TWI582438B - 用於檢測短路缺陷之裝置及方法 - Google Patents

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Description

用於檢測短路缺陷之裝置及方法
相關申請案之交互參照
本申請案參照、整合於此並主張於2012年5月18日提出於韓國智慧財產局，韓國專利申請號為10-2012-0053155之所有權益。
本發明大致係關於一種檢測短路缺陷之方法、一種檢測顯示裝置之短路缺陷之方法以及一種檢測有機發光顯示裝置之短路缺陷之方法。
近來，顯示裝置被可攜式薄膜平板顯示設備取代。有機發光顯示設備為自發光顯示裝置且相較於其他平面顯示設備具有較大視角、較佳對比性能及較快反應速度。從而，有機發光顯示設備作為下一世代之顯示設備而引起注目。
揭露在此背景技術下之上述資訊係僅為加強瞭解所描述之技術背景，因此其可包含不構成本國所屬領域具有通常知識者所熟知之先前技術的資訊。
本發明之一或多個態樣提供一種輕易檢測電性短路電路缺陷之方法。
根據本發明之一態樣，提供一種檢測短路缺陷之方法，其係檢測於沿著第一方向以及與第一方向交叉之第二方向延伸之第一線路與沿著第一方向或第二方向延伸之第二線路間之短路缺陷，該方法包含藉使用只在第二線路監測到之電位差，檢測第一線路以及第二線路之間之短路缺陷。
當各第二線路之兩端延伸為浮接時，可藉由依序地分別連接電源接收構件以及電源供給構件至各第二線路之兩端，並在依序供應電壓至各第二線路時，初步監測各第二線路連接電源接收構件以及電源供給構件之區域間之電位差，而檢知缺陷線路。
透過初步監測所監測到之缺陷線路中之短路缺陷位置，可藉由連接電源接收構件以及電源供給構件至缺陷線路之兩端，且當供應電壓至缺陷線路時，再次監測連接至電源接收構件以及電源供給構件之缺陷線路之區域間之電位差而檢知。
若第二線路以各第二線路之一端浮接，而各第二線路之另一端可連接至共同線路之方式延伸，則缺陷線路可藉由依序地分別連接電源接收構件以及電源供給構件至各第二線路之浮接端之區域以及連接端之區域，並初步監測在依序供應電壓至各第二線路時，連接電源接收構件以及電源供給構件之各第二線路之區域間之電位差而檢知。
透過初步監測所監測到之該缺陷線路中之該短路缺陷之位置，可藉由分別連接電源接收構件以及電源供給構件至缺陷線路之浮接端之區域以及連接端之區域，且當供應電壓至缺陷線路時，再次監測連接電源接收構件以及電源供給構件之缺陷線路之區域間之電位差而檢知。
根據本發明之另一態樣，提供檢測短路缺陷的方法，其係檢測於包含複數個像素之顯示裝置之第一線路以及第二線路間之短路缺陷，第一線路連接至像素並延伸於第一方向以及與第一方向交叉之第二方向，第二線路連接至像素並延伸於第一方向或第二方向，方法包含藉使用只在第二線路上監測到之電位差，檢測第一線路以及第二線路之間之短路缺陷。
第一線路可包含延伸於第一方向之第一電源供應線，第一電源供應線供應電源至像素；以及延伸於第二方向之第二電源供應線，第二電源供應線供應電源至像素。
第一電源供應線以及第二電源供應線可以一網格樣式設置。
第二線路可更包含掃描線以供應掃描訊號至像素。
第二線路可更包含資料線以供應資料訊號至像素。
若第二線路以各第二線路之兩端為浮接之方式延伸，則缺陷線路可藉由依序地分別連接電源接收構件以及電源供給構件至各第二線路之兩端區域，並初步監測在依序供應電壓至各第二線路時，連接電源接收構件以及電源供給構件之各第二線路之區域間之電位差而檢知。
透過初步監測所監測到之該缺陷線路中之短路缺陷之位置，係藉由連接電源接收構件以及電源供給構件至缺陷線路之兩端，且當供應電壓至缺陷線路時，再次監測連接至電源接收構件以及電源供給構件之缺陷線路之區域間之電位差之而檢知。
若第二線路以各第二線路之一端浮接，而各第二線路之另一端連接至共同線路之方式延伸，則缺陷線路可藉由依序地分別連接電源接 收構件以及電源供給構件至各地二線路之浮接端之區域以及連接端之區域，並並初步監測在依序供應電壓至各第二線路時，連接電源接收構件以及電源供給構件之各第二線路之區域間之電位差而檢知。
透過初步監測所監測到之缺陷線路中之短路缺陷之位置，可藉由分別連接電源接收構件以及電源供給構件至缺陷線路之浮接端之區域以及連接端之區域，且當供應電壓至缺陷線路時，再次監測連接電源接收構件以及電源供給構件之缺陷線路之區域間之電位差而檢知。
