JP2011018507A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】部材コスト及びプロセスコストの増加を抑制しつつ外光の反射が抑制されたフロントライトとしての有機ＥＬ装置を得る。
【解決手段】透明基板１２上に、透明導電性を有する第１電極２４と少なくともＥＬ層５３を含む発光機能層５０と局所的に形成された反射導電性を有する第２電極３０とが順に積層されてなる発光素子２０が配置されており、発光機能層５０内で生じた光を透明基板１２を介して射出する発光装置１であって、第２電極３０の透明基板１２側の反対側の面の少なくとも一部には、透明層２６と半透過反射層２８とが順に積層されていることを特徴とする発光装置１。
【選択図】図５

Description

本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。

表示装置には、自発光型でなく、外光（外部から照射される光）を反射させて画像あるいは文字等を表示する反射型（あるいは半透過反射型）の表示装置がある。ここで、上述の「外光」を、周辺光、例えば周囲の照明や太陽光のように該表示装置とは関係なく光量が決まる光とすると、表示に要する光量が不足してコントラストが低下することが有り得る。そのため、近年、先行技術文献に記載するような、有機ＥＬ装置のような発光装置をフロントライトとして備えた反射型の表示装置が提案されている。かかる（文献に記載の）有機ＥＬ装置は、有機ＥＬ素子の観察者側に光吸収層を重ねて形成することで、上述の周辺光が該有機ＥＬ素子の電極により観察者側に向けて反射されることを抑制し、表示品質を向上させている。

SID2008 44.2Novel Front-Light system Using Fine-Pitch Patterned Oled(page655)Norio Koma et.al.

しかしながら、かかる光吸収層は、有機ＥＬ装置の観察者側に貼り付ける封止基板に予め形成しておき、有機ＥＬ素子が形成される素子基板と位置合せして貼り合せる必要があり、部材コスト及びプロセスコストの双方が増加してしまうという課題がある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］透明基板上に、透明導電性を有する第１電極と少なくともＥＬ層を含む発光機能層と局所的に形成された反射導電性を有する第２電極とが順に積層されてなる発光素子が配置されており、上記発光機能層内で生じた光を上記透明基板を介して射出する発光装置であって、上記第２電極の上記透明基板側の反対側の面の少なくとも一部には、透明層と半透過反射層とが順に積層されていることを特徴とする発光装置。

上記第２電極と上記透明層と上記半透過反射層との積層体は、上記半透過反射層側から照射される光に対して光干渉層として機能する。すなわち照射される光の一部を反射させずに吸収できる。したがって、このような構成の発光装置であれば、反射型の表示装置のフロントライトとして用いる場合において、周辺光が反射性を有する第２電極によって観察者側に反射されることを抑制でき、該表示装置の表示品質を向上できる。
なお、上述の「透明」とは透過率１００％を意味するものではなく、可視光の透過率が６０％以上、好ましくは７０％以上であることを意味する。

［適用例２］上述の発光装置であって、上記半透過反射層により反射される光に生じる反射光の位相シフトをΦ１、上記第２電極により反射される光に生じる反射光の位相シフトをΦ２、上記透明層の層厚をｄ（ｎｍ）、反射の低減を目的とする光のピーク波長をλ（ｎｍ）、としたとき、
２ｄ＋（Φ２−Φ１）＝（ｎ＋１／２）λ（ｎは整数）の条件を満たすことを特徴とする発光装置。

このような構成であれば、上述の反射の低減を目的とする光の、上記第２電極による反射光と上記半透過反射層による反射光とを効率よく打消し合わせることができる。
したがって、このような構成の発光装置であれば、反射型の表示装置のフロントライトとして用いる場合において、該表示装置の表示品質をより一層向上できる。

［適用例３］上述の発光装置であって、上記λは５５０ｎｍであることを特徴とする発光装置。

波長が５５０ｎｍ近辺の光は視認性が最も高いため、このような構成であれば、人の視認性が高い波長範囲の光の反射を効率的に低減できる。したがって、このような構成の発光装置であれば、反射型の表示装置のフロントライトとして用いる場合において、該表示装置の表示品質をより一層向上できる。

［適用例４］上述の発光装置であって、上記発光機能層は上記ＥＬ層と上記第２電極との間に電子注入層を有しており、上記透明層は該電子注入層を構成する材料と同一の材料からなることを特徴とする発光装置。

このような構成であれば、新たな材料を用意することなく上記透明層を形成できるため、製造コストの増加を抑制できる。

［適用例５］上述の発光装置であって、上記透明層は、ＬｉＦ，ＣａＦ₂，ＭｇＦ₂のうちのいずれかで形成されていることを特徴とする発光装置。

上述の材料は電子注入層の材料として好適であるため、このような構成であれば表示品質を損うことなく製造コストの増加を抑制できる。

［適用例６］上述の発光装置であって、上記透明層は酸化窒化シリコンからなることを特徴とする発光装置。

酸化窒化シリコンは封止性が高いため、このような構成であれば外光反射の低減と信頼性の確保を両立できる。

［適用例７］上述の発光装置であって、上記第２電極と上記半透過反射層とは、共通のマスクを用いたマスク成膜により形成されていることを特徴とする発光装置。

このような構成であれば、上記第２電極の（透明基板側の反対側の）全面が光干渉層を備えることとなり、かつ光干渉層を必要としない領域には半透過反射層が形成されない。したがって、かかる発光装置であれば外光の反射をより一層抑制でき、反射型の表示装置のフロントライトとして用いる場合において、該表示装置の表示品質をより一層向上できる。

［適用例８］上述の発光装置であって、上記透明層が、上記第２電極及び上記半透過反射層の形成に用いられたマスクと共通のマスクを用いたマスク成膜により形成されていることを特徴とする発光装置。

このような構成であれば、上記透明基板と上記透明層とにより干渉構造が形成されることを回避できる。したがって、このような構成の発光装置であれば、反射型の表示装置のフロントライトとして用いる場合において、上記発光素子の照射光が反射された光である表示光を効率よく取り出すことができ、該表示装置の表示品質を向上できる。

［適用例９］上述の発光装置であって、上記第２電極と上記半透過反射層とが同一の材料からなることを特徴とする発光装置。

このような構成であれば、該発光装置の製造に要する材料の種類を低減でき、製造コストを低減できる。

［適用例１０］上述の発光装置であって、上記第２電極と上記半透過反射層とがＡｌからなることを特徴とする発光装置。

このような構成であれば、該発光装置の製造コストをより一層低減できる。

［適用例１１］上述の発光装置であって、上記半透過反射層は屈折率が１より大きい材料からなることを特徴とする発光装置。

このような構成であれば、上記光干渉層の光吸収性を向上できる。したがって、反射型の表示装置のフロントライトとして用いる場合において、該表示装置の表示品質を向上できる。

