CN112086572B - 一种显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种显示面板和显示装置,本申请的显示面板中在感光模组对应的区域设置金属氧化物层,由于金属氧化物层为透明度高的半导体,当外界的光进入阴极层,会有一部分光被阴极层反射出去,同时有一部分光穿过显示面板各膜层,而各膜层的有一部分光会反射到金属氧化物层,而金属氧化物层可以将这部分光部分重新反射回感光模组,这样能够提高感光模组的受光量,增加显示面板的感光强度。

Description

一种显示面板和显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
随着液晶显示技术的发展,对于手机、平板电脑、相机等电子产品,用户要求具有更多功能和时尚外观。目前,手机的发展趋势是轻薄、接近全面屏。近来,为了实现全面屏或接近全面屏效果,屏下生物特征检测技术应运而生,也就是将生物特征检测模组放在显示屏的下方,通过显示屏发送或接收检测光束实现生物特征检测。现在的屏下生物特征检测技术通常因为生物特征检测模组的感光不足而影响检测效果。
因此,提供一种能够增加感光强度的显示面板成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板和显示装置,能够增加感光强度。
本申请实施例提供一种显示面板,包括:
层间介质层,具有相对设置的第一面和第二面;
遮光层,设置在所述第一面,所述遮光层具有开口,所述开口用于与感光模组对应;
第一平坦化层,设置在所述第一面,且覆盖所述遮光层;
金属氧化物层,设置在所述第一平坦化层远离所述层间介质层的一面;
第一绝缘层,设置在所述第一平坦化层远离所述层间介质层的一面,且覆盖所述金属氧化物层;
第二绝缘层,设置在所述第一绝缘层远离所述层间介质层的一面;
第二平坦化层,设置在所述第二绝缘层远离所述层间介质层的一面;
像素定义层,设置在所述第二平坦化层远离所述层间介质层的一面;
发光功能层,设置在所述像素定义层远离所述像素定义层远离所述层间介质层的一面;
阴极层,设置在所述发光功能层远离所述层间介质层的一面;
其中,所述像素定义层、发光功能层以及阴极层上设有凹槽,所述凹槽与所述开口对应。
在一些实施例中,所述像素定义层与发光功能层之间设置有黑色像素定义层。
在一些实施例中,还包括绝缘薄膜层、缓冲层以及第三绝缘层,所述绝缘薄膜层、缓冲层以及第三绝缘层从依次层叠设置,所述第三绝缘层靠近所述层间介质层。
在一些实施例中,所述缓冲层远离所述绝缘薄膜层的一面设置有多晶硅层,所述第一面设有第一源漏极层,所述第一源漏极层与所述多晶硅层连接,所述第二绝缘层远离所述层间介质层的一面设有第二源漏极层,所述第二源漏极层穿过接触孔与所述第一源漏极层连接。
在一些实施例中,所述第二平坦化层远离所述层间介质层的一面设有阳极层,所述阳极层与所述第二源漏极层连接。
在一些实施例中,还包括沟道层,所述沟道层设置在所述第一平坦化层远离所述层间介质层的一面,所述沟道层和金属氧化物层一次成型,所述第二绝缘层远离所述层间介质层的一面设有第三源漏极层,所述源漏极层与所述沟道层连接。
在一些实施例中,所述沟道层的正投影位于所述遮光层内。
本申请实施例提供一种显示装置,包括显示面板和感光模组,所述感光模组设置在所述显示面板底部,所述显示面板为以上所述的显示面板,所述感光模组与所述开口对应。
本申请实施例提供一种显示装置,包括显示面板,所述显示面板具有第一子面板和第二子面板,所述第一子面板具有相对设置的第一端和第二端,所述第二子面板设置在所述第一端,所述第二子面板相对于所述第一子面板弯折,所述第一子面板为曲面,所述显示面板为以上所述的显示面板。
在一些实施例中,所述第一子面板与第一玻璃盖板贴合,所述第二子面板与第二玻璃盖板贴合。
本申请实施例所提供的显示面板和显示装置,显示面板包括层间介质层、遮光层、第一平坦化层、金属氧化物层、第一绝缘层、第二平坦化层、像素定义层以及发光功能层,层间介质层具有相对设置的第一面和第二面,遮光层设置在所述第一面,所述遮光层具有开口,所述开口用于与感光模组对应,第一平坦化层设置在所述第一面,且覆盖所述遮光层,金属氧化物层设置在所述第一平坦化层远离所述层间介质层的一面,第一绝缘层设置在所述第一平坦化层远离所述层间介质层的一面,且覆盖所述金属氧化物层,第二绝缘层设置在所述第一绝缘层远离所述层间介质层的一面,第二平坦化层设置在所述第二绝缘层远离所述层间介质层的一面,像素定义层设置在所述第二平坦化层远离所述层间介质层的一面,发光功能层设置在所述像素定义层远离所述像素定义层远离所述层间介质层的一面,阴极层设置在所述发光功能层远离所述层间介质层的一面,其中,所述像素定义层、发光功能层以及阴极层上设有凹槽,所述凹槽与所述开口对应。由于本申请显示面板中在感光模组对应的区域设置金属氧化物层,金属氧化物层为透明度高的半导体,当外界的光进入阴极层,会有一部分光被阴极层反射出去,同时有一部分光穿过显示面板各膜层,而各膜层有一部分的光会反射到金属氧化物层,而金属氧化物层可以将这部分光的部分重新反射回感光模组,这样能够提高感光模组的受光量,增加显示面板的感光强度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
图2为本申请实施例提供的显示面板另一个结构示意图。
图3为本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
