KR100738089B1 - 표면 전자방출 소자 어레이를 이용한 ｔｆｔ 검사 장치 - Google Patents

표면 전자방출 소자 어레이를 이용한 ｔｆｔ 검사 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 표면 전자 방출 소자 어레이를 이용한 TFT 검사 장치에 관한 것이다. 게이트 라인, 소스 라인, 상기 게이트 라인과 상기 소스 라인에 연결된 다수의 박막 트랜지스터, 상기 다수의 박막 트랜지스터 각각에 전기적으로 연결된 화소 전극을 포함하는 TFT 어레이의 검사 장치에 있어서, 상기 TFT 어레이와 대향되게 형성되며, 제 1방향으로 형성된 제 1전극; 상기 제 1전극과 상기 화소 전극이 형성된 영역과 대응되는 영역에서 교차하여 제 2방향으로 형성된 제 2전극; 및 상기 제 1전극 및 제 2전극의 교차하는 영역의 상기 제 1전극 및 상기 제 2전극 사이에 상기 화소 전극에 대응하도록 형성된 절연층;을 포함하는 표면 전자 방출 소자 어레이를 포함하는 표면 전자 방출 소자 어레이를 이용한 TFT 검사 장치를 제공한다.

Description

표면 전자방출 소자 어레이를 이용한 ＴＦＴ 검사 장치{Thin film transistor inspection system using surface electron emission device array}
도 1은 종래 기술에 의한 일반적인 구조의 TFT LCD 어레이의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2a는 본 발명에 의한 표면 전자 방출 소자의 일실시예를 나타낸 도면이다.
도 2b는 본 발명에 의한 표면 전자 방출 소자의 또다른 실시예를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명에 의한 표면 전자 방출 소자 어레이를 나타낸 도면이다.
도 4는 검사 대상인 디스플레이용 박막 트랜지스터(thin film transistor) 어레이를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 의한 표면 전자 방출 소자 어레이를 이용한 TFT 검사 장치를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명에 의한 표면 전자 방출 소자 어레이의 구동에 의해 표면 전자 방출 현상이 나타나는 것을 나타낸 사진이다.
도 7a는 전자 방출 소자에서 방출되는 전자 방출량을 나타낸 그래프이다.
도 7b는 전자 방출 소자 자체의 순환(circulating) IV 곡선을 나타낸 그래프 이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10... 기판 11... 하부 전극
12... 절연층 13... 상부 전극
101... 제 1전극 102... 제 1절연층
103... 전도층 104... 제 2절연층
105... 제 2전극 31... 화소부
32... 게이트 스캔부 33... 데이타 입력부
32a... 게이트 라인 33a... 소스 라인
34... 단위 화소
본 발명은 TFT 검사 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 박막 트랜지스터(thin film transistor) 어레이의 결함을 진단할 수 있도록, 박막 트랜지스터 어레이에 대응되도록 표면 전자방출 소자 어레이를 제공하여 각각의 단위 박막 트랜지스터의 결함을 정밀하게 검사할 수 있는 표면 전자 방출 소자 어레이를 이용한 TFT 검사 장치에 관한 것이다.
정보 통신 기술의 발달이 급속하게 진행됨에 따라서 화상 표시 장치 관련된 기술도 매우 빠른 속도로 발달하고 있다. 과거 일반적인 표시 장치로 사용되어온 CRT 장치는 무겁고, 부피가 크며, 소비 전력이 큰 편으로 현대적인 정보 통신 영상 표시 장치로 한계가 있다. 종래의 CRT를 대신하여 TFT LCD(thin film transistor liquid crystal display), OLED(organic light emission display), PDP(plasma display panel) 또는 프로젝션 TV 등과 같은 신개념의 화상 표시 장치 관련 산업이 발달하고 있다.
TFT-LCD 모듈의 구조는 크래 3개의 유닛으로 구성된다. 기판과 기판 사이에 두개의 글라스 사이에 액정이 주입된 패널부과, 패널을 구동시키기 위한 드라이버 LSI 및 각종 회로 소자가 부착된 PCB(printed circuit board)를 포함하는 구동 회로부 및 백라이트를 포함하는 구조부이다.