［適用例１２］上述の発光装置であって、上記半透過反射層がＡｇを９０％以上含有する材料からなることを特徴とする発光装置。

このような構成であれば、上記光干渉層の光吸収性をより一層向上できる。したがって、反射型の表示装置のフロントライトとして用いる場合において、該表示装置の表示品質をより一層向上できる。

［適用例１３］上述の発光装置であって、平面視において、複数の上記発光素子が互いに間隔を空けて配置された発光領域と該発光領域の周囲の周辺領域とを有し、上記発光領域内において上記第１電極は上記発光機能層に覆われていることを特徴とする発光装置。

このような構成であれば上記第１電極と上記第２電極とがショートすることを回避できる。したがって、該発光装置の信頼性を向上できる。

［適用例１４］上述の発光装置であって、上記第２電極は上記発光領域内において互いに離間するように形成され、かつ、透明導電性を有する第２電極配線で互いに連結された複数個の島状パターンであることを特徴とする発光装置。

このような構成であれば、上記発光領域内において上記第２電極が占める面積を低減できる。したがって、該発光装置を反射型の表示装置のフロントライトとして用いる場合において表示光を効率よく取り出すことができ、該表示装置の表示品質を向上できる。

［適用例１５］上述の発光装置であって、上記第２電極配線は、上記第１電極を構成する透明導電材料層と同一の透明導電材料層を、上記第１電極と交わらないようにパターニングして形成されていることを特徴とする発光装置。

このような構成であれば、該発光装置の製造に要する材料の種類と、パターニング工程の回数を低減でき、製造コストを低減できる。

［適用例１６］上述の発光装置であって、上記ＥＬ層が有機ＥＬ層であることを特徴とする発光装置。

有機ＥＬ層は任意の波長範囲の光を照射できるため、このような発光装置であれば反射型の表示装置のフロントライトとして用いる場合において、該表示装置の表示品質をより一層向上できる。

［適用例１７］上述の発光装置をフロントライトとして用いたことを特徴とする反射型の表示装置。

このような構成の表示装置であれば外光の反射を低減して表示品質を向上できる。

［適用例１８］透明基板上に透明導電性を有する第１電極を形成する第１の工程と、上記第１電極の少なくとも一部を覆うように、少なくともＥＬ層を含む発光機能層を形成する第２の工程と、上記第１電極と上記発光機能層との積層体の少なくとも一部を覆うように、反射導電性を有する第２電極をマスク成膜法により局所的に形成する第３の工程と、上記第２電極を覆うように透明層を形成する第４の工程と、上記第３の工程で用いるマスクと同一のマスクを用いるマスク成膜法により、半透過反射層を、上記透明層を介して上記第２電極と重なるように形成する第５の工程と、を、この順に実施することを特徴とする発光装置の製造方法。

このような製造方法であれば、上記第２電極の上面にのみ上記半透過反射層を形成して、上記第２電極と上記透明層と上記半透過反射層との積層体である光干渉層を形成できる。したがって、製造コストの増加を抑制しつつ、外光の反射が低減されたフロントライト用の発光装置を得ることができる。

［適用例１９］上述の発光装置の製造方法であって、上記第２〜５の工程は真空蒸着法により成膜する工程であり、かつ、同一の装置内で連続的に実施されることを特徴とする発光装置の製造方法。

このような製造方法であれば、搬送工程等の増加を抑制しつつ上述の光干渉層を形成できる。したがって、製造コストの増加をより一層抑制しつつ、外光の反射が低減されたフロントライト用の発光装置を得ることができる。

［適用例２０］上述の発光装置の製造方法であって、上記第５の工程は、上記第３の工程で用いられる蒸着マスクと同一の蒸着マスクを用いて成膜する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。

このような製造方法であれば、蒸着マスクを別途用意することなく上述の光干渉層を形成できる。したがって、製造コストの増加をより一層抑制しつつ、外光の反射が低減されたフロントライト用の発光装置を得ることができる。

［適用例２１］上述の発光装置の製造方法であって、上記第４の工程は、上記第３の工程及び上記第５の工程で用いられる蒸着マスクと同一の蒸着マスクを用いたマスク蒸着法により上記透明層を形成する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。

このような製造方法であれば、上記第２電極を形成後、蒸着マスクの着脱を行なうことなく上述の光干渉層を形成できる。したがって、製造コストの増加をより一層抑制しつつ、外光の反射が低減されたフロントライト用の発光装置を得ることができる。

［適用例２２］上述の発光装置の製造方法であって、上記第２の工程は、電子注入層を含む複数の材料層を夫々異なる蒸着源を用いて形成する工程であり、上記第４の工程は上記電子注入層の形成に用いられる蒸着源と同一の蒸着源を用いて上記透明層を形成する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。

このような製造方法であれば、上述の光干渉層の形成に要する蒸着源の数（種類数）を低減できる。したがって、製造コストの増加をより一層抑制しつつ、外光の反射が低減されたフロントライト用の発光装置を得ることができる。

［適用例２３］上述の発光装置の製造方法であって、上記第５の工程は、上記第２電極の形成に用いられる蒸着源と同一の蒸着源を用いて上記半透過反射層を形成する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。

このような製造方法であれば、上述の光干渉層の形成に要する蒸着源の数（種類数）を低減できる。したがって、製造コストの増加をより一層抑制しつつ、外光の反射が低減されたフロントライト用の発光装置を得ることができる。

第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置、及び反射型液晶装置を示す図。 有機ＥＬ装置の平面視における概略を示す模式平面図。 有機ＥＬ素子の平面視での概略を示す模式平面図。 有機ＥＬ素子の概略を示す摸式断面図。 光干渉層の構造及び作用を、発光機能層の詳細と共に示す図。 第２の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。 第２の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。 第２の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。 第２の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。 第２の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。 第５の実施形態の有機ＥＬ素子の平面視での概略を示す図。（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。 第６の実施形態の有機ＥＬ素子の平面視での概略を示す模式平面図。 第７の実施形態の有機ＥＬ装置が備える有機ＥＬ素子の概略を示す図。 第８の実施形態の有機ＥＬ装置が備える有機ＥＬ素子の概略を示す図。 第９の実施形態の反射型の表示装置を示す図。 第１０の実施形態の反射型の表示装置を示す図。 Ａｇの光学定数を示す図。 Ａｌの光学定数を示す図。 ＬｉＦの光学定数を示す図。 ＳｉＯＮの光学定数を示す図。 第３の実施形態の有機ＥＬ装置の陰極上面における反射率特性を示す図。 第１の実施形態の有機ＥＬ装置の陰極上面における反射率特性を示す図。 第４の実施形態の有機ＥＬ装置の陰極上面における反射率特性を示す図。