图4为本申请实施例提供的另一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明的是,在本申请的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
本申请实施例提供显示面板和显示装置,以下对显示面板做详细介绍。
请参阅图1所示,图1为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。其中,显示面板10包括层间介质层11、遮光层12、第一平坦化层13、金属氧化物层14、第一绝缘层15、第二平坦化层17、像素定义层18以及发光功能层19,层间介质层11具有相对设置的第一面11a和第二面11b,遮光层设置在所述第一面11a,所述遮光层12具有开口12a,所述开口12a用于与感光模组对应,第一平坦化层13设置在所述第一面11a,且覆盖所述遮光层12,金属氧化物层14设置在所述第一平坦化层13远离所述层间介质层11的一面,第一绝缘层15设置在所述第一平坦化层13远离所述层间介质层11的一面,且覆盖所述金属氧化物层14,第二绝缘层16设置在所述第一绝缘层15远离所述层间介质层11的一面,第二平坦化层17设置在所述第二绝缘层16远离所述层间介质层11的一面,像素定义层18设置在所述第二平坦化层17远离所述层间介质层11的一面,发光功能层19设置在所述像素定义层18远离所述像素定义层18远离所述层间介质层11的一面,阴极层101设置在所述发光功能层19远离所述层间介质层11的一面,其中,所述像素定义层18、发光功能层19以及阴极层101上设有凹槽102,所述凹槽102与所述开口12a对应。
需要说明的是,第一面11a为层间介质层11的上表面,第二面11b为层间介质层11的下表面。当然第一面11a也可以为层间介质层11的下表面,第二面11b也可以为层间介质层11的上表面。
其中,所述像素定义层18、发光功能层19以及阴极层101上设有凹槽102,所述凹槽102与所述开口12a对应。由于凹槽102与开口12a对应,因此,光线从外界进入感光模组时,由于该凹槽102的存在,因此,光线穿过的膜层数量减少,这样光线能够更多的进入到感光模组内,从而提高显示面板10的感光强度。可以理解的是,凹槽102也可以设置在阴极层101上,或者凹槽102设置在阴极层101和发光功能层19上。凹槽102穿过的膜层数量越多,那么显示面板10外界光进入到感光模组时穿过的膜层数量就越少。
另外的,本申请由于在遮光层12之间形成开口12a,因此显示面板10外界的光线能够从开口12a进入到感光模组内,同时,因为遮光层12用来防止发光功能层19的光对金属氧化物层14造成损害而导致失效。
另外的,金属氧化物层采用的材料为透明金属氧化物,具体地,可以为铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)或锑锡氧化物(ATO)中的任一种。以上材料具有很好的导电性和透明性,并且厚度较小,不会影响显示面板10的整体厚度。同时,还可以减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外光。
请参阅图2,图2为本申请实施例提供的显示面板另一个结构示意图。其中,显示面板10还包括绝缘薄膜层104、缓冲层105以及第三绝缘层112,所述绝缘薄膜层104、缓冲层105以及第三绝缘层112从依次层叠设置,所述第三绝缘层112靠近所述层间介质层101。所述缓冲层105远离所述绝缘薄膜层104的一面设置有多晶硅层106,所述第一面11a设有第一源漏极层107,所述第一源漏极层107与所述多晶硅层106连接,所述第二绝缘层16远离所述层间介质层11的一面设有第二源漏极层108,所述第二源漏极层108穿过接触孔与所述第一源漏极层107连接。所述第二平坦化层17远离所述层间介质层11的一面设有阳极层110,所述阳极层110与所述第二源漏极层108连接。
其中,显示面板10还包括沟道层111,所述沟道层111设置在所述第一平坦化层13远离所述层间介质层11的一面,所述沟道层111和金属氧化物层14一次成型,所述第二绝缘层16远离所述层间介质层11的一面设有第三源漏极层109,所述源漏极层与所述沟道层111连接。
本申请采用这种结构,可以使得沟道层111和金属氧化物层14一次成型,同时沟道层111和金属氧化物层14采用同样的材料。这样在原有的结构工序的基础上只需要多开一个金属氧化物层14的孔,这样可以省去打孔填充等工序,并且更能保证面板结构不被打孔破坏,稳定性更高。
其中,所述沟道层111的正投影位于所述遮光层12内。当然,在一些实施例中,沟道层111的正投影也可以位于遮光层12外。
本申请实施例提供的显示面板10包括层间介质层11、遮光层12、第一平坦化层13、金属氧化物层14、第一绝缘层15、第二平坦化层17、像素定义层18以及发光功能层19,层间介质层11具有相对设置的第一面11a和第二面11b,遮光层12设置在所述第一面11a,所述遮光层12具有开口12a,所述开口12a用于与感光模组20对应,第一平坦化层13设置在所述第一面11a,且覆盖所述遮光层12,金属氧化物层14设置在所述第一平坦化层13远离所述层间介质层11的一面,第一绝缘层15设置在所述第一平坦化层13远离所述层间介质层11的一面,且覆盖所述金属氧化物层14,第二绝缘层16设置在所述第一绝缘层15远离所述层间介质层11的一面,第二平坦化层17设置在所述第二绝缘层16远离所述层间介质层11的一面,像素定义层18设置在所述第二平坦化层17远离所述层间介质层11的一面,发光功能层19设置在所述像素定义层18远离所述像素定义层18远离所述层间介质层11的一面,阴极层101设置在所述发光功能层19远离所述层间介质层11的一面,其中,所述像素定义层18、发光功能层19以及阴极层101上设有凹槽102,所述凹槽102与所述开口12a对应。由于本申请显示面板10中在感光模组20对应的区域设置金属氧化物层14。由于金属氧化物层14为透明度高的半导体,当外界的光进入阴极层101,会有一部分光被阴极层101反射出去,同时有一部分光穿过显示面板10各膜层,而各膜层的有一部分的光会反射到金属氧化物层14,而金属氧化物层14可以将这部分光的部分重新反射回感光模组20,这样能够提高感光模组20的受光量,增加显示面板10的感光强度。