根據本發明之再一態樣，提供一種檢測短路缺陷之方法，其係檢測於有機發光顯示裝置之第一電源供應線以及第二線路之間，或第二電源供應線以及第二線路之間之短路缺陷，有機發光顯示裝置包含複數個像素，各像素包含像素電極、包含有機發射層之中間層、以及反向電極，第一電源供應線連接至複數個像素並延伸於第一方向，第一電源供應線供應電源至複數個像素，第二電源供應線連接至複數個像素並延伸於與第一方向交叉之第二方向，第二電源供應線供應電源至複數個像素，第二線路連接至複數個像素並延伸於第一方向或第二方向，第二線路係供應訊號至複數個像素，該方法包含藉利用只在第二線路監測到之電位差，檢測第一電源供應線以及第二線路之間，或第二電源供應線以及第二線路之間之短路缺陷。
可藉由依序地分別連接電源接收構件以及電源供給構件至各第二線路之兩端，並藉由依序供應電壓至各二線路時，監測各第二線路連接電源接收構件以及電源供給構件之區域間之電位差，而檢知缺陷線路。
若各第二線路之一端浮接，各第二線路之另一端連接至共同線路時，電源供給構件可設置較遠於第二線路連接至共同線路之端，而電 源接收構件可設置相鄰於第二線路連接至共同線路之端。
包含於有機發光顯示裝置之各像素可包含至少二電晶體與至少一電容。
複數個第二線路可包含用以供應掃描訊號至像素之掃瞄線、用以供應資料訊號至像素之資料線、用以供應控制訊號至像素之控制線、用以供應寫入訊號至像素之寫入線中的至少之一。
1‧‧‧有機發光顯示裝置
10‧‧‧基板
11‧‧‧緩衝層
13‧‧‧閘極絕緣層
15‧‧‧層間絕緣層
18‧‧‧像素定義層
20‧‧‧反向電極
114‧‧‧像素電極
119‧‧‧中間層
130‧‧‧測試裝置
131‧‧‧電源供給構件
132‧‧‧電源接收構件
212‧‧‧主動層
212b‧‧‧源極區域
212a‧‧‧汲極區域
212c‧‧‧通道區域
214‧‧‧閘極電極層
215‧‧‧閘極電極層
216a‧‧‧汲極電極
216b‧‧‧源極電極
A1‧‧‧顯示區域
A2‧‧‧非顯使區域
P‧‧‧像素
S、S1、S2‧‧‧掃描線
D、D1、D2‧‧‧資料線
V1‧‧‧第一電源供應線
V2‧‧‧第二電源供應線
OLED、EL‧‧‧有機發光二極體
C‧‧‧像素電路
Scan(n)‧‧‧掃描訊號
Data(t)‧‧‧資料訊號
GC(t)‧‧‧控制訊號
V、Ⅱ、X、VIII‧‧‧區域
DA、GCA‧‧‧共同線路
TR1‧‧‧第一電晶體
TR2‧‧‧第二電晶體
TR3‧‧‧第三電晶體
TR4‧‧‧第四電晶體
TR5‧‧‧第五電晶體
C1、Cst‧‧‧第一電容
C2‧‧‧第二電容
C3‧‧‧第三電容
N1‧‧‧第一節點
N2‧‧‧第二節點
GC‧‧‧控制單元
GCB‧‧‧控制線
GW‧‧‧寫入線單元
GWB‧‧‧寫入訊號
GWA‧‧‧共同線
GW(t)‧‧‧寫入線訊號
ELVDD(t)‧‧‧第一電源供應電壓源
ELVSS(t)‧‧‧第二電源供應電壓源
ST‧‧‧短路缺陷
當本發明藉參照附圖與以下之詳細敘述之結合而更佳地理解時，本發明更詳細之理解及其許多附隨之優點變得顯而易見，相近的標號代表相同或相似的元件，其中：第1圖係為根據本發明之一實施例之有機發光顯示裝置之平面視圖；第2圖係為根據本發明之一實施例之包含於第1圖之區域Ⅱ之線路結構示意圖；第3圖係為根據本發明之另一實施例，描繪於第2圖之其中一個像素P之電路圖；第4圖係為根據本發明之一實施例，描繪包含於第2圖之有機發光顯示裝置之一些線路之示意圖；第5圖係為第4圖之區域V之放大視圖；第6A圖至第6C圖係為根據本發明之一實施例，描繪檢測第2圖之有機發光顯示裝置之短路缺陷之方法之示意圖； 第7圖係根據本發明之一實施例描繪之第2圖之有機發光顯示裝置包含之一些線路之示意圖；第8圖係為第7圖之區域VIII之放大視圖；第9圖係根據本發明之另一實施例之第2圖之有機發光顯示裝置包含之一些線路之示意圖；第10圖係為第9圖之區域X之放大視圖；第11圖係為根據本發明之另一實施例，描繪包含於第1圖之區域Ⅱ之線路結構示意圖；第12圖係為根據本發明之另一實施例，繪示於第11圖之其中一個像素之電路圖；第13圖係為根據本發明之另一實施例描繪之包含於第11圖之有機發光顯示裝置之一些線路之示意圖；第14圖係為根據本發明之另一實施例繪示包含於第1圖之區域Ⅱ之一些線路結構之示意圖；第15圖係為根據本發明之另一實施例之描繪於第14圖之其中一個像素之電路圖；第16圖係為根據本發明之另一實施例，繪示包含於第14圖之有機發光顯示裝置一些線路之示意圖；以及第17圖係為根據本發明之一實施例之第1圖之有機發光顯示裝置之各像素之一些元件之剖面圖。
以下，本發明之例示性實施例將參照附圖而更詳細地描述。 如同熟知技藝者將理解的是，所描述的實施例可以各種不同方式修改，皆未脫離本發明原則之精神及技術之範疇下。
在附圖中，組成構件之尺寸以及厚度係應認知其係為更佳地理解且使敘述簡單而任意繪示的，而本發明並不限於所繪示的尺寸與厚度。
