CN109065756B - 一种显示器件及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示技术领域，公开了一种显示器件及其制备方法、显示装置，该显示器件包括：阻隔层；形成于阻隔层一侧的指纹传感器；形成于阻隔层背离指纹传感器一侧的遮光层，遮光层具有第一过孔，指纹传感器在阻隔层上的垂直投影位于遮光层在阻隔层上的垂直投影内；形成于遮光层背离阻隔层一侧的中间层；形成于中间层背离阻隔层一侧的像素界定层，像素界定层具有第二过孔，第二过孔内具有阴极层和形成于阴极层背离阻隔层一侧的发光层；形成于像素界定层背离阻隔层一侧的抗反射增透膜层；形成于发光层背离阻隔层一侧的阳极层。该显示器件在内部设置抗反射增透膜层，利于削弱到达指纹传感器的杂散光并增强指纹反射光的强度，提升指纹识别的精准度。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示器件及其制备方法、显示装置。
背景技术
当前的指纹识别显示器件多采用小孔成像的光学式识别形式，显示器件发出的光经指纹反射后小孔成像至指纹传感器。具体的：由于经指纹凹凸处反射到指纹传感器的光明暗不同可实现指纹识别功能。
但是，现有技术中指纹反射光需要穿透阴极才能传播至指纹传感器，在该过程中，指纹反射光会存在一定的光损失，此外，显示器件发光经阴极反射后的光也到达指纹传感器，该部分光线为杂散光、会使得指纹识别效果不佳。
针对以上指纹识别率不高的问题，当前技术主要为通过金属布线组合遮挡杂散光反射路径、以达到屏蔽杂散光提高识别率的目的。但是这些方法改善效果有限且会造成显示电路设计难度，对于实现高分辨率产品难度较大。
发明内容
本发明提供了一种显示器件及其制备方法、显示装置，上述显示器件通过在内部设置抗反射增透膜层，利于削弱到达指纹传感器的杂散光、并增强指纹反射光的强度，从而提升指纹识别的精准度。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种显示器件，包括：
阻隔层；
形成于所述阻隔层一侧的指纹传感器；
形成于所述阻隔层背离所述指纹传感器一侧的遮光层，所述遮光层具有第一过孔，且所述指纹传感器在所述阻隔层上的垂直投影位于所述遮光层在所述阻隔层上的垂直投影内；
形成于所述遮光层背离所述阻隔层一侧的中间层；
形成于所述中间层背离所述阻隔层一侧的像素界定层，所述像素界定层具有第二过孔，所述第二过孔内具有形成于所述中间层上的阴极层和形成于所述阴极层背离所述阻隔层一侧的发光层；
形成于所述像素界定层背离所述阻隔层一侧的抗反射增透膜层；
形成于所述发光层背离所述阻隔层一侧的阳极层。
上述显示器件，包括阻隔层、形成于阻隔层一侧的指纹传感器、以及形成于阻隔层背离指纹传感器一侧、且沿该方向依次排列的遮光层、中间层、像素界定层和抗反射增透膜层，其中：像素界定层具有第二过孔，第二过孔内沿背离阻隔层方向形成有阴极层和发光层，且发光层背离阻隔层的一侧设有阳极层。在使用时，本发明实施例中的显示器件将发出光线，光线到达手指，手指上的指纹对该部分光线进行反射，反射后的光线可透过遮光层的第一过孔传播至指纹传感器，指纹传感器进行指纹识别。在该过程中，发光层发出的光线部分被阴极层反射，该部分反射光线可传播至抗反射增透膜层、并经抗反射增透膜层射出显示器件内部。
本发明提供的显示器件内部增设抗反射增透膜层，该抗反射增透膜层可将阴极层反射的杂散光透过。该方式，一方面，避免了阴极层反射的杂散光传播至指纹传感器，影响指纹识别灵敏度，另一方面，使极层反射的杂散光射出显示器件，提升了显示器件的亮度，从而提升了到达手指的光线的强度，从另一个角度提升了指纹识别的准确度。由上述分析可知，本发明提供的显示器件的指纹识别的准确度较高。