도 1은 종래 기술에 의한 일반적인 TFT LCD 어레이의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하면, 종래 기술에 의한 TFT-LCD는 단위 화소(34)들의 집합으로 형성된 화소부(31)와 화소부(31)를 구동시키기 위한 게이트 스캔부(33) 및 데이타 입력부(34)를 포함하는 구조를 지니고 있다. 게이트 스캔부(33) 및 데이타 입력부(34)는 각각 게이트 라인(33a) 및 소스 라인(34a)을 통하여 각각의 단위 화소(34)에 대응하는 TFT(미도시)와 연결되어 있다. 단위 화소(34) 상에는 화소 전극(pixel electrode)이 형성되며, 통상 광 투과성이 우수한 투명 전극인 ITO(Indium, Tin, Oxide)으로 형성된다. 이와 같은 TFT 어레이는 구조는 많은 공지 문헌에 기재되어 있으므로 상세한 설명은 생략한다.
종래의 TFT LCD 검사 장치에는 여러 가지가 있으며, 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
첫째, TFT 어레이 기판 상에 모듈레이터 및 카메라를 설치하여, 카메라를 통해 관찰되는 이미지의 밝기에 따라 TFT 어레이 기판의 불량 유무를 관찰하는 방법이다. 그러나 이는 좁은 영역에서 유용한 방법으로 대면적의 TFT LCD 전면을 검사하는데 어려움이 있으며, TFT LCD 기판 표면과 접촉하는 경우 모듈레이터를 교체해야 하는 문제점이 있다.
둘째, 전자총 형태로 제작된 전자 방출 소자를 TFT 어레이 기판에 인가하여 출력되는 전류 값을 측정하는 방법이다. 그러나 이는 높은 전압으로 전자를 가속해야하므로 TFT 어레이 자체에 해를 미칠 수 있으며, 고진공(10-7 내지 10-8 Torr)에서 사용되어야 하므로 대형 진공 설비 제작을 위한 비용의 증가라는 단점이 있다.
본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, TFT 단위 소자 및 TFT 어레이 전면을 선택적으로 용이하게 검사할 수 있으며 그 비용이 저렴한 TFT 검사 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서는 상기 목적을 달성하기 위하여,
게이트 라인, 소스 라인, 상기 게이트 라인과 상기 소스 라인에 연결된 다수의 박막 트랜지스터, 상기 다수의 박막 트랜지스터 각각에 전기적으로 연결된 화소 전극을 포함하는 TFT 어레이의 검사 장치에 있어서,
상기 TFT 어레이와 대향되게 형성되며, 제 1방향으로 형성된 제 1전극;
상기 제 1전극과 상기 화소 전극이 형성된 영역과 대응되는 영역에서 교차하여 제 2방향으로 형성된 제 2전극; 및
상기 제 1전극 및 제 2전극의 교차하는 영역의 상기 제 1전극 및 상기 제 2전극 사이에 상기 화소 전극에 대응하도록 형성된 절연층;을 포함하는 표면 전자 방출 소자 어레이를 포함하는 표면 전자 방출 소자 어레이를 이용한 TFT 검사 장치를 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 절연층은 내에 형성된 금속층을 더 포함하여 제 1절연층, 금속층 및 제 2절연층이 순차적으로 적층된 구조인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 TFT 어레이 및 상기 표면 전자 방출 소자 어레이는 수마이크로미터 내지 10mm의 간격으로 대향된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 제 1전극은 수백 나노미터 내지 수백 마이크로미터 두께인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 제 2전극은 10 내지 100 나노미터 두께인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 절연층은 1 내지 30 나노미터 두께인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 금속층은 10 내지 50 나노미터 두께인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서는 표면 전자 방출 소자 어레이를 이용한 TFT 검사 장치의 TFT 검사 방법에 있어서,
(가) 상기 TFT 어레이의 검사 대상 TFT 소자와 전기적으로 연결된 화소 전극 에 대응되는 표면 전자 방출 소자와 연결된 상기 제 1전극 및 상기 제 2전극에 전원을 인가하여 상기 제 2전극 표면에서 전자를 방출시키는 단계;
(나) 상기 검사 대상 TFT 소자의 게이트 라인에 문턱 전압 이상의 전압을 인가하여 상기 검사 대상 TFT 소자를 on 시키는 단계; 및
(다) 상기 검사 대상 TFT 소자와 연결된 소스 라인에 흐르는 전류 값을 측정하여 상기 검사 대상 TFT 소자의 오작동 여부를 검사하는 단계;를 포함하는 표면 전자 방출 소자 어레이를 이용한 TFT 검사 장치의 TFT 검사 방법을 제공한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 의한 표면 전자 방출 소자 어레이를 이용한 TFT 검사 장치에 대해 상세히 설명하고자 한다. 각 도면에 있어서, 각 층의 길이 및 두께 등은 설명을 위해 다소 과장되게 표현되었음을 유의하여야 한다. 본 발명에서 TFT 어레이라는 용어는 TFT에 연결된 화소 전극을 포함하는 소자가 매트릭스의 어레이 구조로 형성된 것을 의미한다.