以下、本発明の各実施形態について図面に従って述べる。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態にかかる発光装置としての有機ＥＬ装置１、及び該有機ＥＬ装置をフロントライトとして用いた反射型の表示装置として反射型液晶装置３を示す図である。反射型液晶装置３は、反射型の液晶パネル２とフロントライトとしての有機ＥＬ装置１とを組み合わせた装置である。観察者９側から照射される外光を反射して、観察者９にカラー画像を表示できる。なお、本図においては後述する発光機能層５０（詳しくは有機ＥＬ層５３（図５等参照））内で生じるＥＬ光Ｉが外光に相当している。

反射型の液晶パネル２は、素子基板１０と対向基板１１との一対の基板、及び該一対の基板間に挟持された液晶層７９等からなる。素子基板１０の液晶層７９側（以下、「上側」あるいは「上層」と称する。）の面にはＴＦＴ（薄膜トランジスター）１５と各々の該ＴＦＴに対応する画素電極１７が規則的に形成されている。画素電極１７の上層には第１の配向膜７５が形成されており、液晶層７９は該第１の配向膜と後述する第２の配向膜７６とで挟持されている。なお、液晶パネル２は反射型であるため、素子基板１０は透明性を要しない。したがって、プラスチック等の不透明性材料からなる基板を用いることもできる。

画素電極１７は反射性を有しており、液晶層７９側から照射されるＥＬ光Ｉを反射光Ｒとして該液晶層の方向に反射する。なお、かかる反射性は、画素電極１７自体を反射性材料で形成して得てもよく、また、ＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）等の透明導電性材料で形成された画素電極１７とＡｌ等からなる反射層とを組み合わせて得てもよい。ＴＦＴ１５と画素電極１７とは層間絶縁層（符号無し）で隔てられており、図示しないコンタクトホールを介して電気的に接続されている。各々のＴＦＴ１５は図示しない周辺回路で制御されており、対応する画素電極１７に任意の電圧を印加できる。

対向基板１１はガラス等の透明性材料からなる基板であり、図示しないシール材等により素子基板１０と平行、すなわち全域で等間隔となるように配置されている。対向基板１１の液晶層７９側の面には、カラーフィルター層７０と対向電極１８と第２の配向膜７６とが、この順に配置されている。そして、液晶層７９側の反対側の面には偏光板１４が配置されている。

カラーフィルター層７０は、平面視で画素電極１７に対応するカラーフィルター７１と隣り合う該カラーフィルター間に形成された遮光層（ブラックマトリクス）７２とからなる。カラーフィルター７１は、所定の波長範囲の光を高い割合で透過させ他の波長範囲の光を吸収することで、該カラーフィルターを透過する白色光を任意の波長範囲の光にしている。本実施形態の液晶パネルのカラーフィルター層７０は、赤色光に相当する波長範囲の光を透過させる赤色カラーフィルターと緑色光に相当する波長範囲の光を透過させる緑色カラーフィルターと青色光に相当する波長範囲の光を透過させる青色カラーフィルターとの３種類のカラーフィルター７１を備えている。上述の観察側から照射される光（白色光）はＥＬ光Ｉとして、及び反射光Ｒとしての計２回カラーフィルター７１を透過することで上述の３原色のいずれかに着色される。

対向電極１８はＩＴＯ等の透明導電材料からなり、ＥＬ光Ｉ及び反射光Ｒの進行を妨げることなく画素電極１７との間に電界を形成できる。偏光板１４は直線偏光板であり、入射してくるＥＬ光Ｉを直線偏光にできる。第２の配向膜７６は、上述の第１の配向膜７５と共に液晶層７９を挟持している。そして、第１の配向膜７５の配向方向と第２の配向膜７６の配向方向とは互いに直交している。したがって、画素電極１７と対向電極１８との間に電圧が印加されていない状態において、液晶層７９に含有される液晶分子は平面視で長軸を略９０度ツイストしている。

画素電極１７と対向電極１８との一対の電極間に電圧が印加されると、上述の液晶分子は該電圧に応じた角度で立ち上がり光の透過率を変化させる。すなわち、観察者９の方向から照射されるＥＬ光Ｉの反射率を変化させ、反射光Ｒの光量を調整できる。上述したように画素電極１７に印加される電圧は該画素電極毎に個別に制御されるため、反射光Ｒの光量も個別に制御される。そのため、反射型液晶装置３は、太陽光あるいは室内灯光等の外光、すなわち周辺光が充分にあれば、観察者９に対して任意のカラー画像を表示できる。フロントライトとは、かかる外光を任意に供給することで周囲の状況に影響されることなく表示を可能にするための装置である。

本実施形態にかかるフロントライトとしての有機ＥＬ装置１は、透明基板１２と該透明基板の上層（観察者９側）に間欠的に配置された発光素子としての有機ＥＬ素子２０、及び封止構造４０等からなる。有機ＥＬ素子２０の観察者９側には反射導電性を有する第２電極としての陰極３０（図４等参照）が形成されている。かかる反射性（反射導電性）により、上述の有機ＥＬ層内で生じる光の内の多くがＥＬ光Ｉとして液晶パネル２の方向に照射される。かかるＥＬ光Ｉが個々の画素電極１７で反射されることで、観察者９に対する画像が形成される。

ここで、上述の（陰極３０）の反射性は、周辺光、すなわちＥＬ光Ｉ以外の観察者９側から照射される光に対しても発揮される。したがって、かかる周辺光がある場合、上述の陰極３０による反射光（画素電極１７による反射光Ｒ以外の反射光）が、画像を形成する光とは別の光として観察者９側に照射され得る。本実施形態に係る有機ＥＬ装置１は、有機ＥＬ素子２０の観察者９側に光干渉層２２（図４等参照）を形成することで、かかる反射光（反射光Ｒ以外の反射光）を低減している。以下、有機ＥＬ素子２０の構成を、光干渉層２２の構造及び効果等を含めて述べる。

図２は、有機ＥＬ装置１の平面視における概略を示す模式平面図である。図示するように、有機ＥＬ装置１は平面視において、有機ＥＬ素子２０が所定の間隔をもって規則的に配置されている発光領域１００と該発光領域の周囲の領域である周辺領域１０１とを有している。発光領域１００は液晶パネル２に対してＥＬ光Ｉを照射する領域であり、液晶パネル２において画像が形成される領域に対応する領域である。

発光領域１００内には帯状の第１電極としての陽極２４と同じく帯状の第２電極配線としての陰極配線３２とが１本おきに互いに略平行に配置されている。陽極２４と陰極配線３２との双方は共に透明導電性材料であるＩＴＯで形成されており、液晶パネル２において形成される画像の視認性には影響を及ぼさない。