因此，上述显示器件通过在内部设置抗反射增透膜层，利于削弱到达指纹传感器的杂散光、并增强指纹反射光的强度，从而提升指纹识别的精准度。
优选地，所述抗反射增透膜层在所述阻隔层的垂直投影的至少一部分位于所述阴极层在所述阻隔层上的垂直投影与所述遮光层在所述阻隔层上的垂直投影之间。
优选地，所述抗反射增透膜层包括多个子膜层，且所述多个子膜层沿所述指纹传感器指向所述阻隔层方向叠置。
优选地，所述抗反射增透膜层的制备材料包括MgF2、TiO2或者SiO2中的一种。
优选地，所述抗反射增透膜层的厚度为可透过光线波长的四分之一倍。
优选地，所述中间层包括：
形成于所述遮光层背离所述阻隔层一侧的栅绝缘层；
形成于所述栅绝缘层背离所述阻隔层一侧的栅极；
形成于所述栅极背离所述阻隔层一侧的层间绝缘层；
形成于所述层间绝缘层背离所述阻隔层一侧的源漏电极层；
形成于所述源漏电极层背离所述阻隔层一侧的平坦层。
本发明还提供一种显示装置，包括上述技术方案提供的任意一种显示器件。
本发明还提供一种显示器件的制备方法，包括：
在阻隔层的一侧设置指纹传感器；
在所述阻隔层背离所述指纹传感器一侧上形成遮光层，采用过孔刻蚀在所述遮光层上形成第一过孔，且通过构图工艺使所述指纹传感器在所述阻隔层上的垂直投影位于所述遮光层在所述阻隔层上的垂直投影内；
在所述遮光层上形成中间层；
在所述中间层背上形成像素界定层；
通过物理气相沉积或者化学气相在所述像素界定层上沉积抗反射增透薄膜，且通过构图工艺形成抗反射增透膜层；
采用过孔刻蚀在所述像素界定层上形成第二过孔；
在所述第二过孔内形成包括阴极层以及发光层；
在所述发光层上形成阳极层。
优选地，还包括：
在所述遮光层上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成栅极；
在所述栅极上形成层间绝缘层；
在所述层间绝缘上形成源漏电极层；
在所述源漏电极层上形成平坦层。
附图说明
图1为本发明实施例提供的显示器件的结构示意图。
图标：1-阻隔层；2-指纹传感器；3-遮光层；4-栅绝缘层；5-栅极；6-层间绝缘层；7-源漏电极层；8-平坦层；9-像素界定层；10-阴极层；11-发光层；12-阳极层；13-抗反射增透膜层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1，本发明提供一种显示器件，包括：
阻隔层1；
形成于阻隔层1一侧的指纹传感器2；
形成于阻隔层1背离指纹传感器2一侧的遮光层3，遮光层3具有第一过孔，且指纹传感器2在阻隔层1上的垂直投影位于遮光层3在阻隔层1上的垂直投影内；
形成于遮光层3背离阻隔层1一侧的中间层；
形成于中间层背离阻隔层1一侧的像素界定层9，像素界定层9具有第二过孔，第二过孔内具有形成于中间层上的阴极层10和形成于阴极层10背离阻隔层1一侧的发光层11；
形成于像素界定层9背离阻隔层1一侧的抗反射增透膜层13；
形成于发光层11背离阻隔层1一侧的阳极层12。
上述显示器件，包括阻隔层1、形成于阻隔层1一侧的指纹传感器2、以及形成于阻隔层1背离指纹传感器2一侧、且沿该方向依次排列的遮光层3、中间层、像素界定层9和抗反射增透膜层13，其中：像素界定层9具有第二过孔，第二过孔内沿背离阻隔层1方向形成有阴极层10和发光层11，且发光层11背离阻隔层1的一侧设有阳极层12。在使用时，本发明实施例中的显示器件将发出光线，光线到达手指，手指上的指纹对该部分光线进行反射，反射后的光线可透过遮光层3的第一过孔传播至指纹传感器2，指纹传感器2进行指纹识别。在该过程中，发光层11发出的光线部分被阴极层10反射，该部分反射光线可传播至抗反射增透膜层13、并经抗反射增透膜层13射出显示器件内部。
