状相同的形状。
8.根据权利要求6所述的光学装置，其特征在于，
通过所述第一受光部接收光时，通过所述第一控制部、所述第二控制部、所述第三控制部以及所述第四控制部的控制，所述第一发光部、所述第二发光部、所述第三发光部以及所述第四发光部发光，
通过所述第二受光部接收光时，通过所述第二控制部、所述第四控制部、所述第五控制部以及所述第六控制部的控制，所述第二发光部、所述第四发光部、第五发光部以及第六发光部发光。
9.根据权利要求4或5所述的光学装置，其特征在于，
还具有：与所述第三区域及所述第四区域接触的第三透过部、以及接收通过所述第三透过部的光的第三受光部，
在所述第三透过部的周围，具有与所述第三区域对称的第七区域及与所述第四区域对称的第八区域，
在俯视观察所述第一基板的状态下，在与所述第七区域重叠的位置具有与所述第二控制部同等功能的第七控制部，在与所述第八区域重叠的位置具有与所述第一控制部同等功能的第八控制部。
10.根据权利要求9所述的光学装置，其特征在于，由所述第三透过部、所述第三区域、所述第四区域、所述第七区域以及所述第八区域所限定的区域的形状为与所述规定的区域的形状相同的形状。
11.根据权利要求9所述的光学装置，其特征在于，通过所述第三受光部接收光时，通过所述第三控制部、所述第四控制部、所述第七控制部以及所述第八控制部的控制，所述第三发光部、所述第四发光部、第七发光部以及第八发光部发光。
12.一种光学装置，其特征在于，
包括：
第一透过部，配置于第一基板上的规定的区域的中央；
N个发光部，在所述规定的区域中配置于所述第一透过部的周围，其中N为2以上的整数；以及
控制电路，控制所述发光部，
其中，
所述控制电路被功能分割为从第一控制部至第N控制部的N个控制部，
所述N个控制部中的各个控制部在俯视观察中配置于分别与所述N个发光部中的各个发光部重叠的区域。
13.一种光学装置，其特征在于，
包括：
第一透过部，配置于第一基板上的规定的区域的中央；
发光部，配置于所述第一透过部的周围；以及
控制电路，配置于与所述发光部不同的层，进行所述发光部的控制，
其中，
所述发光部具有：配置于第一区域的第一发光部、配置于第二区域的第二发光部、配置于第三区域的第三发光部和配置于第四区域的第四发光部，
所述第三区域为隔着所述第一透过部而与所述第二区域对称的区域，
所述第四区域为隔着所述第一透过部而与所述第一区域对称的区域，
所述控制电路具有：第一控制部、第二控制部、第三控制部和第四控制部，
在俯视观察所述第一基板的状态下，所述第一控制部配置于与所述第一区域重叠的位置，所述第二控制部配置于与所述第二区域重叠的位置，所述第三控制部配置于与所述第三区域重叠的位置，所述第四控制部配置于与所述第四区域重叠的位置。
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Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108734074B (zh) * 2017-04-18 2022-02-18 金佶科技股份有限公司 指纹识别方法以及指纹识别装置
TWI601301B (zh) * 2015-07-31 2017-10-01 友達光電股份有限公司 光學偵測裝置及其製作方法
CN105046247B (zh) * 2015-08-31 2018-06-22 京东方科技集团股份有限公司 表面结构识别单元、电路及识别方法和电子设备
US20170221960A1 (en) * 2016-02-03 2017-08-03 Sunasic Technologies, Inc. Contact image sensor
KR102556023B1 (ko) * 2016-02-26 2023-07-17 삼성디스플레이 주식회사 감광성 박막 소자 및 이를 포함하는 생체 정보 감지 장치
JP6646830B2 (ja) * 2016-03-30 2020-02-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光検出装置および光検出システム
CN106020533B (zh) * 2016-05-11 2018-09-07 京东方科技集团股份有限公司 一种触控电路、其驱动方法、触摸屏及显示装置
US10331932B2 (en) * 2016-06-08 2019-06-25 Novatek Microelectronics Corp. Optical sensor device and a fingerprint sensor apparatus
CN106022324B (zh) * 2016-08-04 2019-04-30 京东方科技集团股份有限公司 一种纹路识别显示装置
CN106228147B (zh) * 2016-08-04 2023-04-18 京东方科技集团股份有限公司 一种纹路采集器、其纹路采集方法及显示装置
JP6891441B2 (ja) * 2016-10-12 2021-06-18 セイコーエプソン株式会社 検出装置および測定装置
CN108121932A (zh) * 2016-11-28 2018-06-05 南昌欧菲生物识别技术有限公司 有机发光二极管显示屏指纹识别装置及电子设备
KR102572966B1 (ko) * 2016-11-30 2023-09-01 엘지디스플레이 주식회사 광학식 이미지 인식 센서 내장형 평판 표시장치
JP2018116108A (ja) * 2017-01-17 2018-07-26 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10302484B2 (en) * 2017-01-24 2019-05-28 Novatek Microelectronics Corp. Optical sensor module
CN106773219B (zh) 2017-02-07 2019-11-05 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置
FR3063564B1 (fr) * 2017-03-06 2021-05-28 Isorg Capteur d'empreintes digitales integre dans un ecran d'affichage
CN106933415B (zh) * 2017-03-07 2019-11-26 Oppo广东移动通信有限公司 一种传感器组件和终端
CN108630113B (zh) * 2017-03-22 2020-06-30 京东方科技集团股份有限公司 显示装置