陽極２４上には、所定の間隔をおいて平面視で島状（パッド状）の発光機能層５０が形成されている。そして該発光機能層の上層には、平面視で一方の側で隣り合う陰極配線３２とまたがるように、Ａｌ（アルミニウム）からなる陰極３０が形成されている。かかる陽極２４と発光機能層５０と陰極３０との積層体が有機ＥＬ素子２０である。発光領域１００内における有機ＥＬ素子２０の占有面積は、略１％である。したがって、有機ＥＬ装置１は、液晶パネル２において形成される画像の視認性に殆んど影響を及ぼすことなくＥＬ光Ｉを照射できる。

複数本の陽極２４と複数本の陰極配線３２の双方は、周辺領域１０１で連結されている。そして、陽極２４は図示しない電源のプラス極と接続され、陰極配線３２は同じく図示しない電源のマイナス極と接続されている。反射型液晶装置３の使用者は、かかる電源の電圧を調整することで有機ＥＬ素子２０を任意の発光強度で一斉に点灯させて、液晶パネル２にＥＬ光Ｉを照射することができる。

なお、有機ＥＬ装置１においては、発光領域１００は矩形であり有機ＥＬ素子２０は該発光領域内に規則的に配置されているが、かかる態様に限定されるものではない。発光領域１００は円形等の（不定形を含む）他の形状でもよく、有機ＥＬ素子２０の配置もランダムなものでも構わない。

図３は、有機ＥＬ素子２０の平面視での概略を示す模式平面図である。陽極２４と陰極配線３２とは、ショートを回避すべく充分な間隔を持って形成されている。発光機能層５０は平面視で矩形であり、陽極２４の延在方向に互いに充分な間隔を持って形成されている。陰極３０は、陽極２４と発光機能層５０との積層領域、及び該領域と隣り合う部分の陰極配線３２を横切るように形成されている。陰極３０の幅（陽極２４の延在方向の寸法）は発光機能層５０の該寸法よりも充分に小さく、陰極３０と陽極２４とのショートが抑制されている。

図４は、図３のＡ−Ａ’線における断面図であり、有機ＥＬ素子２０の概略を示す摸式断面図である。陰極３０の上層には、層厚８５ｎｍのＬｉＦ（弗化リチウム）からなる透明層２６と層厚７ｎｍのＡｌ（アルミニウム）からなる半透過反射層２８とが、この順に形成されている。透明層２６と半透過反射層２８とは、平面視で陰極３０と略一致するように形成されている。したがって、上述の周辺光のうちの陰極３０に向かう光は、一部が半透過反射層２８の表面で反射され、一部が半透過反射層２８と透明層２６とを透過して陰極３０に達し、該陰極の表面で反射される（その他、吸収され熱として放散される光もある。）。

ここで、半透過反射層２８の表面で反射される光の進行方向と陰極３０の表面で反射される光の進行方向とは略平行である。したがって、陰極３０と透明層２６と半透過反射層２８との積層体は、所定の波長範囲の光を干渉させて消滅させる干渉層として機能する。該干渉層を、以下、光干渉層２２と称する。有機ＥＬ装置１は、有機ＥＬ素子２０を構成する要素の中で高い反射性を有する陰極３０の上層に光干渉層２２が形成されているため、上述の周辺光の反射を低減できる。したがって、かかる有機ＥＬ装置１を反射型の表示装置のフロントライトとして用いる場合において、該表示装置の、周辺光が存在する環境下における表示品質を向上できる。
かかる効果は、透明層２６と半透過反射層２８の層厚及び形成材料等で左右され得る。以下、該層厚等について述べる。

図５は、光干渉層２２の構造及び作用を、発光機能層５０の詳細と共に示す図である。上述したように有機ＥＬ装置１は、透明基板１２の上層（観察者９側）に形成された、陽極２４と発光機能層５０と陰極３０とからなる有機ＥＬ素子２０と、有機ＥＬ素子２０の上層に形成された、陰極３０と透明層２６と半透過反射層２８とからなる光干渉層２２と、該光干渉層を含めて透明基板１２の全面を覆う封止構造４０等からなる。

封止構造４０は外部からの水分等の侵入を抑制して有機ＥＬ装置１を保護するために設けられたものであり、ＳｉＯＮあるいはＳｉＮ等の耐水性を有する材料層を含んでいる。緩衝材料としての樹脂層等を含んでも良く、さらには、最外面にガラス基板等が接着されていても良い。発光機能層５０は、陽極２４側から順に積層された、正孔注入層５１と正孔輸送層５２と通電による正孔と電子との結合により光（ＥＬ光Ｉ）が生じる有機ＥＬ層５３と電子輸送層５４と電子注入層５５と、からなる。

本実施形態の有機ＥＬ装置１及び後述する各有機ＥＬ装置において、正孔注入層５１は層厚略４０ｎｍであり、出光興産株式会社製の商品名「ＨＩ−４０６」で形成されている。正孔輸送層５２は層厚略１５ｎｍであり、出光興産株式会社製の商品名「ＨＴ−３２０」で形成されている。なお、正孔注入層５１と正孔輸送層５２とを、双方の機能を兼ねる単一の層で形成することもできる。電子輸送層５４は膜厚１０ｎｍのＡｌｑ３（トリス８−キノリノラトアルミニウム錯体）で形成され、電子注入層５５は、層厚が略１ｎｍのＬｉＦで形成されている。

有機ＥＬ層５３は膜厚が略６５ｎｍであり、ホスト材料と該ホスト材料に混入されるドーパント材料とで形成されている。ホスト材料としては出光興産株式会社製の商品名「ＢＨ−２３２」が使用されている。ドーパント材料としては赤色、緑色、青色の夫々に対応する３種類のドーパントの混合物が使用されている。したがって、有機ＥＬ層５３は通電により該３原色の混合光である白色光を、ＥＬ光Ｉとして射出する。

具体的には、赤色ドーパントの材料としては出光興産株式会社製の商品名「ＲＤ−００１」が使用され、緑色ドーパントの材料としては出光興産株式会社製の商品名「ＧＤ−２０６」が使用され、青色ドーパントの材料としては出光興産株式会社製の商品名「ＢＤ−１０２」が使用されている。

図示するように、有機ＥＬ層５３内で生じたＥＬ光Ｉは直接、あるいは陰極３０で反射されて、観察者９の側の反対側に位置する図示しない反射型の液晶パネル２（図１参照）に向けて射出される。一方、周辺光Ｌは、上述したように半透過反射層２８等の表面で吸収される分を除くと、一部が半透過反射層２８で反射され、該一部を除く分は陰極３０で反射される。半透過反射層２８で反射される光が第１の反射光Ｆ１であり、陰極３０で反射される光が第２の反射光Ｆ２である。透明層２６の層厚を適切に設定することで、上記２つの反射光を互いに打消し合わせて低減できる。

光は一般的に反射により位相がシフトする性質を有している。透明層２６の層厚ｄは、第１の反射光Ｆ１の位相シフトをΦ１、第２の反射光Ｆ２の位相シフトをΦ２、反射の低減を目的とする光のピーク波長をλ（ｎｍ）、とした場合、下記の式（１）を満たすように設定されている。
２ｄ＋（Φ２−Φ１）＝（ｎ＋１／２）λ（ｎは整数）・・・・・・式（１）