在圖式中，層、薄膜、板與區域等厚度係為了清晰而被誇大。於整篇說明書中，相同的代表符號係表示相同的元件。而將被理解的是，一元件如層、薄膜、部位或基材被稱為在另一元件之”上”時，其可直接地在另一元件上或存在中介元件。亦或，當一元件被稱為”直接地”在另一元件上時，則不存在著中介元件。當表達方式如「至少一個」前綴於元件清單時，其係修飾整個元件清單，而非修飾清單中的個別元件。
為更闡釋本發明，實施敘述本質外之元件可自敘述之細節中省略，而相同的元件符號在通篇說明書中代表相同的元件。
在多個例示性實施例中，具有相同配置之組成元件係藉由相同的元件符號代表性地描述於第一例示性實施例，而只有第一例示性實施例所描述的組成構件外之其它組成構件將於其它實施例中描述。
有機發光顯示裝置可包含中間層、第一電極以及第二電極。中間層可包含有機發射層。當一電壓施加至第一以及第二電極時，自有機發射層中發出可見光。
有機發光顯示裝置中安裝著各種線路，以驅動有機發光顯示裝置。在各種線路中，有些線路可設置於不同的層中，以相互重疊。當一短路缺陷發生於線路重疊的區域時，則應修復重疊的線路。
然而，難以偵測在重疊的區域線路之短路缺陷之位置。尤其 是，當線路的增加且線路具更為複雜之結構時，有機發光顯示裝置之檢測可能變得更為困難。
第1圖係為根據本發明之一實施例之有機發光顯示裝置1平面示意圖。第2圖係為根據本發明之一實施例描繪包含於第1圖之區域Ⅱ之線路結構示意圖。
請參閱第1圖與第2圖，根據本實施例之有機發光顯示裝置1中，顯示區域A1以及非顯示區域A2係形成於基板10上。
顯示區域A1顯示一影像於其中，且可設置於包含基板10中心之基板10之區域。非顯示區域A2可置於基板10上以環繞顯示區域A1設。
顯示區域A1包含形成影像之複數個像素P。
複數個像素P可定義為於第一方向(X軸方向)延伸之掃描線S，以及垂直於第一方向(X軸方向)之第二方向(Y軸方向)延伸之資料線D。自包含於非顯示區域A2中之資料驅動器(未繪示)所提供之資料訊號藉由資料線D供應至複數個像素P，且自包含於非顯示區域A2中之掃描驅動器(未繪示)所提供之掃描訊號藉由掃瞄線S供應至複數個像素P。雖然第2圖描繪資料線D延伸於第二方向(Y軸方向)，而掃瞄線S延伸於第一方向(X軸方向)，但本發明並不限於此。換言之，資料線D以及掃瞄線S分別延伸之方向可相互調換。
複數個像素P連接至延伸於第二方向(Y軸方向)之第一電源供應線V1。包含於非顯示區域A2之第一電源驅動器(未繪示)所提供之第一電源供應電壓源ELVDD(t)(見第3圖)可藉由第一電源供應線V1供應至複數個像素P。雖未繪示於第2圖中，第二電源供應電壓源ELVSS(t)(如第3圖)可供應至複數個像素P。根據資料訊號，該些像素P控制自第一電 源供應電壓源ELVDD(t)通過第3圖之有機發光二極體OLED供應至第二電源供應電壓源ELVSS(t)之電流量。接著，有機發光二極體OLED發出具有所需亮度之光線。
延伸於第一方向(X軸方向)之第二電源供應線V2連接至第一電源供應線V1。舉例而言，第一以及第二電源供應線V1與V2可以網格之樣式互相連接。因為長第一電源供應線V1之電阻，電壓降(IR降)可發生於第一電源供應線V1。此問題可藉由連接第二電源供應線V2至第一電源供應線V1而解決。
第3圖為根據本發明之一實施例之第2圖繪示之複數個像素P之其中之一之電路圖。
請參閱第3圖，像素P包含有機發光二極體OLED以及用以供應電流至有機發光二極體OLED之像素電路C。
在有機發光二極體OLED中，像素電極可連接至像素電路C，而反向電極可連接至第二電源供應電壓源ELVSS(t)。有機發光二極體OLED產生具有對應自像素電路C供應之電流之亮度的光線。
主動矩陣型有機發光顯示裝置包含至少二電晶體以及至少一電容。更詳細而言，主動矩陣型有機發光顯示裝置包含用以傳輸資料訊號之開關電晶體、用以根據資料訊號驅動有機發光二極體之驅動電晶體以及用以維持資料電壓為恆定之電容。
請參閱第2圖以及第3圖，在第一電晶體TR1中，閘極電極可連接至掃瞄線S，第一電極可連接至資料線D，而第二電極可連接至第一節點N1。亦即，掃描訊號Scan(n)可供應至第一電晶體TR1之閘極電極，而資料訊號Data(t)可供應至第一電晶體TR1之第一電極。
在第二電晶體中TR2，閘極電極可連接至第一節點N1，第一電極可連接至第一電源供應源ELVDD(t)，第二電極可連接至有機發光二極體OLED之像素電極。第二電晶體TR2作為驅動電晶體。
第一電容C1可連接於第一節點N1以及第二電晶體TR2之第一電極，即第一電源供應電壓源ELVDD(t)之間。