본 발명에서는 TFT 어레이를 검사하기 위하여 TFT 어레이의 각 단위 TFT에 대응되는 표면 전자 방출 소자를 형성하고 이를 어레이 구조로 형성한 TFT 검사 장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명에 의한 표면 전자 방출 소자의 단면도를 나타낸 단면도이며, 도 3은 상기 도 2a에 나타낸 표면 전자 방출 소자의 어레이 구조를 나타낸 단면도이다. 본 발명에 의한 표면 전자 방출 소자는 MIM(metal-insulator-metal) 또는 MIMIM(metal-insulator-metal-insulator-metal) 구조인 것을 특징으로 한다.
도 2a를 참조하면, 본 발명에 의한 MIM 구조의 표면 전자 방출 소자는 하부 전극(11), 절연층(12) 및 상부 전극(13)을 포함하는 구조를 지니고 있다. 하부 전극(11) 및 상부 전극(13)은 통상적인 반도체 소자에 사용되는 전도성 물질, 즉 Au, Pt, Al, Ag 등의 금속 등을 사용할 수 있다. 그리고, 절연층(12)은 Al2O3, SiO2, Si3N4, HfO, NiO, MgO, SrO, SiN, BaO, TiO, Ta2O5, BaTiO3, BaZrO, ZrO2, Y2O3, ZrSiO, HfSiO 또는 LaAlO3 등과 같은 절연 물질을 사용할 수 있다. 여기서, 하부 전극(11)은 수백 나노미터 내지 수백 마이크로미터의 두께로 형성시키며, 절연층(12)은 1 내지 30 나노미터의 두께로 형성시키며, 상부 전극(13)은 10 내지 100 나노미터의 두께로 형성시키는 것이 바람직하다.
도 2a와 같은 MIM 구조의 표면 전자 방출 소자는 10-4 내지 10-5 Torr의 진공에서 하부 전극(11) 및 상부 전극(13)을 통하여 약 10V 이상의 전압을 인가하는 경우, 상부 전극(13) 표면을 통하여 전자 방출이 일어난다. 도 7a는 도 2a와 같은 구조의 표면 전자 방출 소자의 하부 전극(11) 및 상부 전극(13)을 통하여 전압을 인가하면서 상부 전극(13) 표면에서 방출되는 전류를 측정한 그래프이다. 도 7a를 참조하면, 하부 전극(11) 및 상부 전극(13)을 통하여 약 10V의 전압을 인가한 경우 표면에서 방출된 전자에 의한 전류 값이 측정되는 것을 알 수 있다. 그리고, 인가 전압이 18V 영역에서 최대 전류 값(14㎂)이 측정되는 것을 확인할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 본 발명에 의한 MIMIM 구조의 표면 전자 방출 소자는 제 1전극(101), 제 1절연층(102), 전도층(103), 제 2절연층(104) 및 제 2전극(105)을 포함하는 구조를 지니고 있다. 여기서, 제 1전극(101), 전도층(103) 및 제 2전극(105)은 통상적인 반도체 소자에 사용되는 전도성 물질인 금속, 금속 산화물 등을 사용할 수 있다. 그리고, 제 1절연층(102) 및 제 2절연층(104)는 Al2O3와 같은 절연 물질을 사용하여 형성시킬 수 있다. 제 1전극(101)은 수백 나노미터 내지 수백 마이크로미터의 두께로 형성시키며, 제 1절연층(102) 및 제 2절연층(104)는 1 내지 30 나노미터의 두께로 형성시키며, 전도층(103)은 10 내지 50 나노미터로 형성시키며, 제 2전극(105)는 10 내지 100 나노미터의 두께로 형성시키는 것이 바람직하다.