なお、有機ＥＬ装置１では、上述の「ピーク波長」は周辺光Ｌのピーク波長ではなく、人間の比視感度が高い緑色光のピーク波長である５５０ｎｍを用いている。また、Φ１及びΦ２は、透明層２６と半透過反射層２８の光学定数及び層厚等で決まる値である。かかる式（１）を満たすように透明層２６の層厚等を設定することで、周辺光Ｌの消滅効果を向上させて表示品質を向上できる。すなわち、観察者９に、周辺光Ｌの陰極３０による反射光を殆んど視認させずに、反射型の液晶パネル２による反射光Ｒ（図１参照）のみを視認させることができる。ただし、本実施形態の有機ＥＬ装置１の半透過反射層２８の形成材料は製造コストの抑制も考慮してＡｌを用いているため、周辺光Ｌの低減効果は後述する他の実施形態における低減効果に比べて若干劣っている。

図１８は有機ＥＬ装置１の半透過反射層２８の形成材料であるＡｌの光学定数を示す図、図１９は有機ＥＬ装置１の透明層２６の形成材料であるＬｉＦの光学定数を示す図である。なお、光学定数と屈折率と消衰係数の総称である。図１８に示すように、Ａｌの屈折率ｎは波長が略６１０ｎｍ以下では１．０よりも小さく、消衰係数も後述するＡｇの該係数よりも小さい。また、図１９に示すように、ＬｉＦの光学定数は波長に関係なく略一定である。

図２２は、有機ＥＬ装置１の陰極３０の上面における反射率特性を示す図である。可視光の波長範囲の全域で反射率の低減効果が得られており、特にピーク波長である５５０ｎｍの近傍において高い低減効果が得られている。かかる特性は、透明層２６の層厚を、波長が略５５０ｎｍの光が干渉するように設定したことの効果であり、視感度が最も高い波長領域における周辺光Ｌの反射を効果的に低減している。

以上述べたように、有機ＥＬ装置１は、陰極３０をＡｌで形成して発光機能層５０内で生じるＥＬ光Ｉを高い割合で対向する反射型の液晶パネル２に向けて射出可能であると共に、観察者９側から陰極３０に入射する周辺光Ｌの反射を光干渉層２２により大幅に低減している。したがって、かかる有機ＥＬ装置１と反射型の液晶パネル２とが組み合わされた反射型液晶装置３は、周辺光Ｌの反射によるちらつきを抑制しつつ、高い輝度を得ており、表示品質が大幅に向上している。

（第２の実施形態）
次に第２の実施形態として、上述の有機ＥＬ装置１の製造方法を光干渉層２２の形成工程を中心に述べる。図６〜１０は、有機ＥＬ装置１の有機ＥＬ素子２０と光干渉層２２の製造方法を示す工程断面図である。なお、本実施形態においては陰極配線３２は図示を省略している。以下、工程順に述べる。

まず、第１の工程として、図６（ａ）に示すように、透明基板１２の一方の面の全域に透明導電性材料としてのＩＴＯ層２３を形成する。そして、該ＩＴＯ層をフォトリソグラフィー法によりパターニングして、図６（ｂ）に示すように陽極２４を形成する。

次に、第２の工程として、図７（ａ）に示すように、第１の蒸着マスク８１と蒸着源としての第１のるつぼ９１を用いて真空蒸着法により発光機能層５０を形成する。上述したように、発光機能層５０は計５層の材料層の積層体である。図７（ａ）では最上層である電子注入層５５（図５参照）の形成工程を示している。したがって、第１のるつぼ９１には最上層の形成材料であるＬｉＦが蒸着材料として充填されている。

他の４層の形成は、蒸着マスクは第１の蒸着マスク８１を装着したままで、異なるるつぼを用いて行われる。具体的には、上述の５層の各形成材料が夫々充填された５種類のるつぼを所定の間隔で一方の方向に配置する。そして、第１の蒸着マスク８１が装着された透明基板１２を該一方の方向に所定の速度で移動させて、夫々異なるるつぼから飛翔してくる蒸着材料を順に積層する。第１の蒸着マスク８１の開口部は、該断面図の断面線方向において、陽極２４の寸法よりも若干大きく形成されている。したがって、図７（ｂ）に示すように、発光機能層５０は陽極２４を覆うように形成される。

次に、第３の工程として、図８（ａ）に示すように、第２の蒸着マスク８２と、蒸着材料としてＡｌが充填された第２のるつぼ９２を用いて、真空蒸着法により陰極３０を形成する。第２の蒸着マスク８２の開口部は、該断面図の断面線方向において、発光機能層５０の寸法よりも若干大きく形成されている。したがって、図８（ｂ）に示すように、陰極３０は発光機能層５０を覆うように形成される。以上の工程で、有機ＥＬ素子２０が形成される。

次に、第４の工程として、図９（ａ）に示すように、第２の蒸着マスク８２と、蒸着材料としてＬｉＦが充填された第１のるつぼ９１を用いて、真空蒸着法により透明層２６を形成する。本工程で用いる蒸着マスクは前工程である陰極３０の形成工程で用いたものと同一である。したがって、上述の第３の工程と第４の工程とは、蒸着マスクの着脱を行なわずに、真空チャンバー内で連続的に実施される。また、本工程で用いる蒸着源としての第１のるつぼ９１は、上記の第２の工程で既に用いられている。したがって、本工程は新たな蒸着源としてのるつぼを用意することなく実施できる。

次に、第５の工程として、図１０（ａ）に示すように、第２の蒸着マスク８２と、蒸着材料としてＡｌが充填された第２のるつぼ９２を用いて、真空蒸着法により半透過反射層２８を形成する。以上の工程で、光干渉層２２が形成される。本工程で用いる蒸着マスクは前工程である透明層２６の形成工程で用いたものと同一である。したがって、上記第３の工程から第５の工程までは、蒸着マスクの着脱を行なわずに、真空チャンバー内で連続的に実施される。また、本工程で用いる蒸着源としての第２のるつぼ９２は、上述の第３の工程で既に用いられている。したがって、本工程は新たな蒸着源としてのるつぼを用意することなく実施できる。

以上述べたように、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１の製造方法は、透明層２６と発光機能層５０に含まれる電子注入層５５とを同一の材料で形成し、かつ、半透過反射層２８と陰極３０とを同一の材料で形成している。したがって、新たな材料を用意することなく光干渉層２２を形成できる。

また、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１の製造方法は、透明層２６と半透過反射層２８とを、陰極３０の形成時に用いた蒸着マスク８２と同一の蒸着マスク８２を用いて形成している。したがって、新たな蒸着マスクを用意することなく、かつ蒸着マスクの着脱を行なうことなく光干渉層２２を形成できる。