第4圖係為根據本發明之一實施例描繪包含第2圖之有機發光顯示裝置1之一些線路之示意圖。為便於解釋，只於第4圖中描繪包含於有機發光顯示裝置1線路中之資料線D1與D2、第一電源供應線V1以及第二電源供應線V2。
第一電源供應線V1以及第二電源供應線V2係以網格之形式互相電性連接。資料線D1與D2延伸於與第一電源供應線V1平行之方向，即第二方向(Y軸方向)。在本實施例中，各資料線D1以及D2之兩端皆為浮接。
在此些線路的結構中，短路之發生可能是因為其中一條資料線D1以及其中一條第二電源供應線V2之連接，舉例而言，在製造有機發光顯示裝置1的過程中產生之不想要的粒子，此將參照第5圖於下詳細描述。
第5圖係為第4圖之區域V之放大視圖。參閱第5圖，因為外來物質，例如不想要的粒子，短路缺陷ST產生於資料線D1與D2中之一條資料線D1與第二電源供應線V2的其中之一條交疊之區域上。為改善有機發光顯示裝置1之影像品質，應執行修復程序以修正短路缺陷ST。而為執行修復程序，應首先執行探測短路缺陷ST位置之程序。
第6A圖至第6C圖係為描繪根據本發明之一實施例之檢測第2圖之有機發光顯示裝置1之短路缺陷之方法之示意圖。
參照第6A圖，準備包含電源供給構件131以及電源接收構件132之測試裝置130。接著，電源供給構件131以及電源接收構件132連接至資料線D2之兩端。在本實施例中，因為各資料線D1與D2之兩端皆為浮接，描繪於第6A圖中之電源供給構件131以及電源接收構件132之位置可相互調換。
在此情形之下，電源供給構件131以及電源接收構件132並沒有連接至第一電源供應線V1以及第二電源供應線V2。因為第一電源供應線V1以及第二電源供應線V2係以網格之樣式連接，當一電壓供應以檢測有機發光顯示裝置1時，電流可流經所有的第一以及第二電源供應線V1與V2。因此，難以判斷有機發光顯示裝置1是否產生短路缺陷。
當電壓藉由電源供給構件131以及電源接收構件132供應至資料線D2時，電流流經資料線D2。亦即，資料線D2兩端產生電位差。此電位差可被監測。
接著，請參閱第6B圖，電源供給構件131以及電源接收構件132係於第一方向(X軸方向)上移動，且接著連接相鄰資料線D2之資料線D1。接著，當電壓藉由電源供給構件131以及電源接收構件132供應至資料線D1時，電流流經資料線D1。亦即，資料線D1之兩端產生電位差。此電位差可被監測。在此情形之下，當短路缺陷ST發生於資料線D1以及第二電源供應線V2的其中之一相互交疊之區域時，資料線D1之兩端監測到的電位差不同於資料線D2兩端監測到的電位差。
藉由上述依序地檢測資料線D1以及D2，可輕易地檢測產生於資料線D1與第二電源供應線V2交疊之區域之短路缺陷ST。
接著，請參閱第6C圖，當在資料線D1上以第二方向(Y軸方向)依序地移動電源供給構件131以及電源接收構件132時，藉由供應 電壓至具有短路缺陷ST之資料線D1，可監測資料線D1連接至電源供給構件131以及電源接收構件132之區域之間之電位差。在此情形之下，資料線D1上接近短路缺陷ST之位置之電位差係不同於接近其它位置之資料線D1之電位差。因此，資料線D1短路缺陷ST的位置可輕易的被檢知。
在具有短路缺陷ST之資料線以及短路缺陷ST之位置如上述探測之後，可執行包含雷射切割之修復程序於資料線D1上。
第7圖係描繪根據本發明之一實施例之第2圖之有機發光顯示裝置包含之一些線路之示意圖。參照第7圖，第一電源供應線V1以及第二電源供應線V2係設置為網格之樣式，各資料線D1與D2之一端可為浮接，而各資料線D1與D2之另一端可連接至共同線路DA。
在此，各資料線D1與D2之另一端可連接至共同線路DA，並不代表共同的資料訊號供應至所有的像素。換言之，開關可裝設於複數個資料線D1與D2以及共同線路DA之間，以個別的供應資料訊號至像素。
第8圖係為第7圖之區域VIII之放大視圖。參閱第8圖，可準備包含電源供給構件131以及電源接收構件132之測試裝置130。接著，連接電源供給構件131以及電源接收構件132至資料線D2之兩端。
在本實施例中，當各資料線D1與D2之一端可為浮接，各資料線D1與D2之另一端可連接至共同線路DA，電源供給構件131可設置較遠於共同線路DA，而電源接收構件132可設置較近於共同線路DA。接著，當電壓藉由使用電源供給構件131與電源接收構件132供應至資料線D2時，電流流經資料線D2。亦即，資料線D2之兩端產生電位差。此電位差可被監測。若電源供給構件131連接至資料線D2上部分時，即鄰近共同線路DA，電源接收構件132可連接至資料線D2之下部份，即較 遠於共同線路DA，電流可能因為經由電源供給構件131供應之電壓流過相鄰電源供給構件131之共同線路DA。從而，其難以準確的監測資料線D2兩端之電位差。因此，電源供給構件131可設置於較遠於共同線路DA，而電源接收構件可設置於較近於共同線路DA。