本发明提供的显示器件内部增设抗反射增透膜层13，该抗反射增透膜层13可将阴极层10反射的杂散光透过。需要说明的是，指纹识别传感器在指纹识别过程中，一方面，由于抗反增透膜可使阴极层10反射的杂散光变成透过光射出显示器件，因而可提升显示器件的亮度，从而提升到达手指的光线的强度，并提升指纹反射光的强，使得指纹传感器2信号变强、提升指纹识别的准确度；另一方面，由于抗反增透效果，阴极层10反射的能到达指纹传感器2的杂散光大大减少，减弱了杂散光对指纹识别的噪音影响，提升了识别率。由上述分析可知，本发明提供的显示器件的指纹识别的准确度较高。
因此，上述显示器件通过在内部设置抗反射增透膜层13，利于削弱到达指纹传感器2的杂散光、并增强指纹反射光的强度，从而提升指纹识别的精准度。
在上述技术方案的基础上，为了保证反射层反射的杂散光最大可能的传播至，作为一种优选实施方式，抗反射增透膜层13在阻隔层1的垂直投影的至少一部分位于阴极层10在阻隔层1上的垂直投影与遮光层3在阻隔层1上的垂直投影之间。
在一个可选实施例中，为了提升抗反增透效果，优选的，抗反射增透膜层13包括多个子膜层，且多个子膜层沿指纹传感器2指向阻隔层1方向叠置。
需要说明的是，多个子膜层可对多种波长光都有增透效果，从而可增强指纹反射光的强度、提升指纹识别的精准度。
在上述技术方案的基础上，可选的，抗反射增透膜层的制备材料包括MgF2、TiO2或者SiO2中的一种。
在上述技术方案的基础上，可选的，抗反射增透膜层的厚度为可透过光线波长的四分之一倍。
在上述技术方案的基础上，需要说明的是，中间层为传统工艺中的各膜层结构，可根据使用需求进行变化，作为一种可选实施方式，请继续参考图1，中间层包括：
形成于遮光层3背离阻隔层1一侧的栅绝缘层4；
形成于栅绝缘层4背离阻隔层1一侧的栅极5；
形成于栅极5背离阻隔层1一侧的层间绝缘层6；
形成于层间绝缘层6背离阻隔层1一侧的源漏电极层7；
形成于源漏电极层7背离阻隔层1一侧的平坦层8。
本发明还提供一种显示装置，包括上述技术方案提供的任意一种显示器件。
本发明还提供一种显示器件的制备方法，包括：
在阻隔层1的一侧设置指纹传感器2；
在阻隔层1背离指纹传感器2一侧上形成遮光层3，采用过孔刻蚀在遮光层3上形成第一过孔，且通过构图工艺使指纹传感器2在阻隔层1上的垂直投影位于遮光层3在阻隔层1上的垂直投影内；
在遮光层3上形成中间层；
在中间层背上形成像素界定层9；
通过物理气相沉积或者化学气相在像素界定层9上沉积抗反射增透薄膜，且通过构图工艺形成抗反射增透膜层13；
采用过孔刻蚀在像素界定层9上形成第二过孔；
在第二过孔内形成包括阴极层10以及发光层11；
在发光层11上形成阳极层12。
采用上述方法制备的显示器件，包括阻隔层1、形成于阻隔层1一侧的指纹传感器2、以及形成于阻隔层1背离指纹传感器2一侧、且沿该方向依次排列的遮光层3、中间层、像素界定层9和抗反射增透膜层13，其中：像素界定层9具有第二过孔，第二过孔内沿背离阻隔层1方向形成有阴极层10和发光层11，且发光层11背离阻隔层1的一侧设有阳极层12。在使用时，本发明实施例中的显示器件将发出光线，光线到达手指，手指上的指纹对该部分光线进行反射，反射后的光线可透过遮光层3的第一过孔传播至指纹传感器2，指纹传感器2进行指纹识别。在该过程中，发光层11发出的光线部分被阴极层10反射，该部分反射光线可传播至抗反射增透膜层13、并经抗反射增透膜层13射出显示器件内部。
本发明提供的制备方法制备的显示器件内部增设抗反射增透膜层13，该抗反射增透膜层13可将阴极层10反射的杂散光透过。需要说明的是，指纹识别传感器在指纹识别过程中，一方面，由于抗反增透膜可使阴极层10反射的杂散光变成透过光射出显示器件，因而可提升显示器件的亮度，从而提升到达手指的光线的强度，并提升指纹反射光的强，使得指纹传感器2信号变强、提升指纹识别的准确度；另一方面，由于抗反增透效果，阴极层10反射的能到达指纹传感器2的杂散光大大减少，减弱了杂散光对指纹识别的噪音影响，提升了识别率。由上述分析可知，本发明提供的显示器件的指纹识别的准确度较高。