请参阅图3,图3为本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。其中,显示装置100包括显示面板10和感光模组20,所述感光模组20设置在所述显示面板10底部,所述显示面板10为以上所述的显示面板10,所述感光模组20与所述开口对应。显示面板10在上述实施例中已经进行了详细的描述,因此,本申请实施例中对显示面板10不在过多赘述。
本申请的显示装置中在感光模组对应的区域设置金属氧化物层。由于金属氧化物层为透明度高的半导体,当外界的光进入阴极层,会有一部分光被阴极层反射出去,同时有一部分光穿过显示面板各膜层,而各膜层的有一部分的光会反射到金属氧化物层,而金属氧化物层可以将这部分光的部分重新反射回感光模组,这样能够提高感光模组的受光量,增加显示面板的感光强度。
请参阅图4,图4为本申请实施例提供的另一种显示装置的结构示意图。其中,一种显示装置200,包括显示面板10,所述显示面板10具有第一子面板10a和第二子面板10b,所述第一子面板10a具有相对设置的第一端和第二端,所述第二子面板10b设置在所述第一端,所述第二子面板10b相对于所述第一子面板10a弯折,所述第一子面板10a为曲面,所述显示面板10为以上所述的显示面板10。
需要说明的是,第一端为第一子面板10a的上端,第二端为第一子面板10b的下端。当然,第一端也可以为第一子面板10a的下端,第二端为第一子面板10b的上端。
另外的,第一子面板10a为曲面显示面板。也就是,第一子面板10a的两侧是弯曲的。具体的,第一子面板10a为静态曲面显示面板。当然,第一子面板10a也可以为平板的显示面板。第二子面板10b可以沿着第一子面板10a弯曲或者翻转。本申请实施例中对第二子面板10b沿着第一子面板10b弯曲方式不做具体限定。
另外的,第一子面板10a和第二子面板10b均采用上述实施例的所述的显示面板。由于上述实施例已经对显示面板进行了详细描述。因此本申请实施例对显示面板的结构不做过多赘述。由于第一子面板10a和第二子面板10b都采用上述显示面板。因此,本申请的第一子面板10a和第二面板10b中在感光模组对应的区域设置金属氧化物层。由于金属氧化物层为透明度高的半导体,当外界的光进入阴极层,会有一部分光被阴极层反射出去,同时有一部分光穿过显示面板各膜层,而各膜层的有一部分的光会反射到金属氧化物层,而金属氧化物层可以将这部分光的部分重新反射回感光模组,这样能够提高感光模组的受光量,增加显示面板的感光强度。
以上对本申请实施例提供的一种显示面板和显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板,其特征在于,感光模组设置在所述显示面板底部;所述显示面板包括:
层间介质层,具有相对设置的第一面和第二面;
遮光层,设置在所述第一面,所述遮光层具有开口,所述开口与所述感光模组对应;
第一平坦化层,设置在所述第一面,且覆盖所述遮光层;
金属氧化物层,设置在所述第一平坦化层远离所述层间介质层的一面,且与所述开口对应;所述金属氧化物层采用的材料为透明金属氧化物;
第一绝缘层,设置在所述第一平坦化层远离所述层间介质层的一面,且覆盖所述金属氧化物层;
第二绝缘层,设置在所述第一绝缘层远离所述层间介质层的一面;
第二平坦化层,设置在所述第二绝缘层远离所述层间介质层的一面;
像素定义层,设置在所述第二平坦化层远离所述层间介质层的一面;
发光功能层,设置在所述像素定义层远离所述像素定义层远离所述层间介质层的一面;
阴极层,设置在所述发光功能层远离所述层间介质层的一面;
其中,所述像素定义层、发光功能层以及阴极层上设有凹槽,所述凹槽与所述开口对应。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素定义层与发光功能层之间设置有黑色像素定义层。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括绝缘薄膜层、缓冲层以及第三绝缘层,所述绝缘薄膜层、缓冲层以及第三绝缘层从依次层叠设置,所述第三绝缘层靠近所述层间介质层。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述缓冲层远离所述绝缘薄膜层的一面设置有多晶硅层,所述第一面设有第一源漏极层,所述第一源漏极层与所述多晶硅层连接,所述第二绝缘层远离所述层间介质层的一面设有第二源漏极层,所述第二源漏极层穿过接触孔与所述第一源漏极层连接。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第二平坦化层远离所述层间介质层的一面设有阳极层,所述阳极层与所述第二源漏极层连接。