도 2b와 같은 MIMIM 구조의 표면 전자 방출 소자는 도 2a에 나타낸 MIM 구조의 표면 전자 방출 소자와 마찬가지로 10-4 내지 10-5 Torr의 진공에서 제 1전극(101) 및 제 2전극(105)를 통하여 약 2V 이상의 전압을 인가하는 경우, 제 2전극(105) 표면을 통하여 전자 방출이 일어난다. 도 7b는 도 2b와 같은 구조의 표면 전자 방출 소자의 제 1전극(101) 및 제 2전극(105)을 통하여 전압을 인가하면서 제 2전극(105) 표면에서 방출되는 전류를 측정한 그래프이다. 도 7b를 참조하면, 제 1전극(101) 및 제 2전극(105)을 통하여 약 2V의 전압을 인가한 경우 표면에서 방출된 전자에 의한 전류 값이 측정되기 시작하는 것을 알 수 있다. 그리고, 인가 전압이 7V 영역에서 최대 전류 값이 측정되는 것을 확인할 수 있다.
도 3은 상술한 구조의 표면 전자 방출 소자를 어레이 형태로 형성한 본 발명에 의한 표면 전자 소자 어레이 구조를 나타낸 도면이다. 여기서는 도 2a와 같이 MIM 구조의 표면 전자 방출 소자 어레이를 나타내었으나, 도 2b에 나타낸 표면 전 자 방출 소자를 어레이 형태로도 사용할 수 있다.
도 3과 같은 구조의 표면 전자 방출 소자 어레이의 제조 공정을 개략적으로 설명하면 다음과 같다. 기판(10) 상에 전도성 금속 또는 금속 산화물을 도포한 뒤, 이를 패터닝하여 하부 전극(11)을 형성시킨다. 그리고, 기판(10) 및 하부 전극(11) 상에 Al2O3 등과 같은 절연 물질을 도포하여 절연층(12)을 형성시킨 뒤, 금속 또는 금속 산화물을 도포하고, 하부 전극(11)과 교차하는 방향으로 패터닝하여 상부 전극(13)을 형성시킨다.
다만, 여기서 유의할 점은 하부 전극(11) 및 상부 전극(13)이 교차하는 영역인 단위 표면 전자 방출 소자(A)는 검사 대상인 TFT 어레이의 단위 영역과 일치하도록 형성시켜야 한다. 예를 들어, TFT LCD를 검사하는 경우에는 단위 표면 전자 방출 소자를 TFT 어레이의 화소 전극영역 대응되도록 형성시키는 것이 바람직하다. 도 3은 참조하면, 상부 전극(13)들을 접지한 상태에서 하부 전극(11)들에 전압을 인가하는 경우, 상부 전극(13) 상으로 전자를 방출할 수 있는 구조인 것을 확인할 수 있다. 도 6에서는 도 3과 같은 구조의 표면 전자 방출 소자 어레이에서 특정 표면 전자 방출 소자(c)에서 전자 방출을 유도한 것을 이미지로 나타내었다.
도 4는 검사 대상인 TFT 어레이의 등가 회로도를 나타낸 단면도이다. 도 4에서는 상술한 도 1에 나타낸 TFT 구조의 등가 회로도를 나타낸 것으로, 각 소스 라인(33a)들은 스위치, 전류 증폭기 및 전류 비교기와 연결되어 있는 것을 확인할 수 있다. 상술한 도 3에 나타낸 표면 전자 방출 소자 어레이는 검사 대상인 TFT 어레 이와 같은 규격으로 형성시키며, 이와 같은 TFT 어레이를 검사하기 위해서는 도 3에 나타낸 표면 전자 방출 소자 어레이와 도 4에 나타낸 TFT 어레이를 상호 대응되게 위치시키며, 이를 도 5를 참조하여 상세히 설명하고자 한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 의한 표면 전자 방출 소자 어레이를 이용한 TFT 검사 장치를 나타낸 도면이다. 도 5를 참조하면, 표면 전자 방출 소자 어레이의 각 단위 표면 전자 방출 소자(A)를 TFT 어레이의 화소 전극(B)에 대응되게 형성되어 있다. 여기서, 표면 전자 방출 소자 어레이와 TFT 어레이의 간격은 수 마이크로미터 내지 10 mm가 되는 것이 바람직하다. 표면 전자 방출 소자에서 전자 방출을 유도하기 위하여 10-4 내지 10-5 Torr의 진공 분위기를 유지한다.