在上述技术方案的基础上，本发明提供的制备方法还包括：
在遮光层3上形成栅绝缘层4；
在栅绝缘层4上形成栅极5；
在栅极5上形成层间绝缘层6；
在层间绝缘上形成源漏电极层7；
在源漏电极层7上形成平坦层8。
需要说明的是，中间层为传统工艺中的各膜层结构，可根据使用需求进行变化。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (9)
1.一种显示器件，其特征在于，包括：
阻隔层；
形成于所述阻隔层一侧的指纹传感器；
形成于所述阻隔层背离所述指纹传感器一侧的遮光层，所述遮光层具有第一过孔，且所述指纹传感器在所述阻隔层上的垂直投影位于所述遮光层在所述阻隔层上的垂直投影内；
形成于所述遮光层背离所述阻隔层一侧的中间层；
形成于所述中间层背离所述阻隔层一侧的像素界定层，所述像素界定层具有第二过孔，所述第二过孔内具有形成于所述中间层上的阴极层和形成于所述阴极层背离所述阻隔层一侧的发光层；
形成于所述像素界定层背离所述阻隔层一侧的抗反射增透膜层；
形成于所述发光层背离所述阻隔层一侧的阳极层。
2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述抗反射增透膜层在所述阻隔层的垂直投影的至少一部分位于所述阴极层在所述阻隔层上的垂直投影与所述遮光层在所述阻隔层上的垂直投影之间。
3.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述抗反射增透膜层包括多个子膜层，且所述多个子膜层沿所述指纹传感器指向所述阻隔层方向叠置。
4.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述抗反射增透膜层的制备材料包括MgF2、TiO2或者SiO2中的一种。
5.根据权利要求3所述的显示器件，其特征在于，所述抗反射增透膜层的厚度为可透过光线波长的四分之一倍。
6.根据权利要求1-5任一项所述的显示器件，其特征在于，所述中间层包括：
形成于所述遮光层背离所述阻隔层一侧的栅绝缘层；
形成于所述栅绝缘层背离所述阻隔层一侧的栅极；
形成于所述栅极背离所述阻隔层一侧的层间绝缘层；
形成于所述层间绝缘层背离所述阻隔层一侧的源漏电极层；
形成于所述源漏电极层背离所述阻隔层一侧的平坦层。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的显示器件。
8.一种显示器件的制备方法，其特征在于，包括：
在阻隔层的一侧设置指纹传感器；
在所述阻隔层背离所述指纹传感器一侧上形成遮光层，采用过孔刻蚀在所述遮光层上形成第一过孔，且通过构图工艺使所述指纹传感器在所述阻隔层上的垂直投影位于所述遮光层在所述阻隔层上的垂直投影内；
在所述遮光层上形成中间层；
在所述中间层背上形成像素界定层；
通过物理气相沉积或者化学气相在所述像素界定层上沉积抗反射增透薄膜，且通过构图工艺形成抗反射增透膜层；
采用过孔刻蚀在所述像素界定层上形成第二过孔；
在所述第二过孔内形成包括阴极层以及发光层；
在所述发光层上形成阳极层。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，还包括：
在所述遮光层上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成栅极；
在所述栅极上形成层间绝缘层；
在所述层间绝缘上形成源漏电极层；
在所述源漏电极层上形成平坦层。
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