雖未繪示於圖式中，如以上參閱第6B圖所述，資料線D1與第二電源供應線V2交疊之區域發生之短路缺陷ST可藉由於第一方向(X軸方向)上移動電源供給構件131以及電源接收構件132、連接電源供給構件131以及電源接收構件132至與資料線D2相鄰之資料線D1、並接著監測資料線D1兩端之電位差而檢測。接著，如以上參閱第6C圖所述，當在資料線D1上以第二方向(Y軸方向)依序地移動電源供給構件131以及電源接收構件132，藉由供應一電壓至具有短路缺陷ST之資料線D1，並監測資料線D1連接至電源供給構件131以及電源接收構件132之區域之間電位差，可檢測資料線D1之短路缺陷ST之位置。
第9圖係根據本發明之另一實施例之第2圖之有機發光顯示裝置包含之一些線路之示意圖。為便於解釋，包含於有機發光顯示裝置之該些線路中只描繪掃瞄線S1與S2，第一電源供應線V1以及第二電源供應線V2於第9圖中。
第一電源供應線V1以及第二電源供應線V2係以網格之樣式相互電性連接。掃瞄線S1與S2延伸於與第二電源供應線V2平行之方向上。在本實施例中，各掃瞄線S1與S2之兩端皆為浮接。在這些線路的結構中，短路之發生可能是因為其中一條掃瞄線S1以及其中一條第一電源供應線V1之連接，舉例而言，因為在製造有機發光顯示裝置1的過程中產生之不想要的粒子。
第10圖係為第9圖之區域X之放大視圖。參閱第10圖，可 準備包含電源供給構件131以及電源接收構件132之測試裝置130。接著，電源供給構件131以及電源接收構件132連接至掃瞄線S2之兩端，而掃瞄線S2兩端之間之電位差可被監測。接著，掃瞄線S1與其中一條電源供應線V1交疊之區域發生之短路缺陷ST可藉由於第二方向(Y軸方向)移動電源供給構件131以及電源接收構件132、連接電源供給構件131以及電源接收構件132至相鄰掃瞄線S2之掃瞄線S1、並接著監測掃瞄線S1兩端之電位差而監測。接著，當在掃瞄線S1上以第一方向(X軸方向)依序地移動電源供給構件131以及電源接收構件132時，藉由供應電壓至具有短路缺陷ST之掃瞄線S1，並監測掃瞄線S1連接至電源供給構件131以及電源接收構件132之區域之間之電位差，可檢測掃瞄線S1之短路缺陷之位置。
雖然第9圖描繪之各掃瞄線S1與S2之兩端皆為浮接，但本發明並不限於此。換言之，本發明可應用於當各掃瞄線S1與S2之一端為浮接時，各掃瞄線S1與S2之另一端連接至共同線路(為繪示)之線路結構。
第11圖係為根據本發明之另一實施例描繪包含於第1圖之區域Ⅱ之線路結構示意圖。第12圖係為根據本發明之另一實施例繪示於第11圖之其中一個像素P之電路圖。第13圖係為根據本發明之另一實施例描繪包含於第11圖之有機發光顯示裝置之一些線路之示意圖。
根據本發明之本實施例之第11圖之有機發光顯示裝置將著重於敘述與第2圖之有機發光顯示裝置之差異。請參閱第12圖，根據本實施例，包含於有機發光顯示裝置中的其中一個像素P包括三個電晶體TR1、TR2與TR3，以及電容C1與C2。
於第一電晶體TR1中，閘極電極可連接至掃瞄線S，第一電 極可連接至資料線D，而第二電極可連接至第一節點N1。亦即，掃描訊號Scan(n)以及資料訊號Data(t)分別供應至第一電晶體TR1之閘極電極以及第一電極。
於第二電晶體TR2中，閘極電極可連接至第二節點N2，第一電極可連接至第一電源供應電壓源ELVDD(t)，而第二電極可連接至有機發光二極體OLED之像素電極。第二電晶體TR2係作為驅動電晶體。
第一電容C1可連接於第一節點N1與第二電晶體TR2之第一電極，即第一電源供應電壓源ELVDD(t)之間。第二電容C2可連接於第一節點N1與第二節點N2之間。
於第三電晶體中，閘極電極可連接至控制線單元GC，第一電極可連接至第二電晶體TR2之閘極電極，而第二電極可連接至有機發光二極體OLED之像素電極，即第二電晶體TR2之第二電極。因此，控制訊號GC(t)可供應至第三電晶體TR3之閘極電極。
在有機發光顯示裝置如第3圖所繪示，包含兩個電晶體以及一個電容之情形下，電源之消耗低，但是流過有機發光裝置之電流強度可能根據驅動有機發光二極體之驅動電晶體之閘極與源極間之電壓偏差，即於驅動電晶體之門檻電壓之偏差而改變。因此，顯示品質可能退化。然而，根據本實施例之有機發光顯示裝置係能夠自動地且分別地供應各具有預定電壓之控制訊號GC(t)至第11圖所描繪之像素P，藉此降低由門檻電壓偏差造成之顯示品質之退化。