さらには、上述の蒸着マスクの共用により陰極３０の上面にのみ光干渉層２２が形成されるため、表示光であるＥＬ光Ｉ（図５等参照）の進行を妨げることなく、周辺光Ｌ（図５参照）の反射を低減できる。したがって、本実施形態にかかる製造方法によれば、製造コストの増加を最小限に抑制した上で周辺光Ｌの反射を低減された有機ＥＬ装置１を得ることができる。また、かかる有機ＥＬ装置１をフロントライトとして用いることで、製造コストの増加を最小限に抑制しつつ表示品質が向上した反射型液晶装置（図１参照）を得ることができる。

なお、電子注入層５５と透明層２６との共通の材料としては、ＬｉＦ以外にＣａＦ₂あるいはＭｇＦ₂を用いることができる。いずれの材料とも電子注入性と透明性を併せ持つため、上記双方の層の共通材料にできる。したがって、蒸着源の数（種類数）の増加を抑制しつつ光干渉層２２を形成できる。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態の有機ＥＬ装置について述べる。第３の実施形態にかかる有機ＥＬ装置は、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１と同様の構成を有しており、光干渉層２２を構成する半透過反射層２８の形成材料のみが異なっている。すなわち、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置の半透過反射層２８は層厚１０ｎｍのＡｇ（銀）で形成されている。透明層２６は、有機ＥＬ装置１と共通の層厚８５ｎｍのＬｉＦである。そこで、平面図及び断面図等の図示は省略して、反射率特性等の図（グラフ）のみを示す。

図１７は、層厚１０ｎｍのＡｇ（銀）の光学定数を示す図である。図示するようにＡｇの光学定数は上述したＡｌの光学定数と比べると、全般的に高い値を示している。屈折率ｎは、波長が４３０ｎｍ以上の全領域において１．０を上回っている。また、消衰係数ｋは波長が略５００ｎｍの領域において最も高い値を示している。

図２１は、第３の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の、陰極３０の上面における反射率特性を示す図である。図示するように、可視光の全波長領域において反射が大幅に低減されている。特に、視感度が最も高い波長である５５０ｎｍ近辺においては、反射が略０％近いレベルまで低減されている。したがって、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置は、観察者９側から陰極３０に入射する周辺光Ｌの反射がより一層大幅に低減されている。したがって、かかる有機ＥＬ装置を反射型の液晶パネル２と組み合わせると、表示品質がより一層向上した反射型液晶装置３を得ることができる。

かかる高い反射率の低減効果は、半透過反射層２８を、Ａｌに替えてＡｇで形成したものによる。したがって、該低減効果には屈折率ｎと消衰係数ｋの双方が影響していると考えられる。かかる光学定数は、干渉に影響を及ぼすと共に半透過反射層２８自体の光吸収効果を増加させていると考えられる。すなわち、屈折率ｎと消衰係数ｋの双方が高い材料のからなる金属薄膜の表面においてはプラズモン吸収が生じており、光干渉層２２による反射率の低減効果と合わせて、図２１に示すような、高い反射率の低減効果が得られていると考えられる。

（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態の有機ＥＬ装置について述べる。第４の実施形態にかかる有機ＥＬ装置も第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１と同様の構成を有している。そして、光干渉層２２を構成する透明層２６と半透過反射層２８との形成材料が異なっている。すなわち、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置は、透明層２６が層厚６１ｎｍのＳｉＯＮからなり、半透過反射層２８は層厚１０ｎｍのＡｇからなっている。そこで、本実施形態の説明においては、上述の第３の実施形態と同様に平面図及び断面図等の図示は省略して、反射率特性等の図（グラフ）のみを示す。

図２０は、ＳｉＯＮの光学定数を示す図である。上述したＬｉＦの光学定数と類似しており波長依存性は殆んど無い。ただし、全体的に若干高い値を有している。

図２３は、第４の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の、陰極３０の上面における反射率特性を示す図である。図示するように、可視光の全波長領域において反射が大幅に低減されている。上述の第３の実施形態の結果と同様に、視感度が最も高い波長である５５０ｎｍ近辺において、反射が略０％近いレベルまで低減されている。かかる効果は、専ら半透過反射層２８をＡｇで形成したことによるものであり、透明層２６の形成材料を変更したことはあまり影響していないと考えられる。ただし、透明層２６をＳｉＯＮで形成した場合、信頼性の向上効果が得られると考えられる。

ＳｉＯＮはＬｉＦに比べて水分等の浸入を抑制する機能が優れている。したがって、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置は、陰極３０の上面の反射が大幅に低減されると共に信頼性も向上している。また、透明層２６にＳｉＯＮを用いることで、封止構造４０（図５等参照）を簡略化できるという効果も発揮できる。

（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態の有機ＥＬ装置について述べる。本実施形態の有機ＥＬ装置は有機ＥＬ素子２０の構成が異なっている。光干渉層２２等は上述の第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１と略同一である。そこで、本実施形態の有機ＥＬ装置については、図２に相当する全体図等は省略し、有機ＥＬ素子２０の図のみ用いて述べる。

図１１（ａ）は本実施形態の有機ＥＬ装置が備える有機ＥＬ素子２０の平面視での概略を示す図であり、図１１（ｂ）は上記平面図のＢ−Ｂ’線における模式断面図である。図示するように第１の実施形態の有機ＥＬ素子２０と略同一の構成を有しているため、共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は一部省略する。

本実施形態の有機ＥＬ素子２０の特徴は、陽極２４の上層に周囲を隔壁３８で囲まれた凹部が形成されており、発光機能層５０は該凹部内に形成されている点にある。かかる構成により、かかる隔壁３８により陰極３０と陽極２４とのショートが確実に回避できるため信頼性が向上している。また、発光機能層５０を蒸着法に替えてインクジェット法で形成する場合において、発光機能層５０の形成領域がばらつくことを抑制できる。したがって、かかる有機ＥＬ素子２０を備える有機ＥＬ装置をフロントライトとして用いた場合、表示品質が向上した反射型の表示装置を得ることができる。なお、隔壁３８はアクリル樹脂等の有機材料で形成することが好ましい。感光性有機材料を用いると、フォト工程（露光工程と現像工程）のみで隔壁３８を形成できる。

（第６の実施形態）
次に、第６の実施形態の有機ＥＬ装置について述べる。本実施形態の有機ＥＬ装置は、上述の第５の実施形態の有機ＥＬ装置と同様に、有機ＥＬ素子２０の構成が異なっている。そこで、図２に相当する全体図等は省略し、有機ＥＬ素子２０の図のみ用いて述べる。そして、上述の第５の実施形態の説明と同様に、共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は一部省略する。