CN106847872B (zh) * 2017-03-24 2020-03-20 京东方科技集团股份有限公司 显示装置
CN106971173B (zh) * 2017-04-13 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 触控基板及显示面板
US11373386B2 (en) * 2017-04-17 2022-06-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Pattern identification device and display apparatus
US20180301588A1 (en) * 2017-04-18 2018-10-18 Gingy Technology Inc. Image capturing module and manufacturing method thereof
CN107958178B (zh) * 2017-04-22 2022-03-15 柳州梓博科技有限公司 光电传感模组及其制备方法、电子装置
CN107193412B (zh) * 2017-04-27 2020-04-14 Oppo广东移动通信有限公司 显示屏、显示装置及移动终端
CN106981503B (zh) * 2017-04-27 2019-11-15 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及电子设备
CN106980850B (zh) 2017-06-02 2020-03-06 京东方科技集团股份有限公司 一种纹路检测装置及其纹路检测方法
CN107275376B (zh) * 2017-06-27 2019-12-20 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN109509767B (zh) * 2017-09-15 2024-07-12 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
KR102491855B1 (ko) * 2017-12-11 2023-01-26 삼성전자주식회사 3d 지문센서 소자 및 이를 포함하는 전자 장치
CN108073900B (zh) * 2017-12-14 2021-01-08 京东方科技集团股份有限公司 用于指纹识别的柔性显示面板、显示装置及指纹识别方法
SE1751613A1 (en) * 2017-12-21 2019-06-22 Fingerprint Cards Ab Biometric imaging device and method for manufacturing the biometric imaging device
CN108258017B (zh) * 2018-01-02 2021-05-14 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
KR20190088822A (ko) * 2018-01-19 2019-07-29 삼성전자주식회사 지문 인식을 위한 센서 및 전자 장치
CN212569823U (zh) * 2018-05-07 2021-02-19 光波触控有限公司 光学传感器系统及含有该系统的图像识别设备和电子设备
CN108646949B (zh) * 2018-06-04 2024-03-19 京东方科技集团股份有限公司 光电检测电路及方法、阵列基板、显示面板、指纹识别法
CN109065756B (zh) * 2018-08-03 2020-06-02 京东方科技集团股份有限公司 一种显示器件及其制备方法、显示装置
CN109417080A (zh) * 2018-09-26 2019-03-01 深圳市汇顶科技股份有限公司 光学图像采集单元、光学图像采集装置和电子设备
US11847195B2 (en) 2018-10-05 2023-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Authentication system and method for recording unlocking history using authentication system
CN109545837B (zh) * 2018-12-17 2020-10-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Amoled柔性显示装置
KR20200080484A (ko) * 2018-12-26 2020-07-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
EP3731136B1 (en) * 2019-02-28 2022-06-08 Shenzhen Goodix Technology Co., Ltd. Optical image collection unit and electronic device
US11288486B2 (en) * 2019-06-12 2022-03-29 Lms Co., Ltd. Fingerprint recognition optical film, and backlight unit and liquid crystal display device comprising the film optical
US11988855B2 (en) * 2019-06-25 2024-05-21 Visera Technologies Company Limited Optical fingerprint sensors
KR20210037057A (ko) 2019-09-26 2021-04-06 삼성디스플레이 주식회사 지문 센서 및 이를 포함하는 표시 장치
US11600095B2 (en) * 2019-10-25 2023-03-07 Visera Technologies Company Limited Optical fingerprint sensors
CN111258101A (zh) * 2020-03-18 2020-06-09 武汉华星光电技术有限公司 一种显示装置
CN111881753B (zh) * 2020-06-28 2022-11-01 厦门天马微电子有限公司 背光模组和显示装置