請參閱第11圖，各像素P可連接至延伸於第一方向(X軸方向)之其中一條掃描線S、延伸於與第一方向(X軸方向)垂直之第二方向(Y軸方向)之其中一條資料線D，以及延伸於第二方向(Y軸方向)之其中一條第一電源供應線V1。延伸於第一方向(X軸方向)之第二電源供應線V2係 以網格之樣式與第一電源供應線V1連接。
在本實施例中，各像素P可更連接至延伸於第二方向(Y軸方向)之控制單元GB之其中一條控制線GCB。自設置於第1圖之非顯示區域A2之控制訊號驅動器(圖未示)提供之具有預定電壓之控制訊號GC(t)可自動地且分別地藉由控制線GCB供應至像素P。
請參閱第13圖，第一電源供應線V1與第二電源供應線V2係以網格之樣式設置。控制線單元GC之一端，即各控制線GCB之一端延伸於第二方向(Y軸方向)以浮接，而控制線單元GC之另一端可連接至共同線路GCA。因此，自經由共同線路GCA接收之共同訊號叉開之訊號可供應至控制線GCB。
雖未繪示，若短路缺陷ST因為外來物質如粒子，發生於其中一條控制線GCB以及其中之一條第二電源供應線V2相互交疊之區域，接著電源供給構件可設置於較遠於控制線單元GC之共同線路GCA，而電源接收單元可設置相鄰於共同線路GCA。接著，藉由利用電源供給構件以及電源接收構件，可依序地供應電壓至控制線GCB，而電位差可被監測以檢知控制線GCB之短路缺陷ST之位置。
雖未繪示於第13圖，發生於資料線D以及第二電源供應線V2之間或掃描線S以及第一電源供應線V1之間之短路缺陷可如上述地檢知。雖然在本實施例中，控制線GCB延伸於第二方向(Y軸方向)，但本發明並不限於此。控制線GCB可延伸於第一方向(X軸方向)。
第14圖係為根據本發明之另一實施例繪示包含於第1圖之區域Ⅱ之一些線路結構之示意圖。第15圖係為根據本發明之另一實施例之第14圖繪示之其中一個像素P之電路圖。第16圖係為根據本發明之另一實施例繪示包含於第14圖之有機發光顯示裝置一些線路之示意圖。
根據本發明之本實施例之第14圖之有機發光顯示裝置現將著重於描述與第11圖之有機發光顯示裝置之間之差異。請參閱第15圖，包含於根據本實施例之有機發光顯示裝置之其中一個像素P包含五個電晶體TR1至TR5，以及三個電容C1至C3。
相較於第12圖之像素P，根據本實施例之像素P更包含第四電晶體TR4與第五電晶體TR5，以及第三電容C3。
於第四電晶體中TR4，閘極電極可連接至寫入線單元GW，以供應予寫入訊號GWB以及寫入線訊號GW(t)。第四電晶體TR4作為具有額外訊號儲存空間之開關元件，以儲存像素P中第N+1幀(frame)之資料，並比較第N+1幀與第N幀之資料。
第五電晶體TR5之閘極電極可連接至第三電晶體TR3，且控制訊號GC(t)可供應至第三電晶體TR3。第五電晶體TR5為當光線自第N禎之發射結束時，需要初始化第N禎之切換裝置與分流線路(bypass wire)。控制訊號GC(t)也可供應至第五電晶體TR5。
第三電容C3儲存第N+1禎之資料。
請參閱第14圖，各像素P可連接至延伸於第一方向(X軸方向)之其中一條掃描線S、延伸於與第一方向(X軸方向)垂直之第二方向(Y軸方向)之其中一條資料線D、以及延伸於第二方向(Y軸方向)之其中一條第一電源供應線V1。延伸於第一方向(X軸方向)之第二電源供應線V2係以網格之樣式與第一電源供應線V1連接。
各像素P可更連接至延伸於第二方向(Y軸方向)之其中一條控制線GCB以及其中一條寫入線GWB。
請參閱第16圖，第一電源供應線V1以及第二電源供應線 V2係以網格之樣式設置，寫入線單元GW之一端，即各寫入線GWB之一端，係延伸於第二方向(Y軸方向)浮接，而寫入線單元GW之另一端可連接至共同線路GWA。因此，經由共同線路GWA接收之自共同訊號叉開之訊號可供應至寫入線GWB。
雖未繪示，若短路缺陷ST因為外來物質如粒子，發生於其中一條寫入線GWB以及其中一條第二電源供應線V2相互交疊之區域，接著電源供給構件可設置於較遠於寫入線單元GW之共同線路GWA，而電源接收單元可設置相鄰於共同線路GWA。接著，藉由利用電源供給構件以及電源接收構件，可依序地供應電壓至寫入線GWB，而電位差可被監測以檢知控制線GCB之短路缺陷ST之位置。
雖未繪示於第14圖，各寫入線GWB之兩端可為浮接。在本實施例中，寫入線GWB延伸於第二方向(Y軸方向)，但本發明並不限於此，且寫入線GWB可延伸於第一方向(X軸方向)。
第17圖係為根據本發明之一實施例之第1圖之有機發光顯示裝置之各像素之一些元件之剖面圖。
參閱第17圖，可為薄膜驅動電晶體之第二電晶體TR2、第一電容Cst以及有機發光二極體EL係設置於基板10上。