6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,还包括沟道层,所述沟道层设置在所述第一平坦化层远离所述层间介质层的一面,所述沟道层和金属氧化物层一次成型,所述第二绝缘层远离所述层间介质层的一面设有第三源漏极层,所述源漏极层与所述沟道层连接。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述沟道层的正投影位于所述遮光层内。
8.一种显示装置,其特征在于,包括显示面板和感光模组,所述感光模组设置在所述显示面板底部,所述显示面板为权利要求1至7任一项所述的显示面板,所述感光模组与开口对应。
9.一种显示装置,其特征在于,包括显示面板,所述显示面板具有第一子面板和第二子面板,所述第一子面板具有相对设置的第一端和第二端,所述第二子面板设置在所述第一端,所述第二子面板相对于所述第一子面板弯折,所述第一子面板为曲面,所述显示面板为权利要求1至7任一项所述的显示面板。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述第一子面板与第一玻璃盖板贴合,所述第二子面板与第二玻璃盖板贴合。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101068027A (zh) * 2006-05-03 2007-11-07 三星Sdi株式会社 有机发光显示装置
CN102024843A (zh) * 2009-09-14 2011-04-20 卡西欧计算机株式会社 发光面板以及发光面板的制造方法
KR20170113794A (ko) * 2016-03-25 2017-10-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치 제조방법
CN109065756A (zh) * 2018-08-03 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 一种显示器件及其制备方法、显示装置
CN109887963A (zh) * 2019-02-18 2019-06-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板
CN110277430A (zh) * 2019-06-26 2019-09-24 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板、其制备方法及显示装置
CN110416272A (zh) * 2019-07-31 2019-11-05 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN111223910A (zh) * 2020-03-18 2020-06-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示基板

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120119430A (ko) * 2011-04-21 2012-10-31 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
CN108258024B (zh) * 2018-01-29 2022-01-07 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109541839B (zh) * 2018-12-10 2021-12-07 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101068027A (zh) * 2006-05-03 2007-11-07 三星Sdi株式会社 有机发光显示装置
CN102024843A (zh) * 2009-09-14 2011-04-20 卡西欧计算机株式会社 发光面板以及发光面板的制造方法
KR20170113794A (ko) * 2016-03-25 2017-10-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치 제조방법
CN109065756A (zh) * 2018-08-03 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 一种显示器件及其制备方法、显示装置
CN109887963A (zh) * 2019-02-18 2019-06-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板
CN110277430A (zh) * 2019-06-26 2019-09-24 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板、其制备方法及显示装置
CN110416272A (zh) * 2019-07-31 2019-11-05 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN111223910A (zh) * 2020-03-18 2020-06-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示基板

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