図１２は、本実施形態の有機ＥＬ装置が備える有機ＥＬ素子２０の平面視での概略を示す図である。本実施形態の有機ＥＬ素子２０の特徴は、陽極２４が、少なくとも発光領域１００（図２参照）内においては発光機能層５０で覆われている点にある。したがって、陽極２４と陰極３０との間のショート、及び陽極２４と陰極配線３２とのショートが発生する確率をより一層低減できる。

上述したように、有機ＥＬ装置１において、発光領域１００内に平面視で有機ＥＬ素子２０が占める割合は略１％である。かかる低い密度であれば上述ショートの発生確率は略０である。しかし、上述の有機ＥＬ素子２０が占める割合を増加させた場合、該確率の増加が懸念される。本実施形態の有機ＥＬ装置が備える有機ＥＬ素子２０は陽極２４が完全に発光機能層５０で覆われているため、上述の有機ＥＬ素子２０が占める割合を増加させても上述のショートの発生確率を略０に保つことができる。したがって、有機ＥＬ素子２０の形状（面積）あるいは個数（密度）を増大させて、発光強度を増加させることが容易である。また、かかる有機ＥＬ素子２０を備える有機ＥＬ装置をフロントライトとして用いた場合、輝度が向上した反射型の表示装置を得ることができる。

（第７の実施形態）
次に、第７の実施形態の有機ＥＬ装置について述べる。図１３は、第７の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の平面視における概略を示す模式平面図であり、上記第１の実施形態の説明における図２に相当する図である。

図示するように、本実施形態の有機ＥＬ装置は、透明基板１２上に、帯状の陽極２４と同じく帯状の陰極３０とを有している。双方の電極は発光領域１００の周辺部（符号無し）で連結されて、図示しない電源に接続されている。したがって、上述の各実施形態における陰極配線３２（図３等参照）は形成されていない。

帯状の陽極２４と帯状の陰極３０とは平面視で重なるように形成されている。そして、発光機能層５０（図４等参照）は発光領域１００内の全域に形成されている。したがって、上述の陽極２４と陰極３０とが重なり合う部分が、有機ＥＬ素子（符号無し）として機能している。すなわち、本実施形態に係る有機ＥＬ装置は発光領域１００内を互いに略平行に延在する複数本の帯状の有機ＥＬ素子を有している。

上述したように、本実施形態の有機ＥＬ装置は陰極配線３２を有していないので、陰極３０を平面視で有機ＥＬ素子２０の形成領域以上に延長して陰極配線３２と重ねる必要がない。したがって、光量、すなわち発光領域１００内に占める有機ＥＬ素子の形成面積の割合を同一とした場合において、陰極３０の形成領域（形成面積）を低減できる。したがって、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置をフロントライトとして用いた場合、表示品質が向上した反射型の表示装置を得ることができる。

（第８の実施形態）
次に、第８の実施形態の有機ＥＬ装置について述べる。本実施形態の有機ＥＬ装置は、上述の第５の実施形態の有機ＥＬ装置と同様に、有機ＥＬ素子２０の構成が異なっている。そこで、図２に相当する全体図等は省略し、有機ＥＬ素子２０の図のみ用いて述べる。

図１４は、本実施形態の有機ＥＬ装置が備える有機ＥＬ素子２０の平面視での概略を示す図である。図示するように、陰極３０と陽極２４は双方とも、矩形の電極部（符号無し）と該電極部を連結する幅の狭い配線部（符号無し）とからなっている。発光機能層（符号無し）は陰極３０と陽極２４との層間の全面に形成されている。したがって、陰極３０と陽極２４とが重なり合う矩形の領域が有機ＥＬ素子２０として機能している。光干渉層（符号無し）は、配線部上も含む陰極３０の全面に形成されている。

このような構成の有機ＥＬ装置であれば、有機ＥＬ素子２０の平面形状あるいは形成密度の変更が比較的容易となる。したがって、ＥＬ光Ｉ（図５参照）の照射の対象となる反射型の液晶パネル２（図１参照）等に合せて任意の位置に有機ＥＬ素子２０を形成できる。

（第９の実施形態）
次に、上述の各実施形態にかかる有機ＥＬ装置を、液晶パネル以外の物のフロントライトとして用いた場合を示す。図１５は、第９の実施形態としての、第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と電子ペーパー４とを組み合わせた反射型の表示装置を示す図である。なお、フロントライトとしての有機ＥＬ装置は有機ＥＬ装置１以外に、上述の各実施形態にかかる有機ＥＬ装置を用いることができる。

電子ペーパー４はマイクロカプセル方式であり、図示するように支持基板６０と透明基板１２と、該一対の基板間に規則的に配置された一層のマイクロカプセル６１等からなっている。透明基板１２のマイクロカプセル６１側には平板状の上部透明共通電極６３が配置されており、支持基板６０のマイクロカプセル６１側には島状の下部電極６２が１つのマイクロカプセル６１に対して２個ずつ規則的に配置されている。

マイクロカプセル６１内には、図示しない正に帯電した白色顔料粒子と、同じく図示しない負に帯電した黒色顔料粒子とが略同数収納されている。一組の下部電極６２は双方を正また負の同電位にすることもできると共に、一方を正電位として他方を負電位とすることができる。かかる電位の制御により、各々のマイクロカプセル６１毎に任意の白色顔料粒子又は黒色顔料粒子を透明基板１２側に移動させることができる。その結果、透明基板１２側には（白黒の）画像が形成される。そして、外光を反射させることで透明基板１２側に位置する図示しない観察者に画像を表示できる。そして、かかる電子ペーパー４にフロントライトとしての有機ＥＬ装置１を組み合わせることで、外光（周辺光）の有無にかかわらず常時画像表示装置が可能な反射型の表示装置とすることができる。

（第１０の実施形態）
図１６は、第１０の実施形態としての、第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と機械式メーター５とを組み合わせた反射型の表示装置を示す図である。なお、フロントライトとしての有機ＥＬ装置は有機ＥＬ装置１以外に、上述の各実施形態にかかる有機ＥＬ装置を用いることができる。

機械式メーター５は、支持基板６０上にメーター部６５が配置されており、透明基板１２で覆われている。なお、メーター部６５は、駆動部６６と針６７と目盛板６８とからなる。機械式メーター５自体は発光機能を有してはおらず、情報の伝達はすべて外光の反射により行っている。本実施形態の機械式メーター５は有機ＥＬ装置１が備える有機ＥＬ素子２０からのＥＬ光（不図示）の照射により、該有機ＥＬ装置側に位置する観察者（不図示）に対して常時情報の伝達が可能である。そして、有機ＥＬ装置１は上述のように外光（周辺光）の反射を低減するための光干渉層（不図示）を備えているため、有機ＥＬ素子２０の陰極（不図示）の反射によるちらつきを生じさせずに情報を伝達できる。