基板10可以二氧化矽系透明玻璃材料形成，但不限於此，且可以透明塑膠材料形成。緩衝層11可更設置於基板10上。緩衝層11提供一扁平表面於基板10上並保護基板10對抗水氣與外來物質。第二電晶體TR2之主動層212可形成於緩衝層11上。主動層212包含源極區域212b、汲極區域212a及通道區域212c。閘極絕緣層13可設置於主動層212上。包含透明導電材料之第一閘極電極層214與第二閘極電極層215依序設置於位於閘極絕緣層13對應至主動層212之通道區域212c上之位 置上。源極電極216b與汲極電極216a形成於圖案化之層間絕緣層15間之第二閘極電極層215上，以各自連接至主動層之源極區域212b與汲極區域212a。像素定義層18形成於層間絕緣層15上以覆蓋源極電極216b與汲極電極216a。像素電極114可藉由利用用以形成第一閘極電極層214之透明導電材料形成於緩衝層11與閘極絕緣層13上。包含有機發光層之中間層119可形成於像素電極114上。反向電極20可形成於中間層119上作為共同電極。根據本實施例之有機發光顯示裝置之情形下，像素電極114可作為陽極，而反向電極20可作為陰極，或相反。縱使未繪示於第17圖，密封構件(圖未示)可設置於反向電極20上以面對基板10之表面。
根據本發明之有機發光顯示裝置檢測短路缺陷之方法之各種實施例已如上描述，但本發明並不限於此。換言之，本發明之技術上的概念可應用至包含有機發光顯示裝置之任何形式之顯示裝置上以檢測短路缺陷。此外，本發明可應用於檢測有別於顯示裝置之以一線路與另一線路之間以網格之樣式連接而提供之其它任何電子裝置中之短路缺陷。
藉由根據本發明之一實施例檢測短路缺陷之方法，發生於以網格之樣式連接之一條與另一條線路之短路缺陷可被輕易地檢測。
雖然本發明已藉參照其例示性實施例具體顯示與描述，領域內之習知技術者應可理解，對其所為之各種形式或細節上之改變不脫離如附隨申請專利範圍所定義之本發明之精神與範疇。
130‧‧‧測試裝置
131‧‧‧電源供給構件
132‧‧‧電源接收構件
ST‧‧‧短路缺陷
V1‧‧‧第一電源供應線
V2‧‧‧第二電源供應線
D1、D2‧‧‧資料線

Claims (18)

  1. 一種檢測短路缺陷的方法，其係檢測於一第一方向以及與該第一方向交叉之一第二方向延伸之一第一線路以及於該第一方向或該第二方向延伸之一第二線路之間之一短路缺陷，該方法包含：藉使用只在該第二線路上監測到之電位差，檢測該第一線路以及該第二線路之間之該短路缺陷；其中藉由依序地分別連接一電源接收構件以及一電源供給構件至各該第二線路之兩端，並在依序供應一電壓至各該第二線路時，初步監測各該第二線路連接該電源接收構件以及該電源供給構件之區域間之電位差，而檢知一缺陷線路。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，各該第二線路之兩端延伸為浮接。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中透過初步監測所監測到之該缺陷線路中之該短路缺陷之位置，係藉由連接該電源接收構件以及該電源供給構件至該缺陷線路之兩端，且當供應一電壓至該缺陷線路時，再次監測連接至該電源接收構件以及該電源供給構件之該缺陷線路之區域間之電位差而檢知。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中當該第二線路以各該第二線路之一端浮接，而各該第二線路之另一端連接至一共同線路之方式延伸時，一缺陷線路係藉由依序地分別連接一電源接收構件以及一電源供給構件至各該第二線路之浮接端之區域以及連接端之區域，並初步監測在依序供應一電壓至各該第二線路時，連接該電源接收構件以及該電源供給構件之各該第二 線路之區域間之電位差而檢知。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中透過初步監測所監測到之該缺陷線路中之該短路缺陷之位置係藉由分別連接該電源接收構件以及該電源供給構件至該缺陷線路之浮接端之區域以及連接端之區域，且當供應一電壓至該缺陷線路時，再次監測連接該電源接收構件以及該電源供給構件之該缺陷線路之區域間之電位差而檢知。