표면 전자 방출 소자 어레이의 각 표면 전자 방출 소자들은 하부 전극(L1, L2, L3) 및 상부 전극(H1, H2, H3, H4)에 선택적으로 전압을 인가하여 전자 방출을 유도할 수 있다. 그리고, 각각의 전극에 △t1, △t2, △t3의 시간 간격 동안 전압을 인가함으로써 원하는 표면 전자 방출 소자에서의 전자 방출을 유도할 수 있다. 이하, 표면 전자 방출 소자 A에서 전자를 방출시켜, 대응되는 영역의 TFT 소자의 화소 전극 B와 연결된 TFT 소자를 검사하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
기본적으로 본 발명의 실시예에 의한 TFT 어레이의 검사 방법은 다음과 같은 단계로 실시한다. 먼저, TFT 어레이의 검사 대상 TFT 소자를 선정하고, 검사 대상 TFT 소자와 전기적으로 연결된 화소 전극에 대응되는 표면 전자 방출 소자에서 전자를 방출시킨다. 다음으로, 검사 대상 TFT 소자의 게이트 라인에 문턱 전압 이상 의 전압을 인가하여 검사 대상 TFT 소자를 on 시키고, 검사 대상 TFT 소자와 연결된 소스 라인에 흐르는 전류 값을 측정하여 상기 검사 대상 TFT 소자의 오작동 여부를 판별 한다.
이를 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 먼저 표면 전자 방출 소자 A와 연결된 상부 전극 H1을 접지하고, 하부 전극 L1을 통하여 △t1의 시간을 통하여 전압을 인가한다. 이 때, 표면 전자 방출 소자가 MIM 형인 경우 10V 이상의 전압을 하부 전극 L1을 통하여 인가한다. 도 7a에 나타낸 바와 같이 10-4 내지 10-5 Torr의 진공 분위기 하에서 표면 전자 방출 소자 A의 상부 전극 H1 표면에서 전자가 방출된다. 방출된 전자는 표면 전자 방출 소자 A에 대응되는 화소 전극 B에 인가된다.
게이트 전극 G1에 TFT의 문턱 전압 이상의 전압을 인가하여 TFT를 on 시키게 되면 화소 전극 B에 도달한 전자는 TFT의 채널 영역을 통하여 소스 라인 S1으로 빠져나간다. 스위치를 통하여 B1 라인을 통해 흐르는 전류를 전류 증폭기 및 비교기를 통하여 비교하여 소정의 기준 전류 값 이상인 경우 화소 전극 B와 연결된 게이트 전극 H1 및 소스 전극 S1은 정상 작동되는 것으로 판단하다. 다만, 증폭기 및 비교기는 선택적으로 구성할 수 있다.
이와 같은 동작을 시간차를 두고 모든 화소 전극들에 대해 실시하게 되면, TFT 어레이 전체의 정상 여부를 판단할 수 있다. 만일 원하는 전류가 검출되지 않는 경우에는, 해당 화소 전극과 연결된 TFT, 게이트 라인, 소스 라인 또는 픽셀 전극의 라인 손상 또는 접촉 불량이 발생한 것으로 판단할 수 있다. 하나의 화소 전 극에 대한 검사가 종료된 경우, 연속적으로 다른 화소 전극에 대한 검사를 실시한다. 화소 전극별 검사 순서 및 검출 전류 값의 선정은 선택적인 것이다.
통상적으로, TFT 어레이는 규격화된 대량 생산 체제로 생산하게 되므로, TFT 어레이의 규격에 맞춰서 표면 전자 방출 소자 어레이를 형성하는 것이 바람직하다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
본 발명에 의하면, 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 검사 대상인 TFT 어레이의 규격에 맞춰서 표면 전자 방출 소자 어레이를 형성하여 각 소자별로 대응시킴으로써 단시간 내에 검사를 완료할 수 있다.
둘째, 표면 전자 방출 소자 어레이의 구조 및 제조 공정이 간단하여 검사 장치의 제조비를 절감할 수 있다.