FR3113429A1 (fr) 2020-08-17 2022-02-18 Isorg Dispositif d'acquisition d'images
US20230165097A1 (en) * 2021-02-07 2023-05-25 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate, display panel and display apparatus
JP2022170447A (ja) * 2021-04-28 2022-11-10 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6757095B2 (en) * 2002-04-30 2004-06-29 Agilent Technologies, Inc. Semiconductor structure and method for transmitting optical signals using externally supplied light beam
CN101079535A (zh) * 2006-05-23 2007-11-28 精工爱普生株式会社 光学模块
CN101631452A (zh) * 2008-07-17 2010-01-20 Juki株式会社 部件安装装置中的基板输送装置
CN101847343A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 索尼公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62151068A (ja) * 1985-12-25 1987-07-06 Hitachi Vlsi Eng Corp フオトイメ−ジセンサ−
JP4091712B2 (ja) 1999-06-10 2008-05-28 パナソニック コミュニケーションズ株式会社 画像読取装置
JP2002314899A (ja) * 2001-04-13 2002-10-25 Sharp Corp 撮像機能一体型表示装置
US7348946B2 (en) 2001-12-31 2008-03-25 Intel Corporation Energy sensing light emitting diode display
JP2004311046A (ja) 2003-04-02 2004-11-04 Canon Inc 透過型発光素子
JP4886162B2 (ja) 2003-06-18 2012-02-29 キヤノン株式会社 撮像装置付き表示装置
US8283679B2 (en) * 2003-06-30 2012-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having light-emitting element and light-receiving element for transmitting among circuits formed over the plurality of substrates
JP5364227B2 (ja) * 2004-07-16 2013-12-11 株式会社半導体エネルギー研究所 読み取り機能付き表示装置及びそれを用いた電子機器
JP4911446B2 (ja) * 2005-09-15 2012-04-04 富士フイルム株式会社 エリアセンサ、画像入力装置、およびそれを組み込んだ電子写真装置等
JP2008067727A (ja) * 2006-09-12 2008-03-27 Hitachi Information & Control Solutions Ltd 個人認証装置
JP2009172263A (ja) 2008-01-28 2009-08-06 Hitachi Maxell Ltd 生体情報取得装置及び撮像装置
JP5332825B2 (ja) 2009-04-01 2013-11-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2011018507A (ja) 2009-07-08 2011-01-27 Seiko Epson Corp 発光装置
JP2011249541A (ja) 2010-05-26 2011-12-08 Harison Toshiba Lighting Corp 発光パネル
JP5712746B2 (ja) * 2011-04-06 2015-05-07 セイコーエプソン株式会社 センシング装置および電子機器
JP2012222484A (ja) 2011-04-06 2012-11-12 Seiko Epson Corp センシング装置および電子機器
JP6428052B2 (ja) * 2014-08-26 2018-11-28 セイコーエプソン株式会社 生体情報取得装置及び電子機器
US9876049B2 (en) * 2014-12-05 2018-01-23 Seiko Epson Corporation Photoelectric conversion device, method for manufacturing photoelectric conversion device, and electronic apparatus
JP2016111211A (ja) * 2014-12-08 2016-06-20 セイコーエプソン株式会社 光電変換装置および電子機器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6757095B2 (en) * 2002-04-30 2004-06-29 Agilent Technologies, Inc. Semiconductor structure and method for transmitting optical signals using externally supplied light beam
CN101079535A (zh) * 2006-05-23 2007-11-28 精工爱普生株式会社 光学模块
CN101631452A (zh) * 2008-07-17 2010-01-20 Juki株式会社 部件安装装置中的基板输送装置
CN101847343A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 索尼公司 显示面板及显示装置

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