  6. 一種檢測短路缺陷的方法，其係檢測於包含複數個像素之顯示裝置之一第一線路以及一第二線路間之一短路缺陷，該第一線路連接至該複數個像素並延伸於一第一方向以及與該第一方向交叉之一第二方向，該第二線路連接至該複數個像素並延伸於該第一方向或該第二方向，該方法包含：藉使用只在該第二線路上監測到之電位差，檢測該第一線路以及該第二線路之間之該短路缺陷；其中一缺陷線路係藉由依序地分別連接一電源接收構件以及一電源供給構件至各該第二線路之兩端區域，並初步監測在依序供應一電壓至各該第二線路時，各該第二線路連接該電源接收構件以及該電源供給構件之區域間之電位差而檢知。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該第一線路包含：一第一電源供應線，延伸於該第一方向，該第一電源供應線係用以供應電源至該複數個像素；以及一第二電源供應線，延伸於該第二方向，該第二電源供應線係用以供應電源至該複數個像素。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該第一電源供應線以及該第二電源供應線係以一網格樣式設置。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，該第二線路包含一掃描線以供應一掃描訊號至該複數個像素。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該第二線路更包含一資料線以供應一資料訊號至該複數個像素。
  11. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該第二線路以各該第二線路之兩端為浮接之方式延伸。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中透過初步監測所監測到之該缺陷線路中之該短路缺陷之位置，係藉由連接該電源接收構件以及該電源供給構件至該缺陷線路之兩端，且當供應一電壓至該缺陷線路時，再次監測連接至該電源接收構件以及該電源供給構件之該缺陷線路之區域間之電位差之而檢知。
  13. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中當該第二線路以各該第二線路之一端浮接，而各該第二線路之另一端連接至一共同線路之方式延伸，一缺陷線路係藉由依序地分別連接一電源接收構件以及一電源供給構件至各該第二線路之浮接端之區域以及連接端之區域，並初步監測在依序供應一電壓至各該第二線路時，連接該電源接收構件以及該電源供給構件之各該第二線之區域路間之電位差而檢知。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中透過初步監測所監測到之該缺陷線路中之該短路缺陷之位置，係藉由分別連接該電源接收構件以及該電源供給構件至該缺陷線路之浮接端之區域以及連接端之區域，且當供應一電壓至該缺陷線路時，再次監 測連接該電源接收構件以及該電源供給構件之該缺陷線路之區域間之電位差而檢知。
  15. 一種檢測短路缺陷之方法，其係檢測於有機發光顯示裝置之一第一電源供應線以及一第二線路之間，或一第二電源供應線以及該第二線路之間之一短路缺陷，該有機發光顯示裝置包含複數個像素，各該像素包含一像素電極、包含一有機發射層之一中間層以及一反向電極；該第一電源供應線連接至該複數個像素並延伸於一第一方向，該第一電源供應線供應電源至該複數個像素，該第二電源供應線連接至該複數個像素並延伸於與該第一方向交叉之一第二方向，該第二電源供應線供應電源至該複數個像素，該第二線路連接至該複數個像素並延伸於該第一方向或該第二方向，該第二線路供應訊號至該複數個像素，該方法包含：藉使用只在該第二線路上監測到之電位差，檢測該第一電源供應線以及該第二線路之間，或該第二電源供應線以及該第二線路之間之該短路缺陷；其中一缺陷線路係藉由依序地分別連接一電源接收構件以及一電源供給構件至各該第二線路之兩端區域，並初步監測在依序供應一電壓至各該第二線路時，各該第二線路連接該電源接收構件以及該電源供給構件之區域間之電位差而檢知。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中當各該第二線路之一端浮接，各該第二線路之另一端連接至一共同線路時，該電源供給構件設置較遠於該第二線路連接至該共同線路之端，而該 電源接收構件設置相鄰於該第二線路連接至該共同線路之端。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中包含於該有機發光顯示裝置之各該像素包含至少二電晶體與至少一電容。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第二線路包含用以供應一掃描訊號至該複數個像素之一掃瞄線、用以供應一資料訊號至該複數個像素之一資料線、用以供應一控制訊號至該複數個像素之一控制線、用以供應一寫入訊號至該複數個像素之一寫入線中的至少之一。
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