셋째, TFT 어레이와의 간격을 일정 범위 이상으로 유지함으로써 화소 전극 표면의 손상을 방지할 수 있다.
넷째, 검사를 위한 진공도를 10-4 내지 10-5 Torr에서 유지할 수 있음으로 고진공 장비의 설치비를 절감할 수 있다.

Claims (8)

  1. 게이트 라인, 소스 라인, 상기 게이트 라인과 상기 소스 라인에 연결된 다수의 박막 트랜지스터, 상기 다수의 박막 트랜지스터 각각에 전기적으로 연결된 화소 전극을 포함하는 TFT 어레이의 검사 장치에 있어서,
    상기 TFT 어레이와 대향되게 형성되며, 제 1방향으로 형성된 제 1전극;
    상기 제 1전극과 상기 화소 전극이 형성된 영역과 대응되는 영역에서 교차하여 제 2방향으로 형성된 제 2전극; 및
    상기 제 1전극 및 제 2전극의 교차하는 영역의 상기 제 1전극 및 상기 제 2전극 사이에 상기 화소 전극에 대응하도록 형성된 절연층;을 포함하는 표면 전자 방출 소자 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 전자 방출 소자 어레이를 이용한 TFT 검사 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 절연층은 내에 형성된 금속층을 더 포함하여 제 1절연층, 금속층 및 제 2절연층이 순차적으로 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 표면 전자 방출 소자 어레이를 이용한 TFT 검사 장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 TFT 어레이 및 상기 표면 전자 방출 소자 어레이는 수마이크로미터 내지 10mm의 간격으로 대향된 것을 특징으로 하는 표면 전자 방출 소자 어레이를 이 용한 TFT 검사 장치.
  4. 제 1항 또는 제 2항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1전극은 수백 나노미터 내지 수백 마이크로미터의 두께인 것을 특징으로 하는 표면 전자 방출 소자 어레이를 이용한 TFT 검사 장치.
  5. 제 1항 또는 제 2항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2전극은 10 내지 100 나노미터 두께인 것을 특징으로 하는 표면 전자 방출 소자 어레이를 이용한 TFT 검사 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 절연층은 1 내지 30 나노미터 두께인 것을 특징으로 하는 표면 전자 방출 소자 어레이를 이용한 TFT 검사 장치.
  7. 제 2항에 있어서,
    상기 금속층은 10 내지 50 나노미터 두께인 것을 특징으로 하는 표면 전자 방출 소자 어레이를 이용한 TFT 검사 장치.
  8. 게이트 라인, 소스 라인, 상기 게이트 라인과 상기 소스 라인에 연결된 다수의 박막 트랜지스터, 상기 다수의 박막 트랜지스터 각각에 전기적으로 연결된 화소 전극을 포함하는 TFT 어레이 및 상기 TFT 어레이와 대향되게 형성되며, 제 1방향으로 형성된 다수의 제 1전극, 상기 제 1전극과 상기 화소 전극이 형성된 영역과 대응되는 영역에서 교차하여 제 2방향으로 형성된 다수의 제 2전극, 상기 제 1전극 및 제 2전극의 교차하는 영역의 상기 제 1전극 및 상기 제 2전극 사이에 형성된 절연층을 포함하는 표면 전자 방출 소자 어레이를 포함하는 표면 전자 방출 소자 어레이를 이용한 TFT 검사 장치의 TFT 검사 방법에 있어서,
    (가) 상기 TFT 어레이의 검사 대상 TFT 소자와 전기적으로 연결된 화소 전극에 대응되는 표면 전자 방출 소자와 연결된 상기 제 1전극 및 상기 제 2전극에 전원을 인가하여 상기 제 2전극 표면에서 전자를 방출시키는 단계;
    (나) 상기 검사 대상 TFT 소자의 게이트 라인에 문턱 전압 이상의 전압을 인가하여 상기 검사 대상 TFT 소자를 on 시키는 단계; 및
    (다) 상기 검사 대상 TFT 소자와 연결된 소스 라인에 흐르는 전류 값을 측정하여 상기 검사 대상 TFT 소자의 오작동 여부를 검사하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 전자 방출 소자 어레이를 이용한 TFT 검사 장치의 TFT 검사 방법.
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