１…フロントライトとしての有機ＥＬ装置、２…液晶パネル、３…反射型の表示装置として反射型液晶装置、４…電子ペーパー、５…機械式メーター、９…観察者、１０…素子基板、１１…対向基板、１２…透明基板、１４…偏光板、１５…ＴＦＴ、１７…画素電極、１８…対向電極、２０…発光素子としての有機ＥＬ素子、２２…光干渉層、２３…ＩＴＯ層、２４…第１電極としての陽極、２６…透明層、２８…半透過反射層、３０…第２電極としての陰極、３２…第２電極配線としての陰極配線、３８…隔壁、４０…封止構造、５０…発光機能層、５１…正孔注入層、５２…正孔輸送層、５３…有機ＥＬ層、５４…電子輸送層、５５…電子注入層、６０…支持基板、６１…マイクロカプセル、６２…下部電極、６３…上部透明共通電極、６５…メーター部、６６…駆動部、６７…針、６８…目盛板、７０…カラーフィルター層、７１…カラーフィルター、７２…ブラックマトリクス、７５…第１の配向膜、７６…第２の配向膜、７９…液晶層、８１…第１の蒸着マスク、８２…第２の蒸着マスク、９１…蒸着源としての第１のるつぼ、９２…蒸着源としての第２のるつぼ、１００…発光領域、１０１…周辺領域、Ｆ１…第１の反射光、Ｆ２…第２の反射光、Ｉ…ＥＬ光、Ｌ…周辺光、Ｒ…反射光。

Claims (23)

1. 透明基板上に、透明導電性を有する第１電極と少なくともＥＬ層を含む発光機能層と局所的に形成された反射導電性を有する第２電極とが順に積層されてなる発光素子が配置されており、前記発光機能層内で生じた光を前記透明基板を介して射出する発光装置であって、
   前記第２電極の前記透明基板側の反対側の面の少なくとも一部には、透明層と半透過反射層とが順に積層されていることを特徴とする発光装置。
2. 請求項１に記載の発光装置であって、
   前記半透過反射層により反射される光に生じる反射光の位相シフトをΦ１、
   前記第２電極により反射される光に生じる反射光の位相シフトをΦ２、
   前記透明層の層厚をｄ（ｎｍ）、
   反射の低減を目的とする光のピーク波長をλ（ｎｍ）、
   としたとき、
   ２ｄ＋（Φ２−Φ１）＝（ｎ＋１／２）λ（ｎは整数）の条件を満たすことを特徴とする発光装置。
3. 請求項２に記載の発光装置であって、
   前記λは５５０（ｎｍ）であることを特徴とする発光装置。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置であって、前記発光機能層は前記ＥＬ層と前記第２電極との間に電子注入層を有しており、前記透明層は該電子注入層を構成する材料と同一の材料からなることを特徴とする発光装置。
5. 請求項４に記載の発光装置であって、
   前記透明層は、ＬｉＦ，ＣａＦ₂，ＭｇＦ₂のうちのいずれかで形成されていることを特徴とする発光装置。
6. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置であって、前記透明層は酸化窒化シリコンからなることを特徴とする発光装置。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置であって、
   前記第２電極と前記半透過反射層とは、共通のマスクを用いたマスク成膜により形成されていることを特徴とする発光装置。
8. 請求項７に記載の発光装置であって、前記透明層が、前記第２電極及び前記半透過反射層の形成に用いられたマスクと共通のマスクを用いたマスク成膜により形成されていることを特徴とする発光装置。
9. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の発光装置であって、
   前記第２電極と前記半透過反射層とが同一の材料からなることを特徴とする発光装置。
10. 請求項９に記載の発光装置であって、
    前記第２電極と前記半透過反射層とがＡｌからなることを特徴とする発光装置。
11. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の発光装置であって、
    前記半透過反射層は屈折率が１より大きい材料からなることを特徴とする発光装置。
12. 請求項１１に記載の発光装置であって、
    前記半透過反射層がＡｇを９０％以上含有する材料からなることを特徴とする発光装置。
13. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の発光装置であって、
    平面視において、複数の前記発光素子が互いに間隔を空けて配置された発光領域と該発光領域の周囲の周辺領域とを有し、
    前記発光領域内において前記第１電極は前記発光機能層に覆われていることを特徴とする発光装置。
14. 請求項１〜１３のいずれか一項に記載の発光装置であって、
    前記第２電極は前記発光領域内において互いに離間するように形成され、かつ、透明導電性を有する第２電極配線で互いに連結された複数個の島状パターンであることを特徴とする発光装置。
15. 請求項１４に記載の発光装置であって、
    前記第２電極配線は、前記第１電極を構成する透明導電材料層と同一の透明導電材料層を、前記第１電極と交わらないようにパターニングして形成されていることを特徴とする発光装置。
16. 請求項１〜１５のいずれか一項に記載の発光装置であって、前記ＥＬ層が有機ＥＬ層であることを特徴とする発光装置。
17. 請求項１〜１６のいずれか一項に記載の発光装置をフロントライトとして用いたことを特徴とする反射型の表示装置。
18. 透明基板上に透明導電性を有する第１電極を形成する第１の工程と、
    前記第１電極の少なくとも一部を覆うように、少なくともＥＬ層を含む発光機能層を形成する第２の工程と、
    前記第１電極と前記発光機能層との積層体の少なくとも一部を覆うように、反射導電性を有する第２電極をマスク成膜法により局所的に形成する第３の工程と、
    前記第２電極を覆うように透明層を形成する第４の工程と、
    前記第３の工程で用いるマスクと同一のマスクを用いるマスク成膜法により、半透過反射層を、前記透明層を介して前記第２電極と重なるように形成する第５の工程と、
    を、この順に実施することを特徴とする発光装置の製造方法。
19. 請求項１８に記載の発光装置の製造方法であって、
    前記第２〜５の工程は真空蒸着法により成膜する工程であり、かつ、同一の装置内で連続的に実施されることを特徴とする発光装置の製造方法。
20. 請求項１９に記載の発光装置の製造方法であって、
    前記第５の工程は、前記第３の工程で用いられる蒸着マスクと同一の蒸着マスクを用いて成膜する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。
21. 請求項２０に記載の発光装置の製造方法であって、
    前記第４の工程は、前記第３の工程及び前記第５の工程で用いられる蒸着マスクと同一の蒸着マスクを用いたマスク蒸着法により前記透明層を形成する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。
22. 請求項１８〜２１のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法であって、
    前記第２の工程は、電子注入層を含む複数の材料層を夫々異なる蒸着源を用いて形成する工程であり、
    前記第４の工程は前記電子注入層の形成に用いられる蒸着源と同一の蒸着源を用いて前記透明層を形成する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。
23. 請求項１８〜２１のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法であって、
    前記第５の工程は、前記第２電極の形成に用いられる蒸着源と同一の蒸着源を用いて前記半透過反射層を形成する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。

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